Алексеюнас — Автор (original) (raw)
Алексеюнас
Полупроводниковый переключающий элемент
Номер патента: 692443
Опубликовано: 20.05.1995
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Миллер, Переляев, Швейкин
МПК: H01L 27/24, H01L 35/00, H01L 45/00 ...
Метки: переключающий, полупроводниковый, элемент
1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий активную область, заключенную между двумя токонесущими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, активная область представляет собой матрицу, выполненную из полупроводника, стойкого к воздействию окружающей среды, в которой выращены каналы переключения из материала заданного состава.2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что матрица выполнена из V2O5, а каналы переключения выполнены из VO2.
Полупроводниковый материал для переключающих элементов и критических терморезисторов
Номер патента: 697016
Опубликовано: 09.01.1995
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Миллер, Переляев, Швейкин
МПК: G01K 7/22, H01L 45/00
Метки: критических, материал, переключающих, полупроводниковый, терморезисторов, элементов
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ И КРИТИЧЕСКИХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и механической прочности, он дополнительно содержит связующее на основе эпоксидной диановой смолы при следующем соотношении компонентов, мас.%:Диоксид ванадия - 1 - 60Связующее - Остальное
Полупроводниковый материал для элементов памяти
Номер патента: 736810
Опубликовано: 30.07.1994
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Дульцева, Ежова, Кочнева, Миллер, Переляев, Суворов, Швейкин
МПК: H01L 45/00
Метки: материал, памяти, полупроводниковый, элементов
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ на основе поликристаллического диоксида ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения объема записываемой информации, он дополнительно содержит связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:Поликристаллический диоксид ванадия 93 - 97Связующее 3 - 7при этом связующее состоит из эпоксидной диановой смолы и титаноорганического сложного полиэфира дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля при следующем соотношении компонентов, мас.%:Эпоксидная диановая смола 40 - 92Титаноорганический сложный полиэфир дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля Остальное
Устройство для измерения параметров аморфных и стеклообразных пороговых переключателей с s-образной вольт амперной характеристикой
Номер патента: 987541
Опубликовано: 07.01.1983
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Сакалаускас
МПК: G01R 31/26
Метки: аморфных, амперной, вольт, параметров, переключателей, пороговых, с-образной, стеклообразных, характеристикой
...20 -22 . 5Блок 5 управления функционирует следующим образом.Импульсный селектор 17 сортирует входные импульсы по полярности и огра ни чи вает до уровня логической "1 н в Три г 10 гер 18 интервала вырабатывает импульс, длительность которого равна временному промежутку от первого отрицательного импульса до первого положительного импульса. Блок 19 запоминает сформиро 45 ванный триггером 18 интервала временной интервал и воспроизводит его. Одновибраторы 20-22 вырабатывают импульсы для открывания ключей 8-10, Блок 19 синхронизируется импульсами, поступа ющими с генератора 1 треугольного нап. ряжения.Принцип работы предлагаемого измерителя основан на определении пиковыми ,вольтметрами амплитуды напряжения 25 (фиг. 2) на испытуемом...
Устройство для контроля и регули-рования температуры
Номер патента: 843030
Опубликовано: 30.06.1981
Авторы: Алексеюнас, Балейшис, Бондаренко, Гечяускас, Сукацкас
МПК: H01L 31/00
Метки: регули-рования, температуры
...напРимеР 45пленки диоксида ванадия (участока кривой на фиг. 2) термочувствительный зонд находится в высокоомном состоянии, и протекающий ток,например, в обмотке реле исполни Отельного механизма 2 недостаточендля еесрабатывания, С повиаениемтемпературы окружающей среды дотемпературы ФП термочувствительнойполупроводниковой пленки напримерпленки диоксида ванадия стехиометрическфго состава, сопротивление еескачкообразно падает(участок б нафиг. 2), ток в цепи возрастает, послечего срабатывает реле исполнительного механизма, и в этот момент еОвключается механизм, управляющийтемпературным режимом технологического процесса. При дальнейшем увелйчении температуры(участок в кривой.на фиг. 2) и достижении темпера туры фазового перехода другого...
Устройство для контроля мощ-ности микроволн
Номер патента: 808950
Опубликовано: 28.02.1981
Авторы: Алексеюнас, Афанасьев, Гечяускас
МПК: G01R 21/06
...проводящий переходник 7 передается термочувствительному переключающему элементу 6 и нагревает его до температуры Т,Зависимость порогового напряжения переключения О от температу.Ры Тпер термочувствительного переключающего элемента 6 приведена на фиг. 2 б, а вольтамперная характериС- . тика Ь-типа - на фиг. 2 в.При измерении мощности Р напряжение, приложенное к термочувствительному переключающему элементу 6, плавно повышается и при определенном значении М, соответствующем напряжению переключения при температуре Т .и мощности СВЧ Р, термочувствитель ный переключающий элемент 6 из высокоомного состояния (точка М на фиг. 2 в) скачкообразно переходит в низкоомное состояние (точка Н). Напряжение источника 4 в этот момент соответ- щ ствует...
Устройство для измерения и регулирования температуры
Номер патента: 690455
Опубликовано: 05.10.1979
Авторы: Алексеюнас, Гечяуская
МПК: G01K 7/00, G05D 23/24
Метки: температуры
...среды; на фиг. 2, б - зависимость сопротивления жидкого полупроводника между электродами от температуры окружающей среды; ца фиг. 2,в вольтамперная характеристика .-типа.Устройство для измерения и регулирования температуры содержит диэлектрическую ампулу 1, заполненную полупроводником 2; электроды для терморегулирования 3 с микрозазором 4 между ними последовательно соединены с регулируемым источником напряжения 5, резистором 6 и обмоткой управления магнитной проницаемостью сердечни ка трансформатора 7, первичная обмотка которого соединена е источником 8 питания переменного напряжения через резистор 9, а вторичная обмотка соединена с управляющим электродом тиристора 10, который последовательно соединен с нагревателем 11 и...
Устройство для измерения сверхвысокочастотной мощности
Номер патента: 682838
Опубликовано: 30.08.1979
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Веркялис, Гечяускас, Саляхов
МПК: G01R 21/07
Метки: мощности, сверхвысокочастотной
...при этом последний выполнен в виде пластины из материала, обладающего структурным фазовым переходом, например диоксида ванадия, с площадью, не превышающей 0,01 площади поперечного сечения отрезка 1 волновода, а опорный генератор 5 снабжен дополнительным чувствительным элементом (на чертеже не показан).Устройство работает следующим образом.Релаксационный генератор 3 генерирует колебания, частота следования которых частично определяется напряжением переключения чувствительного элемента 2 (напряжением, при котором в нем происходит образование проводящего канала за счет структурного фазового перехода). При отсутствии измеряемой мощности устанавливается нуль частотомера 4. Для этого чаСоставитель знец Корректор Л. Орло едактор Н. Суханов...
Устройство для измерения параметров аморфных и стеклообразных пороговых переключателей с -образной вольтамперной характеристикой
Номер патента: 648920
Опубликовано: 25.02.1979
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Рибикаускас, Сакалаускас
МПК: G01R 31/26
Метки: аморфных, вольтамперной, образной, параметров, переключателей, пороговых, стеклообразных, характеристикой
...9 напряжения включения и вольтметр 10 напряжения поддержки, Выход генератора 1 через нагрузку 2 соединен с входами параллельно включенных испытуемого порогового переключателя 3 и повторителя 4 напряжения. Выход повторителя 4 напряжения соединен с входами дифференцирующей цепочки 5, ключа 7 и вольтметра 9 напряжения включения. Выход дифференцирующей цепочки 5 цодключен к схеме управления ключом, а ее выход - к ключу 7. К выходу ключа 7 подсоединены счетчик 8 импульсов вольтметр 10 напряжения поддержки, 26Устройство работает следующим образом С генератора 1 на испытуемый пороговой переключатель 3 через нагрузку 2 подается пилообразный импульс напряжения. Когда напря- ЗО ;жение на пороговом переключателе 3 достигает величины 0 к , он...
Способ определения шумового напряжения в полупроводниках
Номер патента: 640217
Опубликовано: 30.12.1978
Авторы: Алексеюнас, Барейкис, Бондаренко, Либерис
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводниках, шумового
...области материала. Это,достигают тем, что перепад температур выбирают такой величины и созда640217 Р, М = 1+ - =1+0,12. и л Ял Я,=., 1 + И Лпри 3 Я ( Р Формула изобретения Составитель Т. Дозоров Текред С, Антипенко Редактор И. Грузова,Корректор С, файн Заказ 1136/40 Изд.353 Тираж 070 Подписиос НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушскаи наб., д. 4/5 Тип. Харьк. фпл. пред. Патент сот его таким образом, чтобы отклонение от единицы соотношений сопротивлений областей полупроводника, находящегося в состояжии до,и после фазового перехода, обусловливалось только изменением,их сопротивлений, вызванных переме 1 цением границы фазового превращения при тепловой модуляции, а значения...
Способ измерения распределения потенциала по толщине полупроводникового слоя
Номер патента: 532829
Опубликовано: 25.10.1976
Авторы: Алексеюнас, Рибикаускас, Чеснис
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: полупроводникового, потенциала, распределения, слоя, толщине
...изестах. обеспечить возможно мерений в одних и т водят- преде 54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИ ПО ТОЛШИНЕ ПОЛ Изобретение относится к методике ческих исспедований полупроводников и приборов ьа их основе.Известно, что дпя измерения распредепения потенциапа по толине тонкопленочных Об азиев, .апр.:.,ер полупроводниковых систем с р-с-переходом и с токовыми электоодами на противоположных поверхностях, на этих образцах изготавливают поперечньй срез-шпиф, а установка для таких измерений содержит передзижной клиновидный ипи конусообразный эпектроприводный зонд с небопьшим углом заточки, обеспечивающим врезание зонда в срез-шлиф исследу мого образца.Однако расстояния, на которых измеряется гадение напряжения, ограничиваются конструкцией и размерами...
§сооюзндgt; amp; 1
Номер патента: 368646
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Алексеюнас, Толутис, Чеснис
МПК: G11C 11/35
Метки: §сооюзндgt
...в селеннд серебра, изменяя темсамым форму вольтамперцой характеристики цоцотроца, Под воздействием отрицательного (минус - ца э,гсктроде, имеющем контакт с селецом) формирующего напряжения ионо трон переходит в крайнее состояние, в котором оц имеет наибольшее сопротивление и наибольшую асимметрию проводимости (А.ца фцг. 2). Под воздействием импульса положительггого напряжения (на вышеуказанном 25 электроде подан плгос), имеющего определенные (критические) амплитуду и длительность, цоцотрон из состояния с наибольшим сопротивлением переходит в другое крайнее состояние, где оц игпсет вгецьшее сопротивление и 30 меньшую асимметрию проводимости (Б, наТехред Т. Миронова Редактор Л. Утехина Заказ 610 г 7 Изд.169 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ...
292193
Номер патента: 292193
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Алексеюнас, Толутис, Чеснис
МПК: G11C 11/35
Метки: 292193
...и выпрямляющегоконтакта 4,15 Эффект, получаемый за счет создания вионотроне дополнительного слоя селена, в котором отсутствует примесь серебра, заключается в следующем. Электропроводность поликристаллических слоев селена, легирован 20 ного серебром, более в чем в 5 10 раз меньше электропроводности слоев нелегированного селена. Благодаря тому, что в ионотронесоздан дополнительный слой нелегированногоселена, имеется возможность уменьшить в25 нем толщину слоя селена, легированного серебром, и, следовательно, уменьшить балластое сопротивление прибора. Так как областьлоя полупроводника у выпрямляющего конакта в предлагаемом ионотроне имеет пониенную проводимость, электрическое поле3формирования сосредоточивается в этой области в случае...