Германиевых — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «германиевых»
Иструмент для резки, например, германиевых слитков
Номер патента: 124218
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Лозинский
МПК: B06B 1/00, B06B 1/08, B28D 5/00 ...
Метки: германиевых, иструмент, например, резки, слитков
...продольные ребра А и Б толщиною 0,15 - , 0,2,ил 1 и высотой П, равной толщине изготовляемой квадратной пластинки плюс 0,1+0,15 им, и с расстоянием между ребрами - О, равным ширине изготовляемой пластинки.124218Описываемый инструмент 1 жестко закрепляется в акустическом концентраторе 2, соединенном с магнитострикционным стержнем 3 ультразвукового станка, а разрезаемый слиток 4, например, германия закрвпляется в специальном зажимном устройстве 5, которое после каждого прохода инструмента 1 автоматически поворачивает слиток 4 на 90" вокруг своей оси и подает его на расстояние 6, равное толщине изготовляемой пластинки плюс О, - 0,15 мм. Лбразивная суспензия подается на инструмент 1 через трубку б. Установка инструмента 1 для начала разреза...
Устройство для подачи ориентированных германиевых кристаллов к автомату припайки
Номер патента: 151179
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Комлягин, Малышев, Шпанов
МПК: B23Q 7/02
Метки: автомату, германиевых, кристаллов, ориентированных, подачи, припайки
...9 с электромагнитом 1 О. Зазор между диском 7 и полюсом электромагнита 10 регулируется при помощи установочных винтов 11 и 12. Сила притяжения электромагнита 10 регулируется автотрансформатором, включенным в его цепь так, чтобы кристалл притягивался только никелевой стороной. Конец второй части вибролотка 1 примыкает к пазу шибера автомата151179припайки, а начало передней части вибролотка стыкуется со спиралью И цилиндрического вибробункера 14.Кристаллы из вибробункера по спирали И поступают в прямолинейное русло передней части вибролотка 1, доходят по нему до вращающегося диска 7 и поочередно заходят в его пазы. Попадая в зону действия электромагнита 10, кристаллы, расположенные германиевой стороной вверх, не притягиваются...
Способ регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых транзисторов
Номер патента: 175143
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Маркова, Стружинский
МПК: H01L 21/18
Метки: величины, германиевых, коэффициента, току, транзисторов, усиления
...ератур а при куо ллий, ность темп меди,же, кдий, гавозмонрабочи бретения едм икеля высок приприближается к Подписная группа9 Известны способы регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых триодов, основанные на введении различных примесей в состав эмиттерного сплава. Предложенный способ отличается от известных тем, что в состав эмиттерного сплава вводят никель, уменьшающий время жизни носителей в базовом слое и величину коэффициента переноса. Способ позволяет уменьшить коэффициент усиления по току и технологическии разброс по коэффициенту усиления, а также увеличить частотный предел германиевых полупроводниковых приборов.Примесь никеля в германии снижает время жизни носителей в базовом слое до единиц и долей...
Способ получения германиевых р-п переходов
Номер патента: 248086
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Бченко, Гордиенко, Дидевич, Некрасов, Смирнов
МПК: H01L 21/04
Метки: германиевых, переходов, р-п
...относится к технологии получения полупроводниковых приборов.При существующих способах получения термостабильных германиевых р-п переходов изменяются объемные свойства полупроводникового кристалла в процессе термической обработки, что приводит к ухудшению некоторых параметров приборов, в частности появляется текучесть обратных токов, ухудшаются усилительные свойства транзисторов.Предлагаемый способ устраняет указанные недостатки и позволяет улучшать термостабильность приборов без их дополнительной обработки.Сущность способа заключается в том, что в германий с удельным сопротивлением 5 й 1 ом, см,и легированный сурьмой, идущий на,изготовление монокристаллов для р-п переходов, вводятся добавки кремния от 0,5 и более вес. %.Введение атомов...
Способ изготовления германиевых планарных р_„_р транзисторов
Номер патента: 293533
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Белановсклй, Данилин, Клюев, Филатов, Чери
МПК: H01L 21/24
Метки: германиевых, планарных, рр, транзисторов
...5 град(лшн.Последовательность операций следующая.На пластш 1 у германия наносят слой зац 1 цтной пленки с двух сторон. В выгравировашгое отверстие проводят диффузию для гоздацц,1(1)11 П 1 ОВ 1 ТСТВ ПО ЛОГ 3)1 НЗСОСТО:111:1 ОТН)В 11 Н 0 Н СОВСТС .(1 НН.1 С Г)ОВ (сб.). т 11. 1(ост)О)(сеОГО С 11)1)В 1 с)1 нн )1)датс.1 ьстВ, ОО)1 )11(1)нн и 1(1111)1(1 Г)Г( тО)1 Овлн базового слоя. Пластину вторично защищаот слоем пленки н гравируют отверстие для базового электрода. Проводят вторично диффузи)о с целью создания в базовом окне области с проводимостью, близкой к металлической.Проведение дополнительной диффузии вызвано необходимостью снизить посгоянцу(о времени го С. в части уменьшения сопротивления пассивной работы базы и, которое составляет...
Способ электролитического травления полупроводниковых германиевых р-п-р-структур
Номер патента: 392852
Опубликовано: 05.03.1975
Авторы: Климов, Рябченко, Савчук, Шаповалов
МПК: H01L 7/52
Метки: германиевых, полупроводниковых, р-п-р-структур, травления, электролитического
...от среды электролита; на электролит подагот отрицательный потенциал напряжения.Такой способ способствует уменьшению уровня обратного тока эмиттерного и коллекторного р - гг-переходов транзисторной структуры и соответственно повышению их высоковольтности за счет отравливания преимущественно рекристаллизованного р-слоя р - п-переходов благодаря незначительному расширению объемных зарядов р - и-переходов в область базы при подаче на отравливаемый р - гг-переход наведенного положительного по.у, у ыФ%;Я фф 3 вф = в "392832 Предмет изобретения Составитель М. Сорокина Техред Т. МироноваКорректоры: А. Дзесова и Л. Царькова Редактор С. Жиляева Заказ 1428/11 Изд, Мо 500 Тираж 837 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета...
Способ изготовления германиевых термосопротивлений для сверхвысоких температур
Номер патента: 437931
Опубликовано: 05.09.1978
Автор: Шлимак
МПК: G01K 7/22
Метки: германиевых, сверхвысоких, температур, термосопротивлений
...11 КЭто достигается тем что монокристаллгермания облучают медленными нейтрона"азад 21 в -гми дозой от 2,6 10 см до 4 10 см .Естественный германий представляетсобой смесь пяти изотопов. Захватываямедленный нейтрон, эти изотопы переходят в другие изотопы, иэ которых два стабильны, а три радиоактивны. Распадаясьс различными периодами полураспада, оииобразуют ядра других впементов - галлия,мышьяка и селеиа, первый иэ которых является акцептором, а два других - донорами. В результате, в зависимости от доэноблучения, получают германий р-типа сразличной концентрацией основной примеси - галлии и постоянной компенсацией,равной 40%. Концентрация галлия йопределяется из соотношенияйо ЭМ,Фо рмула изобретения Составитель Б. Голубь Техред А,...
Способ изготовления германиевых термосопротивлений для измерения низких температур
Номер патента: 597260
Опубликовано: 25.10.1978
Авторы: Воробкало, Забродский, Зарубин, Немиш, Шлимак
МПК: G01K 7/16
Метки: германиевых, низких, температур, термосопротивлений
...10см"облуцяют медЛЕЦЕЕЕ)ХМИ Е 1 ЕЙТРОНЯМИ )ЛЦТЕГРтЬНХ)М 1 ОТО 1)комот 4,7 10 до 6,0 10" цсм , Взависимости От исходной концентрации ло 55норов и дозы облучения можно полуИтьгерманий с различным соотцоецецием концентраций доцорцой и акцепторной приме=СЕЙ) т, Е, С РЯЭЛИЧЦОЙ СТЕПЕНЬЮ КОЬ 4 Т 1 РЦСацИ КЯК т -" ТЯК ИТИПВ, П)т)ВОЕХИМОС)И, .ХО )5)ДЕ)55 ЕТ Ы)ИРОК Ва;)ЬИРОВВтЬ ВЕ)ЕЕ)цт)еаУРНОЙ ЗЯВЕЕСИМЕ,." И УД тпт ЦО) тт11)О) Ив)Еттця И ц)Гт. Ь т Е) ) 16)ти) С Г)ПТИ)ДЯЛЬЦЫМИ ",ЯРЯКТЕ)ИСХИКЯ.И ДЛЛ НУЖНОГО11 иапазтЦ 3 ТЕ.ъ)ХЕ 6 У),НижниЙ предел концептации доноровв сходном германии (лр =1 10 смте, т 7Вьбет)аеЕся при налит) ии ке 1 Ял)хитесойпрове)димости в исхОднОм Германии, Ь.рхций пре;е) к;)1 Нецт)Яции 11 оцоров(М-) =1 10 см ) Ограничен тем,...
Способ изготовления германиевых термо-сопротивлений для низких темпиратур
Номер патента: 730200
Опубликовано: 07.06.1981
Авторы: Зарубин, Кляцкина, Кожух, Трунов, Шлимак
МПК: H01L 21/34
Метки: германиевых, низких, темпиратур, термо-сопротивлений
...с усилием ие более 3.10 4 кг.Деформацию осуществляют в напранлении(111) . После снятия нагрузки образец у охлаждают со скоростью меньше10 град мин. Величину пластическойдеформации определяют в процессеобработки. Дополнительный контрольвеличины деформации осуществляют после охлаждения образцов. Деформированную таким способом шайбу германияшлифуют и затем вырезают из нее образцы и наносят контакты на плоскости, параллельные оси (111), таким образом, что электропроводимость осуществляется в плоскости (111), Электрические контакты к образцам наносятстандартнцми методаьп.На Фиг. 3. представлена криваязависимости электросопротивления оттемпературы, которая соответствуеттермосопротивлению, изготовленномуиэ материала,...
Способ изготовления германиевых термо-сопротивлений для низких температур
Номер патента: 849338
Опубликовано: 23.07.1981
Авторы: Кожух, Рывкин, Трунов, Шлимак
МПК: H01L 21/34
Метки: германиевых, низких, температур, термо-сопротивлений
...осуществления электропроводности в области сверхнизких температур (менее 1 К). Поэтому сопротивления таких образцов велики и с понижением .температуры достигают практически трудноизмеримых величин. Верхняя граница величины деформации (47/ю) обусловлена тем, что практическое использование деформаций сжатием на величину больше 47/ю приводит к разрушению германиевой заготовки.Выбор исходного материала с удельным сопротивлением не меньше 0,01 ом,см вызван тем обстоятельством, что удельное сопротивление 0,01 ом см соответствует переходу полупроводник-металл, т.е. при Р(0,01 ом см характер температурной зависимости электропроводности легированного германия меняется от активационного (зависящего от температуры) на металлический, не зависящий...
Способ изготовления германиевых термосопротивлений
Номер патента: 782609
Опубликовано: 15.09.1981
Авторы: Воробкало, Забродский, Зарубин, Немиш, Шлимак
МПК: G01K 7/22
Метки: германиевых, термосопротивлений
...паралйейьйый т,е. однотипных кри 3 78лецными нейтронами (2). В результатеядерных реакций изотопов германия снейтронами образуются электрическиактивные примеси; мелкий акцептор Самелкий донор Аь, двухраэрядный донор5 е, причем концентрации вводимыхпримесей й в см 3 выражаютсй простыми соотношениямиНС - 3 ф 16 1 б ф; ИААФ = 1,03 10 фбаАбх 0 12510 Фгде 4- доза нейтронов в н см . Поскольку коэффициент поглощения медленных нейтронов в германии мал (примерно 0,1 см-), поглощение нейтроновпройсходит весьма равномерно, а точ ноСть легирования зависит от дозы(произведения потока на время экспозиции ).(После облучения дозой нейтроновф = ( 2, 6-4, 0 ) 10 8 см " получают германий Р -типа с постоянной степенью ком пенсации К = 0,4 и с...
Полировальный состав для обработки германиевых пластин
Номер патента: 937495
Опубликовано: 23.06.1982
МПК: C09G 1/02
Метки: германиевых, пластин, полировальный, состав
...(2 вес,Ф); воды - 850 ч.При приготовлении предлагаемого . состава в теплой дистиллированной воде (й40-50 С) растворяют горчичный порошок до полного его растворения. Горчичный раствор остаивают не менее 2 ч и фильтруют через батист. Затем приготавливают раствор углекислого аммония, предварительно измельченного в ступке, Расчетное количество углекислого аммония также растворяют в дистиллированной воде и фильтруют через слой ваты.Для приготовления состава в дистиллированную воду вливают растворы горчицы и углекислого аммония и добавляют взвешенное количество алюмосиликата через капроновое сито. В полученный состав добавляют перекись Из таблицы видно, что предлагаемый состав для полировки обеспечивает необходимое качество полированной...
Способ изготовления германиевых точечных полупроводниковых диодов
Номер патента: 555762
Опубликовано: 23.07.1982
Авторы: Гавриленко, Загайтов, Кононенко, Кузовкин, Прохоров, Радомысленский, Шаповалов
МПК: H01L 21/18
Метки: германиевых, диодов, полупроводниковых, точечных
...германиевый кристалл,а чертеже изображен точечный германиевый диод, собранный по предлагаемому способу.Способ осуществляется следующим образомм.Для сборки держателя с кристаллом необходимы стеклянный баллон 1 с платиновым выводом 2, предварительно очищенный известными химическими способами для обеспечения смачивания вывода припоем, навеска 3 нз припойного сплава, никелевая прокладка 4, покрытая с двух сторон нанесенным гальваническим слоем припоя 5, кристалл 6, изготовленный из германия гг-типа. Детали помещаются в конвейерную печь, где в нейтральной среде при 400 - 500 С кристалл припаивается к никелевой прокладке, а никелевая навеска - к платиновому выводу После этого555762 Формула изобретения Редактор О. Филиппова Корректор А....
Расплав для электрохимического осаждения германиевых покрытий
Номер патента: 1493689
Опубликовано: 15.07.1989
Авторы: Барабошкин, Дягилев, Мартемьянова, Тарасова, Хватов
МПК: C25D 3/66
Метки: германиевых, осаждения, покрытий, расплав, электрохимического
...и, в конечном счете, к ухудшению сцепления покрытий германия с подпожкой.Получение сцепленных с осадков германия позволяе пластины с покрытием герм толщины (10-20 мкм) с пар1493689 Фо рмула изобретения Составитель 1 О. ИпатовРедактор М. Товтин Техред М, Дидык КорректорО.Кравцова Заказ 4069/29 Тираж 605 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 ветки а = 5,6563 1, что соответствуетчистому материалу. Сцепление осадковопределялось по изгибу подложк- соосадком германия под углом до 90П р и м е р 1. Электролиэом при900 С на вольфрамовой подложке иплотности тока 0,01 А/см...
Способ изготовления германиевых планарных транзисторов
Номер патента: 1428108
Опубликовано: 10.08.1996
Авторы: Нечаев, Селезнев, Смолкин, Ткал
МПК: H01L 21/331
Метки: германиевых, планарных, транзисторов
Способ изготовления германиевых планарных транзисторов, включающий создание на поверхности пластин германия диэлектрических покрытий, формирование активных областей с использованием высокотемпературных и низкотемпературных операций, создание оксида германия путем термообработки в кислороде, формирование контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров транзисторов и повышения выхода годных, окисел германия толщиной от 60 до создают после завершения всех высокотемпературных операций и непосредственно после создания окисла германия облучают поверхность пластин импульсами лазерного излучения миллисекудной длительности с длиной волны 1,06 мкм и...