Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа a — H01L 31/0296 — МПК (original) (raw)
Фотоэлемент вентильного типа
Номер патента: 44288
Опубликовано: 30.09.1935
Автор: Жузе
МПК: H01L 31/0296
Метки: вентильного, типа, фотоэлемент
...изобретению, в качестве запирающего слоя в фотоэлементе вентильного типа применяется сернистый таллий (Т 1,5), искусственно наносимый одним из известных способов, например испарением в высоком вакууме, на электронный полупроводник. На этот слой таким же путем наносится Твердые электронные выпрямители ифотоэлементы требуют в качестве необходимого условия для выпрямления иполучения фотоэффекта наличия междуметаллом и полупроводником тонкогозазора порядка 10см (см, 1. Ггеп 1 се 1 ц,А. 1 ойе РЬуз. Лз. г 1, ЯоМейп 1 оп, 1, б 0,1932) или же тонкого плохопроводящегослоя толщиной 10 - 10 см (см. ту же- 5 в 1работу или книгу гт. Ф. Иоффе. Электронные полупроводники),Меняя свойства этого слоя (запирающий слой) и его толщину,...
Селеновый фотоэлемент
Номер патента: 122220
Опубликовано: 01.01.1959
МПК: H01L 31/0224, H01L 31/0296
Метки: селеновый, фотоэлемент
...высыхания лака фотоэлементы с хромовым электродом подвергаются термической обработке при температуре порядка 100 в течение 24 час что увеличивает чувствительность по току на 10 - ЗОо/о и на 30 - 50% по напряжению холостого хода. Предмет изобретения Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор А. Лейкина Гр, 97Подп. к печ. 13/Чг,Тираж 1100 Цена 25 коп. Информационно-издательский отдел.Обем 0,17 п. л. Зак. 5028 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Петровка, 14. Селеновый фотоэлемент с запорным слоем, отл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения стабильности и чувствительности при повышенных температурах, верхний полупрозрачный электрод фотоэлемента...
Способ изготовления селеновых фотоэлементов
Номер патента: 124559
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Кучера
МПК: H01L 31/0296, H01L 31/18
Метки: селеновых, фотоэлементов
...слоем селена, подвергнутого первому термическому превращению пр температуре 140, в бензол или в смесь ацетона и спирта, в которой количество ацетона составляет 10 - 80%. При этом на активной поверхности образуется слой монокристаллического селена из частиц невыкрнсталлизовавшегося при первом термическом превращении селена.При втором - химическом - способе фотоэлемент, не покрытый отрицательным электродом, погружают в растворы, способныс вступатьМ 124559в реакциО с селевом, подвсречутым первому термическому превращению при температуре 140", например, в спиртовый или водный растворы с железосинеродистым калием концентрации 0,01 - 1",а, под влиянием которых на поверхности селена образуется тонкий слой двуокиси сслена. обогащенный ионами...
Селеновый фотоэлемент
Номер патента: 132664
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: H01L 31/0296
Метки: селеновый, фотоэлемент
...селеновый :слой покрыт разделительным слоем 3 из фтористого кальцрый в целях повышения чувствительности фотоэлементатодом катодного распыления или испарсия промежуточныиндия. Над промежуточным слоем 4 расположен прозрачн5, представляющий собой слой нз металла илн полупрматериала. Разделительный слой 3 в данном случаеуменьшения диффузии индия промежуточного слоя 4слой 2.Описаньгвительности в ближа ного повыи основнои слои ется повышенной этими слоями наполупроводника, л материалов осго фотоэл лой 2. Этот ия, на кото нанесен мей слой 4 из ый электрод оводникового служит для в селеновый 1 сить ч спектра ная конструкцгия позволяет ачительно пов ь фотоэлемента не только в видимой области йшей инфракрасной области. едмет изобретения ент,...
Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовления
Номер патента: 150951
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Альфред
МПК: H01L 21/105, H01L 31/0296, H01L 31/18 ...
Метки: запирающим, инфракрасной, повышенной, селеновый, слоем, фотоэлемент, чувствительности
...мак симум равной энергии, примерно, 30% высоты обыкновенного максимума селенового фотоэлемента в видимой области спектра, Чувствительность фотоэлемента в области максимума в видимой области сгектра при этом равна приблизительно чувствительности обыкновенного селе- нового фотоэлемента. Помещая металлический слой, например, из серебра, между осоны меллом селеном и промежуточным слоем из150951 индия, 10 жно полуИть изменение макси.уъа по Высоте и по положению в определенных пределах.Металлическая барьерная пленка Влияет на процесс диффузии индия В селен. От толцтины и Вида Оарьерной пленкР 1, также От тОлщипы слоя индия зависит соотношение обоих максимумов кривой распределения фототока при равном количестве падающей энергии,Температурные...
Вентильный фотоэлемент
Номер патента: 168370
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: H01L 21/06, H01L 31/0296, H01L 31/08 ...
Метки: вентильный, фотоэлемент
...подло;кку 1 нанесена основа фотоэлемента 2 - соединение Ад.Те с избытком серебра. Зто соединение легировано сурьмой, входящей в виде твердого раствора как в серебро, так и в гессит, Полупроводниковый слой 3 и-типа состоит из АдЯ с избытком серы и с примесями теллура и сурьмы, т. е,:Ад,Я + 8 + Те+ ЯЬ.Полупроводниковый слой 4 р-типа состоит из пленки сурьмы толщиной 200 - 250 А, Поверх этого слоя нанесено контактное кольцо б. Чистого теллура в сплаве нет. Он входит в сплав в виде соединения АрТе в его низкотемпературнои модификации (гессит, илпД-АдТе). Оставшееся свооодное серебро остается в сплаве в виде второй фазы,Сурьма входит в виде твердого раствора как5 в серебро, так и в гессит, Благодаря этому атомы сурьмы при...
Селеновый фотоэлемент
Номер патента: 199283
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: H01L 31/0296
Метки: селеновый, фотоэлемент
...области спектра, и повышенной интегральной чувствительностью, Интегральная чувствительность его превышает чувствительность обычного селецового фотоэлемец га в 3 - 6 раз и достигает 3000 мка/лм, фото-э,д.с. 180 мв при 10 лк. Эти свойства селецового фотоэлемента достигают образованием резкого гетероперехода между слоями фотопроводников различного химического состава. Промежуточный слой гетеропереходз выполняют в виде твердого раствора двух или более селенидов тяжелых металлов.Кроме того, слой гетероперехода выполняютиз твердого раствора селенида индия и селе- нида серебра.Изменяя состав п-слоя, т, е. увеличивая илиуменьшая в твердом растворе содержание одного соединения по сравнению с другим, а также толщину этого слоя, можно в...
Состав для получения фоточувствительных слоев сульфида свинца на подложках
Номер патента: 380684
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Глобус, Китаев, Кондратьева
МПК: H01L 31/0296
Метки: подложках, свинца, слоев, состав, сульфида, фоточувствительных
...концентрацией 3 - б м/л. Недостатеси состава заключаются в том, что щелочи не удается получать нужной чи стоты, а гидразин дорог и токсичен.Г 1 редложенный состав отличается тем, что в качестве щелочного агента используют аммиак концентрацией 2,0 - 2,5 лг/л, а для улучшения фоточувствительности слоев - добавки 20 гидразина концентрацией 0,5 - 1,0 м/л. Это позволяет удешевить производство фоточувствительных слоев сернистого свинца и снизить токсичность состава.Осаждеееие слоев сульфида свинца с высокой фоточувствительностью из ванн, содержащих гидразин, сопровождается образованием частично дегидратированного основного ацетата свинца 2 РЬО РЬЛсг . Н;О, который, явля ясь кислородсодержащей примесью, отезультате чего цианампд свинца образв...
Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений и способ его получения
Номер патента: 1436794
Опубликовано: 15.02.1993
Авторы: Вербицкий, Рыжиков, Селегенев, Силин
МПК: G01T 1/20, H01L 31/0296
Метки: детектор, излучений, интегральный, ионизирующих, полупроводниковый
...эцс ггий лццицской вычислительцсй тол грдфии,эффективность регистрации вьппе цд20-307 чем ожидаемая, Более лс тдцьное исследование показало, что повышение чувствительности связдно свк.цдлом самого фотоприемцикд в преобразование энергии цоциэируюпцгоизлучения в электрическую, т.е. гетероцереход работает кдк полупроводниковый детектор ионизирующих излучений.При нанесении фотоприемццкд в виде оболочки Фотоприемник одцонременно работает как детектор и ионизирующего, и светового излучения.Приэтом повышение фоточувствительцостифотоприемника превьппдет ожидаемое втом случае,если приемник используется только как полупроводниковый детектор излучений. Специально проведенные исследования на фотоприемниках показали, что при одинаковой(по срдяцению...