Гастев — Автор (original) (raw)
Гастев
Гидравлический демпфер
Номер патента: 1732074
Опубликовано: 07.05.1992
Авторы: Алферов, Гастев, Мелай, Субботин
МПК: F16F 5/00
Метки: гидравлический, демпфер
...того, возможно выполнение гофр со ступенчатым уменьшением толщины от одного витка гофра к другому. Возможно выполнение мембраны с уменьшением от центра к периферии шага гофр или высоты, а также одновременно шага и высоты.Форма выполнения гофр выбирается из условия технологичности изготовления, Поскольку мембраны могут быть изготовлены штамповкой, то наиболее удобной формой является синусоидальная и трапециевидная как лишенные острых углов.Определенную форму выполнения пластины 2 выбирают в зависимости от возможного характера вибраций и определяют экспериментально.Гидравлический демпфер работает следующим образом,При действии вибрации на объект 4 пластина 2 со штоком 3 совершают возвратно- поступательные движения с определенной...
Сканирующий туннельный микроскоп
Номер патента: 1705915
Опубликовано: 15.01.1992
Авторы: Гастев, Голубок, Грохольский, Давыдов, Тимофеев, Типисев
МПК: H01J 37/285
Метки: микроскоп, сканирующий, туннельный
...молеку;1 ярН 031 ЭЬ 1 КТРГ Н 1 КИ.Цель ц.обретия - 1101311.егце на- ДЕЗЛЗОЬ Тц Р,.ОТ 1:33 ГЕТ УМЕНЬИС 11 ЦЯ 13 ЧЦЧ 1 Л. 1 ЕРЛ:10:1 РНОСТ 5; ПЕР, 350И 1 . ИОД 3115,:11,х :3 ст. ик 5 оскопл.Ва т 5 р-Пр; о ГЛ 1 Л СХЕМ 1.РУ; Г, 1, ы 33,5 Р,НРЭко 1,1":111 .ОРл,15,015 1 с 1 лЙчцм ост,. но рас 13 олояен 11,Л пьезомаипулятор сострием, закреппенньп 1 на основании,и устройстпо подвода оразца, ьсдер 5 ящее дер 5 татель образа, установлен 11 ыйи удержцвя емьй при.тимямР 1 в на.Рав яющей, Под дерРхяте 31 ем на ос 110 пл 131 ц размещен ПОДВР 1 кп;в 1 упорньй 1 элем,.нт, ягпереме 1;ения которого не превосходитШЯ 1 Я ПЕРЕ 1 ЕГЕН 11 Я ДЕРлат(ЛЯ.5 ГОР 1 ЬПэлемет мОхе 1 б 1 1 ть Вьн 0 Лен 5 1 еа 11 римерВ 13 иде к 13 нл а Исремееис дергл 3 елавнерх...
Способ получения слоев аморфного кремния
Номер патента: 1435105
Опубликовано: 07.12.1991
Авторы: Гастев, Петров, Приходько, Соколов, Сухоруков
МПК: H01L 31/18
Метки: аморфного, кремния, слоев
...достижения заданногозначения Е е э45При значениях У 4 10 Вт/см иЯ 1 4 1(У Вт/си указанная выше зависимость сохраняется но несколькоухудшаются электрофизические характеристики слоев, в частности, произведение 1 л уменьшается до 1 Р 10 си/В,И р и и е р 1, Получают слойаморфного кремния с шириной запрещенной зоны Е, = 175 эВ, 55В раоочую камеру установки осаждевин слоев аморфного кремния загружают стеклянные пластины соФормюрованными на них прозрачными контактами БпО и нанесенным поверх ЗпОр "слоем легированного бором аморфного кремния. Камеру предварительно откачивают до остаточного давления-й10 Торр и после прогрева пластинодо 250 С заполняют смесью моносилана 10 об,Е) с водородом,Требуемое значение ширины запрещенной эоны 1,75 эВ,...
Устройство для просмотра микрофильмов
Номер патента: 1675830
Опубликовано: 07.09.1991
Авторы: Баташева, Гастев, Калашников
МПК: G02B 27/02
Метки: микрофильмов, просмотра
...оптики (лупы) 6, и, кроме того, образует в верхней пластине 1 сквозное отверстие в для 25прохождения света и обеспечения работыоптической системы. На язычок 5 надет своэможностью перемещения по нему ползун 7, одна иэ наружных плоскостей которого опирается на верхнюю пластину 1, упруго 30отгибая при этом язычок 5. Внутренняя поверхность полэуна 7 выполнена со скосом всторону соединения пластин 1 и 2. В местесоединения пластин 1 и 2 установлена между ними промежуточная пластина 8, толщина которой больше толщины 1 и 2 при этомрасположены с зазором по всей длине,Устройство работает следующим образом,Между пластиками 1 и 2, отстоящими на 40толщину промежуточной пластины 8, уста.навливают микрофильм так, чтобы просматривэемый кадр установился...
Узел для опечатывания
Номер патента: 1534496
Опубликовано: 07.01.1990
Авторы: Гастев, Овчинников, Филин
МПК: G09F 3/03
Метки: опечатывания, узел
...буртиком 12 для опечатывающего вещества. Узел работает следующим образом.При перемещении рычага 6 по часовой стрелке кольцевая затворная дужка 5, перемещаясь по пазу 4 корпуса 1, освобождает прорезь 3 узла и, одновременно, уступ 7 проточки 8 взаимодействует с коротким плечом рычага 9, поворачивая его вокруг оси 10, что приводит к подъему вилкообразного конца длинного плеча рычага 9. Затем петли охраняемого объекта (не показаны) вставляются в прорезь 3 и при перемещении рычага 6 против часовой стрелки кольцевая затворная дужка 5 перекрывает отверстия петель, размещенных в прорези 3. При этом проточка 8 дужки 5, перемещаясь в кольцевом пазу 4 корпуса 1, подходит под рычаг 9, что позволяет вращением рычага 9 вокруг оси 10 опустить...
Токоввод для источников света
Номер патента: 1275588
Опубликовано: 07.12.1986
Авторы: Бачин, Гастев, Зотов, Иванов, Калязин, Прытков, Савинов, Тараторов
МПК: H01J 61/36, H01K 1/38
Метки: источников, света, токоввод
...прочность, поэтому манжета в этом месте можетиметь толщину в 2-3 раза большую, чем на фиг, 1, что существенно упрощает технологию изготовления металлической манжеты сутолщением и стержневым элементом.Манжета изготавливается способомглубокой вытяжки, при этом получитьрезкий переход от утолщения высотой (толщиной) в 5-10 мм к манжете толкоторая. герметично соединена с торцовой частью основного компенсатора5, выполненного цельным с трубчатымучастком колбы, например, путем формовки его в разогретом виде илипредварительной приваркой в пламенигорелки, или диффузионной сваркойдо полного растворения манжеты.Максимальная прочность сварного 10 шва при диффузионной сварке достигается при полном растворении металла манжеты в...
Устройство для управления копировальным станком
Номер патента: 1249479
Опубликовано: 07.08.1986
Авторы: Гастев, Гусев, Дядищев
МПК: G05B 19/02, G05B 19/423
Метки: копировальным, станком
...Транзистор 30 закрыт, транзистор 31 открыт(транзисторы 30-31 - триггер Шмитта),а транзистор 32 закрыт.Отрицательное напряжение с инвертора 4 закрывает транзистор 29.Конденсатор 42 начинает заряжатьсячерез резисторы 33 и 34. При достиженин напряжения на базе транзистора 30 уровня срабатывания от открывается, транзистор 31 закрывается,а транзистор 32 открывается. С выхода элемента 7 выдается сигнал на тиристор 11,Исходное положение транзисторовэлемента 6 задержки отключения:транзистор 46 закрыт положительнымО напряжением с резистора 49, транзистор 43 закрыт, транзистор 44 открыт, а транзистор 45 закрыт (фиг. 8)При подаче отрицательного напряжения с инвертора 5 на базу транзис тора 46 он открывается, Транзистор 43 также открывается по цепи...
Способ импульсной электрохимической размерной обработки
Номер патента: 1002123
Опубликовано: 07.03.1983
Автор: Гастев
МПК: B23P 1/04
Метки: импульсной, размерной, электрохимической
...становится равной О и вытеснение электролита предотвращается. Ввиду непостоянства мгновенного значения тока в импульсе скорость выделения газа на катодной поверхности в период прохождения импульса изменяется, вызывая перемещение границы газ-электролит, вытеснение и движение электролита. Для обеопечения неподвижности электролита в период прохождения импульса скорость разведения электродов регулируют в соответствии с изменением объемной ско рости выделения газа.Скорость выделения газа при электролизе определяется силой технологического тока, Поэтому для упрощения управления процессом обработки скорость разведения электродов при прохождении импульса технологического тока регулируют пропорционально мгновенному значению тока в...
Способ электрохимической размерной обработки и устройство для его осуществления
Номер патента: 979064
Опубликовано: 07.12.1982
Авторы: Гастев, Кашпирев, Миронов, Разоренов
МПК: B23P 1/04
Метки: размерной, электрохимической
...ЭИ 96840Материал инструмента медь М 2Напряжение, В 18Сила тока, А 1000Электролит 15/ ИаС 1+33 йаМОРабочий зазор, мм 0,0145Частота импульсов технологическоготока, Гц 150Время обработки, мин 25,Устройство для электрохимицескойразмерной обработки включает в себяэлектрод-инструмент 1, деталь 2, элек.трододержатель 3, подвижный столкулачок 5, фиксирующие зажимы 6, направляющие 7, пружину 8 для поджатиястола 4 к кулачку 5, пружину 9, воз 55действующую на электрододержатель 3для обеспечения надежного контактаэлектродов при установке зазора,редуктор 10, электродвигатель 11 и муфты 12. 4 6На рабочем профиле кулачка 5 (см.фиг. 3) имеется уровень, от которогозадана величина зазора 5 , при достижении которого включают технологический ток, и...
Способ размерной электрохимической обработки
Номер патента: 908562
Опубликовано: 28.02.1982
Авторы: Гастев, Сафонов, Степанов, Струков, Шляков
МПК: B23P 1/04
Метки: размерной, электрохимической
...На этой стадии происходит интенсивный процесс анодного растворения и производительность обработки максимальная,С уменьшением значения зазора длительность паузы между импульсами возрастает. При достижении межэлектродного зазора эна. чения 8 . длительность импульса становится минимальной для данного цикла обработки.Значенил 8 ти Т,определяются ис.20 ходя из требования точности копирования. После окончания рабочего периода происходит отвод инструмента на промывочный зазор, под. вод егодо касания с деталью и повтореае цикла обработки.Увеличение производительности обработки25 приводит к сокращению трудоемкости обработки. В среднем при обработке полости штампа трудоемкость с использованием предлага. 0,03 0,03 0,05 0,05 0,05 0,05 0,10,1...
Способ размерной электрохимической обработки
Номер патента: 889364
Опубликовано: 15.12.1981
Авторы: Гастев, Миронов, Поляков, Сафонов
МПК: B23P 1/04
Метки: размерной, электрохимической
...разведения;р - рабочий межэлектродный зазор;" - межэлектродный зазор в концепредъщущего единичного циклаобработки,При обработке по предлагаемому способус совмещением периодов промьвки и сведенияэлектродов до соприкосновения в период Т 3электродом 2 совершается отрицательное пере.35мещение на величину лр высотои в течениепериода Тб и последующее положительное перемещение. Одновременно в период Тз электрод 1 совершает отрицательное перемещение40до соприкосновения с электродом 2 в моментт 0, По сигналу, регистрирующему соприкосновение, движение электрода 1 реверсируетсяи оба электрода в состоянии соприкосновениясовершают положительное перемещение в тече.ние периода Тт, При достижении исходного по 45ложения электрод 2 останавливается, а...
Способ размерной электрохимическойобработки
Номер патента: 850339
Опубликовано: 30.07.1981
Авторы: Гастев, Струков, Шляков
МПК: B23P 1/04
Метки: размерной, электрохимическойобработки
...до температуры,зависимой от локального значения зазора, но не превышающей температуры кипения. Под поверхностью 5температура электролита достигаетзначения с + а с , а под поверхностью- значения ср + ь с . ВвидУтого, что масса электролита под 20единицей поверхности 5, меньше,чем под единицей поверхности 5,то Ь с,д с и происходит увеличение температуры в зоне меньших зазаров, Соответственно темпера=уреэлектролита его удельная электропроводность яод поверхностью 5 становится выше, чем под поверхностью 5,что приводит к повышению скоростиобработки в области 5 и общему возрастанию точности обработки. При условии, если температура электролитаза время рабочего периода не достигает температуры его кипения, повьзаение температуры не...
Станок для электрохимического снятия заусенцев
Номер патента: 601106
Опубликовано: 05.04.1978
Авторы: Гастев, Дядищев, Шевченко
МПК: B23P 1/04
Метки: заусенцев, снятия, станок, электрохимического
...устройство 13 на детали, подлежащие обработке, они забираются захватывающим устройством и поднимаются приводом 16 в верхнее положение. Одновременно при транспортировке обрабатываемых деталей подается воздух через клапан 10 быстрого выхлопа з соединенную с ним полость емкости 1. Уровень электролита полости, соединенной с клапаном быстрого выхлопа, начнет понижаться, а в полости, соединенной с камерой обработки 5, - повышаться. Транспортный блок 11 приводом 12,переместится на рабочую позицию (на чертеже правое крайнее положение). Привод 16 опустгит обрабатываемые детали в камеру обработки 5, выставив их относительно катодов-инструментов. Емкость 1 заполняется электролитом таким образом, чтобы при понижении уровня электролита до нижнего...
Устройство регулирования межэлектродного зазора
Номер патента: 554990
Опубликовано: 25.04.1977
Авторы: Гастев, Панов, Струков, Шляков
МПК: B23P 1/14
Метки: зазора, межэлектродного
...этом после усиления усилителем 10 сигнал поступает на формирователь 11, Кратковременный импульснапряжения поступает на апериодическое звено 12, напряжение на котором начинает возрастать по экспоненте. Однако, ввиду кратхэвременности импульса, напряжение на выходе звена 12 возрастает незначительно.После этого при продолжительнэй паузе иотсутствии импульса заряда на входе звена 12 конденсатор полностью разрядится,Таким образом на транзистор 13 усилителя 2 поступает кэлебательнэе напряжениенезначительной величины. Егэ внутреннеес опр отивление оказывается д ов ольн э выс эким, создавая глубокую отрицательную обрат ную связь в усилителе 2, Поступающий навход усилителя 2 сигнал усиливается слабо, в результате чего амплитуда...
Устройство для электрохимической размерной обработки
Номер патента: 531707
Опубликовано: 15.10.1976
МПК: B23P 1/04
Метки: размерной, электрохимической
...1, связанного с винтом 2 через муфту. По винту перемещается гайка 3. Винт смонтирован на подшипниках в корпусе 4 и защищен гофрированными чехлами 5. На коробе 6 смонтированы следящий золотник 7 и двигатель 8, перемещающий через червячную передачу 9, винт 10, подвижную опору 1. Вокруг подвижной опоры обкатывается рычаг 12, Короб жестко связан с перемещающимся корпусом гидроцплиндра 13, к которому крепится пиноль 14 с катодом-инструментом.Устройство работает следующим образом.Включается гидростанция. На шаговый двигатель 1 поступает команда от системы управления, и он начинает вращать винт 2. Гайка 3, перемещаясь по винту вниз через рычаг 12 и опору 11, перемещает плунжер следящего золотника 7 вверх. Рычаг 12 постоянно поджат пружиной...
Устройство для стопорения гайки
Номер патента: 386166
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Векслер, Гастев
МПК: F16B 39/16
Метки: гайки, стопорения
...выполненной в теле гайки.Надежность стопорения повышается за счет того, что контргайка имеет резьбу, противоположную по направлению резьбе гайки, .и навернута на предусмотренный на болте хвостовик. полнен меньше наружного диаметра основнойрезьбы болта 1.Сборка устройства осуществляется следующим образом.5 Гайка 3 навинчивается на болт 1, а затемпроизводится стопорение соединения посредством контргайки 4 за счет получения натягапо коническим поверхностям гайки 3 и контргайки 4.0 При произвольном повороте гайка 3 за счетсил трения по коническим поверхностям вызывает вывинчивание контргайки 4 и тем самым усиливает ее контрящее действие. Предм Устройство д тельно болта, с ружной коничес ной с соответст 0 стью, выполненн ся тем, что, с ц...
Механизм свободного хода
Номер патента: 306296
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Векслер, Воронов, Гастев, Соколов
МПК: F16D 41/07
Метки: механизм, свободного, хода
...по Б - Б на фиг. 2; на фиг. 2 - то жс, разрез по А - А на фиг. 1,Механизм свободного хода содержит: звездочку 1 с центральным сверлением и радиальными каналами 2 с попарно симметричными выемками, в которые закладываются ролики (тела заклинивания) 3 и 4 для передачи прямого и обратного крутящих моментов; обойму 5 с гладкой внутренней цилинлричсской рабочей цоцсрхцосгью; установленные на звсздо 1 кс коллектор 6, В которых Выполнены сопла 7 перпендикулярно к каналам 2 заглушки 8; кооп 5 с 9 плот енцый на ведущем и ведомом валах уплотцитсльными кольцами 10,Крутящии мох снт и Врященпс От звездочки 1 к ооойме 5 передастся в направлении, вызывающем заклинивацис роликов. При угловох перемещении звсздо 1 ки относительно обоймы В л К 1 О О х н...
Способ электролитического травления растровых печатных форм высокой печати
Номер патента: 264091
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Гастев, Солодовникова
МПК: C09K 13/00, C25F 3/02
Метки: высокой, печати, печатных, растровых, травления, форм, электролитического
...эфиров алкил щем соотношении компоцитрат натрия четвертичная соль диэтиламинометильных производных полигликолевых эфиров алкилфенолов и процесс ведут при р 16 - 20 С и плотности то ского травления растысокой печати в элеката натрия, отличаюю улучшения качества дят четвертичную соль производных полиглифенолов при следуюнентов:150 в 2 г/л ильных алкил ируется енно на 25 - 75 мг/л Н 7 - 8, температуо а 100 в 1 а/дм 2, Известен способ электролитического травления растровых печатных форм высокой печати в электролите на основе цитрата натрия, при котором однако наблюдается боковое растравливание клише. 5Предлагаемый способ отличается тем, что для улучшения качества клише в электролит вводят четвертичную соль диэтиламинометильных...
Способ изготовления контактных блоков
Номер патента: 238612
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Гастев, Клейн, Красна, Ленинградский, Ленинградское
МПК: H05K 13/00
Метки: блоков, контактных
...контактной пластины 1 имеет вырубленные окна 2 и пазы 3 с двух сторон, между которыми оставлены, перемычки 4, соединяющие ламели 5 между собой. Для опрессовки объемных контактных блоков, т. е. с многоярусным расположением ламелей 5, используется разъемная прессформа 6, набранная из плоских вкладышей 7 и 8, между которыми закладывают заготовки контактных пластин 1. Вкладыши 7 имеют сквозные пазы 9, которые уже окон 2, вырубленных в заготовках контактных пластин 1. Паз 9 сбоку перекрывается боковой поверхального научно-исследовательскогкое производственное объединениная Заря ностью вкладыша 8. Прп сжатии втрессфорхгы б вкладыши 7,н 8 сопрягаются с ламелями 5 по плоскостям, в результате чего обеспечивается надежное уплотнение рядов...
219763
Номер патента: 219763
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Гастев, Залогима, Кузнецова, Левин, Обидина
МПК: C03C 3/085
Метки: 219763
...29 Ч 111.1968,но 14,Ч 1.1968 а опубликования Авторы зобретения ина, Ю, А. Гастев, Л, А. Залогина, А. С И, Н. Кузнецовахимическую стоикост Известны стекла, включающиВаО, Ма.,О, К 20, 11;О.Предложенное стекло для сниратуры размягчения содержит упоненты в следующих количествсу: ЯО 61 - 65, А 1,0; 3 - 6, ВаО4 - 6, К 20 8 - 11, 1.10 0,5 - 1,5.Описываемое стекло имеет слзико-химические свойства: мостоикост жения темпе- казанные комах в % по ве 15 - 19 Ха.,О едующие фиОписываемо тя изготовлен текло можно использовать приемно-усилительных ламп,ПредмеСтекло, включа КахО, К 20, 1.1 вО, целью снижения оно содержит указ ющих количествах А 20 3 - 6, ВаО 15 1.10 0)5 в 1,5. ющ от коэффициент расширениятемпературу размягченияТ. кип.=100, не нижеР б -...
Счетчик радиоактивного излучения
Номер патента: 201551
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Гастев, Клебанов, Перельман, Прагер, Толмачев
МПК: G01T 1/203
Метки: излучения, радиоактивного, счетчик
...измерения при положительных температурах, не превышающих 180 - 200 С,Предлагаемый счетчик ионизирующего излучения позволяет повысить рабочую температуру более чем на 100 С и,вести работу прн температуре 300 С, повышая при этом надежность и срок службы счетчиков, увеличивая протяженность плато в 4 - 5 раз и уменьшая наклон в 10 - 15 раз. Для этого конструктивные и изолирующие элементы счетчика изго. товлены из стекла, например, следующего состава (% ): %0. 54, АзОз 18,5, СаО 15,5, ВаО 8,0, ХпО 6,0, 1 емпература размягчения стекла 820 С, Ы 5110 град 1, ТКпревышает 475 С, температура отжига 580 - 765 С,Такое стекло не содержит щелочных металлов и их окислов, обладает малой электропроводностью при вьссоких температурах и позволяет...
Электрохимический способ получения меднозакисных плеиок
Номер патента: 167730
Опубликовано: 01.01.1965
Автор: Гастев
МПК: C21B 11/00
Метки: меднозакисных, плеиок, электрохимический
...кристаллической структуры.Предлагаемый способ получения меднозакисных пленок основан на анодном растворении твердых растворов на медной основе, например, на листах латуни любой толщины с содержанием цинка от 30 до 50%. В растворах серной кислоты при температуре не выше 80 С меднозакисная пленка образуется в течение нескольких минут, Структура меднозакисной пленки зависит от концентрации серной кислоты и плотности тока. В растворах серной кислоты концентрацией от 6 до 300/о при плотности тока от 10 до 80 ла/слг 2 можно получить микроструктуру зерна закиси меди диаметром от 0,14 до 0,008 лл. В растворах серной кислоты концентрацией от 40 до 60%при плотности тока от 10 до 80 ла/сл 2 можнополучить микроструктуру зерна пленки...
Способ изготовления контактных блоков
Номер патента: 147607
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Гастев, Клейн
МПК: H01H 1/00
Метки: блоков, контактных
...окон - расстоянием между смежными контактными пластинами. Длина окон выполняется большей, чем размер пластмассовой детали в этом направлении, с таким расчетом, чтобы после запрессовки окна несколько выступали за ее пределы. Общая ширина заготовки берется больше продольного размера пластмассовой детали.147607Заготовка помещается в пресс-форму 2 и сжимается с двух сторон. Сопряжение заготовки с пресс-формой происходит только по двум ее плоскостям. Пластмасса заполняет объем, образованный внутренними полостями двух частей пресс-формы и окнами в заготовке, Части б окон, выступающие за пределы пластмассовой детали 3, заполняются пластмассой заподлицо с материалом заготовки, т. е. на его толщину,,После запрессовки в полученном блоке...
Стекло для спаивания с железом
Номер патента: 118388
Опубликовано: 01.01.1958
Авторы: Вакусевич, Гастев
МПК: C03C 3/102
Метки: железом, спаивания, стекло
...что сообщает предлагаемому с кое электросопротивление и ниХимический состав и физ стекла таковы: Двуокиси кремниОкиси бария ВаОсвинца РЬОкалия КгОнатрия ХаОлития 1 лО Удельное электро температуре ельное электро иэлектрические температуре ДиэлектрическиеО, РЬО, СаО,м для спайкизанные компонотличается оачества для сческие потери.свойства пр КзО, 1 ХаО,железом.енты, Однаизвестных,айки, высо118388 Температурный интервал размягчения при: 10" пуаз в 410"- 436 10"- 468 10 з- 502 10- 538Химическая устойчивость стекла - 1 Ч гидролитический класс.Стекло данного состава может быть использовано в электровакуумных и других приборах для спаивания с железом (имеющих железные детали) с высоким электрическим сопротивлением и малыми диэлектрическими...
Способ изготовления стеклянных сосудов
Номер патента: 104159
Опубликовано: 01.01.1956
Авторы: Гастев, Томашевский
МПК: C03B 19/04, C03B 23/20
Метки: сосудов, стеклянных
...приходится изготавливать отдельно детали с последукпцим отжигом, а затем сваривать пх (например, процесс изготовления оболочек телевизионных трубок).Предлагаемый прессоцентробежный способ позволяет упростить операцию сварки и устранить промежуСпособ изготовления стеклянных судов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, о соединение дна сосуда с его корсц юеД, ТомашевскийТЕ КЛЯ Н Н ЫХ СОСУДОВ точный отжиг деталей. Сущность способа заключается в том, что соединение дпа сосуда с его корпусом осуществляют в процессе формования этого корпуса на центробежной машине,На чертеже представлена схема, поясняющая изготовление сосуда по предлагаемому способу.Дно 1 сосуда, изготовленное одним из извесгных приемов, устанавливается в форму 2, в которую перед этим...
Стекло для изготовления химической посуды
Номер патента: 100418
Опубликовано: 01.01.1955
Автор: Гастев
МПК: C03C 3/087
Метки: посуды, стекло, химической
...что безборное, кимически и термически стойкое, цирконовое стекло для изготовления симической посуды, содержащее 65 - 70% кремнезема, 2 - 5% двуокиси циркония, 13 - 16,5% суммы окислов натрия и калия, до 12% окиси кальция и около 0,5% окиси алюминия, требует повышенной температуры варки, что затрудняет его производство,Большим количеством опытов установлено, что введение в вышеуказанный состав стекла, в порядке замещения окиси кальция, окис 4 з магния до 2 - 5% и увеличение содержания оки 1 си алюминия до 2 - 5%, -понижают температуру варн; стекла н этим облегчают его производство, прн зтом щело 1 еустойчивость стекла повышается.Предмет изобретения Стекло для изготовления имическон посуды и аппаратуры, содержащее 64 - 70" кремнезема, 2 -...
Устройство для выработки стеклянных труб большого диаметра
Номер патента: 86922
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Гастев
МПК: C03B 15/14
Метки: большого, выработки, диаметра, стеклянных, труб
...получения труб большого диаметра ограничена,Предлагается устройство, выполненное в виде посаженных на вертикальной осп внутри вытягиваемой трубы горизонтальных дисков, диа. метр которых несколько меньше внутреннего диаметра стеклянной трубы, Б таком устройстве затрудняется свободный выход воздуха из полости трубы и таким образом, внутри последней создается достаточное давление для противодействия деформации трубы, что позволяет изготавливать вытягиванием стеклянные трубы большого диаметра.На чертеже схематиечски изображен общий вид устройства.На вертикальнои оси 1 монтируется горизонтальные диски 2, которые располагаются в полости вытягиваемой трубы 3. Диаметр дисков 2 несколько леп 1 ше внутреннего диаметра труоы 3. Диски создают...
Ванная стекловаренная печь
Номер патента: 79249
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Гастев
МПК: C03B 5/027, F27B 3/08
Метки: ванная, печь, стекловаренная
...управлением их.На фиг. 1 и 2 схематически изображены вертикальный и попереч.ный разрезы печи,Лечь состоит из суживаюшегося к дну варочного бассейна 1 и изолированного выработочного бассейна 2, соединенных одним или несколькими заглубленными протоками 3, В противоположных стенках варочного бассейна по глубине расположено несколько пар (в случае трехфазного тока - несколько троек) электродов 5, причем каждая пара(или тройка) допускает индивидуальную регулироевку напряжения, благодаря чему в разных горизонтах можно создать необходимую силу тока, а следовательно, необходимую температуру для соответствующих отдельных этапов варки стекла.Очевидно, что температура должна сначала повышаться с глубиной, а по достижении определенного максимума...