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third layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2439件
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例文
An insulation layer INS is arranged between the second and the third soft FM layers 60, 64.例文帳に追加
絶縁層が第２及び第３ソフトＦＭ層の間に配置されている。 - 特許庁
For the comparator, the device has a third layer of material clamped together with the other two layers, the third layer being a ferroelectric material.例文帳に追加
比較器の場合、該装置は、前記二つの層とともにクランプされた材料からなる第三の層を備え、該第三の層が強誘電体材料からなる。 - 特許庁
The third terminal communicates with the first planar metal layer 130-2.例文帳に追加
第３端子は第１平面状金属層１３０−２に連絡している。 - 特許庁
The fourth terminal communicates with the third planar metal layer 130-3.例文帳に追加
第４端子は第３平面状金属層１３０−３に連絡している。 - 特許庁
例文
The third signal electrode layer 23 is connected to the second signal terminal 12 and opposes the ground electrode layer 31 so as to construct a third capacitor C13.例文帳に追加
第３の信号電極層２３は、第２の信号端子１２に接続され、グランド電極層３１と対向して第３のコンデンサＣ１３を構成する。 - 特許庁
例文
In the high-frequency circuit part, the third layer L3 is formed to expose and a strip conductor of a microstrip line is arranged in the third layer L3.例文帳に追加
高周波回路部においては第３層Ｌ３を露出するように形成し、この第３層Ｌ３にマイクロストリップ線路のストリップ導体を配置する。 - 特許庁
The second region includes third metal wiring having a film thickness across from the first wiring layer to the second wiring layer and having a predetermined third width.例文帳に追加
第２の領域は、第１配線層から第２配線層へと亘る膜厚を有し、所定の第３の幅を有する第３の金属配線を有する。 - 特許庁
A third conductive layer 11 is embedded in the groove 9a.例文帳に追加
この溝部９ａには第３の導電層１１が埋込み形成されている。 - 特許庁
The antireflection layer 130 includes a first layer 131, a second layer 132, a third layer 133, a fourth layer 134, a fifth layer 135, a sixth layer 136, a transparent conductive layer 137 as a seventh layer and an eighth layer 138 arranged in the order outward from the lens base 110 side.例文帳に追加
この反射防止層１３０は、レンズ基材１１０側から外側に向けて順に配置された第１層１３１、第２層１３２、第３層１３３、第４層１３４、第５層１３５、第６層１３６、第７層である透明導電層１３７及び第８層１３８から構成される。 - 特許庁
例文
Although bat fibers in the second and third layers are passed through a substrate while bat fibers in the second and the third layers mutually interlaces, it is preferable that the bat fiber in the first layer is kept in a state which is not passed through the substrate while interlacing with the second layer and the third layer.例文帳に追加
また第2〜3層のバット繊維は相互に交絡しつつ基体に対して貫通しているが、第1層のバット繊維は第2層及び第3層に交絡しつつ基体に対して貫通していない状態であることが好ましい。 - 特許庁
例文
Since the second layer consisting of phthalocyanine based material is provided between the first layer and the third layer, electron injection barrier can be reduced when electrons generated in the first layer is injected to the m-th EL layer through the third layer.例文帳に追加
第１の層と第３の層との間に、フタロシアニン系材料からなる第２の層を設けることにより、第１の層で発生した電子を、第３の層を介してｍ番目のＥＬ層に注入するときの電子の注入障壁を小さくすることができる。 - 特許庁
The shutter blade has a first layer (80) having matrix resin and reinforced fiber, a second layer (82) having a metallic film, and a third layer, having matrix resin and reinforced fiber and is constituted by layering the first layer (80), the second layer (82) and the third layer (84).例文帳に追加
マトリクス樹脂と強化繊維とを有する第１の層（８０）と、金属膜を有する第２の層（８２）と、マトリクス樹脂と強化繊維とを有する第３の層とを有し、第１の層（８０）と第２の層（８２）と第３の層（８４）とが積層されている構成とする。 - 特許庁
The sum of the shortest distance from the third diffusion layer to the fifth diffusion layer and the shorter one of the shortest distance from the fifth diffusion layer to the fourth diffusion layer and that from the lower end part of the first diffusion layer to the fourth diffusion layer, is shorter than the shortest distance from the third diffusion layer to the fourth diffusion layer.例文帳に追加
第３拡散層から第５拡散層までの最短距離と、第５拡散層から第４拡散層までの最短距離及び第１拡散層の下端部から第４拡散層までの最短距離のいずれか短い方の距離との和は、第３拡散層から第４拡散層までの最短距離よりも小さい。 - 特許庁
The first layer 4 and the third layer 6 are nitride semiconductors, having a composition in which the difference in a lattice constant to the Si substrate 1, is smaller than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, the film thickness is larger than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, and the first layer 4 has a larger film thickness than that of the third layer 6.例文帳に追加
第１の層４及び第３の層６は、第２の層５及び第４の層７のいずれよりもＳｉ基板１との格子定数差が小さな組成の窒化物半導体であり、且つ、第２の層５及び第４の層７のいずれよりも膜厚が大きく、第１の層４は、第３の層６よりも膜厚が大きい。 - 特許庁
A third MOSFET comprises a third n-type gate electrode 17A, formed on a third gate insulating film 16 of a relatively thick film, while a third low-concentration impurity layer 20 is provided on the channel region side of a third heavily-doped layer 26.例文帳に追加
第３のＭＯＳＦＥＴは、相対的に大きい膜厚を持つ第３のゲート絶縁膜１６の上に形成された第３のｎ型ゲート電極１７Ａを有すると共に、第３の高濃度不純物層２６のチャネル領域側に第３の低濃度不純物層２０を有している。 - 特許庁
A lattice constant of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is small than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103, while a band-gap energy of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is larger than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103.例文帳に追加
また、第２半導体層１０２を構成する第１窒化物半導体は、第３半導体層１０３を構成する第２窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。 - 特許庁
The residual part of the third clad layer is etched with an etchant for selectively etching the residual part of the third clad layer, and the residual part of the sixth clad layer is etched with an etchant for selectively etching the residual part of the sixth clad layer.例文帳に追加
第３クラッド層の残部を選択的にエッチング可能なエッチャントで、第３クラッド層の残部をエッチングし、第６クラッド層の残部を選択的にエッチング可能なエッチャントで、第６クラッド層の残部をエッチングする。 - 特許庁
A balun includes a first metallic layer 210, a second metallic layer 220, a third metallic layer 230, a first dielectric layer 240 disposed between the second and third metallic layers, and a dielectric substrate 250.例文帳に追加
バランは、第一の金属層２１０と、第二の金属層２２０と、第三の金属層２３０と、第二および第三の金属層間に配された第一の誘電体層２４０と、誘電体基板２５０と、を有する。 - 特許庁
Ends 78a, 88a of the first layer conductor and the second layer conductor apart by a third pitch are jointed, and the ends 88b, 78b of the third layer conductor and the fourth layer conductor separated by a fourth pitch are jointed.例文帳に追加
第３ピッチ離れた第１層導体及び第２層導体の先端同士７８ａ、８８ａが接合され、第４ピッチ離れた第３層導体及び第４層導体の先端同士８８ｂ、７８ｂが接合されている。 - 特許庁
An inner layer strip line SL5 is formed on the metal layer M5 of a fifth layer, while a pair of opposing GND patterns G3, G7 are formed in the metal layer M3 of a third layer and the metal layer M7 of a seventh layer in a configuration of pinching the inner layer strip line SL5.例文帳に追加
第５層の金属層Ｍ5に内層ストリップラインＳＬ5が形成され、第３層の金属層Ｍ3と第７層の金属層Ｍ7には、内層ストリップラインＳＬ5を挟み込む態様で相対向する一対のＧＮＤパターンＧ3、Ｇ7が形成されている。 - 特許庁
A free magnetic layer 6 is formed by laminating an enhance layer 12, a first soft magnetic layer 13, a first nonmagnetic metal layer 14, a second soft magnetic layer 15, a second nonmagnetic metal layer 16, and a third soft magnetic layer 19 in this order on an insulating barrier layer 5 from the bottom.例文帳に追加
フリー磁性層６は、絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、第１非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５、第２非磁性金属層１６及び第３軟磁性層１９の順に積層されている。 - 特許庁
When a parts mounting surface or the uppermost surface layer is specified as a first layer, one side of a ground layer and the same of a power supply layer are arranged on a second layer while the other sides of them are arranged on a third layer, and an insulation film is arranged between the ground layer and the power supply layer.例文帳に追加
部品実装面である最表面層を第１層としたときに、第２層にグランド層及び電源層の一方を、第３層にその他方を配置し、グランド層と電源層との間に絶縁フィルムを配置したことを特徴とする。 - 特許庁
Preferably, the second optical compensation layer 13 and the third optical compensation layer 14 are stuck to each other via only an adhesive layer.例文帳に追加
好ましくは、第２の光学補償層１３と第３の光学補償層１４とは、接着剤層のみを介して貼り合わされている。 - 特許庁
The second p-side wiring layer has a p-side external terminal exposed from the first insulating layer and second insulating layer on the third surface.例文帳に追加
第２のｐ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。 - 特許庁
A space between the first abrasive grain layer 24A, the second abrasive grain layer 24B, and the third abrasive grain layer 24C becomes a deeper and wide main discharge passage 34.例文帳に追加
第一砥粒層２４Ａ，第二砥粒層２４Ｂ，第三砥粒層２４Ｃの間はより深く幅広の主排出路３４をなす。 - 特許庁
Here, the second clad layer 4B has a smaller refractive index than either of the first clad layer 4A and the third clad layer 4C.例文帳に追加
ここで、第２クラッド層４Ｂの屈折率は、第１クラッド層４Ａ及び第３クラッド層４Ｃの屈折率のいずれよりも小さい。 - 特許庁
A belt edge cushion rubber layer 31 is provided at both ends in the tire width direction between the second belt layer 13 and the third belt layer 15.例文帳に追加
ベルトエッジクッションゴム層３１は、第二ベルト層１３と第三ベルト層１５との間のタイヤ幅方向両端部に設けられている。 - 特許庁
In this case, the second ferromagnetic layer 14 is anti-ferromagnetically connected through the non-magnetic spacer layer 13 with a third ferromagnetic layer 12.例文帳に追加
ここで、第２の強磁性層１４と第３の強磁性層１２が非磁性スペーサ層１３を介して反強磁性的に結合している。 - 特許庁
The rubber hardness of the rubber layer parts 15, 16, 17, 18 should meet the relation that the first division rubber layer part < the second division rubber layer part < the third division rubber layer part ≤ the fourth division rubber layer part.例文帳に追加
各区域ゴム層部１５，１６，１７，１８のゴム硬度は、第１区域ゴム層部＜第２区域ゴム層部＜第３区域ゴム層部≦第４区域ゴム層部の関係を満たすようになっている。 - 特許庁
Exposure and development are performed on the resist layer 102 so as to leave a predetermined dimension W_2, as with the first layer (resist layer 100), and then, a third resist layer (resist layer 104) is applied.例文帳に追加
レジスト層１０２についても、一層目（レジスト層１００）と同様に、所定の寸法Ｗ_２を残すように露光現像を行い、その後、三層目のレジスト（レジスト層１０４）を塗布する。 - 特許庁
Gate electrode layers 21a, 21b which form a first layer, a drain- drain connect layer which is a second layer and a drain-gate connect layer which is a third layer form conductive layers for a flip-flop.例文帳に追加
第１層であるゲート電極層２１ａ、２１ｂと、第２層であるドレイン−ドレイン接続層と、第３層であるドレイン−ゲート接続層と、がフリップフロップ用の導電層となる。 - 特許庁
The resist pattern 50 comprises a first resist layer 2 on a substrate 1, a second resist layer 3 on the first resist layer 2, a third resist layer 4 on the second resist layer 3, and an opening 5.例文帳に追加
レジストパターン５０は、基板１上に第一のレジスト層２と、第一のレジスト層２上に第二のレジスト層３と、第二のレジスト層３上に第三のレジスト層４と、開口部５とを備える。 - 特許庁
A first layer 131, a third layer 133 and a fifth layer 135 are each formed of SiO_2; and a second layer 132 and a fourth layer 134 are each formed of ZrO_2.例文帳に追加
第１層１３１、第３層１３３及び第５層１３５は、それぞれＳｉＯ_２から形成され、第２層１３２及び第４層１３４は、それぞれＺｒＯ_２から形成されている。 - 特許庁
The information signal layer includes a reflecting layer, a recording layer provided on the reflecting layer and first, second and third dielectric layers laminated successively on the recording layer.例文帳に追加
情報信号層は、反射層と、反射層上に設けられた記録層と、記録層上に順次積層された第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層とを備える。 - 特許庁
Second and third via holes (820, 830) expose parts of the flattened layer.例文帳に追加
第２と第３ビアホール（８２０，８３０）は、平坦化層の一部分を露出させる。 - 特許庁
The third well 24 contains a first-conductivity first impurity diffusing layer 22.例文帳に追加
第３ウエル２４は、第１導電型の第１不純物拡散層２２を含む。 - 特許庁
A third matching layer etc., can be provided instead of the acoustic lens 18.例文帳に追加
音響レンズ１８に代えて第３整合層等を設けることも可能である。 - 特許庁
First to third hard mask layers 5, 6, 7 are deposited on a base layer B1.例文帳に追加
下地層Ｂ１上に、第１乃至第３のハードマスク層５，６，７を堆積する。 - 特許庁
Further, the outer surface of the second sheet body 24 is covered with a third soil layer 33.例文帳に追加
更に、第２シート体２４の外面が第３土層３３で覆われている。 - 特許庁
The thickness of the group third-fifth compound semiconductor layer 14 is equal to or less than 0.2 μm.例文帳に追加
III−Ｖ族化合物半導体層１４の厚さは０．２μｍ以下である。 - 特許庁
A carrier block layer 19 comprises a third hexagonal group-III nitride semiconductor.例文帳に追加
キャリアブロック層１９は第３の六方晶系III族窒化物半導体からなる。 - 特許庁
A charge coupling device forms a fast damp gate(FDG) while using a third layer polysilicon.例文帳に追加
電荷結合素子は、第３層ポリシリコンを用いて、高速ダンプゲートを形成する。 - 特許庁
The third layer CLa includes a first portion 2 and a second portion 16.例文帳に追加
第３の層ＣＬａは第１の部分２および第２の部分１６を有する。 - 特許庁
Furthermore, the second electrode layer 20 is scribed to form a third scribe part 70.例文帳に追加
さらに、第２電極層２０をスクライブして第３スクライブ部７０を設ける。 - 特許庁
A second wiring layer 13 is formed on the third interlayer dielectric 11.例文帳に追加
第３層間絶縁膜１１上に第２配線層１３が形成されている。 - 特許庁
A signal reading line 53 is formed on a third insulating layer 16.例文帳に追加
第３絶縁層１６の上には、信号読み出しライン５３が形成されている。 - 特許庁
To protect a quantum well layer and a barrier layer against damage by a method wherein an In-containing first nitride semiconductor layer is formed, a substrate is made to rise in temperature as a second another nitride semiconductor layer is formed, an In-free third nitride semiconductor layer is formed, and a first to a third process are successively carried out.例文帳に追加
結晶成長によりインジウムを含む半導体層を安定に形成する、例えば良好な活性層を備えた窒化物レーザを製造できる、インジウムを含む窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁
An intermediate buffer management layer (IBML) (201, 211) is introduced below a third layer of an OSI-based communications interface.例文帳に追加
ＯＳＩ型通信インタフェースの第３層より低位に中間バッファ管理層（ＩＢＭＬ）（２０１，２１１）を導入する。 - 特許庁
A third insulating layer 43 is formed on the second insulating layer 42 to cover the wiring pattern W2.例文帳に追加
また、第２の絶縁層４２上に配線パターンＷ２を覆うように第３の絶縁層４３が形成される。 - 特許庁
例文
The upper surface of the third buried layer 9 is covered with a semiconductor layer 11 made of n-type InP.例文帳に追加
第３埋め込み層９の上面は、ｎ型のＩｎＰからなる半導体層１１により覆われている。 - 特許庁