Матсон — Автор (original) (raw)

Матсон

Устройство для рафинирования полупроводниковых материалов и их соединений

Загрузка...

Номер патента: 1836463

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Мастюгин, Матсон, Плеханов, Симонова, Фролов, Шепатковский

МПК: C22B 9/00

Метки: полупроводниковых, рафинирования, соединений

...Я дна = 50 мм). Всю сборку помещали в стеклоуглеродный контейнер, находящийся в герметичной камере 5, заполненной инертным газом и нагревали для расплавления материала. В фильтрующей камере происходил процесс интенсивного плавления, при котором содерхгащиеся в материале не металлические включения и газы интенсивно выделялись и всплывали на поверхность материала, Расплавленный материал, проходя через фильтровальный элемент 2 интенсивно рафинировался и опускался на дно металлоприемника 3. В свою очередь продукты реакции рафинирования (окислы, газы и др. включения) всплывали на поверхность материала.1836463 ставитель Ф. Хусаинохред М.Моргентал ектор М, Куль Редактор Е, Полионова аз 3010 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного. комитета по...

Генератор пилообразного напряжения

Загрузка...

Номер патента: 1810989

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Игумнов, Матсон, Щербакова

МПК: H03K 4/50

Метки: генератор, пилообразного

...к общей шине, а отрицательная заряженная обкладка - к выходной клемме (через открытый МДП-транзистор 1 и диод 9), В результате произойдет перезаряд конденсатора 6 от своего положительного максимального напряжения до отрицательного (близкого к Е), т.е, сформируется обратный ход выходного пилообразного напряжения.После окончания действия положительного напряжения на входной клемме устройства МДП-транзисторы 1 и 3 опять закроются, Теперь уже конденсатор 6 будет постепенно перезаряжаться от исходного отрицательного напряжения до положительного напряжения источника питания (через МДП- транзистор 2 и резистор 4). В результате будет формироваться участок прямого хода пилообразного напряжения на выходной клемме, общий размах которого...

Усилитель

Загрузка...

Номер патента: 1727193

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Игумнов, Масловский, Матсон

МПК: H03F 3/195

Метки: усилитель

...а резистор втор" го плеча первым выводом соединен с подложкой полевого транзистора, во второе плечо делителя напряжения между вторым выводом резистора и общей шиной введен дополнительный полевой транзистор с встроенным каналом, подложка которого соединена с истоком и с затвором.Дополнительный МДП-транзистор осуществляет компенсацию нестабильностей, возника:ощих в основном МДП-транзисторе. Так, если за счет каких-либо внешних факторов уменьшился ток стока основного МДП-транзистора, то естественно уменьшится ток и через дополнительный МДП- транзистор. В результате увеличится ток в цепи подложки основного МДП-транзистора, эа счет чего и возрастет его ток стока.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема...

Многоустойчивый полупроводниковый прибор

Загрузка...

Номер патента: 1554112

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Игумнов, Матсон, Ничипорович

МПК: H03K 3/29

Метки: многоустойчивый, полупроводниковый, прибор

...заперты. В следующий момент времени напряжение Пдостигает значения; У соответствующего пороговому напряжению нормально закрыто"го полевого транзистора 6, происходитотпирание тринзистора 6, цепь базытранзистора 4 замыкается и ток коллектора последнего начинает возрастать.При увеличении напряжения Пдо значения Б , соответствующего напряжениюотсечки транзистора 7, последний запирается, цепь базы биполярного транзистора 4 размыкается и ток через приборначинает спадать. Продолжая увеличиваться, напряжение Б.э достигает значения 0, соответствующего пороговомунанряжению транзистора 8,.который открывается.,цепь базы биполярного транзистора 4 замыкается и ток через прибор начинает возрастать, .При достижении напряжением Бзначения У-...

Устройство для измерения степени уплотнения почв

Загрузка...

Номер патента: 1526588

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Болманис, Матсон

МПК: A01B 3/42

Метки: почв, степени, уплотнения

...8хд н) ы.р,) )р.н) м э.ктри чсски х цнй 1; иИ (н цбг)цкцъ 1) . 30 1 яь 1,ь 1(их ).цкч 1, нри.ЧР и Р,ЧЛР 1 МЦЧ ЧИКРцк;ЛЬКс Я)ЦРЦХ УсИи,.цц рб 1,1,л 1 оицбр 1- цчН.(рц,)и и; чцч(, н рсч 1;н гя ццсг, ш г, ьндни ж ния н(тцк; и тКци- .;р 14, к ц ц ири водится к дейс - )ян цт; илрцисг мц грдкпрд 14. 1 илрцлии;чцч р,) ;1 и)дст в нчву (сржень 6 шкцнчникцч, (црот)ени, вцсприни мснчц(н(с.ни м, ирс гс ржснь 6 псрс 1 тс ч 11 жи.(кцс гь В лрцл на мочс тр) и вс)рн(л; тся чд)н)метром 5, нд )кдлс кццрцц в (нх ря,(дх в цотвегс(виирдл) рцвкцй рдмсщс нь( геркцнц При (цл рдсн)лцжниодного ряда герконов соответствует значениям целого порядка, а расположение другого ряда одной десятой этого значения, При прохождении стрелки ма нометра, снабженной постоянным...

Регулируемый преобразователь переменного напряжения в постоянное

Загрузка...

Номер патента: 1460762

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Матсон

МПК: H02M 7/25

Метки: переменного, постоянное, регулируемый

...порог открывания МДП-транзистора 2, в результате чего Б , (при Б=сопят) можетбыть увеличено (при Е, О) или уменьшено (при Е, с 0), Для получениянеобходимо, чтобы 11В ++11 , т.е. чтобы порог открывания ТЦПтранзистора 2 был меньше амплитудногозначения 11 .МДП-транзистор 6 выполняет функцию выпрямительного элемента. Помимор - и-перехода исток-подложка, зарядконденсатора 10 осуществляется напря"жением Б+Ц и через канал открытогоМДП-транзистора б, При Йх+11 3в МДП-транзисторе 6 индуцируется канал, он открывается и начинает проводить ток с малыми потерями, заряжаяконденсатор 10,Преобразователь обладает широкимифункциональными возможностями и можетбыть использован как основной узелв разнообразных и сложных преобразовательных...

Фидер для производства волокна

Загрузка...

Номер патента: 1165648

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Баранов, Кондрашов, Матсон, Махнов, Худяков

МПК: C03B 37/09

Метки: волокна, производства, фидер

...к промышленности строительных материалов, в частности к оборудованию по производству волокон иэ базальта и других горных пород. 5Цель изобретения - обеспечение безостановочной работы фидера при замене питателя.На фиг. изображен фидер, вид в плане; на фиг.2 - разрез А-А на 1 О фиг.1; на фиг.З - разрез Б-Б на фиг.2.Фидер содержит боковые стенки 1 и 2, свод 3, дно 4, топочный объем 5,( канал 6, обогреваемые горелками 7. 15 В боковой стенкевыполнены ниши 8 с выработочными очками 9 и питателями 1 О. В другой боковой стенке напротив каждой ниши 8 уствновлены дополнительные горелки 11, 20Фидер работает следующим образом. Расплав базальтовой массы из кам- неплавильной печи 12 поступает в ка- нал 6 фидера, подогреваемый горелками У и 11,...

Счетный триггер

Загрузка...

Номер патента: 1023634

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Вяль, Дубровский, Матсон, Мац

МПК: H03K 3/286

Метки: счетный, триггер

...работу обоих ПКЗБ в счетном триггере; на фиг. 4 - эпюры токов и напряжений, показывающие работу схемы во времени.Счетный триггер содержит фиг.1 входной конденсатор 1, запоминающий конденсатор 2, резисторы.З, 4 смещения, резистор 5 нагрузки, два последовательно включенных ЛКЗБ б,7, входную шину 8, диод 9, выходную шину 10, шину 11 питания.Счетный триггер работает следую- щим образом.При подаче в момент времени 1 ( Фиг. 4) напряжения питания ток, текущий через схему, начинает возрастать, ток базы ПКЗБ 7 меньше, чем у ПКЗБ б, так как часть тока, текущего через резистор 4, ответвляется на заряд конденсатора 2. Поэто му ПКЗБ 7 первым переключится в непроводящее состояние в некоторый момент времени й ( фиг . 4, так как при данных базовйх...

Полупроводниковый прибор

Загрузка...

Номер патента: 858493

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Галузо, Матсон

МПК: H01L 23/04, H01L 29/76

Метки: полупроводниковый, прибор

...напряжении на электроде, смещаюшем р-и-пе 40реход стока 3 - подложка в прямом направлении, в результате сужения области .пространственного заряда этого р-п-перехода область канала 8 открывается ипо нему течет выходной ток по цепи45электрод 11 - область стока 7 - областьканала 8 - область истока 6 - электрод9. В то же время, поскольку р-и-переход область стока 3 - подложка смещается в прямом направлении, то по цепиэлектрод 10 - область истока 2 - об 50ласть канала 4 - область стока 3 - область канада 8 - область стока 7, также течет ток, При этом величина напряжения, смещвющего р-п-переход областистока 3 - подложка в прямом направлении, определяется напряжением, прикладываемым к электройу 10 области истока2 и зависит от...

Интегральный биполярный транзистор

Загрузка...

Номер патента: 865081

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Галузо, Матсон

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

...рекомбинациопных и инжекционных составляющих тока базы,При малых напряжениях на эмиттерйом переходе, что равносильно режиму малых токов, доля рекомбинационных составляющих в суммарном токе базы становится более существенной, чаще всего бывает больше инжекционной, Последнее вызывает уменьшение коэффициента передачи тока,Наличие в устройстве по изобретению дополнительного слоя 8, отделяющего пассивную зону базы от поверхности, снижает вероятность процесса рекомбинации поскольку в этом случае исключается возможность встречи на поверхности кристалла основных и неосновных носителей заряда (электронов и дырок), Для обеспечения непосредственного контакта к базе дополнительный слой покрывает всю поверхность пассивной базы за исключением ее...

Полевой триод

Загрузка...

Номер патента: 435742

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Куртайкин, Матсон

МПК: H01J 21/14

Метки: полевой, триод

...10 относительно контакта 12 уменьшается.11 рямосмещающее р-п-переход 4 напряжение затвора, близкое по величине к диффузионному потенциалу (0,6 - 0,8 В), значительно снижает сопротивление участка 13 перехода. 1 ак как область истока 7 более легирована, чем область затвора 2, то из области истокав область затвора 2 через участок 13 перехода 4 инжектируются электроны. Являясь неравновесными носителями в области затвора 2, электроны движутся в основном за счет диффузии к обратно-смещенному напряжением между контактами 8 и 10 участку 14 перехода 4. Здесь электроны собираются участком 14 как коллекторным переходом. Высокая эффективность переноса электронов, инжектированных из области истока 7 (как эмиттера) в область затвора 2 (,как базы),...

Полупроводниковый прибор

Загрузка...

Номер патента: 789019

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Матсон, Русак

МПК: H01L 29/73

Метки: полупроводниковый, прибор

...при некотором напряжении происходит локальное смыкание областей эмиттерного и коллекторного переходов. Проводимость базы между коллектором 1 и областью 4 резко возрастает и между контактами эмиттера и коллектора образуется канал, по которому носители заряда из эмиттера попадают в коллектор, При этом основной частью канала является дополнительная слаболегированная область 6, а сильнолегированные области эмиттера 3 и 4 - эффективными контактами. Слаболегированная область 6 имеет меньшую концентрацию носителей, чем база полупроводникового прибора, что приводит к распространению области объемного заряда, в основном в дополнительную слаболегированную область 6.При приложении прямого напряжения смещения к переходу эмиттер-база сечение канала...

Многоколлекторная транзисторная структура

Загрузка...

Номер патента: 786748

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Галузо, Матсон, Пожиток

МПК: H01L 29/72

Метки: многоколлекторная, структура, транзисторная

...разделяется на базовый ток, текущий от эмиттерной области 2 через каналв подложке (базе), окруженный коллекторной областью 4, к омическому контакту базовой области 7 и коллекторный ток, текущий от эмиттера 2 через подложку(базу) 1 к коллектору 3,Вначале при увеличении выходного напряжеция коллектор-эмиттер прибор работает как обычный биполярный транзистор,т. е. с ростом напряжения происходит увеличение, а затем и насыщение тока коллектора (при этом входное напряжение базаэмиттер и ток базы остаются постоянными).Когда величина выходного напряжениядостигает значения, при котором ширинаобласти пространственного заряда р-и-перехода коллектор-подложка (база) сгановится равной расстоянию между коллекторными областями 3 и 4, происходит...

Неразъемное соединение полимерных труб

Загрузка...

Номер патента: 712596

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Берзиньш, Зепс, Матсон, Страздиньш

МПК: F16L 19/08

Метки: неразъемное, полимерных, соединение, труб

...корпуса.Целью изобретения является повышение надежности соединения путем уменьшения жесткости врезающегося кольца.Это достигается тем, что врезающийся зуб выполнен в виде радиально-упругого металлического кольца, установленного с натягом в корпусе, а на внутреннюю острую кромку зуба нанесена насечка,Такое выполнение соединения снижаетего жесткость и исключает разрушение полимерных труб прп введении нх в корпуссоединения и повышает герметичность сое 5 диненпя при воздействии вибраций.На чертеже показано соединение, продольныи разрез.Соединение гладкостенных полимерныхтруб состоит из корпуса 1, выполненного изО термопластнчного полимерного материала,например полиэтилена, и врезающегося зуба 2, выполненного пз металла. Наружныйкрай...

Прибор для проверки установки маятника кулисы гейзингера в паровозах

Загрузка...

Номер патента: 28027

Опубликовано: 31.10.1932

Автор: Матсон

МПК: F16C 5/00

Метки: гейзингера, кулисы, маятника, паровозах, прибор, проверки, установки

...на параллели фиг, 3 - вид на фиг, 1 слева. и закрепления его болтом О, ползун ЖДля применения данного прибора вна- подымают кверху вдоль линейки и иглу Е чале отцепляют поршневое дышло наро- подводят к точке центра верхнего валка воза от крейцкопфа и устанавливают пор- маятника, что регулируется ползунашень строго в среднее положение. Затем ми З и И, также винтом К; сама же лиустанавливают кулисный камень в кулисе нейка А может быть приближена или так, чтобы центр его совпал с центром удалена от параллели, смотря по надобвращения кулисы, При таком положении ности, так как брусок Б ходит в верх- механизма ось маятника должна быть ней части плиты В и закрепляется строго перпендикулярна .к оси цилиндра. барашком Г. Затем ползун Ж опускают и...