Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей — H01L 31/18 — МПК (original) (raw)
Способ изготовления фото элементов
Номер патента: 29209
Опубликовано: 28.02.1933
Автор: Белов
МПК: H01L 31/18
...расширения. Когда про.вода Р от положительных и отрицатель-ных электродов будут соединены свы-, водами Р. и А промежутки Н междуэлектродами (фиг. 5) над слюдяными пла-стинками заполняют селеном. По заполнении и охлаждении батарея своей верхней поверхностью погружается в электролитичеекую ванну, содержащую жидкость являющуюся растворителем для цинковыхэлектродов. После атого группу пластин-чатых электродов О присоединяют к. пО- ложительному полюсу источника тока, а группу электродов М - к отрицательному его полюсу и производят вытравление металла цинковых электродов Ц, в результате чего на месте верхних краев этих электродов между слоями селена получатся тонкие выемкиН фиг, 1), с боков защищенные слоем платины или меди,...
Способ изготовления медно-закисных фотоэлементов
Номер патента: 34659
Опубликовано: 28.02.1934
Автор: Шутак
МПК: H01L 31/18
Метки: медно-закисных, фотоэлементов
...печью) в атмосфере водорода, происходит восстано"вление закиси меди (может быть образован, по желания, полупрозрачный слой ее) .согласно следующей реакции:Сц, О+ 2 Н -+ Си+ Н ОНа чертеже приведена схема для пояснения описанного способа.Методика выполнения изобретения состоит в том, что в стеклянной колбе А укрепляется на обычных электродах с выведенными концами наружу пластинка со слоем закиси меди В, полученА ИЗОБРЕТЕИИ Шутака, заявленному 2 берв,119241).убликовано 28 февраля 1934 год ным путем нагревания пластинки рри высоких температурах 900 - 1000. После этого колба подвергается эвакуированию через трубопровод. Когда процесс эвакуирования окончен, в колбу вводят из баллончика, припаянного к вакуумной . установке, водород и...
Способ восстановления светочувствительности селеновых фотоэлементов
Номер патента: 62132
Опубликовано: 01.01.1942
Автор: Молдавер
МПК: H01L 31/18
Метки: восстановления, светочувствительности, селеновых, фотоэлементов
...73001)Я 31 ы.; 171 чи 1). 11: с)тсж(. с.с)Ятн 1 сскн Г 10 азан сслснОВВ 1 и фотоэгемент В р 3170- СсгСПОВВ 1 н элемент, под)еж)1 цнй нсн)явлснн 10, 1)я Гкв)с)си 0 ПОГ 7 жастс 51 В сОсмд с жидкостью, ря(тво 7 я 0 цен нгснкм;1 якя н погмиозраПьПГСтро, и так)к. нсбольи 1 О часть сс.1 СПОВОГО се 051Прн этой операции обычю растворяется и копактное олын) ПОсле 0 0 фотОГемсГ тшЯтельно моетс 51 В н)Ото ПОЙ ПОЛО 170 ВО;ной, и потом В .Пстнлли)ов)иной воДе, сУннпсЯ В стРУе гоРЯчсго возтУ);а зяС 1 снова по 17 ыв)1 етс 51 ПО,уп 703 рячным эгектродом, 1)я)1(ой н )а(0.;1,11 Зоб)статслэ у)зыв)еГ, что, унотрсог 55 В качестВс )аствор 51 ОнсЙ я(н;1 Ости (онснтрн)ованну 0 азгнмк) нслот), ПЯГрет) 0,о 10 - 1 О, ои ольном количестве случаевсправлял...
Индикатор инфракрасных лучей
Номер патента: 65683
Опубликовано: 01.01.1946
Автор: Хлебников
МПК: H01L 31/18
Метки: индикатор, инфракрасных, лучей
...зоны (лежит прц тем больших длинах волн, че., меньше шприца этой зоны), а по мере уменьшения ширины зонь Возрастает НО показательному закону темновая проводимость, обусловленна 5 Термческнм переходом электронов через эту зону, поэтому при достаточно малой ширине зоны, соответствующей, например, длинноволювой границе около -1 .к, уже при комнатной температуре (около 300 К) темновая проводимость полностью маскирует фотопроводимость, и в этих условиях материал не может быть использован для изготовления фотосопротцвлений.Согласно изобретенио предлагается полупроводник подвергать искусственному охлаждению, в результате чего достигается значительное ослабление влияния темноной проводимости и представляется возможность использовать...
Способ изготовления селеновых фотоэлементов
Номер патента: 124559
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Кучера
МПК: H01L 31/0296, H01L 31/18
Метки: селеновых, фотоэлементов
...слоем селена, подвергнутого первому термическому превращению пр температуре 140, в бензол или в смесь ацетона и спирта, в которой количество ацетона составляет 10 - 80%. При этом на активной поверхности образуется слой монокристаллического селена из частиц невыкрнсталлизовавшегося при первом термическом превращении селена.При втором - химическом - способе фотоэлемент, не покрытый отрицательным электродом, погружают в растворы, способныс вступатьМ 124559в реакциО с селевом, подвсречутым первому термическому превращению при температуре 140", например, в спиртовый или водный растворы с железосинеродистым калием концентрации 0,01 - 1",а, под влиянием которых на поверхности селена образуется тонкий слой двуокиси сслена. обогащенный ионами...
Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовления
Номер патента: 150951
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Альфред
МПК: H01L 21/105, H01L 31/0296, H01L 31/18 ...
Метки: запирающим, инфракрасной, повышенной, селеновый, слоем, фотоэлемент, чувствительности
...мак симум равной энергии, примерно, 30% высоты обыкновенного максимума селенового фотоэлемента в видимой области спектра, Чувствительность фотоэлемента в области максимума в видимой области сгектра при этом равна приблизительно чувствительности обыкновенного селе- нового фотоэлемента. Помещая металлический слой, например, из серебра, между осоны меллом селеном и промежуточным слоем из150951 индия, 10 жно полуИть изменение макси.уъа по Высоте и по положению в определенных пределах.Металлическая барьерная пленка Влияет на процесс диффузии индия В селен. От толцтины и Вида Оарьерной пленкР 1, также От тОлщипы слоя индия зависит соотношение обоих максимумов кривой распределения фототока при равном количестве падающей энергии,Температурные...
156626
Номер патента: 156626
Опубликовано: 01.01.1963
МПК: H01L 31/18
Метки: 156626
...полупроводник п-типа производится два раза. Первичной диффузцей создается тол Лгв 156626стая р-область со всех сторон полупроводниковой пластинки. После диффузии р-область любым известным способом удаляется со всех поверхностей, кроме предназначенных для нанесения контактов к р-области. Затем вторичной диффузией акцепторной примеси создается р-область толщиной, требуемой для максимального к, и. д. фотоэлемента и максимальной чувствительности фотодиода. После вторичной диффузии тонкая р-область с одной из поверхностей удаляется любым известным способом (травление, шлифовка и т. д.). На и-область и толстую р-область наносится контактный сплав, который затем вплавляется.На р-области сохраняется низкоомный приповерхностный слой, сильно...
Способ защиты рабочей поверхности солнечныхбатарей
Номер патента: 167263
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Герцик, Гибадуллин, Набиуллин
МПК: H01L 31/18
Метки: защиты, поверхности, рабочей, солнечныхбатарей
...11 ОВЕРХНОСТИ СОЛНЕЧНЫХБАТАРЕЙ Подписная группа Л 97 Известные способы защиты фотоэлектрических преобразователей от микрометеоритной пыли и частиц высокой энергии путем покрытия их прозрачными материалами или применения решеток сотовой конструкции либо сложны, либо не отвечают предъявляемым к ним требованиям.По предложенному способу фотоэлектрические преобразователи устанавливаотся тыльной поверхностью к световому потоку, вследствпс чего на их рабочую поверхность падает отраженный от концентратов световой поток.Такой способ более прост и обеспечивает защиту фотоэлектрических преобразователей от повреждения мпкрометеорптной пылшо ичастицами высокой энергии. Предмет изобретения5 Способ зашиты рабочей поверхности солнечных батарей,...
Способ изготовления фоточувствительнб1х слоев
Номер патента: 170584
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: H01L 31/18
Метки: слоев, фоточувствительнб1х
...по толщине и площади,Предлагаемый способ отличается тем, чтоосаждение слоя ведут из раствора хлористогокадмия, содержащего селенид кадмия, хлористый кадмий и сернокислую медь.10П р и м е р. Растертую шихту, содержащуюселенид кадмия, хлористый кадмий (8 - 1 С%вес.) и сернокислую медь (от 10- 10-% вес.в пересчете на медь), разбавляют водой израсчета 50 - 100 мл на 1 г шихты, взбалтывают и вносят, например, в кристаллизатор, вкотором на 1 г селенида кадмия содержится100 - 200 мл 8 - 12%-ного раствора хлористого кадмия и размещены стеклянные подложки. Заливку суспензии производят через стеклянную воронку, имеющую на узком концешарик с отверстиями диаметром 0,1 - 0,3 мм,После 10 - 20 мин отстаивания просветленную жидкость...
Усилитель для автоматических классификаторов фотосопротивлений
Номер патента: 196945
Опубликовано: 01.01.1967
Автор: Юдейкин
МПК: H01L 31/18
Метки: автоматических, классификаторов, усилитель, фотосопротивлений
...постоянной составходного сигнала, контакт реле подмежду сеткой лампы второго каскаедовательной КС-цепочкой, включену анодом лампы первого каскада и шиной. Усилите торов фот ламповых личпющии 5 времени и плитуды п сигнала п ляющей в соединен 0 да и посл ной межд землянойИзвестные усилители, используемые в автоматических классификаторах фотосопротивлений для измерения сигналов низкой частоты с входным сигналом, коммутируемым непосредствешю перед началом измерения, обладают значительным временем переходного процесса установки амплитуды переменной составляющей выходного сигнала.С целью уменьшения времени переходного процесса установки амплитуды переменной составляющей выходного сигнала при коммутации постоянной составляющей входного...
Способ монтажа солнечных батарей
Номер патента: 197030
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Бузова, Герцик, Далецкий, Климов, Ландсман, Набиуллин, Сиротенко, Сладкое
МПК: H01L 31/18
Метки: батарей, монтажа, солнечных
...преобразователей за специальные ушки требует больших затрат труда и не обеспечивает достаточ. но большого коэффициента заполнения панелей.Предложенный способ отличается тем, что концы проводников, соединяющие преобразователи и расположенные с тыльной стороны последних, делают с припуском, изгибают под прямым углом к панели, пропускают через сетку панели и соединяют попарно путем пайки или скрутки с обратной стороны сетки.Это снижает трудоемкость крепления и повышает коэффициент заполнения панелей. На чертеже представлег панели с закрепленными собом преобразователями. Предмет изооретенияСпособ монтажа солнечных батарей на несущих панелях с тканевой нли сеточной основой, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости крепления...
Способ получения фотопроводящих полимерныхматериалов
Номер патента: 210260
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Берлин, Драбкин, Розенштейн, Чау, Черкашин
МПК: H01L 31/18
Метки: полимерныхматериалов, фотопроводящих
...как материалы, перспективные для использования в фотоэлектрических приемниках и преобразователях лучистой энергии (электрографические устройства, передающие трубки типа видикон и др.).В качестве полимеров с системой полисопряжения могут быть использованы, например, полимеры фенилацетилена, йодфенилацетилена, дифенилбутадиина, а-этинилпиридина, хлорциклопентена. Предложенный способ реализуетсящим образом. На измерительную15 вакуумной сублимацией наносят тонакцептора, имеющий, как показываокопические исследования, поликрискую спруктуру. Затем на него извысаживают пленку полимера.Возможны два других варианта репредложенного способа. При этомляют совместный раствор полимератора в растворителе, хорошо раствполимер и плохо растворяющем акц2...
Способ монтажа фотопреобразователей
Номер патента: 272989
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Гибадулин, Далецкий, Заййбб, Козлов, Кузнецов, Ландсман, Набиуллин, Прохоров, Тюркин, Чехович
МПК: H01L 31/18
Метки: монтажа, фотопреобразователей
...и остатков флюса на тыльной стороне ткани или сетки панели, что за трудняет нанесение терморегулируюших покрытий на тыльную сторону панели и ухуд. шает интегральные оптические коэффициенты; 2возможность обрыва концов проводников при их закрутке для закрепления фотопреобразователей или неплотное закрепление фото- преобразователей при слабой закрутке;трудность механизации процессов пайки или 3 закрутки концов проводников нароне тканевой или сеточной ссновсложность демснтя.кя фстопрлей с тканевой игп сеточной осноиз-за необходимости использованка ит.д.Предлагаемый способ монтажа фотопреоразователей свободен от перечисленных недстатков.Сущносгь способа заключается в следу шем.В проволочных пинках, жестко прикрепленных к тыльной...
Суспензия для изготовления покрытий
Номер патента: 361486
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Авторы
МПК: H01L 31/18
...частиц суспензий полупроводников частицами термодинамически устойчивой латексной системы, применяемой в качестве дисперсионной среды. Мелкодисперсные частицы латекса адсорбируются на более крупных частицах полупроводника и образуют защитную оболочку, которая препятствует сближению частиц на расстояния, на которых преобладают силы молекулярного притяжения, предотвращая таким образом агрегацию. Кроме того, адсорбция частиц латекса приводит к образованию мицелл с пониженной эффективной плотностью, при этом увеличивается кинетическая устойчивость суспензий,В предложенной суспензии применяется латексная система поливинилбутираля (ПВБ) в ацетоне, получаемая путем растворения ПВБ в бутаноле и диспергирования раствора в аце тоне....
Способ получения фоточувствительпых слоев
Номер патента: 370278
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C23C 14/06, C23C 14/58, H01C 7/00 ...
Метки: слоев, фоточувствительпых
...теллурнда кадмия, полученных по даетному способу, обладают фоточувствптельностью в 10 - 100 раз превышающей чувствительность известных слоев, при темновом сопротивлении 10 - 10 то олт. Время фото ответа у получаемых фоторезисторов приосвещенности 200 лн составляет от единиц до десятков миллисекунд. позволяет повысилоев теллурида ка Данный способ отличается от известного тем, что осаждепие теллурида кадмия осуществляют с одновременным легированием наносимого покрытия иодистым кадмием из паровой фазы, а затем проводят термообработку покрытия в насыщенных пазах кадмия при 350 - 450 С,Способ состоит в том, что фоточувствительные слои получают осаждением в вакууме теллурида кадмия на поверхность нагретой подложки с одновременным...
Преобразователь излучения
Номер патента: 418821
Опубликовано: 05.03.1974
Автор: Сиприкова
МПК: H01L 31/14, H01L 31/18
Метки: излучения
...чувствительный элемент, выт 1 олненный в виде пластины 1 монокристалла с размещенными на ее противоположных плоскостях электродами 2 и 3, На стороне расположения электрода 3 имеется плоский выступ 4, на котором закреплен электрод 5. Электрод 3 служит выводом средней точки между нагрузочным резистором и чувствительным элементом.Геометрические размеры преобразователя выбраны из условия согласования сопротивле ний монокристалла (фоторезистора) и нагрузки. Сопротивления монокристалла и нагрузки определяются из выражений;Е, Енф5 н41882 МЯ где р - удельное сопротивление моиокристалла;1 ф - толщина пластины монокристалла; Яф - площадь монокристалла, занимаемая электродом 2;1 - толщина выступа;5, - площадь выступа, занимаемаяэлектродом...
427400
Номер патента: 427400
Опубликовано: 05.05.1974
Авторы: Бузмакова, Варвас, Мелликов, Таллинский, Хийе
МПК: C01G 11/00, H01L 31/18
Метки: 427400
...того, онневоспроизводимые результаты вследнеравновесности процесса и неоднорораспределения активатора.Целью настоящего изобретения явулучшение фотоэлектрических парамувеличение выхода порошка и повышениизводительности труда.Эта цель достигается тем, что кристалцию с активацией проводят одним термлом в закрытой системе, кислород вводмолярной концентрацией 0,1 - 0,9 долей олярной концентрации активатора.Способ состоит в следующем. его ения дает ствие диого едмет изобретен ляетсяетров, е произа- цикят с моИзобретентовления фоснове сулькадмия и мтвердотельнизображениф ото резистоИзвестенводимостиных порошсталлизациив открытой е р. К исходному кристаллическому сульфида кадмия добавляют раствоирующих примесей, например хлории кадмия, из...
Способ изготовления кремниевого электронного эмиттера
Номер патента: 520060
Опубликовано: 30.06.1976
Автор: Альфред
МПК: H01L 31/18
Метки: кремниевого, электронного, эмиттера
...иной способноэффективности а предложеноводить при по С в течение ующие прогретуре,щения эмисси повышенияости эмиттеркремния прои атуре 1100 в рой и послед изкой темпер С целью павысти вследствиеочистки поверхнпервый прогреввышенной темпер3 - 30 сек, а втовы - ,при более н фотоэле- обладаюродством, ных опе- миттером Изобретение относится к электроннои нике, в частности к способам изготовл электронных эмиттеров.Известны способы изготовления электронных эмиттеров с отрицательным электронным сродством на основе монокристаллического кремния, включающие мнотократное повторение циклов нагрева и сенсибилизации при одновременной очистке его поверхности ионной боибардировкой, Однако известные способы очистки поверхности кремниевого...
Устройство для изготовления полупроводниковых приборов
Номер патента: 864384
Опубликовано: 15.09.1981
МПК: H01L 31/18
Метки: полупроводниковых, приборов
...нагревателем чувствительногоэлемента 24 и контактом при измерении толщины иммерсионного слоя между чувствительным элементом 24 и линзой 10. Величина вертикального давления стержня 16 на чувствительныйэлемент 24 при спекании его с линзойрегулируется грузом 25, который можно передвигать вдоль рычага 26, одинконец которого может поворачиватьсяна оси 27, а другой - опирается наверхнюю плоскость стержня 16, Нагревательная головка 4 установлена соосно с оптической осью микроскопа 3 и может перемещаться э вертикальном и горизонтальном направлениях. С этой целью поворотная ось 23 закреп-, лена в подшипниках на вертикальной каретке 28, а сидящая на нижнем конце оси 23 вилка 29 охватывает рычаг 30 и опирается на регулировочный,винт 31 на конце...
Способ изготовления полупроводниковых пленок на основе а = s
Номер патента: 704396
Опубликовано: 15.03.1982
Авторы: Ганин, Коломиец, Любин, Федоров
МПК: H01L 31/18
Метки: основе, пленок, полупроводниковых
...НОГИЕЭ,ГЕС(РОи:ЗИ)СеСГе Ц Г ЦЧССКЦС СОЙСТДслосц Оц рсдсл 5110 с 5 Пс ТОл 0 еосд О 3(ио,)Гс 1 с)100 ХСП, НО и состсоы стГсмрои пленки, тдк степень уцязкц полцмсрцоГО КДРКаСс 1 СЛОСВ СУЦСС 1 СППО ЕЗЫШС Цос 1)авнс 110 сО е.1051)(ц, НРПГ 010,спи)11обычными методами. Подобцос обстс)ятсльстВО также Определяет р 5 д -)лсктрофГзц)ГСских ц оптических свойств.Предложенный способ эссисри)ГСГт;(г 1 по ировсрсе. В качссевс исходого зспСсВдвыбран ЛзЯ., а качестве дополиитслыого магсриала Гп, ГтсклообразЕый ЛВ 5,;рдзмсль)ался ц иомсщдлс 51 13 цсиарЕГТС;,ь.Доносительный материал 1(аходилсядцспсрсной форме, иозволяюисй достатоэффсстцеЗПО ироникаь парам еспарясМОГО ВСЦССТсГ, Ц ИОМС 1(Д;С 51 С(сГРЦТС:ЕСповерх исходного всщсста. Испарпельнагрсвался в...
Способ получения фоточувствительных пленок сульфида кадмия
Номер патента: 890907
Опубликовано: 30.09.1983
Авторы: Колпаков, Контуш, Сердюк, Турецкий, Чемересюк
МПК: H01L 31/18
Метки: кадмия, пленок, сульфида, фоточувствительных
...супьфица кацмия.При нагревании пленки испопьзуютинтервал температур поцпожки 380-500 С,Гленка, нанесенная на подложку, нагретуюцо температуры, меньшей,389 С,мапо прозрачна и имеет низкую фоточувствитепьность. Это объясняется присутствием в обьеме пленки кпористогоаммония, образующегося в процессехимической реакции наряду с образованиемсупьфида кадмия. При температуре поцпожки из указанного выше интервапаН 4 СЕ попностью субпимирован.Испопьзование в данном способе спиртного раствора хпорица кацмия и тиомочевины взамен трациционного водногораствора, применявшегося в процессереактивного распыпения, способствуетбопее стабипьному режиму образованиямонописперсного аэрозопя, что в конечном счете привоцит к образованию напоцпожке более...
Способ изготовления фоточувствительных приборов
Номер патента: 1213994
Опубликовано: 23.02.1986
Автор: Дэвид
МПК: H01L 31/18
Метки: приборов, фоточувствительных
...НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙЗаказ 791/б 4 Тираж 644 Подписное ВИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1130.35, Москва, Ж, Раушская наб., л. 4/5филиал П Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам изготовления фоточувствительных приборов.Цель изобретения - снижение себестоимости технологии изготовления прн сохранении электрофизических параметров приборов. Лтмосфера, содержащая водород и кремнийсодержащее вещество, находящееся в газовой фазе с элементами галогена, выбранного из группы, содержащей хлор, бром и йод, впускается в вакуумную камеру под давлением 0,1 - 5,0 торр. Б данном случае в...
Способ изготовления мультискана
Номер патента: 1285545
Опубликовано: 23.01.1987
Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий, Суханов
МПК: H01L 31/18
Метки: мультискана
...1 мкм. Затем производят осаждение поликремния при 1100 С. После этого производят прецизионную шлифовку пластины со стороны, противоположной нанесенному рельефу, Предусмотрены специальные реперные изолирующие области, которые 35 протравливают на глубину 12 мкм. С помощью этих реперов шлифовку останавливают за 4 мкм до выхода на дно изо- лирующих областей: сигналом к прекращению шлифовки является выход на 4 О дно реперных областей.Лицевую сторону пластины отмывают и окисляют в атмосфере сухого кислорода в присутствии хлорсодержащих веществ, что обеспечивает фиксированный 45 заряд на поверхности 10 см и плотмность поверхностных состояний 10 смэВ. Затем вскрывают окна в окисле под токоотводящие 5 и делительные б и 7 слои, 11 роводят диффузию...
Способ изготовления фотоприемника
Номер патента: 1569913
Опубликовано: 07.06.1990
Авторы: Алиев, Алиева, Годжаев, Зарбалиев, Салаев, Сулейманов
МПК: H01L 31/18
Метки: фотоприемника
...дорогостоящих материалов.1 ип. П р и м е р, Монокристалл ТпЯе, выращенный методом Бриджмена,механически скалывают вдоль слоев в гелиевой среде (давление 1 атм),после чего отжигают в температурном интер вале 200-220 С в течение 2 ч, Контакты на образце создают путем напыления индиевых полосок в вакууме.Измерения Фотопроводимости приготовленного таким путем Фотоприемника проводят в воздухе при комнатной тем. пературе с помощью монохроматора и калиброванного по количеству квантов источника света.Скалывание монокристалла слоистого соединения 1 пЯе в температурном интервале 200-220 .С в среде инертно1569913 Составитель ф.фа Техред М,Ходани актор О,Голов Корректор О,Пипл Тираж 451, Подписноественного комитета по изобретениям и...
Способ получения слоев аморфного кремния
Номер патента: 1435105
Опубликовано: 07.12.1991
Авторы: Гастев, Петров, Приходько, Соколов, Сухоруков
МПК: H01L 31/18
Метки: аморфного, кремния, слоев
...достижения заданногозначения Е е э45При значениях У 4 10 Вт/см иЯ 1 4 1(У Вт/си указанная выше зависимость сохраняется но несколькоухудшаются электрофизические характеристики слоев, в частности, произведение 1 л уменьшается до 1 Р 10 си/В,И р и и е р 1, Получают слойаморфного кремния с шириной запрещенной зоны Е, = 175 эВ, 55В раоочую камеру установки осаждевин слоев аморфного кремния загружают стеклянные пластины соФормюрованными на них прозрачными контактами БпО и нанесенным поверх ЗпОр "слоем легированного бором аморфного кремния. Камеру предварительно откачивают до остаточного давления-й10 Торр и после прогрева пластинодо 250 С заполняют смесью моносилана 10 об,Е) с водородом,Требуемое значение ширины запрещенной эоны 1,75 эВ,...
Способ активации фоточувствительных пленок сульфида свинца
Номер патента: 1625295
Опубликовано: 15.05.1992
Авторы: Богданов, Кунин, Малюгин, Подругина, Соколов
МПК: H01L 31/18
Метки: активации, пленок, свинца, сульфида, фоточувствительных
...участвовало неменее четырех штук пленок, результатыизмерения фотоэлектрических параметрон (ФЗП), которых усреднялись,Для измерения ФЭП на поверхностьактивированных пленок наносились тонкопленочные золотые электроды термическим испарением золотой проволочки в накууме. Золотые электродыобеспечиналп омические контакты сокисленной пленкой сульфида свинца.Одинаковые размеры фоточунстнительных площадок обеспечивались с помо- щью маски при нанесении золотых электродов,Проводилц измерения следующих ФЭП 1темновое сопротивление; среднеквадратичное напряжение шума Ц, напряженйесигнала ЕЕс, Измерения ФЗП пленок проводили при комнатной температуре науниверсальной измерительной установкеК 54.410 при следующих условиях; температура АЧТ 573 К,...
Способ изготовления поверхностно-барьерного фотоприемника
Номер патента: 1838847
Опубликовано: 30.08.1993
Авторы: Бессолов, Лебедев, Львова, Новиков
МПК: H01L 31/18
Метки: поверхностно-барьерного, фотоприемника
...ионов серы в растворе и температурой обработки.Сущность изобретения поясняется чертежем, где изображены спектры квантовой эффективности поверхностно-барьерных фотоприемников Аи-ОаР; а - фотоприемник-прототип; б - фотоприемник, полученный с помощью заявляемого способа.П р и м е р. В исходном состоянии по ложка фосфида галлия и-типа проводимости с концентрацией электронов 1 10 см, предварительно отмытая в четыреххлористом углероде и обработанная в травителе ЗНО+ 1 НИОз 3 - 5 сек затем. погружалась в водный 1 Н раствор сульфида натрия. Температура раствора была 20 С,Для определения необходимого времени активации использовались следующие параметры.а = 510 см 5 а= 0,1 41 а=5,3310 г г 6) е 10,=1,25 ЭВ 3) 66=1,8 ЭВ 7) Ег 4.3 эВ 83Иэ...
Способ изготовления фотопреобразователя со сплавными алюминиевыми контактами
Номер патента: 1708115
Опубликовано: 09.01.1995
Автор: Майстренко
МПК: H01L 31/18
Метки: алюминиевыми, контактами, сплавными, фотопреобразователя
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СО СПЛАВНЫМИ АЛЮМИНИЕВЫМИ КОНТАКТАМИ, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой подложки слоя фосфоро-и(или) боросиликатного стекла с содержанием бора 10 - 50% и фосфора 5 - 45%, проведение одновременной диффузии бора и фосфора при 1223 - 1253 К в течение 1,8 103 с, формирование контактной сетки путем вскрытия контактных окон в стеклах, нанесение жидкого алюминия или его сплава, насыщенного акцепторным элементом в количестве 10 - 50% по массе при 927 - 1123 К в течение 0,3 - 1,5 с и охлаждение при скорости охлаждения, не превышающей 10 К/мин, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фотопреобразователя...
Способ изготовления фотопреобразователя
Номер патента: 1648224
Опубликовано: 09.01.1995
Автор: Майстренко
МПК: H01L 31/18
Метки: фотопреобразователя
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой подложки слоя фосфоро-и(или) боросиликатного стекла с содержанием бора 10 - 50% и фосфора 5 - 45%, формирование контактной сетки путем вскрытия контактных окон в стеклах, нанесение жидкого металла-растворителя и термообработку с последующим охлаждением при скорости охлаждения, не превышающей 10 К/мин, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фотопреобразователя при упрощении технологии, перед формированием контактной сетки в местах выхода сетки на тыльную сторону фотопреобразователя подложку разделяют на части с зазором 10-5 - 10-4 м, а термообработку проводят при температуре 1123 - 1373 К в...