Хатько — Автор (original) (raw)
Хатько
Способ химико-термической обработки изделий из тугоплавких металлов
Номер патента: 1405352
Опубликовано: 20.12.2013
Авторы: Астапчик, Румак, Хатько
МПК: C23C 8/00
Метки: металлов, тугоплавких, химико-термической
1. Способ химико-термической обработки изделий из тугоплавких металлов, включающий помещение обрабатываемого изделия в жидкий азот и последующую обработку лучом импульсного лазера, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости поверхности изделий и увеличения толщины упрочненного слоя, перед помещением в жидкий азот производят обработку поверхности изделия ионами азота или бора, или углерода, или кремния с энергией 350 кэВ и дозой 20-60 Кл/м2, а последующую обработку осуществляют лучом лазера с плотностью потока энергии 15-200 Дж/мм2 и длительностью импульса (1,2-3)·10-3 с. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработку...
Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния
Номер патента: 1299397
Опубликовано: 27.06.2012
МПК: H01L 21/316
Метки: двуокиси, кремния, плазмохимических, пленок
Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния, включающий нанесение слоя двуокиси кремния в плазме ВЧ-разряда из смеси моносилан-аргон-кислород, отличающийся тем, что, с целью улучшения зарядовых свойств плазмохимических пленок за счет аморфизации их структуры, после нанесения пленок производят отжиг в атмосфере водорода, азота или инертного газа в диапазоне температур от 600 до 650 K или от 900 до 950 K в течение 10-90 мин.
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел полупроводник
Номер патента: 1238630
Опубликовано: 27.06.2012
Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько
МПК: H01L 21/66
Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.
Способ изготовления подзатворного диэлектрика моп-приборов
Номер патента: 1345967
Опубликовано: 27.06.2012
Авторы: Беневоленский, Канищев, Костюченко, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/316
Метки: диэлектрика, моп-приборов, подзатворного
Способ изготовления подзатворного диэлектрика МОП-приборов, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диоксида кремния методом термического окисления, нанесение слоя фосфорно-силикатного стекла, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик приборов путем уменьшения сквозной микропористости слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния формируют толщиной (0,08-0,15)·10-6 м, на его поверхность наносят методом физического осаждения слой молибдена толщиной (0,07-0,3)·10-6 м и перед нанесением слоя фосфорно-силикатного стекла указанный слой молибдена стравливают.
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика
Номер патента: 1225430
Опубликовано: 27.06.2012
Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников
МПК: H01L 21/316
Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышения качества окисла, подслой двуокиси кремния толщиной 7-12 нм формируют последовательным повышением температуры до температуры окисления в течение 20-50 мин в атмосфере, содержащей 0,5-10 об.% кислорода и выдержкой в течение 3-45 мин в атмосфере, содержащей 10-50 об.% кислорода, а доокисление...
Способ создания тестовых моп-структур
Номер патента: 1338720
Опубликовано: 27.06.2012
Авторы: Плотников, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/66
Метки: моп-структур, создания, тестовых
Способ создания тестовых МОП-структур, включающий нагрев кремниевой пластины до температуры окисления, выдержку пластины при этой температуре в окислительной среде, охлаждение полученной структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры и нанесение полевого электрода из молибдена магнетронным распылением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения качества подзатворного диэлектрика МОП-структуры, нанесение электрода на окисел структуры осуществляют при температуре кристаллизации двуокиси кремния в -кристобалит.
Способ создания радиационно-стойких моп-структур
Номер патента: 1240295
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Алиев, Малышев, Плотников, Румак, Хатько, Яковлев, Ясников
МПК: H01L 21/82
Метки: моп-структур, радиационно-стойких, создания
Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течение 3-120 мин.
Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем
Номер патента: 1356895
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Корешков, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук
МПК: H01L 21/316
Метки: изоляции, интегральных, мдп, межкомпонентной, схем
Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путем повышения зарядовой стабильности изоляции, перед локальным окислением проводят отжиг в диапазоне температур окисления в атмосфере химически инертного газа в течение 10-60 мин, а локальное окисление осуществляют в два этапа предварительным формированием подслоя двуокиси кремния, последовательной...
Способ изготовления моп-интегральных схем
Номер патента: 1292627
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Васильев, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/28
Метки: моп-интегральных, схем
1. Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации на основе алюминия и кремния, формирование элементов металлизации и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров, в слой металлизации дополнительно вводят фосфор при следующем соотношении компонентов, мас.%: Фосфор6·10 -6 - 4·10-2 Кремний10-15
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика
Номер патента: 1233731
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Плотников, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/316
Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисление проводят до получения электронографически аморфного окисного слоя толщиной, определяемой из соотношений для подложек кремния n-типа проводимости с ориентацией (100)и(2+0,25)·
Способ создания подзатворного диэлектрика
Номер патента: 1282767
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников
МПК: H01L 21/316
Метки: диэлектрика, подзатворного, создания
Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.
Способ создания моп-структур
Номер патента: 1223789
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников
МПК: H01L 21/316
Метки: моп-структур, создания
Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H2-O2 или H2-O2 -HCl, содержащую 1-4% HCl.
Способ изготовления моп-структур
Номер патента: 1575841
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Домород, Крищенко, Петрашкевич, Плотников, Румак, Хатько, Ясников
МПК: H01L 21/324
Метки: моп-структур
Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диффузионное легирование полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик МОП-структур за счет снижения дефектности и повышения зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика, после осаждения подслоя аморфного кремния проводят отжиг в остаточной атмосфере при...
Способ изготовления контактов шоттки
Номер патента: 1683449
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Васильев, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/265
Способ изготовления контактов Шоттки, включающий нанесение на полупроводниковую подложку с высокоомным эпитаксиальным слоем пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава и дополнительной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет снижения токов утечки и повышения термополевой стабильности, нанесение пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава осуществляют ионно-лучевым методом в два этапа, причем на первом этапе наносят слой толщиной 25-35 нм при плотности мощности разряда 5-7×104Вт/м2, а на втором этапе доращивают слой до 60-90 нм при плотности мощности разряда (1,0-1,5)·105...
Способ формирования нитридных покрытий
Номер патента: 1628561
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Астапчик, Хатько
МПК: C23C 14/28
Метки: нитридных, покрытий, формирования
Способ формирования нитридных покрытий, включающий воздействие импульсного лазерного излучения на поверхность подложки в азотсодержащей среде при длительности лазерного импульса 10 -3-10-6 с и плотности мощности лазерного излучения 2·106 - 1010 Вт/см2, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа, в качестве азотсодержащей среды используют слой жидкости азота, сформированного на поверхности подложки, причем толщину слоя жидкого азота выбирают в интервале (2-5)D, где D - диаметр лазерного пятна на поверхности, равной 0,5-1,5 мм.
Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем
Номер патента: 1331364
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Васильев, Пухов, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/283
Метки: интегральных, металлизации, схем, элементов
Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при...
Способ окисления пластин кремния
Номер патента: 1099782
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Канищев, Костенко, Куксо, Пухов, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/316
Метки: кремния, окисления, пластин
Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при давлении (10-4-10-6) мм рт.ст. в течение (1-2) мин, а затем при давлении (101 -10-4) мм рт.ст. до получения слоя окисла толщиной (20-25) нм.
Способ изготовления мдп интегральных схем
Номер патента: 1268001
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Васильев, Канищев, Куксо, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/28
Метки: интегральных, мдп, схем
Способ изготовления МДП интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации в две стадии путем нанесения тонкого слоя металлизации и слоя металлизации до требуемой толщины методом магнетронного распыления, формирование рисунка элементов металлизации с помощью литографии и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа изготовления и улучшения электрофизических характеристик МДП интегральных схем, нанесение слоя металлизации на первой стадии осуществляют методом магнетронного распыления при температуре подложки от 453 до 493 K, плотности мощности разряда...
Способ создания тонких слоев оксида кремния
Номер патента: 1371456
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Буляк, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук, Ясников
МПК: H01L 21/316
Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких
Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...
Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором
Номер патента: 1586469
Опубликовано: 27.05.2012
Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич, Хатько
МПК: H01L 29/76
Метки: затвором, изолированным, полевых, транзисторов
Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8)...
Способ изготовления интегральных схем
Номер патента: 1393233
Опубликовано: 27.05.2012
Авторы: Васильев, Згировская, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/28
Метки: интегральных, схем
Способ изготовления интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями первого слоя кремния, слоя силицида тугоплавкого металла, второго слоя кремния, формирование рисунка элементов металлизации, формирование пассивирующего покрытия высокотемпературным отжигом в среде кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик и упрощения способа за счет формирования рисунка элементов металлизации и пассивирующего покрытия в едином технологическом цикле, второй слой кремния наносят толщиной от 100 до 150 нм, затем проводят травление этого слоя в соответствии с рисунком элементов металлизации, после чего...
Способ изготовления моп-интегральных схем
Номер патента: 1510627
Опубликовано: 27.05.2012
Авторы: Пухов, Румак, Томченко, Хатько
МПК: H01L 21/28
Метки: моп-интегральных, схем
Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий осаждение на нагретую полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации ионно-плазменным методом в две стадии, с толщиной слоя на первой стадии 10-40 нм, формирование рисунка металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик интегральных схем за счет уменьшения фиксированного заряда в подзатворном диэлектрике, осаждение слоя металлизации проводят при температуре подложки 523-573 K, при этом к подложке прикладывают отрицательное напряжение смещения 40-75 В на первой стадии и 80-120 В на второй стадии.
Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах мдп-интегральных схем
Номер патента: 1151153
Опубликовано: 27.05.2012
Авторы: Буляк, Пухов, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/316
Метки: изоляции, мдп-интегральных, межуровневой, структурах, схем
Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах МДП-интегральных схем, включающий последовательное формирование на поверхности структуры подслоя и слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров структур за счет повышения стабильности величины порогового напряжения, подслой межуровневой изоляции формируют анодированием структур в кислородной плазме ВЧ-разряда при давлении кислорода 1,33-2,66 Па и температуре не более 150°С.
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика
Номер патента: 1147205
Опубликовано: 27.05.2012
Авторы: Плотников, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/316
Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.
Способ контроля кремниевых моп-структур
Номер патента: 1091774
Опубликовано: 27.05.2012
Авторы: Румак, Хатько
МПК: H01L 21/66
Метки: кремниевых, моп-структур
Способ контроля кремниевых МОП-структур, основанный на нагревании кремниевой пластины до температуры окисления, выдержке при этой температуре в окислительной среде, охлаждении структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры, получении МОП-структуры путем нанесения полевого электрода, регистрации вольт-фарадных характеристик, по которым судят о качестве кремниевых МОП-структур, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности определения качества кремниевых МОП-структур, охлаждение производят со скоростью 15-20 K/с, после охлаждения на поверхность окисла наносят слой фосфоро-силикатного стекла, прикладывают к МОП-структуре напряжение смещения -(10-15) или +(5-10) В,...
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел полупроводник
Номер патента: 1082253
Опубликовано: 27.05.2012
Авторы: Румак, Хатько
МПК: H01L 21/66
Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системе, слоя, структуры, —полупроводник
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.
Способ приготовления активированного минерального порошка
Номер патента: 1770306
Опубликовано: 23.10.1992
Авторы: Безбородов, Бусел, Домненко, Загоровская, Каган, Ковалев, Крук, Хатько, Широков
МПК: C04B 26/26
Метки: активированного, минерального, порошка, приготовления
...осуществляется следующим образом, Исходное сырье смешивают с осадком городских сточных вод, псдают в сушильный барабан, где в пламени горелки сгорает 5 - 25 активирующей добавки. Ко1770306 Таблица 1(оличестео активи руовев добавки нвс т 1(оличе ство сгоревыей добавки, нвс.в Плотность снеси ис"ходного сырья с осад"городскихвод, г/снз Плинерь и/п Показатели свойств нинерального пороыка Пабухвтние, 2по обье.ну Просеясквозьсито0,071 нннас.2 Показательбинуноенкости г Пористость,6 пообьену исходная окончател В2,563 2,570 2375 2,214 2216 2,371 2,374 2,482,421гОУ2,443 ВО О У 44 64 0,6 41 92 05 31 89 0,6 41 85 0,7 З 62 О 6 44 63 0,6 И ВВ . 0,4 З 67 0,5 3 89 О 4 ЗО 94 0,5 27 26,1 26,8 25,0 239 23,7 25,8 25 7 25, 25,7 25,5 2,у 15 15 1 г 1 г4 5...
Способ приготовления активированного минерального порошка
Номер патента: 1689341
Опубликовано: 07.11.1991
Авторы: Безбородов, Бусел, Домненко, Ковалев, Хатько
МПК: C04B 26/26
Метки: активированного, минерального, порошка, приготовления
...кислотой. Характеристики гидролизного лигнина: истинная плотность 1,2-1,3 г/см, сз 0 едняя (насыпная) плотностьз0,30-0,35 г/см, максимальный размер зерен 40 мм, влажность до 67.Контроль количества сгоревшего лигнина осуществляют путем измерения плотности смеси кварцевого песка с гидролизным188 Э 341 Таблица Исходнанплотность г/см Саста лорана Еоиечнвнплотностьснеси,г/сн личествводиго гид пивного гнинв с.2 отсон еска 1 Ъпгест во сто" ревнего пигнина, нас,2 арактеристнкн нинервльнога Набухание2 па онкость Пористоеанапа 2 почастиц абаебнельче,071 нн Показ атель битуна емкости,2,56 30 253 ЗО 2,40 ЭО 226 ЭО 2,24 30 2,40 18 2,40 20 2,40 40 2,40 42 77 86 28,2 27,4 26,9 27,7 28, 28,0 27,6 27,9 28 2,612 2,603 2,474 2 Э 51 2 333 2 439;2 443...
Способ получения металлической заготовки с многослойным упрочняющим покрытием для формообразующего инструмента
Номер патента: 1502200
Опубликовано: 23.08.1989
Авторы: Голубев, Кадников, Куприянова, Макушок, Мрочек, Харченко, Хатько
Метки: заготовки, инструмента, металлической, многослойным, покрытием, упрочняющим, формообразующего
...покрытия толщиной6 мм наносят порошок ПХ 19 Н 22 С 4 толщиной 0,6 мм и проплавляют, а затем уда-,ляют. Твердость поверхностного упрочняющего слоя после такой термообработки не превышает 58 НКСэ, в то времякак после проплавления она составляет 1560-66 НКСГ.Благодаря ермообработке подложки на эксплуатационную твердость инструмента и последующей поверхностнойтермообработке части подложки, которая 20является хрупкой зоной подложки послепроппавления первого нанесенного слоя,на эксплуатационную твердость за .счетразогрева облучением этого праплавленного слоя уменьшаются остаточныенапряжения в подложке и создаютсяболее однородные механические свойства по толщине заготовки, что позволяет изготавливать из такой заготовкисложнопрофильный...
Самоочищающийся патронный фильтр для жидкости
Номер патента: 865331
Опубликовано: 23.09.1981
Авторы: Буртаев, Вязовченко, Лучков, Резниченко, Хатько, Шимин
МПК: B01D 27/12
Метки: жидкости, патронный, самоочищающийся, фильтр
...общей крышке 9. Снизу фильтрующие элементы закрываются крышками 10 и 11, причем дополнительный фильтрующий элемент выполнен более коротким, а крышка 11 снабжена упором 12, в котором имеются отверстия 13 для прохода регенерирующей жидкости из гидроаккумулятора 7. В отверстиях крышек 9 и 10 установлены уплотнительные эластичные втулки 14 и 15, на поверхности которых имеется замковая865331мент 6, регенерирует его, Осадка осаждается, накапливаясь в грязевике 2, откуда он периодически выводится через патрубок 17.В случае разрушения фильтрующего элемента 6 топливо очищается фильтрующим элементом 8, что повышает надежность работы фильтра. Формула изобретения Составитель А. Евдокимова Редактор С. Родикова Техрсд Л. Бойкас Корректор Г. Назарова...