Планарных — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «планарных»
Способ изготовления германиевых планарных р_„_р транзисторов
Номер патента: 293533
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Белановсклй, Данилин, Клюев, Филатов, Чери
МПК: H01L 21/24
Метки: германиевых, планарных, рр, транзисторов
...5 град(лшн.Последовательность операций следующая.На пластш 1 у германия наносят слой зац 1 цтной пленки с двух сторон. В выгравировашгое отверстие проводят диффузию для гоздацц,1(1)11 П 1 ОВ 1 ТСТВ ПО ЛОГ 3)1 НЗСОСТО:111:1 ОТН)В 11 Н 0 Н СОВСТС .(1 НН.1 С Г)ОВ (сб.). т 11. 1(ост)О)(сеОГО С 11)1)В 1 с)1 нн )1)датс.1 ьстВ, ОО)1 )11(1)нн и 1(1111)1(1 Г)Г( тО)1 Овлн базового слоя. Пластину вторично защищаот слоем пленки н гравируют отверстие для базового электрода. Проводят вторично диффузи)о с целью создания в базовом окне области с проводимостью, близкой к металлической.Проведение дополнительной диффузии вызвано необходимостью снизить посгоянцу(о времени го С. в части уменьшения сопротивления пассивной работы базы и, которое составляет...
Способ получения планарных волноводов на диэлектрических подложках
Номер патента: 866953
Опубликовано: 07.10.1982
МПК: G02B 6/10
Метки: волноводов, диэлектрических, планарных, подложках
...14,02.79 (про СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАНАР ОВОДОВ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСОЖКАХ, включакщий термоподложек при температуре ниже ы деформащщ на 100-200 Ч" электрическом поле напряжен - 500 В/мм в течение ч и последуккцее охлаждение, ающийся тем, что,с учения волноводов в стеклах, ах с высоким показателемпреохлаждение осушествляют вэлектрическом полеПродолжение тяГпипы 0,5 200 460 0,5 400 460 Ф 1 1,7526 176 1,7510 160 10 100 Бф 2,7 520 Из приведенной таблицы видно, что получаемые указанным способом волноводы обладают хорошими волноводными свой-. ствами. Использование описываемого способа позволяет изготавливать волноводы Составитель Г, БуровцеваРедактор Л, Письмен Техред М,Надь Корректор В, Гирняк Тираж 508 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета...
Оптико-электронная система для измерения параметров планарных волноводных пленок
Номер патента: 1024714
Опубликовано: 23.06.1983
Авторы: Ананьев, Васкин, Николаев, Прописнов
МПК: G01B 21/00
Метки: волноводных, оптико-электронная, параметров, планарных, пленок
...8 опорного импудьса,внеосевого царабоцического зеркапа 9,фотоприемника 10 и регистрирующего уст714 4носительно плоскости пленки 3. Этому положению плоского врашаюшегося зеркала 7 приводится в соответствие момент появления опорного импульсе на выходе формирователя 8 опорного импульса оптикомеханического сканирующего устройства 6, что достигается соответствующим выбором положения установленных неподвижно нв .поворотном стоиике 2 и входящих в состав формирователя 8 опорного импульса светодиода и фотодиода относительно вращающегося зеркала. При измерения опорный импульс запускает рвэвериску осциллографа 12 и генератор 13 парных импульсов (с регулируемой задержкой). На вход осциллографа 12 поступает сигнал с выхода фотоприемника 10,...
Устройство для контроля планарных структур
Номер патента: 1167620
Опубликовано: 15.07.1985
Авторы: Крюков, Лебедев, Лопухин, Меткин, Михайлов, Шелест, Шумилин, Явнов
МПК: G01R 31/303, G06F 17/00
Метки: планарных, структур
...блока счетчиков; на фиг, 7 - структурная схема блока запуска; на фиг. 8 - структурная схема генератора тактовых импульсов; на фиг. 9 - структурная схема блока формирования задержки; на фиг. 10 - структурная схема блока переключения; на фиг. 11 - структурная схема, третьего коммутатора; на фиг,. 12 - структурная схема блока определения координат метки,Устройство содержит координатный стол 1, два оптических дефектоскопа 2, первый преобразователь 3 оптических сигналов в электрические дискретные сигналы, второй преобразо 35 ватель 4 оптических сигналов в электрические дискретные сигналы, синхронизатор 5, блок 6 сравнения, блок 7индикации, первый коммутатор 8, второй коммутатор 9, управляющий триггер 10, первый блок 11 распознованияметки,...
Устройство дефектоскопического контроля планарных структур
Номер патента: 1381731
Опубликовано: 15.03.1988
Авторы: Генералов, Киреев, Лопухин, Шелест, Шумилин, Явнов
МПК: H04N 7/18
Метки: дефектоскопического, планарных, структур
...окна одновременно. Совпадение топологически связанных сигналов о выделенных вертикальных и горизонтальных участкахконтура во времени дает информациюоб угловых элементах изображения.Это совпадение для угловых элементов изображения фиксируется параллельно по всей высоте электронногоокна с первой и второй групп элементов И 23-1 - 23-4 и 24-1 - 24=4. Ин 35формация о выделении угловых элементов раздельно по первому и второмувыходам анализатора 10 подается напервый и второй элементы ИЛИ 11-1и 1-2, которые определяют наличие 4 Оуглового элемента соответствующеготипа в текущем столбце электронногоокна, 11 олученная информация раздельно записывается в первый и второйрегистры 12-1 и 12-2 сдвига и под 45воздействием тактовых импульсов...
Устройство дефектоскопического контроля планарных структур
Номер патента: 1460610
Опубликовано: 23.02.1989
Авторы: Бубнов, Гурылев, Комиссарик, Лопухин, Шелест, Явнов
МПК: G01B 21/00
Метки: дефектоскопического, планарных, структур
...коррекции изображения,6Коммутатор 13 (фиг. 4) выполненн виде первого и второго элементов И39 и 40 и элемента ИЛИ 41, выход ко 5торого является выходом коммутатора13, первый и нторой входы соединенысоответственно с выходами первого ивторого элементов И 39 и 40, первыйвход первого элемента И 39 являетсяпервым входом коммутатора, второйинверсный вход соединен с вторымвходом второго элемента И 40 и управляющим входом блока коммутатора13, первый вход второго элемента И40 является нторым входом коммутатора 13,Блок 14 горизонтальной коррекцииизображения (фиг, 5) выполнен в видепервого и второго счетчикон 42 и 43,20 первого и второго элементов И 44 и "45 и селектора мультиплексора 46,выход которого является выходом блока 14...
Устройство дефектоскопического контроля планарных структур
Номер патента: 1499195
Опубликовано: 07.08.1989
Авторы: Бубнов, Гурылев, Колляков, Лопухин, Румас, Шелест, Явнов
МПК: G01N 21/27
Метки: дефектоскопического, планарных, структур
...форму уголка, которое зв время кадра поСледовательно пробегает все элементыразложения. Работа Р-триггера обеспечивается генератором 7 тактовых импульсов, который синхронизируется1 О 20 25 30 35 40 45 50 кадровыми и строчными синхроимпульсами по соответствующим входам. При .этом синхроимпульсы подаются на двавхода элемента ИЛИ 15, где они смешиваются и по первому входу стробируют собственно генератор, собранный на двухвходовом элементе И-НЕ 16, инверторе 17, резисторе 18 и конденсаторе19, величины параметров которых определяют рабочую частоту генератора 7 тактовых импульсовСигнал разрешения измерения, поступающий на устройство, открывает входные элементы И 49 и 50, через ко торые в блок 14 управления проходят кадровые и строчные...
Способ изготовления планарных полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 1102416
Опубликовано: 07.08.1989
Авторы: Асеев, Герасименко, Калинин, Федина
МПК: H01L 21/263
Метки: интегральных, планарных, полупроводниковых, приборов, схем
...т междоузельные атомы), Эа счет разной подвижности при комнатной температуре междоузельные атомы выходят на повеохность(если на нейнет окисной пленки и других загрязнений), и в объеме образуется избыточная концентрация вакансий, которыевзаимодействуют со стержнеподобнымидефектами и растворяют их,Энергия электронов должна бытьбольше или равна 220 кэВ, так как при меньших энергиях в объеме не будут создаваться радиационные дефекты. Испольэовать электроны с энергией бо"лее 1 мэВ невыгодно, так как сильно возрастают вес и стоимость ускорителя электронов. Интенсивность пучка электронов должна быть больше или равна 51 О"ф смс-, так как при меньших интенсивностях облучения образующиеся точечные дефекты уходят на другие стоки в объеме...
Способ определения потерь, обусловленных рассеянием света на объемных неоднородностях в планарных оптических волноводах
Номер патента: 1539713
Опубликовано: 30.01.1990
Авторы: Егоров, Черемискин
МПК: G02B 6/10
Метки: волноводах, неоднородностях, обусловленных, объемных, оптических, планарных, потерь, рассеянием, света
...распространения б , 1 - волновое число в вакууме) по предлагаемому способу (кривая 1) и по прототипу (кривая 2),Установка состоит из .источника 1 когерентного излучения, фокусирующей линзы 2, поляризатора 3, вводной приО 1539713(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕРЬЛОВЛЕННЫХ РАССЕЯНИЕМ СВЕТА НА1 ЫХ НЕОДНОРОДНОСТЯХ В ПЛАНАРЕ 1 ЫТИЧЕСКИХ ВОЛНОВОДАХ(57) Изобретение относится к оптким волноводам и может быть исповано для определения потерь на оных неоднородностях в планарныхческих волноводах. Повышение точдостигается за счетизмерения потолько для одной моды, напримерной, для волноводов с различнойянной распространения за счет изния.толщины волновода. 2 ил.1539713 повторяют, Иэ фиг.2 видно, что для , волновода на основе пленки полистирола с...
Контактное устройство для контроля планарных проводников
Номер патента: 1653190
Опубликовано: 30.05.1991
Метки: контактное, планарных, проводников
...ф-лы, 3 ил,овои контактн; й гоКое(тяк гное устройство етп 51 контр О" ля г(панарцых проводцчк св работагтследуюцм образом.Рт ОСЕЕОВяЕЕИИ СТОЛя 3 т(ЫПОПНЕН(НОГО цз стерритя бария, уль гра звуковым(Еетодоы Формируется гнездо, глубина ц Форма которого соогветс гвуют форме контролируемого паде;(ия Поверхность стола со стороны гнезда намагничивя"- ют,Подложку 12 ус ганявливают в гнездостола 3, при этом по(верхость столаи подложки образуют бессгуценчатуюплоскость, к которой затем притягивается контактная головка 2, которая способца намагничиваться, лслегствие того, что обе сте стороны содержат Ферромагнитные слои т,фиг. 1 исэиг. 2),21т(ЯЛЕЕ ОСУЩЕСТВЕЕЯЮТ СОВМЕЩЕНИЕ КОЕ(-тактцой головки 2 и подложки 12, дгяэтого подложку помещают в гнездо...
Устройство дефектоскопического контроля планарных структур
Номер патента: 1684597
Опубликовано: 15.10.1991
Авторы: Комиссарик, Лопухин, Семин, Телешов, Шелест
МПК: G01B 21/00
Метки: дефектоскопического, планарных, структур
...попасть на выход коммутатора 11 независимо от того, какой сигнал, присутствует на втором входе коммутатора11.С выхода коммутатора 11 видеосигналпоступает на второй вход блока 14, в котором осуществляется одновременное совмещение позитивного изображения КПС снегативным изображением ЭПС. При сложении обоих разностных изображений возникает полная разностная картина,характеризующая отличие изображенияКПС от ЭПС, при этом будут выделены дефекты как на самой металлизации, так и научастках между металлизацией,Генератор 5 тактовых импульсов генерирует тактовые импульсы частотой 10 МГц.В генераторе 5 осуществляется принудительная синхронизация тактовых импульсов кадровыми и строчнымисинхроимпульсами, поступающим на егокадровый и строчной...
Способ исследования маломодовых планарных оптических волноводов
Номер патента: 1720044
Опубликовано: 15.03.1992
МПК: G02B 6/12
Метки: волноводов, исследования, маломодовых, оптических, планарных
...прежде всего с неконтролируемой взаимодиффузией материалов дополнительного волновода, и МПОВ, что приводит к .повреждению последнего.Цель изобретения - повышение производительности труда и предотвращение повреждения исследуемого волновода.Дополнительный волновод с известными параметрами формируют на отдельнойЗаказ 771 . Тираж Подписное . , ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 подложке, предпочтительно имеющей показатель преломления, равный показателю преломления подложки с исследуемым волноводом, причем дополнительный волновод размещают параллельно исследуемому волноводу таким...
Способ формирования профиля показателя преломления в волоконных световодах и планарных волноводах из халькогенидных стекол
Номер патента: 1753440
Опубликовано: 07.08.1992
Авторы: Пономарь, Чербарь, Черний
Метки: волноводах, волоконных, планарных, показателя, преломления, профиля, световодах, стекол, формирования, халькогенидных
...при получении волноводных элементов для оптоэлектронных систем передачи и обработки информации. Цель изобретения - уменьшение оптических потерь, повышение стабильности параметров. Формируют профиль показателя преломления в волоконных световодах и планарных волноводах из халькогеййдных стекол непосредственно после йэготовления и затем в вакууме или инертной атмосфере наносят защитное покрытие на поверхность волоконного световода или планарного волновода. 3 ил,Способ осуществляется следующим образом.Предварительно полученный в темноте в инертной атмосфере или вакууме волоконный световод или планарный волновод иэ халькогенидного стекла облучается оптическим излучением, близким к краю собственного ггоглощения халькогениднбго...
Способ изготовления планарных -переходов
Номер патента: 671601
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Гальцев, Глущенко, Гордиенко
МПК: H01L 21/22
Метки: переходов, планарных
...создают контакт 7 мент вкаочения кольца40 к сформированнойобластй 5, 6,Наиболее блйэким техническим речке- Пример. Полупроводниковыйматеринием является способ изготовления планар- ал кремний, поверхность пластин которого ных р-п-переходов, включающий создание в: сориентирована в кристаллографической переходном полупроводйиковом теле одно- плоскости 100), подвергают термическому . го типа проводимости области противопо окислению, Режим-комбинированнаясреложного типа проводимости путем да увлажненного и сухого кислорода. Т- диффузии через маску. 1100 - 1200 С. В выращенном термическомСпособ предусматривает создание ба- окисле 10 г толщиной. достаточной для мазовой области, змиттерной области, рас- скирования от последующих операций...
Способ изготовления твердых планарных источников диффузии бора на основе нитрида бора
Номер патента: 1454157
Опубликовано: 27.01.1995
Автор: Денисюк
МПК: H01L 21/225
Метки: бора, диффузии, источников, нитрида, основе, планарных, твердых
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ БОРА НА ОСНОВЕ НИТРИДА БОРА, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков нитрида бора и наполнителя, нанесение диффузанта на кремниевую пластину и спекание в окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725 - 975oС при производстве интегральных микросхем, в качестве наполнителя диффузант содержит порошок кремния при следующем соотношении компонентов диффузанта, мас.ч.:Нитрид бора - 85 - 95Порошок кремния - 5 - 15а спекание проводят при 975 - 1050oС в течение 30 - 60 мин.
Способ изготовления твердых планарных источников для диффузии фосфора
Номер патента: 1591753
Опубликовано: 27.01.1995
Автор: Денисюк
МПК: H01L 21/22
Метки: диффузии, источников, планарных, твердых, фосфора
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДЛЯ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА, включающий приготовление смеси из порошка метафосфата алюминия и порошка кремния в количестве 15 - 40 мас.ч., нанесение на термостойкую положку из кремния, спекание диффузанта с подложкой в инертной или окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы путем снижения выкрашивания частиц диффузанта из источников и повышения термомеханической стойкости источников, перед нанесением диффузанта на термостойкую подложку из кремния проводят отжиг диффузанта в инертной среде при 1000 - 1050oС в течение 15 - 40 мин и его измельчение, а спекание диффузанта с подложкой проводят при 980 - 1040oС.
Способ изготовления элементов сборных статоров планарных шаговых электродвигателей и устройство для его осуществления
Номер патента: 1833705
Опубликовано: 09.07.1995
Авторы: Гиро, Перминов, Фомина
МПК: H02K 15/02
Метки: планарных, сборных, статоров, шаговых, электродвигателей, элементов
1. Способ изготовления элементов сборных статоров планарных шаговых электродвигателей, согласно которому осуществляют механическую размерную обработку граней элементов и формирование зубцов на поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества элементов путем повышения точности сопряжения зубцов по границам стыков при сборке, перед формированием зубцов производят предварительную механическую размерную обработку граней, а после формирования зубцов осуществляют базирование и магнитную ориентацию элемента по зубцам на устройстве с формирователем магнитных потоков и на указанном устройстве производят окончательную механическую размерную обработку граней элементов.2. Устройство для изготовления элементов сборных статоров...
Способ изготовления твердых планарных источников диффузии фосфора на основе пирофосфата кремния
Номер патента: 1780457
Опубликовано: 20.10.1995
МПК: H01L 21/225
Метки: диффузии, источников, кремния, основе, пирофосфата, планарных, твердых, фосфора
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА НА ОСНОВЕ ПИРОФОСФАТА КРЕМНИЯ, включающий приготовление смеси из порошков пирофосфата кремния, кремния и пирофосфата циркония, нанесение диффузанта в виде блоков на термостойкую подложку из кремния и спекание источника диффузии фосфора в инертной или окислительной среде при 1010 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных источников при изготовлении и увеличения срока их службы при эксплуатации при температурах не выше 1050oС за счет повышения термомеханических свойств источников и снижения отслаивания блоков диффузанта и выкрашивания частиц диффузанта, перед нанесением диффузанта на термостойкую подложку из кремния приготавливают...
Способ изготовления самосовмещающихся планарных транзисторов
Номер патента: 723984
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Злыднев, Кремлев, Любушкин, Манжа
МПК: H01L 21/33
Метки: планарных, самосовмещающихся, транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩАЮЩИХСЯ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции маскирования подложки диэлектрической пленкой, вскрытия окон, наращивания поликристаллического кремния, легированного примесью противоположного типа проводимости подложке, формирования базовой области и контакта к ней из поликристаллического кремния, создания эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности компановки структур, на нижнюю диэлектрическую пленку наносят поликристаллический кремний, травят окна в пленках до подложки, наращивают низкотемпературный поликристаллический кремний, легированный примесью противоположного типа проводимости подложке, локально маскируют диэлектрической пленкой, не травящейся в травителях для...
Способ изготовления германиевых планарных транзисторов
Номер патента: 1428108
Опубликовано: 10.08.1996
Авторы: Нечаев, Селезнев, Смолкин, Ткал
МПК: H01L 21/331
Метки: германиевых, планарных, транзисторов
Способ изготовления германиевых планарных транзисторов, включающий создание на поверхности пластин германия диэлектрических покрытий, формирование активных областей с использованием высокотемпературных и низкотемпературных операций, создание оксида германия путем термообработки в кислороде, формирование контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров транзисторов и повышения выхода годных, окисел германия толщиной от 60 до создают после завершения всех высокотемпературных операций и непосредственно после создания окисла германия облучают поверхность пластин импульсами лазерного излучения миллисекудной длительности с длиной волны 1,06 мкм и...
Способ контроля качества изготовления планарных оптических волноводов
Номер патента: 784666
Опубликовано: 20.03.2000
Авторы: Аникин, Гудзенко, Дерюгин, Марчук, Тищенко
МПК: H01P 3/16
Метки: волноводов, качества, оптических, планарных
Способ контроля качества изготовления планарных оптических волноводов, состоящих из диэлектрической подложки с плоскопараллельными гранями и несущего слоя на одной из сторон подложки, путем возбуждения оптического волновода и определения отклонения постоянной распространения волн на рабочей площадке оптического волновода от ее значения на входном конце оптического волновода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности контроля, на подложку со стороны несущего слоя или на несущий слой наносят технологические параллельные риски перпендикулярно направлению распространения волн в оптическом волноводе, на противоположную сторону подложки наносят светочувствительную эмульсию, с...