Барьера — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «барьера»
Способ измерения высоты потенциального барьера в переходах металл-полупроводник
Номер патента: 530284
Опубликовано: 30.09.1976
МПК: H01L 21/66
Метки: барьера, высоты, металл-полупроводник, переходах, потенциального
...является 25 Известен способ измерения высоты потенциального барьера впроводник2 путем,составляюшей импедантеременном сигнале,обеспечивает высокуюЦелью изобретенияточности измерений.Поставленная цель достигается тем, чтоопределяют температурную зависимость напряжения инверсии реактивной составляюшейимпеданса перехода металл-полупроводникои экстраполируют ее к температуре 0 К,На чертеже изображена температурнаязависимость напряжения инверсии реактив,направлении. Составитель Б, НемцовКоляда Техред А. Демьянова Коррек угако едакто Заказ 5243/6431 ШИИПИ 29 (ого коми изобретен ква, ЖТираж 10 сударствен по делам3035, Мо Подписноета Совета Министи открытий Раушская наб д СССР илиал ППП Патент", г. Ужгород, ул, Проектна ной составляющей...
Способ получения антидиффузионного барьера
Номер патента: 361748
Опубликовано: 05.10.1978
Авторы: Димант, Иноземцев, Люскин, Николаев, Пешель, Прохоров, Смирнов, Сыркин, Уэльский
МПК: H01C 1/02
Метки: антидиффузионного, барьера
...и гальванический способы создания антидиффузионного барьера сопровождаются газовыделением,приводящим к плохому контакту барьерного слоя с полупроводником,С целью уменьшения тепловых иэлектрических сопротивлений контактатермическую диссоциацию легколетучего тетракарбонила никеля проводятна поверхности полупроводника, нагретого до низкой температуры, кото,рая не вызывает нежелательных изменений свойств полупроводника. Полупроводник на основе,В( 1 е ЗЪ , Зе помещают в герметичную камерую оборудованную инфракрасным нагревателем. В камере создают разрежение порядка 1-10 мм рт.ст. После нагрева образцов до температуры 100 140 С в камеру направляют дозированный тетракарбонил никеля со скоростью (2-6) 10 мол/мин, который при...
Способ определения диффузионной способности гематопаренхиматозного барьера для кислорода
Номер патента: 1120965
Опубликовано: 30.10.1984
Авторы: Березовский, Носарь, Погребиская
МПК: A61B 6/00
Метки: барьера, гематопаренхиматозного, диффузионной, кислорода, способности
...точности способа,Поставленная цель достигается тем,что согласно способу определения дифФузионной способности гематопаренхиматозного барьера для кислорода путем 30исследования крови с последующей математической обработкой полученных результатов, определяют напряжение кислорода в артериальной, венозной крови и исследуемого участка ткани, насыщение кислородом артериальной и венозной крови, скорость кровотока исследуемого участка ткани, концентрацию гемоглобина в крови, а диффузионную способность гематопаренхиматозного барьера для кислорода (ЛСпч-1отмя(ми н(мм Н )определяют по Формуле Га ,Ь Я - напряжение кислорода в артеог О, Ориальной, венозной кровии исследуемого участка ткани соответственно.Способ осуществляют следующим образом,У...
Устройство для крепления барьера к панели двери холодильника
Номер патента: 1158828
Опубликовано: 30.05.1985
Авторы: Дормидонтов, Маркевич, Щавлев
МПК: F25D 23/02
Метки: барьера, двери, крепления, панели, холодильника
...при помощивставки); на фиг, 3 - вставка, видспереди; на фиг. 4 - разрез А-А нафиг. 1, 15Устройство состоит из барьера 1,загнутые стенки 2 которого образуют,С-образный паз 3 и служат направляющими для вставок 4, перемещающихсяпо пазу 3, Вставки 4 имеют выступы5, а панель двери 6 - отверстия 7.При этом вставка 4 выполнена в видетрапеции с разъемом 8 в большем основании 9, ширина которого большеширины паза 3. Каждая из вставок 4установлена в отверстия 7 панели 6выступами 5 с помощью ребра 1 О иплоскости 11Установка барьера производитсяследующим образом,Вставка 4 заводится в паз 3 путем нажатия на ее боковые стороны,что влечет изменение величины разьема 8 и гоответственно уменьшениеширины большего основания фО, досовпадения торцовых...
Устройство для определения силового барьера на границе металл-раствор при электрохимических реакциях
Номер патента: 1343335
Опубликовано: 07.10.1987
Авторы: Алтухов, Ломовской, Шаталов
МПК: G01N 27/28
Метки: барьера, границе, металл-раствор, реакциях, силового, электрохимических
...воздействия растяжек 8 и 9 возвращается н исходное положение и замыкает контакты 16 и 17,в результате чего происходит; срабатывание первого формирователя 15 импульса срабатывания, который переводит триггер 14 в рабочее положение, т,е, при этом разрешается работа генератора 16 и начинается счет времени на хронометре-частотомере 19. Рамка 6 магнитоэлектрической системы снова начинает поворачиваться на растяжках 8 и 9 в поле постоянного магнита 7, приближая подвижную проволоку 3 к неподвижной 4.В зависимости от величины электрического потенциала на подвижной и неподвижной проволоках 3 и 4 в растворе электролита вокруг этих проволок возникает силовой барьер, обусловленный электростатическими силами отталкивания, возникающими при...
Экранирующий элемент заградительного барьера
Номер патента: 1431772
Опубликовано: 23.10.1988
Автор: Савченко
МПК: A62C 3/02
Метки: барьера, заградительного, экранирующий, элемент
...между экраном и направленной к пожару земной поверхностью в месте сооружения заградительного барьера находился в пределах 70 - 90. Непосредственно под нижней кромкой экрана проводят бороздку в слое напочвенных растительных горючих материалов до несгораемогз минерального слоя поч 15вы, после чего поочередно наносят удары по верхней части штырей-фиксаторов до тех пор, пока нижняя кромка экрана не коснется несгораемого слоя почвы. Затем берут следующий экранирующий элемент и приставляют левый штырь-фиксатор,левый при 20 виде с тыльной стороны экранирующегоэлемента) к экрану уже установленного перед этими экранирующсго элемента в непосредственой близости от его правого штыря-фиксатора и с обращенной к пожару стороны экрана, после чего...
Способ оценки функционального состояния слизистого барьера желудка при язвенной болезни
Номер патента: 1672360
Опубликовано: 23.08.1991
МПК: G01N 33/48
Метки: барьера, болезни, желудка, оценки, слизистого, состояния, функционального, язвенной
...принизкой скорости сдвига (О = 11,1 с ),Предел упругости слизистого геля грассчитывают по формуле7= Схй 1:де С - константа конуса (68,11 дин/см );а 1 - максимальное отклонение стрелкииндикаторного прибора, соответствующееначалу сдвигового течения.При величине т300 дин/см 2 диагностируют нарушение функционального слизистого барьера желудка,П р и м е р 1. Испытуемый К., 22 лет, практически здоров. Предел упругости желудочного геля, определенный согласно вышеописанному, составил 68,1 дин/см . Вывод: функциональное состояние слизистой желудка в норме.П р и м е р 2. Больной Г 23 лет, Поступил в клинику с жалобами на боли в эпигастральной области, возникающие через 1,5 - 2 ч после еды, ночные боли, изжогу, отрыжку кислым...
Способ исследования защитного барьера слизистой желудка и двенадцатиперстной кишки
Номер патента: 1681247
Опубликовано: 30.09.1991
Авторы: Заводнов, Кашеваров, Кузин, Матафонова, Рустамов, Самусев
МПК: G01N 33/48
Метки: барьера, двенадцатиперстной, желудка, защитного, исследования, кишки, слизистой
...барьера слизистой исследуемого органа. Для комплексной оценки состояния защитного барьера слизистой оболочки1681247 скопии выявлена язва передней стенки луковицы 12-перстной кишки. Внутрислизистой рН составляет 6,1 рН крови 7,4. 5 рц, у 4 рН внутрислиэистой 6,1 рН к ови 74рН внутрислиэистой 7,41- 174 Н к ови рН внутрислизистой 7,4 К=1. рн крови 7,4рН внутрислизистой 7,2 35 Формула изобретения К 1 У больного Г. установлено умеренное повреждение защитного барьера слизистой оболочки желудка.П р и м е р 3. Больной А., 47 лет, Страдаетязвенной болезнью 12-перстной кишки много лет, Жалобы на боли, связанные с приемом пищи, изжогу. При гастродуоденоСоставитель А.АносовРедактор О,Спесивых Техред М.Моргентал Корректор Т,Палий Заказ 3309...
Способ моделирования повышения проницаемости гематоэнцефалического барьера в эксперименте
Номер патента: 1690742
Опубликовано: 15.11.1991
Авторы: Бабийчук, Бачериков, Ведяев, Ломакин, Ломако, Марченко, Федосова, Чижевский
МПК: A61F 7/00
Метки: барьера, гематоэнцефалического, моделирования, повышения, проницаемости, эксперименте
...канюли, вводимой в переднюю и заднюю области гипоталамуса. Канюлю соединяли с перистальтическим насосом и всю систему заполняли раствором Кребса-Рингера, После заполнения системы раствором канюлю вводили в изучаемые структуры головного мозга. Внутрибрюшинно животному вводят 20 млк раствора норадреналина при помощи микрошприца. Перфуэию проводят со скоростью 23-30 мкл раствором КребсаРингера. Собирали двадцатиминутные фракции. Измерение радиоактивности соЗаказ 3875 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж. Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 бранных фракций проводят, регистрируя возникающие при...
Способ диагностики нарушений проницаемости гематоофтальмического барьера цилиарного тела
Номер патента: 1711879
Опубликовано: 15.02.1992
Авторы: Балишанская, Бессмертный, Кацнельсон, Наумов, Розенфельд
МПК: A61F 9/00
Метки: барьера, гематоофтальмического, диагностики, нарушений, проницаемости, тела, цилиарного
...или подготовки пациента не требуется,П р им е р 1, Больная Т.,55 лет, больна сахарным диабетом И типа. Обратилась в институт в 1987 г, в связи со снижением зрения обоих глаз. С диагнозом: незрелая осложненная катаракта обоих глаз, госпитализирована для хирургического лечения в Ч.88 г.При поступлении острота зрения правого глаза = 0,1, левого глаза - 0,01. Биомикроскопически радужка светлая, хрусталики диффузно мутные, передние,кортикальные слои полупрозрачные. Глазное дно не офтальмоскопируется,Зкстрагазального выхода флюоресцеина в переднюю камеру из сосудов радужки не выявлено,Флюорофотометрия показала нормальное количество индикатора во влаге передней камеры обоих глаз - 100 нг/экв(норма 75 - 125 нг/экв), Больной произведена...
Способ изготовления полевого транзистора с затвором в виде барьера шоттки
Номер патента: 1335047
Опубликовано: 30.06.1993
Авторы: Егудин, Лихтман, Полянов, Смирнов
МПК: H01L 21/338
Метки: барьера, виде, затвором, полевого, транзистора, шоттки
...соответственно 0,05 мкм и 0,4 мкм, Затем методом Фотолитографии с применением ионно-химического и химического способов травления формируютэлектроды истока.и стока которые за 9отем вжигают при температуре 480 С втечение 30 с с целью получения омических контактов, имеющих низкое переходное сопротивление. После этогона всю поверхность подложки последовательно напыляют слои Т 1, Ч соответствующей толйины и слой Ац толщиной0,5 мкм. Затем методом Фотолитографиина поверхности слоя Ац Формировали 47 2Фоторезистивную маску, через которую производили ионное травление Ац. Затем последовательно удаляли не защищенную Ац часть слоев Ч и Т 1, Травление слоя Ч осуществляли в плазме СР+ 0 в течение 3,5 мин, что обеспечивало боковое подтравлнвание...
Способ создания интегральных микросхем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера
Номер патента: 1589932
Опубликовано: 20.12.1995
Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков
МПК: H01L 21/306
Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, шоттки
1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевый подложке n-типа, нанесение диэлектрического покрытия, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон к эмиттерным областям и формирование эмиттерных структур, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии к базовым областям и областям формирования высокобарьерных диодов Шоттки, нанесения слоя платины и формирование силицида в открытых контактных областях, вскрытие контактных окон к областям формирования незкобарьерных диодов Шоттки, последовательное нанесение барьерного и токопроводящего слоев и формирование контактных электродов и...
Способ изготовления интегральных схем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера
Номер патента: 1581142
Опубликовано: 27.01.1996
Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков, Толубаев
МПК: H01L 21/82
Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, потенциального, различную, схем, шоттки
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий создание в полупроводниковой подложке активных и пассивных элементов интегральной схемы, маскированных диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон к невыпрямляющим контактам и высокобарьерным диодам Шоттки, формирование на поверхности подложки во вскрытых окнах силицида платины, формирование фоторезистивной маски с окнами под низкобарьерные диоды Шоттки, вскрытие в окнах фоторезистивной маски поверхности полупроводниковой подложки, удаление фоторезистивной маски, нанесение барьерной и токопроводящей пленок и фотолитографию по ним для создания рисунка разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности...
Способ создания интегральных схем микросхем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера
Номер патента: 1814432
Опубликовано: 20.04.1996
Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков
МПК: H01L 21/265
Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки
...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...
Способ создания пенного барьера при подземном хранении газа
Номер патента: 1385438
Опубликовано: 27.07.2000
МПК: B65G 5/00, E21B 43/22
Метки: барьера, газа, пенного, подземном, создания, хранении
Способ создания пенного барьера при подземном хранении газа, включающий бурение нагнетательных скважин, чередующихся с разгрузочными скважинами по периферии пласта-коллектора - хранилища газа, закачку раствора пенообразователя в нагнетательные скважины с последующим его вспениванием газом, закачиваемым вслед за пенообразователем или газом из периферийной части пласта-коллектора, отличающийся тем, что, с целью снижения расхода пенообразователя при создании пенного барьера, определяют суммарную приемистость нагнетательных скважин при закачке в них раствора пенообразователя, одновременно с закачкой раствора пенообразователя в нагнетательные скважины производят отбор жидкости из разгрузочных...