weblio英語例文検索 (original) (raw)
third layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2439件
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 48 49 次へ＞
例文
The memory cell of SRAM has a first conducting layer 6a, a second conducting layer 16b and a third conducting layer 16c.例文帳に追加
ＳＲＡＭのメモリセルは第１の導電層１６ａ、第２の導電層１６ｂ及び第３の導電層１６ｃを備える。 - 特許庁
A second inter-layer insulating film and a third inter-layer insulating film are laminated on a source wiring 10 as the lower-layer wiring.例文帳に追加
下層配線としてのソース配線１０上には、第２層間絶縁膜および第３層間絶縁膜が積層されている。 - 特許庁
The third layer 13-3 is provided on the second layer 13-2 and has a refractive index smaller than that of the second layer 13-2.例文帳に追加
第３の層１３−３は、第２の層１３−２上に設けられており、第２の層１３−２より屈折率が小さい。 - 特許庁
A third insulating layer is in physical contact with the first insulating layer and is arranged on the second and the first insulating layer.例文帳に追加
第３絶縁層は、第１絶縁層と物理的に接し、第２絶縁層および第１絶縁層上に配置される。 - 特許庁
例文
The third contact conductive layer 260 is placed on the first contact conductive layer 214 and the second contact conductive layer 232.例文帳に追加
第３コンタクト導電層２６０は、第１コンタクト導電層２１４および第２コンタクト導電層２３２上に設置されている。 - 特許庁
例文
A third insulating layer 43 is formed over the second insulating layer 42 so as to cover the ground layer GL.例文帳に追加
また、第２の絶縁層４２上においてグランド層ＧＬを覆うように第３の絶縁層４３が形成される。 - 特許庁
The third layer 14-3 is provided on the second layer 14-2 and has a refractive index smaller than that of the second layer 14-2.例文帳に追加
第３の層１４−３は、第２の層１４−２上に設けられており、第２の層１４−２より屈折率が小さい。 - 特許庁
A fourth layer 15 is provided between the second layer 1 and the third layer CLa, and has second conductivity.例文帳に追加
第４の層１５は、第２の層１および第３の層ＣＬａの間に設けられ、かつ第２導電型を有する。 - 特許庁
In this case, the second ferromagnetic layer 14 is anti-ferromagnetically connected through the non-magnetic spacer layer 13 with a third ferromagnetic layer 12.例文帳に追加
ここで、第２の強磁性層１４と第３の強磁性層１２が非磁性スペーサ層１３を介して反強磁性的に結合している。 - 特許庁
例文
A fourth layer 15 is provided between the second layer 1 and the third layer CLa and has the second conductivity type.例文帳に追加
第４の層１５は第２の層１および第３の層ＣＬａの間に設けられ第２導電型を有する。 - 特許庁
例文
The PTFE dispersion amounts (the weight ratios) of the first layer 411, the second layer 412, and the third layer 413 are 2 wt.%, 5 wt.%, and 10 wt.% respectively.例文帳に追加
第１の層４１１、第２の層４１２、第３の層４１３のＰＴＦＥ分散量（重量比）は、２ｗｔ％、５ｗｔ％、１０ｗｔ％である。 - 特許庁
A n-type impurity concentration of the second n-type layer 112 is higher than those of the first n-type layer 111 and the third n-type layer 113.例文帳に追加
第２ｎ型層１１２のｎ型不純物濃度は、第１ｎ型層１１１、第３ｎ型層１１３のｎ型不純物濃度よりも高い。 - 特許庁
On a semiconductor substrate 1, a marker layer 2, a first cladding layer 3, an etch stop layer 4, a second cladding layer 5, an active layer 6, a third cladding layer 7, and a cap layer 8 are successively grown.例文帳に追加
半導体基板１上にマーカー層２，第一クラッド層３，エッチストップ層４，第二クラッド層５，活性層６，第三クラッド層７及びキャップ層８を順次成長させる。 - 特許庁
In the light shielding film, the first layer is provided above the second layer in a range smaller than the second layer, and the third layer is provided, in a region overlapping the second layer so as to cover the first layer from the upper layer.例文帳に追加
遮光膜において、第１層は、第２層の上層において第２層より狭い範囲に設けられ、第３層は、第１層を上層側から覆うように第２層と重なる領域に設けられている。 - 特許庁
The shield layer 20 incorporates: a first layer 20A disposed on the gap layer 18; a second layer 20C disposed on the first layer 20A; and a third layer 20E disposed on the second layer.例文帳に追加
シールド層２０は、ギャップ層１８の上に配置された第１層２０Ａと、第１層２０Ａの上に配置された第２層２０Ｃと、第２層２０Ｃの上に配置された第３層２０Ｅを有している。 - 特許庁
This inorganic EL light emitting device comprises a transparent electrode as a first layer supported to a substrate, a luminescent layer containing an inorganic fluorescent material as a second layer, a dielectric layer as a third layer, and an electrode layer as a fourth layer.例文帳に追加
無機ＥＬ電極として従来ＩＴＯ（インジウム酸化錫）が使用されていたが、この電極は透明性は高いが、高価であると同時にフレキシビリティーがないなど問題が多かった。 - 特許庁
The intermediate layer 300 has a five-layer structure, provided with a first intermediate layer 301, a second intermediate layer 302, a third intermediate layer 303, a fourth intermediate layer 304, and a fifth intermediate layer 305.例文帳に追加
中間層３００は、第１中間層３０１と、第２中間層３０２と、第３中間層３０３と、第４中間層３０４と、第５中間層３０５とを備え、５層構造を有している。 - 特許庁
The first layer 31, the third layer 33, the fifth layer 35 and the eighth layer 38 are low refractive index layers, and the second layer 32, the fourth layer 34 and the sixth layer 36 are high refractive index layers.例文帳に追加
このうち、第１層３１、第３層３３、第５層３５および第８層３８が低屈折率層であり、第２層３２、第４層３４および第６層３６が高屈折率層である。 - 特許庁
The free layer 7 comprises, in the following order from the side of the tunneling barrier layer 6, a first ferromagnetic layer 76, a first non-magnetic conducting layer 75, a second ferromagnetic layer 74, a second non-magnetic conducting layer 72, and a third ferromagnetic layer 70.例文帳に追加
フリー層７は、トンネルバリア層６の側から順に、第１強磁性層７６、第１非磁性導電層７５、第２強磁性層７４、第２非磁性導電層７２、第３強磁性層７０を備える。 - 特許庁
A first barrier layer of the light-emitting layer 17 functions as an injection barrier layer, and the layer thickness of a third well layer is set within a range of 90 to 105% of the layer thickness of a second well layer.例文帳に追加
発光層１７の第１障壁層は、注入障壁層として機能するとともに、第３井戸層の層厚は、第２井戸層の層厚に対して９０％以上１０５％以下の範囲内で設定される。 - 特許庁
The free layer 15 has a layered structure formed by laminating a first ferromagnetic layer 21, an interposing layer 22, a second ferromagnetic layer 23, an interposing layer 24, and a third ferromagnetic layer 25, in order from a side coming into contact with a tunnel barrier layer.例文帳に追加
フリー層１５は、トンネルバリア層と接する側から、第１の強磁性層２１、介在層２２、第２の強磁性層２３、介在層２４、第３の強磁性層２５が順に積層された積層構造を有する。 - 特許庁
Since the second layer consisting of phthalocyanine based material is provided between the first layer and the third layer, electron injection barrier can be reduced when electrons generated in the first layer is injected to the m-th EL layer through the third layer.例文帳に追加
第１の層と第３の層との間に、フタロシアニン系材料からなる第２の層を設けることにより、第１の層で発生した電子を、第３の層を介してｍ番目のＥＬ層に注入するときの電子の注入障壁を小さくすることができる。 - 特許庁
In the composite sound-absorbing material of inorganic fiber and organic fiber which has composite three-layer structure has a second layer sandwiched in between first and third layers, the first layer and the third layer comprise PET organic fiber layers, and the second layer is formed of an aluminum fiber layer.例文帳に追加
第１層と第３層との間に第２層をサンドイッチ状に挟着した複合三層構造の吸音材であって、第１層および第３層はＰＥＴ有機繊維層からなり、かつ、第２層はアルミニウム繊維層からなる無機繊維と有機繊維の複合吸音材およびその製造方法である。 - 特許庁
A first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a third semiconductor layer are formed by forming a first element separation region 110a extending to an insulating layer, and a third element separation region 110b on a substrate 10 on which there are formed in order a support substrate 10a, the insulating layer 10b, and a semiconductor layer 10c.例文帳に追加
支持基板１０ａと絶縁層１０ｂと半導体層１０ｃとが順に形成された基板１０に、絶縁層に到達する第１素子分離領域１１０ａおよび第３素子分離領域１１０ｂを形成することで第１半導体層、第２半導体層および第３半導体層を形成する。 - 特許庁
The shutter blade has a first layer (80) having matrix resin and reinforced fiber, a second layer (82) having a metallic film, and a third layer, having matrix resin and reinforced fiber and is constituted by layering the first layer (80), the second layer (82) and the third layer (84).例文帳に追加
マトリクス樹脂と強化繊維とを有する第１の層（８０）と、金属膜を有する第２の層（８２）と、マトリクス樹脂と強化繊維とを有する第３の層とを有し、第１の層（８０）と第２の層（８２）と第３の層（８４）とが積層されている構成とする。 - 特許庁
In the ridge structure of this semiconductor composed of a contact layer, a current-blocking layer, and a third clad layer, the upper end face of the current-blocking layer and the upper end face of the contact layer or third clad layer adjoin each other and form a flat surface.例文帳に追加
コンタクト層、電流阻止層および第３のクラッド層からなる半導体レーザ装置のリッジ構造において、電流阻止層の上端面とコンタクト層の上端面または第３のクラッド層の上端面とが隣接して平坦面を形成しているリッジ構造を有する半導体レーザ装置。 - 特許庁
A titanium layer 15 is brought into contact with a third poly-crystal silicon layer 3 at the upper face 3aa and the upper side face 3ab of the upper board 3a of a third poly-crystal silicon layer 3.例文帳に追加
第３の多結晶シリコン層３の上板部３ａの上面部３ａａおよび上側面部３ａｂにおいてチタン層１５が第３の多結晶シリコン層３に接触するようになっている。 - 特許庁
The fourth semiconductor layer 4 is selectively provided on a surface of the third semiconductor layer 3 and has a higher concentration of a second-conductivity-type impurity than that of the second conductivity-type impurity of the third semiconductor layer 3.例文帳に追加
第４の半導体層４は、第３の半導体層３の表面に選択的に設けられ、第３の半導体層３の第２導電形不純物の濃度よりも高い第２導電形不純物の濃度を有する。 - 特許庁
Electron holes, which are generated by optical absorption performed by the third semiconductor layer 4 during operation, are accumulated on the interface between the third semiconductor layer 4 and the second semiconductor layer 3.例文帳に追加
動作時に第３の半導体層４による光吸収によって生成される正孔が第３の半導体層４と第２の半導体層３との界面に蓄積される。 - 特許庁
The side surface of the first insulating layer is perpendicular to the upper surface of the third semiconductor layer and both side surfaces of the third electrode are in contact with the side surface of the first insulating layer.例文帳に追加
第１の絶縁層の側面は第３の半導体層上面に対して垂直で、第３の電極の両側面は第１の絶縁層の側面と接する。 - 特許庁
In a third-layer interlayer insulation film 11 formed between the second-layer metal 9 and a third-layer metal 15, a second via 13 and a second dummy via 13a are formed.例文帳に追加
第２層目メタル９と第３層目メタル１５の間に設けられた第３層目層間絶縁膜１１に第２ＶＩＡ１３と第２ダミーＶＩＡ１３ａが形成されている。 - 特許庁
A first luminous region formed by the first organic luminous layer, a second luminous region formed by the second organic luminous layer, and a third luminous region formed by the third organic luminous layer are located mutually shifted from each other.例文帳に追加
第１有機発光層が形成する第１発光領域と、前記第２有機発光層が形成する第２発光領域および前記第３有機発光層が形成する第３発光領域とは、互いにずれて位置している。 - 特許庁
A third colored layer is formed so as to fill the aperture for the third colored layer and a color filter is formed so that the black light shielding layer 60 may be left in the boundaries between different colored layers.例文帳に追加
第３の着色層用開口部を埋めるように第３の着色層が形成され、異なる着色層間の境界に黒色遮光層６０が残るようにカラーフィルタが形成される。 - 特許庁
A p-type third nitride semiconductor layer 108 is selectively formed on the semiconductor layer laminate 103, and a gate electrode 109 is formed on the third nitride semiconductor layer 108.例文帳に追加
半導体層積層体１０３の上には、ｐ型の第３の窒化物半導体層１０８が選択的に形成されており、第３の窒化物半導体層１０８の上にはゲート電極１０９が形成されている。 - 特許庁
A measuring wire 2 is connected to the third layer by a though hole 5, returned to the inside corresponding to the length portion of the measuring wire 2 on the third layer, and connected to the fourth layer.例文帳に追加
測定配線２はスルーホール５により第３層に接続され、第３層で測定配線２の長さ分だけ内側へ戻され第４層に接続される。 - 特許庁
The third base material is laminated by bonding the third insulating layer 101c under the first conductor layer 100a of the first base material with a thin-film adhesion layer 103 interposed.例文帳に追加
第一の基材の第一の絶縁層１０１ａの下に薄膜接着層１０３を介して第三の絶縁層１０１ｃを接着して第三の基材を積層する。 - 特許庁
By using this member, surfaces of the projective electrode group is made to oppose with a third metal layer 1' of a separately prepared three layer foil and the surfaces of the projective electrode group are pressurized to contact with the surface of the third metal layer 1' through a thermosetting resin.例文帳に追加
この部材を用いて、この部材の突起群の表面を、別途準備した３層箔の第３金属層１’と対向せしめ、熱硬化可能な樹脂を介して、突起群の表面を第３金属層１’表面と加圧接触させる。 - 特許庁
A second reflective film 13a is formed on the second recording layer, and a third reflective film 14a and a light transmission layer 17 are formed on the third recording layer.例文帳に追加
第２の記録層の上には第２の反射膜１３ａが形成され、第３の記録層の上には第３の反射膜１４ａと光透過層１７とが形成されている。 - 特許庁
First conductor wires 121-127 are positioned on a plane whereon the second insulating layer 102 and the third insulating layer 103 come close to each other, and on a plane whereon the third insulating 103 and the fourth insulating layer 104 come close to each other.例文帳に追加
第１の導体配線１２１〜１２７は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面、及び、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置している。 - 特許庁
After the thin film pattern 14b of the second layer and the thin film pattern 14c of the third layer are joined to each other, when an upper stage 21 is raised, the thin film patter 14c of the third layer causes plastic deformation.例文帳に追加
２枚目の薄膜パターン１４ｂと３枚目の薄膜パターン１４ｃとを接合した後、上部ステージ２１を上昇させると、３枚目の薄膜パターン１４ｃが塑性変形を起こす。 - 特許庁
In the adsorption heat exchanger 20, a first adsorption layer 36 is formed on the fin 30 of the first row part 21, a second adsorption layer 37 is formed on the fin 30 of the second row part 22, and a third adsorption layer 38 is formed on the fin 30 of the third row part 23.例文帳に追加
吸着熱交換器（20）では、第１列部分（21）のフィン（30）上に第１吸着層（36）が、第２列部分（22）のフィン（30）上に第２吸着層（37）が、第３列部分（23）のフィン（30）上に第３吸着層（38）がそれぞれ形成される。 - 特許庁
Also, in the vicinity of the first wiring layer 5, a through connecting portion comprising a third insulating layer 8 formed in the through hole 3 and formed on the inner-wall surface thereof, etc. , and comprising a third wiring layer 9 formed in a filling way inside the through hole 3 is formed.例文帳に追加
また第１の配線層５の近傍に、貫通孔３とその内壁面等に形成された第３の絶縁層８および貫通孔３内に充填・形成された第３の配線層９から成る貫通接続部が形成されている。 - 特許庁
The second adhesive layer 6 is formed of a material having a storage modulus larger than that of the third adhesive layer 7, and the elliptically polarizing plate is stuck, in the third adhesive layer side, to at least one surface of a liquid crystal cell.例文帳に追加
この際、第二の粘着層６は、第三の粘着層７よりも貯蔵弾性率が大きいもので構成し、第三の粘着層側で液晶セルの少なくとも片面に貼着される。 - 特許庁
The capacitance insulating film has: a first layer (7a) containing hafnium oxide; a second layer (7b) formed in an upper layer of the first layer and containing alumina; a third layer (7c) formed in a lower layer of the first layer and containing alumina; and a fourth layer (7d) formed in an upper layer of the second layer and containing hafnium oxide.例文帳に追加
容量絶縁膜は、酸化ハフニウムを含む第１層（７ａ）と、第１層の上層に形成されており、アルミナを含む第２層（７ｂ）と、第１層の下層に形成されており、アルミナを含む第３層（７ｃ）と、第２層の上層に形成されており、酸化ハフニウムを含む第４層（７ｄ）とを有する。 - 特許庁
In this case, a via hole 5 for connecting two layer wiring 1 being the wiring of the wiring layer in the second layer to four layer wiring 4 as the wiring of the wiring layer in the fourth layer is positioned adjacently to three layer wiring 2, so as not to be brought into contact with three layer wiring 2 as the wiring of the wiring layer in the third layer.例文帳に追加
この場合、２層目の配線層の配線である２層配線１と４層目の配線層の配線である４層配線４とを接続するビアホール５が、３層目の配線層の配線である３層配線２との接触を避けて、同３層配線２に隣接する位置に設けられる。 - 特許庁
The antireflection layer 130 includes a first layer 131, a second layer 132, a third layer 133, a fourth layer 134, a fifth layer 135, a sixth layer 136, a transparent conductive layer 137 as a seventh layer and an eighth layer 138 arranged in the order outward from the lens base 110 side.例文帳に追加
この反射防止層１３０は、レンズ基材１１０側から外側に向けて順に配置された第１層１３１、第２層１３２、第３層１３３、第４層１３４、第５層１３５、第６層１３６、第７層である透明導電層１３７及び第８層１３８から構成される。 - 特許庁
The semiconductor element 1A further comprises: a first main electrode 20 connected to the third semiconductor layer 16; a second main electrode 21 connected to the third semiconductor layer 16; and a gate electrode 31 provided between the first main electrode and the second main electrode on the third semiconductor layer 16.例文帳に追加
半導体素子１Ａは、第３半導体層１６に接続された第１主電極２０と、第３半導体層１６に接続された第２主電極２１と、第１主電極と第２主電極とのあいだの第３半導体層１６の上に設けられたゲート電極３１と、を備える。 - 特許庁
The arrangement further includes a first pump 11 to take out the upper layer liquid having small specific gravity in the second chamber 10, a second pump 13 to transfer the lower layer liquid having a larger specific gravity in the second chamber 10 to the third chamber 14, and a third pump 16 to take out the lower layer liquid having large specific gravity in the third chamber 14.例文帳に追加
そして第２槽１０の比重の小さい上層液を取り出す第１ポンプ１１と、第２槽１０の比重の大きい下層液を第３槽１４に移す第２ポンプ１３と、第３槽１４の比重の大きい下層液を取り出す第３ポンプ１６とが設けられている。 - 特許庁
The guard ring 118 includes a first ring 134 of a first layer 128, a second ring 136 of a second layer 130, a third ring 138 of a third layer 132, a first connection ring 142 connecting the first ring 134 and the second ring 136 with each other, and a second connection ring 144 connecting the second ring 136 and the third ring 138 with each other.例文帳に追加
ガードリング１１８は、第１層１２８の第１リング１３４、第２層１３０の第２リング１３６および第３層１３２の第３リング１３８とそれらを接続する第１接続リング１４２、第２接続リング１４４を含む。 - 特許庁
例文
A first dielectric layer 102, a second dielectric layer 103, a third dielectric layer 104, a lower reflecting layer 105, a fourth dielectric layer 106, a recording layer 107, a fifth dielectric layer 108 and an upper reflecting layer 109 are successively laminated on a substrate 101 to have a constitution with heightened reflectivity toward incident light by a multilayered film from the first dielectric layer 102 to the third dielectric layer 104.例文帳に追加
基板１０１上に、第１誘電体層１０２、第２誘電体層１０３、第３誘電体層１０４、下部反射層１０５、第４誘電体層１０６、記録層１０７、第５誘電体層１０８、上部反射層１０９を順に積層し、第１誘電体層１０２から第３誘電体層１０４までの多層膜による入射光に対する反射率を高めた構成とする。 - 特許庁