Еськова — Автор (original) (raw)
Еськова
Симметричный проекционный объектив
Номер патента: 1818610
Опубликовано: 30.05.1993
Авторы: Буцевицкий, Еськова, Курчинская, Шекольян, Шехонин
МПК: G02B 13/26, G02B 9/64
Метки: объектив, проекционный, симметричный
...удаленных,труднодоступных объектов, поэтому имеетбольшую длину вдоль оптической оси(1154,85 мм) и малый диаметр линз.Расстояние между двумя компонентамивыбрано не менее 0,12дЛя возможностиизлома оптической оси в случае защиты отрадиации,Общая компановка симметричного проекционного объектива обеспечивает коррекцию сферической аберрации для точкина оси, которая во всем спектральном диапазоне не превышает 0,015 мм,Предлагаемый объектив обладает дифракционным качеством иэображения, что подтверждается расчетом волновых аберраций. Среднее квадратичное значение волновой аберрации для объектива равно 0,07 Я т.е. А /14.В приведенном варианте расчета симметричного проекционного объектива продольная сферическая аберрация для точки на оси для...
1, 4-бис(1, 3, 5-триметилпиразолил-4)-1-циан-2-трицианвинил-1 бутен-3-ин в качестве сенсибилизатора фотопроводимости поли 9-винилкарбазола
Номер патента: 1786031
Опубликовано: 07.01.1993
Авторы: Бабушкин, Василевский, Домнина, Еськова, Никитин, Смирнов, Шварцберг, Щербаков
МПК: C07D 231/12, C07D 403/06, G03G 5/06 ...
Метки: 4-бис(1, 5-триметилпиразолил-4)-1-циан-2-трицианвинил-1, 9-винилкарбазола, бутен-3-ин, качестве, поли, сенсибилизатора, фотопроводимости
...исследу ютпри положительнбм и отрицательном потенциале, индуцируемом на поверхности фотопроводника с помощью разрядника типа "Скоротрон". Значения ЯО 5 и то,5 рассчитывают по полуспаду индуцированного поверхностного потенциала. Питание коронирующих электродов осуществляют от высоковольтного источника ВСс плавнойрегулировкой выходного напряжения 3-10П р и м е р 9. 2,0 г поли-винилкарба 45 эола и 1,2 г (60 мас.%) соединениярастворяют в 50 мл хлороформа. Полив и испытание проводят по примеру 2. Толщина исследуемого слоя составляет 3,65 мкм.Результаты испытаний электрофотографических слоев по примерам 2-9 приведены в табл. 1. Как видно из табл. 1, при одинаковых напряженностях электрического поля (ЕВ/мкм) оптимальная концентрация...
Способ изготовления гофрированного фильтрующего элемента
Номер патента: 1761202
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Березюк, Еськова, Тарасова, Якименко
МПК: B01D 27/06
Метки: гофрированного, фильтрующего, элемента
...слоями конструкционного материала, формирование заготовок гофрированного пакета и герметизацию продольного шва сваркой крайних гофр пакета, Перед сваркой на крайних гофрах снимают по всей длине внутренний слой конструкционного материала, а герметизацию осуществляют путем сварки концов мембран этих гофров.Известный способ имеет недостатки: концы срезанного слоя конструкционного материала травмируют мембрану, за счет чего ухудшается качество фильтрата; при работе фильтра при повышенном давлении происходит прогиб мембраны в месте срезакромок.Целью изобретения является улучшение надежности герметизации продольного шва гофрированного фильтра для повышения качества фильтрата при снижении трудоемкости изготовления,Указанная цель достигается...
Способ изготовления патронного фильтрующего элемента
Номер патента: 1754158
Опубликовано: 15.08.1992
Авторы: Березюк, Еськова, Кнышов, Максименко, Павловский, Тарасова
МПК: B01D 27/06
Метки: патронного, фильтрующего, элемента
...ционные материалы сваривают между со-необходимость образования концов гофри- бой швами, отстоящими один от другого на рованной заготовки перед герметизацией высотузаготовки, и одновременноосущестторцов фильтра, в результате чего происхо- вляют резку по середине полученных швов, дит загиб мембраны, расположенной между На чертеже приведена схема осуществконструкционными материалами, и нерав- ления способа изготовления патронного номерное ее распределение, что влечет за фильтрующего элемента.. Шул Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарин Способ осуществляют следующим образом.Пакет материалов 1, состоящий из двух опорных сеток из полипропилена или поли- амида, между которыми расположен один или два слоя...
Репродукционный объектив
Номер патента: 1748121
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Буцевицкий, Еськова, Курчинская, Родионов, Шехонин
МПК: G02B 9/64
Метки: объектив, репродукционный
...вогнутостью к пространству предметов, а третья линза выполнена двояковыпуклой, причем расстояние между третьей и четвертой линзами второго компонента составляет не менее 0,7 фокусного расстояния обьектива.Одиночный отрицательный мениск первого компонента, обращенный вогнутостью к пространству изображений, обеспечивает увеличение переднего рабочего отрезка.Положительный мениск второго компонента, выполненный одиночным и обращейный выпуклостью к изображению, служит для коррекции сферической аберрации широких наклонных пучков, комы в меридиональном и сагиттальном сечениях.Введение отрицательного мениска перед положительнымм мениском, обращенным вогнутостью к предмету, дает возможность исправить кривизну изображения и...
Репродукционный объектив
Номер патента: 1737391
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Буцевицкий, Еськова, Курчинская, Родионов, Шехонин
МПК: G02B 13/22, G02B 9/64
Метки: объектив, репродукционный
...изображений.Целью изобретения является повышение качества изображения при телецентрическом ходе главных лучей в пространстве предметов и иэображений.Сущность изобретения заключается в том, что репродукционный объектив, включающий два компонента, каждый из которых содержит четыре одиночные линзы, при этом первая линза первого компонента выполнена двояковыпуклой, а последняя - в виде мениска, обращенного вогнутостью к изображению, первая линза второго компонента выполь ена в виде отрицательного мениска, обраще",ного вогнутостью к предмету, вторая и третья линзы, - в виде положигельнога и отрицательного менисков, а четветая - в вире двояковыпуклой линзы, в первом компоненте вторая линза выполнена двояковыпуклой, третья - двояковогнутой, а...
Симметричный проекционный объектив
Номер патента: 1730605
Опубликовано: 30.04.1992
Авторы: Буцевицкий, Еськова, Курчинская, Родионов, Сокольский
МПК: G02B 13/26, G02B 9/64
Метки: объектив, проекционный, симметричный
...изображе 35 ния по полю,Цель изобретения - повышение качества изображения при уменьшении соотношения диаметра к длине объектива.Сущность изобретения заключается в40 том, что симметричный проекционный объектив содержит два разделенных апертурной диафрагмой компонента, причемпервые линзы каждого компонента выполнены в виде менисков, обращенных вогну 45 тостью к апертурной диафрагме, а вторыелинзы каждого компонента выполнены положительными, в каждый компонент еговведен положительный мениск, обращенный выпуклостью к апертурной диафрагме и50 установленный перед первой линзой на расстоянии 0,34от нее, где- длина системы от плоскости предметов до плоскостиизображений, и отрицательный мениск, обращенный вогнутостью к апертурной диаф 55 рагме и...
Репродукционный объектив
Номер патента: 1723553
Опубликовано: 30.03.1992
Авторы: Буцевицкий, Еськова, Курчинская, Родионов, Сокольский
МПК: G02B 13/24
Метки: объектив, репродукционный
...объектив не обеспечивает требуемого качества изображения, неимеет телецентрического хода главных лучей в пространстве изображения, не обеспечивает проекцию предмета с плоскостина плОСкОСть.Наиболее близким к изобретению является репродукционный объектив, содержащий два компонента и апертурнуюдиафрагму между ними, йричем первыйкомпонент выполнен в виде двух положительных и одного отрицательного одиночных менисков, обращенных вогнутостью кпространству изображений, а второй компонент - в. виде двояковогнутой, положительной и двояковыпуклой линз,Однако этот объектив имеет недостаточно высокое качество изображения ималый передний рабочий отрезок.Цель изобретения - повышение качества изображения по всему полю зрения приувеличении переднего...
Инфракрасный объектив
Номер патента: 1714562
Опубликовано: 23.02.1992
Авторы: Буцевицкий, Вознесенский, Еськова, Курчинская, Усоскин, Шекольян
МПК: G02B 13/14
Метки: инфракрасный, объектив
...отрезок.Целью изобретения является повышение качества изображения при одновременном увеличении относительного отверстия,Сущность изобретения состоит в том, что инфракрасный объектив, состоящий иэ четырех компонентов, первый из которых - положительный мениск, обращенный вогнутостью к пространству иэображений, второй - отрицательная линЗа, а третий и четвертыиф компоненты - положительные мениски, в нем второй компонент выполнен в виде двояковогнутой линзы, а мениски третьего и четвертого компонентов обращены вогнутостью к пространству првдметов, при этом все линзы объектива выпелйены из одного материала с показателем преломления не менее 4.Второй компонент выполнен в виде двояковогнутой линзы для исправления полевых аберраций, таких кек...
Телескопическая галилеевская оптическая система
Номер патента: 1705792
Опубликовано: 15.01.1992
Авторы: Буцевицкий, Еськова, Курчинская, Родионов, Утехин
МПК: G02B 13/02, G02B 23/00
Метки: галилеевская, оптическая, телескопическая
...поле при работе на конечном расстоянииОптическая сила дополнительного менискэ в 3 раза больше силы первого отрицательного мениска и обеспечиваеткоррекцию одновременно кривизны изображения и астигматизма при большом линейном поле, Это соотношение выбраноэкспериментально.Диаметр выходного зрачка телескопической галилеевской оптической системыравен 5 мм, что обеспечивает удобство приработе.Оптическая система имеет простую икомпактную конструкцию, малый вес, поэтому может найти широкое применение вкачестве наблюдательного оптическогоприбора, в тол числе в медицине, Общаякомпоновка телескопической галилеевскойоптической системы позволяет получить малую дисторсию при значительном линейномполе,В представленном варианте расчета...
1-(1, 2, 4-триметил-3-этоксикарбонилпирролил-5)-1, 3, 4, 4 тетрациан-2-фенил-1, 3-бутадиен в качестве сенсибилизатора фотопроводимости поли-9-винилкарбазола
Номер патента: 1668360
Опубликовано: 07.08.1991
Авторы: Бабушкин, Василевский, Домнина, Ерушникова, Еськова, Петрова, Смирнов, Черкасов
МПК: C07D 207/337, G03G 5/06
Метки: 1±-1, 3-бутадиен-2, 4-триметил-3-этоксикарбонилпирролил-5)-1, качестве, поли-9-винилкарбазола, сенсибилизатора, тетрациан-2-фенил-1, фотопроводимости
...В) на сетку коронатора подают от другого источника питания ВС. Вкачестве источника излучения используютксенонойую лампу "ДКсШ", световойпоток которой монохроматизируют прибором МДРи узкополосными фильтрами,Контроль за изменением .потенциала (О)электрофотографических слоев приэкспонировании осуществляют методом неподвижного зонда с помощьюэлектрометрического усилителя ВК 2-16 идвухкоординатного потенциометра типа"Эндим 620,02". П р и м е р 3, 2,0 г поли-винилкарбазола и 0,2 г (10 мас.о) соединения (1) растворяют в 50 мл хлороформа, Полив и испытание проводят по примеру 2. Толщина исследуемого слоя составляет 3,4 мкм.П р и м е р 4. 2,0 г поли-винилкарбазола и 0,3 г (15 мас) соединения (1) растворяют в 50 мл хлороформа, Полив и...
1, 6-бис-(1, 3, 5-триметил-2-этоксикарбонилпирролил-4)-1, 3, 4, 6 тетрациан-1, 3, 5-гексатриен в качестве сенсибилизатора фотопроводимости поли-9-винилкарбазола
Номер патента: 1583414
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Бабушкин, Василевский, Домнина, Ерушникова, Еськова, Котляревский, Петрова, Смирнов, Черкасов
МПК: C07D 207/337, G03G 5/06
Метки: 5-гексатриен, 5-триметил-2-этоксикарбонилпирролил-4)-1, 6-бис-(1, качестве, поли-9-винилкарбазола, сенсибилизатора, тетрациан-1, фотопроводимости
...и 0,6 г (30 мас,%) соединения (1) растворяют в 50 мл хлороФорма. Полив и испытание проводят по примеру 2. Толщина исследуемого слоя составляет 3,6 мкм.П р и м е р 7. 2,0 г поли-нинилкарбазола и 0,8 г (40 мас.7) соединения (1) растворяют в 50 мл хлороформа. Полив и испытание проводят по примеру 2. Толщина исследуемого слоя составляет 3,7 мкм.П р и м е р 8, 2,0 г поли-винилкарбазола и 1,0 г (50 мас.%) соединения (Е) растворяют в 50 мл хлороформа. Полив и испытание проводят по примеру 2. Толщина исследуемого слоя составляет 3,7 мкм. П р и м е р 9. 2,0 г поли-винилкарбазола и 0,1 г (5 мас.7) 2,4,7- тринитрофлуоренона (ТНФ) растворяют в 50 мл хлороформа. Полученный раствор наносят на полированные алюминиевые подложки и испаряют...
Аккумуляторный ящик вагона
Номер патента: 1229105
Опубликовано: 07.05.1986
Авторы: Григорьев, Ермаков, Еськова, Петраков
МПК: B61D 27/00
Метки: аккумуляторный, вагона, ящик
...и крышку 6. Внутри аккумуляторного ящика на выкатной тележке 7 установлены аккумуляторы 8. В нижней стенке аккумуляторного ящика выполнены вентиляционные отверстия с всасывающими вентиляционными патрубками 9. В верхней зоне передней стенки 5 выполне но вытяжное вентиляционное отверстие 1 О, которое закрывается кожухом 11, содержащим верхнюю 12, нижнюю 13 и переднюю 14 стенки. Вентиляционные каналы 15 кожуха 11 расположены перпендикулярно боковым стенкам 3 ящика. С внутренней стороны боковых стенок кожуха 11 параллельно передней стенке 5 яшика установлены ребра 16. На верхней 12 и нижней 13 стенках кожуха 11 выполнены отверстия 17 и 18.Аккумуляторный ящик работает следующим образом.Из-за повышенной температуры внутри аккумуляторного...
Огнеупорная масса для футеровки желобов фосфорных печей
Номер патента: 1122640
Опубликовано: 07.11.1984
Авторы: Гуляихин, Долгих, Еськова, Николаев, Салтаненко
МПК: C04B 35/52
Метки: желобов, масса, огнеупорная, печей, фосфорных, футеровки
...ферроФосфор при следующем соотношении компонентов, мас. .:Каменноугольный пек 7-10Антраценовоемасло 3-5Феррофосфор 10-40Термоантрацит ОстальноеОбоснование оптимального содержания феррофосфора в предлагаемомсоставе огнеупорной массы представлено в таблице,Анализ данных приведенных в таб-,.лице, показывает, что оптимальнымсодержанием Феррофосфора в составеогнеупорной массы, характеризующейся повышенной стойкостью при химических и механических воздействиях,является его концентрация 10-40 .Введение Феррофосфора в составмассы в количестве менее 10 , не позволяет достигнуть достаточной стойкости Футеровки. При увеличении жесодержания феррофосфора в составемассы более 40 механическая прочность ее резко снижается иэ-занедостатка...
Способ лечения тяжелых форм отслойки сетчатки
Номер патента: 912167
Опубликовано: 15.03.1982
Авторы: Гундорова, Еськова
МПК: A61F 9/007
Метки: лечения, отслойки, сетчатки, тяжелых, форм
...глаз .- подвывих хрусталика, инородное тело в оболочках глаза, щвартообразование стекловидного тела. тотальная иосттравматическая отслойка сстчзт. ки и субретинальное швартообразовзнис.1 ри поступлении: 0,3, 00 - непрзвильное светоощущение. 05 = 0,01 с1, Ол яснее.00 - субатрофия глазного яблока, глаз спо. коек. 05 - спокоен, очаговые помутнения хрусталика, иолвывих в стекловилцое тело йьутри, ио мсрилиану " -ч, плоскостные плотные шварты в передних слоях стекло. видного тела, идущие от зубчатой линии к парацецтральцой зоне.Отслойка сетчатки тотальная, в верхцей половине глазного лна невысокая, книзу от диска зрительного нарва высокая, пузыре. вилцзя, со складками, промииирует в перед. ние слои стекловидного тела. В субретинальцом...
Шихта для изготовления химическистойкого керамического материала
Номер патента: 846533
Опубликовано: 15.07.1981
Авторы: Белоус, Еськова, Коваленко, Кузниченко, Кушель, Лерума, Морозов, Рыжиков, Титова, Эйдук
МПК: C04B 33/24
Метки: керамического, химическистойкого, шихта
...и стеклокристаллической кислотостой 5 кой эмали не только обеспечивает снижение температуры спекания.керамического материала, но и расширяет интервал спекшегося состояния, а также улучшает технологичность изделия, из нее можно готовить как пластическим формованием, так и способом литья,Глинозем подвергают предварительному измельчению в вихревом слое ферромагнитных частиц аппарата ВА15 до размера частиц 0,5-40 мкм. Стеклокристаллическую кислотостойкую эмаль варят при 1250-1300 С в тече-. ние 3,5-4 ч с последующей грануляцией на воду. 20Шихту получают измельченнем компонентов в шаровых мельницах до остатка 6,0-6,5 на сите 9 0056, Полученный шликер обезвоживают на фильтр- прессе до влажности 21-23. Массу перерабатывают на вакуум-прессе...
Стеклокристаллическая радиационностойкая эмаль
Номер патента: 688457
Опубликовано: 30.09.1979
Авторы: Ерохин, Еськов, Еськова, Иванов, Коваль, Олейник
МПК: C03C 7/04
Метки: радиационностойкая, стеклокристаллическая, эмаль
...эмаль, включающая1.1 гО, ВгОз, ГегОз, СггОз, СогОполнительно содержит,ВаО и Ядующем соотношении компонен Изобретение поясняетсясоставами (1, 11, 111), эмалимасс. 7 ю.688457 ВгОз 15 1 егОз 2,1 СггОз 1,4 0,9 1,0 1,0 0,6 0,8 0,7 2,5 3,2 3,0 3,4 2,0 2,5 ЬгО 04 СогОз 0 5 СпО 05 Описываемые составы обладают следуюшими свойствами: 1 1 111 Известный1 100 в 14 1400 в 14 1400 в 14 1300 в 13 Температура варки,С Температурный интервал обжига, 1000 в 10 1020 в 14 1040 в 11 820 в 880 о С Температура кристаллизации.С 780 800 800 770 в 800Температура начала размяг 1 сння,С 920 ) 920 920 800 510 в 5 530 - 550 530 в 5 450 в 7 Тсрмнчсская стойкость,СПрочность на улар, ко 1,9 1,9 Линейный коэффициент теплового 127 128 130 120 в 1 расширения, и 1 О,...
Широкоугольная галилеевская система
Номер патента: 679914
Опубликовано: 15.08.1979
Авторы: Еськова, Русинов
МПК: G02B 23/00
Метки: галилеевская, широкоугольная
...п 111,66, вместо редкоупотребимых и дорогих стекол приводитк большей технологичности схемы.На чертеже представлена оптическая схема телескопической системы,Система состоит из положительногомениска 1:, двухсклеенной линзы 2 иотрицательного мениска 3.Поверхность 4 мениска 3 концентрична выходному зрачку.5. При этом679914 Формула изобретения Составитель М. Лебедевктор С. Хейфиц Техред Э, Чужик Корректо ворцова Подписноекомитета СССРий и открытийаушская наб., д. 4/5 аказ 4786 Тираж 5881 И Государствепо делам изоб35, Москва, Жно ет 5,лиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,радиусы кривизны первой 6 и второй 7 поверхностей мениска 1 относятся как 1:5, а радиусы кривизны первой 8 и .последней 9 поверхностей двух- склеенной линзы 2...
Эмаль
Номер патента: 576294
Опубликовано: 15.10.1977
Авторы: Голубенко, Еськов, Еськова, Островчук, Шаброва
МПК: C03C 7/00
Метки: эмаль
...СаО МагО 1.гО КгО МоОз Хаг 811. е Наибол одержащЯОг ХгОг ЯпОг Г 10 г А 1 гОз МоО, ВгОз 1 лгО Цель изобр стойкости, те И прочности. Она достига тельно содерн ношеннн комп 310 г 1 А 1 гОз(0,06 0,05 0,04 1 х 1 аО 1.1 О К,О ЯгО ЬпО, Сг 20 а Со 20 з 4,5 - 5,7 4,0 - 5,0 1,2 - 4,5 4 - 5 2 - 3 0,8 в 1,0 0,3 - 0,8 Формула изобретения 25 Составитель С, Белобокова Техред Л. Гладкова Корректор Л, Брахиина Редактор Э. Шибаева Подписное Заказ 2797/19 Изд 1 Чз 838 Тираж 585 11 ПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, )К, Раушская наб д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 Конкретные составы эмали, масс, %; вес. ч Для приготовления эмалей применяют сырьевые материалы в соответствии с МРТУ 26 - 01 - 7 -...
Стеклокристаллическая эмаль
Номер патента: 544239
Опубликовано: 05.09.1977
Авторы: Ерохин, Еськов, Еськова, Ус
МПК: C03C 7/00
Метки: стеклокристаллическая, эмаль
...вод эмаль допО при след ны физико- химическиеалиокрытия на изделиях гожаший, веса:10025 лице привед составов эм олучения и 20 ов, вес."7;,2; МоОз 0,2-0,4,8,7; МттО 1,4-3,2.конкретными сошликер, содерУглуховскуюхрома Фри ттГлинуОкисьБуру 150,15 талл весЪ Это достигается тем, что нительно содержитВао и М шем соотношении компонент 51 О 6 13-76,0; В Оз 3 0-3 СаО 0,2-1,4; О О 8,0-96; Сг, О 0,5-1,6; Вао 9,9-1 Изобретение поясняется ставами элали, содержашили9,3 802,9 3,0 1,4 0,8 0,6 0,5 2,5 1,4 клокристаллических ые материалы в -01-7-67. Варку отных тиглях в гаре 1250-1350 С последующей грану544239 55 1,9 40-9 2 0 Без дополнит ной термообра ботки 550 840-920 850-930 0 0 содержит ВаО иошении компоненформ на дополнительн следующем со%: ци...
Паста для металлизации радиодеталей
Номер патента: 539334
Опубликовано: 15.12.1976
Авторы: Авдеева, Еськова, Кудрявцева
МПК: H01B 1/02
Метки: металлизации, паста, радиодеталей
...содержит водный раствор формиата меди Сц (СООН) 2 при следующем количественном содержании исходных компонентов, вес. %: ЗО 2Порошок серебраБорнокислый свинец 1,8 - 2,3 Окись кадмия 0,5 - 0,9 Формиат меди Сц(СООН)2 0,2 - 0,4 Дистиллированная вода 4,0 - 5,0 Органическое связующее ОстальноеПо своим физико-химическим свойствам паста представляет собой низковязкую и быстросохнущую суспензию светлосерого цвета с незначительным запахом спирта, входящего в состав органической связки, нетоксична.Приводится конкретный пример по среднему значению пределов ингредиентов, входящих в состав пасты (в вес. %):Порошок серебраБорнокислый свинецОкись кадмия 0,7 Формиат меди 0,3 Дистиллированная вода 5,0 Органическое связующее 29,0Дополнительное...
Грунтовая эмаль
Номер патента: 523059
Опубликовано: 30.07.1976
Авторы: Бабич, Бедношея, Еськова, Зайцев, Иванов, Линниченко
МПК: C03C 7/04
...аппаратуры 11.Недостатком такой эмали является повышенная растекаемость и способность образо вывать с покровной эмалью легкоплавкий промежуточный слой, что является причиной образования наплывов.Цель изобретения - создание грунтов, имеющих пониженную растекаемость, широ кий интервал обжига и незначительное взаимодействие с покровной стеклокристаллической эмалью.Это достигается тем, что эмаль дополнительно содержит при следующем соотноше нии компонентов, вес. 7 о 310 гА 1,0,СаОКагОКгОФторид из группы СаРМаг 51 Ра, ХазА 1 РВгОзМпгОзСоО523059 Формула изобретения Составитель Л, Булгакова Редактор Т, Пилипенко Техред М, Семенов Корректор А, Дзесова Заказ 1698/3 Изд, Мо 1509 Тираж о 75 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета...
Эмаль
Номер патента: 477951
Опубликовано: 25.07.1975
Авторы: Горбунова, Гриценко, Еськова, Зайцев, Попова, Симхович
МПК: C03C 7/00
Метки: эмаль
...СаО - 181; ВгОз - 4,51; СгОем тонкий слой (О 20 МоОзКаг 1 бБгОХгОгедварительно зерхность наносической эмал69,17; А 1 гОз -2,51; 1 лгО - 4О - 29,аза льдмет изобрете ную пов кристалл БтОг - КагО - 1,62; Кг оа: 4 310 г, А 1 гОз, К,О, МоОМ аяся тем, чт ческой стой агт б , с цеости и20,25 мм) стекловидной эмали, например, сос. тана: 810 г - 56,3; ХгОг - 15,3; МоО - 1,0; ВгОз - 1,8; СаО - 2,0; ЗгО - 2,9; 1.1 гО - 4,0; ИагО - 10,0; К,О - 2,7; ХагЯРб - 4,0, которые в процессе термообработки образуют покрытие, например, состава: 31 Ог - 62,7; А 1 гОз - 1,3; СггОз - 1,0; ВгОз - 3,1; СаО - 6,6; МагО - 5,7; 1.1 гО - 5,8; КгО - 2,1; ХгОг - 7,7; МоОз - 0,5; ЯгО - 1,5; Каг 51 Рб - 2,0.Рабочие параметры шликера:Тонина помола, г 8 - 10 Объемный...
Система пуска котлоагрегата
Номер патента: 470683
Опубликовано: 15.05.1975
Авторы: Еськова, Иванов, Кемельман
МПК: F22B 29/12
Метки: котлоагрегата, пуска
...ли нией 3 отвода осушенного пара с пароперегревателем 4 котла, периферийную кольцевую камеру 5, соединенную при помощи линии б, снабженной обратным клапаном 7, со всасывающим патрубком эжектора 8 рециркуляции 0 среды в тракте котла, и промежуточную камеру 9, подключенную линией 10 к растопочному расширителю 11. Нижняя часть корпуса расширителя 11 соединена со сбросной линией 12 с регулирующим клапаном 13, а верх -няя часть при помощи линии 14 - с линией3 отвода осушенного пара из сепаратора в пароперегреватель котла.Система пуска работает следующим образом.0 Пароводяная смесь из испарительноготракта 15 котла поступает на вход центробежного сепаратора 1. Осушенный пар с очень малым влагосодержанием поступает в центральную...
Кислотостойкая стеклокристаллическая эмаль
Номер патента: 425859
Опубликовано: 30.04.1974
Авторы: Еськова, Симхович
МПК: C03C 8/08
Метки: кислотостойкая, стеклокристаллическая, эмаль
...осят на предварительно загруерхность по обычной технологи с последующей термической о 800 С в течение 1 час. Изобретение относится к составам эмаиспользуемых для защиты химической аратуры от коррозии в агрессивных средах приповышенных температурах.Известен состав эмали, вклА 1 гОз, ВгОз, СаО, ХагО, СаРгРгОзЦель изобретения - уменьшение продолжительности термообработки, расширение интервала обжига, повышение механической прочности эмали.Это достигается тем, что эмаль содеуказанные компоненты в следующих коствах, вес.%: 810 г 74 - 80; А 1 гО, 1 - 4; Вг2 - 10; СаО 1 - 4; МагО 3 - 8; СаРг 1 - 4; 1.110 - 13; СггОз 0,5 - 5; РгОа 0 5 - 3 и, кротого, МоО, 0,5 - 3, при молярном соотношенВгОз, СггОз РгОь МоОз=12: 2: 1: 1.Варку эмали...
Стеклокристаллическая кислотостойкая эмаль
Номер патента: 425858
Опубликовано: 30.04.1974
Авторы: Еськова, Симхович
МПК: C03C 8/06
Метки: кислотостойкая, стеклокристаллическая, эмаль
...обработки, час 1 термообработки, расширение интервала обжи- Кислотостойкость покрытия,га и повышение химической стойкости эмали. мг/см О,02-0 О 5Это Достигается тем, что эмаль содержит 10 Термостойкость по методу указанные компоненты в следующих количе- теплосмен, С 470-500 ствах, вес./о: 5102 70-80; А 1203 0,5-6; В 203 Прочность на удар, кгм 1,1-1,7 2-8; СаО 1-5; 11 а 20 2-8; Т 102 2-6; 1.120 Температура обжига, С 840-920 8-13; СаР 2 1-4; Сг 203 0,8-5,5. Интервал обжига, С 80Варку эмали осуществляют при 1 З 00 С в 15 течение 4 час с последующей грануляцией наВ 0 ду Предмет изобретения Эмаль наносят на предварительно загрунтованную поверхность стали по обычной техно- Стеклокристаллическая кислотостойкая логии эмалирования с...
380603
Номер патента: 380603
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вител, Еськова
МПК: C03C 8/06
Метки: 380603
...ст пользуетсИзвес СаО, Ха 2Цель ск и хи м ой Эерж гг ол:че 10 указавнь ствах (в 5 - 80 5 - 2, 2 - 3, 4 - 6 5 - 1 обре тени дмет А 120 з, С а О, я тем, что, с и химической тые компоненвес, %):.лм Ма 20, целью стойк ты в ая с 1 02, шчающая хической ит указанчествах ( ключающСаР 2, отщения терна содерхщпх кол аль, в1 20,повысти, оледую стеклокр:- ерхлостно- который 0 ЫО 2А 1,0 зСаО гих ком их недо.5 2,52 - 3,56 температу последую а 2 а- 2 8 - 5до 1 о, МоО; Г 20, кроме т поверхваппя 502 7А 1202 1, 5СаО 5Ха 201.т 20 9, 2СаГ 2 1 - 2И, кроме того, Мо 02 0,8 - 5Р 203 До 1Предлагаехая кислотостойкаясталлическая эмаль содержит ловактивный оолибденовый ангидридпри определенном соотношении дрпонептов способствует устранениюстатков.Варка эмали...
Кислотостойкая эмаль
Номер патента: 358283
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Еськова, Симхович
МПК: C03C 8/06
Метки: кислотостойкая, эмаль
...и Н. Ф. Еськоваовательский и конструкторско-технологическэмал ированного химического оборудования инстит СЛОТОСТОЙКАЯ ЭМАЛЬ Изобретение относится вания стальной химическ Извести а эмаль, вклю СаО, ИагО, 1.1 гО, СаРг. С целью расширения и вышения механической и термостойкости, она с компоненты, в вес. %: о 10 г А 1 гОз СаО г агОха оЯоо о х о ы" одах а авоо С-о аоо аО оащ чСхх нтервала обжига, порочности, кислота- и одержит следующие 860 -470 0,04 чающая %0 г, отличаюи 1 аяся нтервала обй прочности, содержит уках количествах,Кислотостойкая эмаль, вклюАгОз, СаО, ХагО, 1,1 гО, Са 1.г,тем, что, с целью расширения и25 жига, повышения механическокислото- и термостойкости, оназанные компоненты в следующив вес. %: 1.1 гО СаГг %0 з,5 ,0 кон...
Стеклокристаллическая эмальво€схgt; amp; юзнаяьигшштшнискйибибяиотгнл
Номер патента: 357176
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Еськова, Симхович
МПК: C03C 8/06
Метки: стеклокристаллическая, эмальво€схgt, юзнаяьигшштшнискйибибяиотгнл
...птеплосмен, СПрочность на удаТемпература обжИнтервал обжига окрыетоду 380 2,130 - 880 р, кгл га, С цтервал очность Предмет изобретения я эмаль, включаю- а.О, 1 гО, К,О, отлаелью расширения иц щения механической указанные компоценчествах, вес. %: 510 г1 - 23 хагО 3 - 45 ,2, и, кроме того, СаГг Стеклокристаллпческа щая 5 Ог, Л 1 гОа, СаО, х 5 чаюшался тем, что, с и тервала обжига и новь прочности, она содержит ты в следующих коли 79, Л 1 гОа 1 - 3, СаО 11 - 12,5, КеО 0,6 - 1Изобретение относится к составам покрытий, применяемым для защиты стальной химической аппаратуры, работающей в агрессивных средах при повышенных температурах.Известна стеклокристаллическая эмаль, включающая 10 г, А,Оа, СаО, ха. О, .40, К,О.Цель изобретения -...
Двухчастотный свч-генератор
Номер патента: 335758
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Еськова, Степанов
МПК: H03B 9/04
Метки: двухчастотный, свч-генератор
...направленный ответвитель, аттенюатор и фазовращатель.На чертеже изображена блок-схема предложенного генератора,К выходу и входу усилительно-преобразовательного клистрона 1 подключен ферритовый циркулятор 2, через который колебания основной и боковой частоты поступают на проходной СВЧ-резонатор 3, настроенный на основную частоту. Проходящие через резонатор колебания только основной частоты поступают через направленный ответвитель 4 на вход приемника и через аттенюатор 5 и фазовр а гцатель 6 - на вход клистрона, Отр аженные от резонатора т колебания боковой частоты через циркулятор 2 поступают в нагрузку. Характер колебаний боковой частоты (непрерывные или импульсные) определяется режимом работы модулирующего устройства 7.Предмет...