Переходах — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «переходах»
Способ измерения высоты потенциального барьера в переходах металл-полупроводник
Номер патента: 530284
Опубликовано: 30.09.1976
МПК: H01L 21/66
Метки: барьера, высоты, металл-полупроводник, переходах, потенциального
...является 25 Известен способ измерения высоты потенциального барьера впроводник2 путем,составляюшей импедантеременном сигнале,обеспечивает высокуюЦелью изобретенияточности измерений.Поставленная цель достигается тем, чтоопределяют температурную зависимость напряжения инверсии реактивной составляюшейимпеданса перехода металл-полупроводникои экстраполируют ее к температуре 0 К,На чертеже изображена температурнаязависимость напряжения инверсии реактив,направлении. Составитель Б, НемцовКоляда Техред А. Демьянова Коррек угако едакто Заказ 5243/6431 ШИИПИ 29 (ого коми изобретен ква, ЖТираж 10 сударствен по делам3035, Мо Подписноета Совета Министи открытий Раушская наб д СССР илиал ППП Патент", г. Ужгород, ул, Проектна ной составляющей...
Способ считывания сигнала с полупроводникового фотоприемника на р-п переходах
Номер патента: 579654
Опубликовано: 05.11.1977
Авторы: Володин, Ольховский, Рычков
МПК: G11C 11/34
Метки: переходах, полупроводникового, р-п, сигнала, считывания, фотоприемника
...5в прямом направлении на дЧ (ЬЧ пропорционально лучистой энергии).Этот импульс восполняет заряд конденсатора 15 через эмиттерный переход .5 Ток через этот переход, усиленный враз, является током 14 регистрации. Он тем больше, чем больше эмиттерный переход 5 смещен в прямом на;правлении, т.е, чем бОльше ЬЧ , а, сяедовательно, и дЦ . Из-за нелинейности ВАХ р -п -перехода считываемый сигнал(ток 14) зависит от принятой лучистой энергии нелинейно. При этом сильно меняется и постоянная времени изменения тока 14 (от 10до 10 8 сек). Таким образом, при малых лучистых энергиях, когда дЧ меньше термического потенциала щ (для ;р,26.мб ), инерционность приемника очень велйка, и один импульс считывания не восполняет требуемый для равновесия заряд.В...
Лазер на самоограниченных переходах
Номер патента: 764026
Опубликовано: 15.09.1980
Авторы: Батенин, Голгер, Климовский
МПК: H01S 3/22
Метки: лазер, переходах, самоограниченных
...температуры (нагреватель 8,тепловая изоляция 9), лазер нагревается и происходит испарение металла 5. Пары металла заполняют разрядный объем 2 и генерирующий объем 4.Атомыактивного металла в разрядномобъеме возбуждаются с помощью разряда горящего между электродами би поддерживаемого источником питания 7; Резонансное"излучение атомбвактивного металла через прозрачнуютрубку иэ тугоплавкого металла 1 попадает в объем 4, где и поглощаетсяатомами активного металла. В результате поглощения излучения накачкиактивные атомы возбуждаются и возникает инверсия населенностей резонансного и метастабильного уровня атомов активного металла. Поддержаниестационарной инверсии населенностейобеспечивается с одной стороны непрерывным поглощением...
Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых р-п переходах
Номер патента: 951198
Опубликовано: 15.08.1982
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходах, полупроводниковых, р-п
...Кроме того, укаэанный способ не позволяет проводить измерения времени жизни Ф неосновных носителей заряда при вы- . соких уровнях инжекции, так как прибольших активных токах погрешностьизмерения емкости известными способами становится очень велика.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах, основанный на использовании зависимости переходныххарактеристик от этого времени и заключающийся в том, что по осциллографуустанавливают нулевую длительностьвершины импульса обратного тока и 15 измеряют сопротивление цепи в прямомили обратном направлениях, по которому определяют искомое время жизни 23. 20Недостатками известного...
Конструкция берегоукрепления на переходах магистральных трубопроводов
Номер патента: 1074945
Опубликовано: 23.02.1984
Авторы: Бабин, Спектор, Файзуллин
МПК: E02B 3/12
Метки: берегоукрепления, конструкция, магистральных, переходах, трубопроводов
...минерального грунта иэ-под железобетонных плит и размыв трубопроводной траншеи,что приводит к неравномерным осадкам и разрушению покрытия, оголению трубопровода и нарушению нормальных условий его эксплуатации, а трубопроводная траншея превращается в кю- вет для стока поверхностных вод. Кроме того, вследствие значительного веса железобетона плиты покрытия; сползают вниз по откосу.Целью изобретения является повышение :эксплуатационной. надежности,Поставленная цель достигается тем, что в конструкции берегоукрепления, включающей уложенное в траншее на береговой откос защитное покрытие в виде железобетонных плит на слое гравийно-песчаной подготовки, в пок" рытии выполнены желоба из железобетонных плит, при этом вдоль нижнейобразующей покрытия...
Способ накачки газового лазера на переходах неона
Номер патента: 1344179
Опубликовано: 30.04.1988
Авторы: Александров, Басов, Данилычев, Долгих, Керимов, Мызников, Рудой, Сорока
МПК: H01S 3/09
Метки: газового, лазера, накачки, неона, переходах
...быстрее, чем в Не; необходимостью колебательной релаксации молекулярных ионон Г 1 е и охлажденияэлектронов, участвующих в диссоциативной рекомбинации, что и обеспечивает увеличение селективности накачки, Использование двойных смесей,без Не, невыгодно, поскольку при воэ"буждении Ме, кроме ионизации, эффективно заселяются резонансные состояния, которые являются нижними лазерными, 13441791 оццость накачки ограничцваетсдтушением вторичиымц электронами верхнего лазерного уровня в реакциях ти (па Хе (Зр) + е еНе(3 з) + е и составляет - 15 кВт/см для Я = 5852,5 Аи80 кВт/см для Я = 7245 А(для этого перехода 1.,(цесколькоменьше), Эти величины подтвержденытакже экспериментально,П р и м е р 1,Способ реализованна установке, содержащей рабочую камеру...
Способ возбуждения импульсных лазеров на самоограниченных переходах
Номер патента: 1101130
Опубликовано: 07.09.1992
МПК: H01S 3/097
Метки: возбуждения, импульсных, лазеров, переходах, самоограниченных
...импульса;1 - частота следования импульсов возбуждения;Р-мощность необходимая для разогрева рабочего объема лазера и поддержанияего при рабочей температуре,Дополнительный импульс выполняетфункцию введения в рабочий объем недостающей энергии, необходимой для поддержания рабочего объема лазерной трубкипри рабочей температуре, Посколькудополнительнцй импульс начинают формироватьСпособ можно реализовать следующимобразом. На чертеже приведена блок-схема устройства, реализующего данный способ, 30 где изображены регулируемые высоковольтные источники питания 1,2, генератор запускаемых импульсов 3, высоковольтные коммутаторы 4,5 линия задержки б,.резонатор 7, лазерная трубка 8, зарядная индук тивность.9, рабочие емкости 10,11,Лазер работает...
Газовый лазер на самоограниченных переходах
Номер патента: 507180
Опубликовано: 15.12.1992
МПК: H01S 3/09, H01S 3/097
Метки: газовый, лазер, переходах, самоограниченных
...ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕРНИЧЕННЫХ ПЕРЕХОДАХзерную камеру, коммутато Изобретение относится к квантовой радиотехнике и может быть использовано при изготовлении мощных импульсных лазеров на атомарных и молекулярных газах.Известен лазер на самоограниченных переходах, содержащий лазерную камеру, коммутаторы и потенциальные металлические пластины, разделенные диэлектриком. Питание лазерной камеры осуществляется с помощью коммутаторов и потенциальных пластин, соединенных в электрическую цепь по стандартной схеме Блюмлейна. Такое соединение элементов электрической цепи позволяет получать большую плотность тока, необходимую для возбуждения активной среды, размещенной в лазерной камере,известного устройства явие плотности тока из-за котрической...
Газовый лазер на переходах второй положительной системы молекулы азота с возбуждением электронным пучком
Номер патента: 1836762
Опубликовано: 23.08.1993
Авторы: Беркелиев, Долгих, Лопота, Рудой, Сорока
МПК: H01S 3/223
Метки: азота, возбуждением, второй, газовый, лазер, молекулы, переходах, положительной, пучком, системы, электронным
...стационарную инверсию и генерацию в видимой области спектра на Зр - Зз переходах неона в четырехкомлонентной смеси Не/Ме/Аг/К 2 одновременно с генерацией в УФ на 2+ системе азота и в ближнем ИК на переходах аргона 301/2)1,о - 4 р 3/2)2,1, на которых наиболее эффективно происходит генерация при возбуждении смеси Не/Аг.Необходимое условие получения генерации на переходах аргона и неона состоит в достаточно высокой добротности резонатора на соответствующих длинах волн, то есть в стандартном условии превышения коэффициентом усиления слабого сигнала на данном переходе ао порогового коэффици ента усиления. Для простого резонатора из двух зеркал с коэффициентами отраженияВ 1, В 2 это условие имеет очевидный вид(безучета дифракционных...