Ивакин — Автор (original) (raw)
Ивакин
Способ переработки отходов, содержащих сульфид мышьяка
Номер патента: 1542046
Опубликовано: 27.01.2001
Авторы: Гертман, Ивакин, Ивенко, Максимова, Халемский, Штин
МПК: C22B 7/00
Метки: мышьяка, отходов, переработки, содержащих, сульфид
Способ переработки отходов, содержащих сульфид мышьяка, включающий их нагрев в присутствии элементарной серы с получением труднорастворимых сплавов, отличающийся тем, что, с целью повышения прочностных характеристик сплава, снижения токсичности и объема осадков, процесс ведут в присутствии 0,5 - 3,0 мас.% сульфида меди при расходе элементарной серы 4,0 - 4,5 мас.% при 165 - 220oC и давлении 5 - 20 кгс/см2.
Способ получения ортованадатов щелочноземельных и 3d переходных металлов (его варианты)
Номер патента: 1067774
Опубликовано: 27.01.2001
Авторы: Волков, Ивакин, Милова, Подрезова
МПК: C01G 31/00
Метки: варианты, его, металлов, ортованадатов, переходных, щелочноземельных
1. Способ получения ортованадатов щелочноземельных и 3 d-переходных металлов путем спекания смеси пентаксида ванадия с оксидным соединением металла, отличающийся тем, что с целью ускорения процесса, перед спеканием смесь обрабатывают перекисью водорода.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют перекись водорода концентрации 10-20 мас.% в количестве 6-10 мл на 1г пентаксида ванадия.3. Способ получения ортованадатов щелочноземельных и 3 d-переходных металлов путем спекания оксидных соединений ванадия и металла, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса, в качестве оксидного соединения ванадия используют додекаванадиевую кислоту состава...
Способ получения антисептического состава для пропитки древесины
Номер патента: 1584291
Опубликовано: 27.01.2001
Авторы: Беленков, Воронина, Гертман, Ивакин, Исаева, Коровин, Кремко, Неживых, Шевелева
Метки: антисептического, древесины, пропитки, состава
Способ получения антисептического состава для пропитки древесины, включающий обработку мышьяксодержащих отходов производства соединениями шестивалентного хрома и двухвалентной меди, отличающийся тем, что, с целью расширения сырьевой базы и повышения качества антисептического состава, в качестве мышьякосодержащих отходов используются отходы медерафинировочного производства в виде кислого раствора, которые предварительно подвергают обработке металлической медью, взятой в 1,8-2,0 кратком избытке по отношению к содержащимся в растворе селену и теллуру, осадок отделяют, а оставшийся раствор упаривают до остаточного содержания воды 8-30 %.
Токопроводящий материал для элементов памяти
Номер патента: 1160907
Опубликовано: 27.01.2001
Авторы: Барейкене, Бондаренко, Волков, Захарова, Ивакин
МПК: H01C 7/10, H01L 45/00
Метки: материал, памяти, токопроводящий, элементов
Токопроводящий материал для элементов памяти на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12O31 n H2O, или изополиванадат молибдата (вольфрамата) гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12ЭyO31 n H2O, где M - щелочной или щелочноземельный металл либо водород; Э - молибден или...
Способ осаждения цветных металлов
Номер патента: 1207152
Опубликовано: 27.01.2001
Авторы: Буров, Гертман, Ивакин, Коган, Халезов, Хворостова
МПК: C22B 3/00
Метки: металлов, осаждения, цветных
Способ осаждения цветных металлов из кислых растворов, включающий обработку их раствором серы в гидроокиси кальция, отличающийся тем, что, с целью снижения расхода осадителя и повышения степени осаждения металлов, обработку ведут совместно с сульфидами щелочных металлов при массовом соотношении сульфидной серы в сульфидах щелочных металлов и раствора серы в гидроокиси кальция и кальция в гидроокиси кальция 1 : 0,1 - 1,0 соответственно.
Способ очистки сточных вод от ванадия v
Номер патента: 886434
Опубликовано: 27.01.2001
Авторы: Ивакин, Ульянова
МПК: C02F 1/58
1. Способ очистки сточных вод от ванадия V путем введения осадителя и отделения образовавшегося осадка, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, в качестве осадителя используют краситель основной фиолетовый К и/или его карбинольное основание при соотношении ванадий : осадитель 1: 3,5-4 и процесс ведут при pH 2,5-5,5, после отделения осадка в раствор вводят адсорбент при перемешивании.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве адсорбента используют активированный уголь при весовом соотношении ванадий : активированный уголь 1:250-300.
Материал для терморезисторов
Номер патента: 1131372
Опубликовано: 27.01.2001
Авторы: Волков, Захарова, Ивакин
МПК: H01C 7/04
Метки: материал, терморезисторов
Материал для терморезисторов на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения влагостойкости и термочувствительности материала в диапазоне температур 35 - 80oC, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле xV12O31 n H2O, где M - щелочной или щелочноземельный элемент или водород, а 1 x 2.
Ионоселективный электрод для определения ph
Номер патента: 1473524
Опубликовано: 20.12.2000
Авторы: Алексеенко, Волков, Захарова, Ивакин, Калитчева, Тарасова, Хуцишвили, Швецов
МПК: G01N 27/30
Метки: ионоселективный, электрод
Ионоселективный электрод для определения pH, содержащий полый стеклянный элемент, выполненный из ионообменного стекла, на внутренней поверхности которого расположен твердый контакт, соединенный с токоотводом посредством проводящего клея, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов и повышения стабильности измерений pH за счет уменьшения электросопротивления, твердый контакт выполнен из ксерогеля состава M2V12-xЭxО3 nH2О, где М = Н или Li; Э = Mo, W, Gr; 0,5 х
Установка для очистки раствора щелочи от хлорида натрия
Номер патента: 1695620
Опубликовано: 10.07.1999
Авторы: Звонарев, Ивакин, Касимовский, Либман, Мелихов, Меньшиков, Михин, Оленич, Посенчук, Сергеев, Шмыров
Метки: натрия, раствора, хлорида, щелочи
Установка для очистки раствора щелочи от хлорида натрия, включающая последовательно установленные по ходу раствора кристаллизаторы, снабженные циркуляционными контурами маточного раствора с холодильниками и насосами, штуцерами для ввода и вывода раствора, пульпы и маточного раствора, трубопроводами для перетока раствора из одного кристаллизатора в другой, отличающаяся тем, что, с целью повышения степени очистки и снижений эксплуатационных затрат, она дополнительно снабжена установленной перед кристаллизатором емкостью, соединенной трубопроводами со штуцерами вывода пульпы из кристаллизаторов и имеющей в нижней части штуцер для вывода кристаллов хлорида натрия, а трубопроводы для перетока...
Установка для очистки раствора щелочи от карбоната и хлорида натрия
Номер патента: 1772924
Опубликовано: 10.07.1999
Авторы: Балеев, Ендин, Зотов, Ивакин, Либман, Мелихов, Михин, Посенчук, Пучин, Федотов
МПК: B01D 9/02
Метки: карбоната, натрия, раствора, хлорида, щелочи
1. Установка для очистки раствора щелочи от карбоната и хлорида натрия, включающая емкость со штуцерами для ввода и вывода раствора, а также кристаллов хлорида натрия, два кристаллизатора, каждый из которых снабжен циркуляционными контурами маточного раствора с холодильниками и насосами, штуцерами для ввода и вывода раствора пульпы и маточного раствора, внутренними цилиндрическими вставками, расположенные так, что емкость связана трубопроводом с первым кристаллизатором также, как и первый и второй кристаллизаторы между собой, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества готового продукта и снижения эксплуатационных затрат за счет обеспечения оптимальных условий вывода крупных...
Кристаллизатор непрерывного действия
Номер патента: 1548899
Опубликовано: 10.07.1999
Авторы: Балеев, Баринов, Восторгова, Зотов, Ивакин, Либман, Михин, Посенчук
МПК: B01D 9/02
Метки: действия, кристаллизатор, непрерывного
Кристаллизатор непрерывного действия, включающий корпус с крышкой и внутренней циркуляционной трубой с цилиндрической обечайкой, коаксиально которым установлено эжекционное сопло, направленное сужающейся частью вниз, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров получаемых кристаллов за счет более полного использования рабочего объема, обечайка снабжена установленным в ее верхней части кольцевым коллектором, днище которого выполнено с отверстиями, расположенными по окружности, со штуцером отвода маточного раствора на циркуляцию, при этом плотность перфорации днища увеличивается по мере удаления от штуцера.
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1464797
Опубликовано: 20.11.1995
Авторы: Гитлин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Левин, Лобов, Остроухов
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, а также улучшения точности подгонки порогового напряжения и увеличения процента выхода годных изделий, облучение рентгеновским излучением проводят дозой насыщения, после чего пластины облучают ультрафиолетовым излучением с энергией квантов в интервале 4,35 8,8 эВ и проводят их термический отжиг, причем первоначально экспериментально определяют изменение порогового...
Способ изготовления мдп бис
Номер патента: 1384106
Опубликовано: 10.11.1995
Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов
МПК: H01L 21/263
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий, а также повышения надежности и улучшения стабильности их работы путем снятия нестабильной части радиационно стимулированного в подзатворном диэлектрике заряда, после облучения структуры проводят дополнительный термический отжиг последней при температуре от 400 до 450oС в течение от 30 до 60 мин, а дозу облучения выбирают из отношениягде =6 10-6P
Способ получения структуры полупроводниковых приборов
Номер патента: 1396862
Опубликовано: 20.10.1995
Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов
МПК: H01L 21/316
Метки: полупроводниковых, приборов, структуры
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на поверхность структуры полупроводникового прибора, содержащего алюминиевую металлизацию двухслойного диэлектрического покрытия, первым из которых является фосфорсиликатное стекло, и вскрытие в покрытии контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы приборов и увеличения выхода годных приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия, на слой фосфорсиликатного стекла методом низкотемпературного разложения моносилана в высокочастотном разряде осаждают пленку аморфного кремния толщиной 500 1000 нм, причем осаждение аморфного кремния до толщины пленки 50 нм проводят со скоростью 5 15 нм/мин, а затем структуру подвергают отжигу в...
Способ изготовления мдп бис
Номер патента: 1752128
Опубликовано: 27.09.1995
Авторы: Бугров, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/268
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование МДП-структур и подгонку порогового напряжения до требуемой величины путем облучения сформированной структуры рентгеновским излучением с последующим высокотемпературным отжигом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет расширения диапазона подгонки порогового напряжения, цикл облучение отжиг при подгонке проводят не менее двух раз.
Способ изготовления мдп бис
Номер патента: 1519452
Опубликовано: 20.09.1995
Авторы: Ачкасов, Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/26
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке областей истоков, стоков и слоев подзатворного диэлектрика, формирование электродов затворов и металлизированной разводки, подгонку пороговых напряжений путем облучения подложки рентгеновским излучением и термический отжиг при температуре 400-450oС в течение 30-60 мин, отличающийся тем, что с целью улучщения эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизации ее параметров и повышения процента выхода годных, термический отжиг проводят в среде водяного пара, после этого проводят обработку в нейтральной среде, при температуре 500-510oС в течение 8-12 мин.
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1499614
Опубликовано: 20.09.1995
Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Мокшин, Остроухов
МПК: H01L 21/263, H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подготовки пороговых напряжений и увеличения процента выхода годных МДП-транзисторов, перед облучением структур рентгеновским излучением, ионным легированием примесью в подзатворную область проводят предварительный сдвиг среднего значения порогового напряжения до значения МДП-транзисторов, а U0-заданное пороговое напряжение.
Способ изготовления мдп бис
Номер патента: 1762688
Опубликовано: 20.08.1995
Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Татаринцев
МПК: H01L 21/268
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения сформированных структур пучком рентгеновского излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа при подгонке БИС, содержащих две различных группы МДП компонентов, одновременно с рентгеновским излучением структуры облучают ультрафиолетовым излучением, а соотношение между коэффициентами подгонки двух групп МДП компонентов регулируют путем изменения соотношения интенсивностей рентгеновского и ультрафиолетового излучений Iу/Iр, устанавливают это соотношение, исходя...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1419418
Опубликовано: 09.06.1995
Авторы: Вахтель, Гитлин, Евсеев, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Стоянов
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонку порогового напряжения на величину Un путем облучения подложки со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной Un, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки, а также улучшения температурной стабильности параметров транзисторов, облучение подложки со структурами проводят при нагреве подложки до...
Способ изготовления мдп-больших интегральных схем
Номер патента: 1436768
Опубликовано: 09.06.1995
Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Лобов, Остроухов
МПК: H01L 21/268
Метки: интегральных, мдп-больших, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (МДП-БИС) с пороговым напряжением Uо, включающий формирование в кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса параметров МДП-БИС и увеличения процента выхода годных, облучение рентгеновским излучением проводят до дозы насыщения, затем снимают гистограмму распределения порогового напряжения МДП-БИС на пластине, определяют по гистограмме величину минимального порогового напряжения Uмин и разность
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1452398
Опубликовано: 27.05.1995
Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесения металлической разводки и подгонки порогового напряжения, которую проводят после нанесения металлической разводки путем облучения подложек с транзисторами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине необходимого изменения порогового напряжения U отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов путем локализации обработки рентгеновским излучением, после нанесения металлической разводки измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1176777
Опубликовано: 10.05.1995
Авторы: Вахтель, Гитли, Еремин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Лобов, Фетисова
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонки порогового напряжения, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения точности подгонки, подгонку порогового наряжения производят после формирования металлической разводки путем облучения структуры рентгеновским излучением дозойгде D доза облучения, Р;E3 ширина запрещенной зоны диэлектрика, эВ; относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;m массовый...
Способ получения масляного препарата -каротина
Номер патента: 1028064
Опубликовано: 15.12.1994
Авторы: Арутюнян, Ивакин, Казарян, Кудинова, Шередеко
МПК: C12P 23/00
Метки: каротина, масляного, препарата
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАСЛЯНОГО ПРЕПАРАТА -КАРОТИНА, включающий экстракцию полярным растворителем и сушку препарата, отличающийся тем, что, с целью повышения качества получаемого препарата, уменьшения потерь каротина и упрощения процесса, экстракцию полярным растворителем ведут в две стадии в соотношении масляный препарат: экстрагент 1:1-1:2 при 20-25oС на первой стадии и 45-50oС на второй стадии, а сушку препарата осуществляют при 50-60oС.
Способ изготовления заготовок из сплава на основе вольфрама системы вольфраммедь
Номер патента: 2003436
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Ивакин, Колемаскина, Паршиков, Русакова, Чермошенцев
МПК: B22F 3/12
Метки: вольфрама, вольфраммедь, заготовок, основе, системы, сплава
...течение 1-2 ч при 750-1025 ОС, По- воздухе при 400-600 С втечение 2 ч спо-.лученную смесь порошков вольфрама и ме 38 следующим восстановлением в атмосфереоди прессуют, спекают и пропитывают водорода при 750-980 С течение.1 ч. Измедью до получения композиции вольфрам восстановленной смеси прессуют изделия испекают при температуре выше температу Недостатком данного способа является Ры плавления меди, После спекания пуовонеравномерноеть и нестабильность 0 дят отжиг заготовок при 330-360 С всвойств, в частности плотности и але,д.Ро. течение 20-25 ч,проводности по обьему заготовки, а также П Р и м е р 1. 75 мас. триоксида вольусложнение процесса пропиткой меди ком-.,фрама и 25 мас. ф 4 оксида меди смешивали впакта вольфрам-медь. трехлитровой...
Шихта на основе вольфрама для изготовления электротехнического сплава
Номер патента: 1838443
Опубликовано: 30.08.1993
Авторы: Ивакин, Лагутин, Рацлов, Рик, Чермошенцев
МПК: C22C 27/04
Метки: вольфрама, основе, сплава, шихта, электротехнического
...засчет разложения при прохождении большихтоков через контакт или электрод тетрабо; рида самария на гексаборид самария и самарий (пары) т.е. ЯгпВ 4 - ЯгпВ 6+Зт. Парысамария исключают образование дуги между контактами, которые практически не эрозируют при прохождении больших токов(до620 кА), т.е. контакты обладают высокой дугостойкостью,При содержании тетраборида самарияменее 0,05 мас, о повышения дугостойкостине происходит, увеличение содержания тетраборида самария более 0,55 мас.;6 не приводит к дальнейшему приросту дугостойкости сплава.Использование оксида кобальта в количестве 0,4-0,6 мас.% обеспечивает получение беспористой структуры сплава,поскольку оксид кобальта (Со 20 з) в шихте впроцессе .спекания восстанавливается...
Способ определения температуропроводности материалов
Номер патента: 1820308
Опубликовано: 07.06.1993
Авторы: Ивакин, Коренченко
МПК: G01B 9/021, G01N 25/18, G03H 1/00 ...
Метки: температуропроводности
...указанными модуляциями добиваются того, чтобы сигнал дифракции был максимален или минимален (при этом у=0,2 л; или р =Ж, Зж соответственно),По фаэометру снимают первый отсчет угла р 1 =р 1 +Ар, где Ьр - аппаратный сдвиг фазы в электрических и оптических цепях, постоянный для данной системы;тЩР 1; И = 2 ли йЯ К Далее изменяют частоту модуляции ю или период интерференции Ли при максимальном или минимальном сигнале дифракции снимают второй отсчетй 4,гдещ 1 а = .Берут разность отсчетов фазометраи из соотношениягде Ь,г -, определяют к,Жгй,гГ 1 о предлагаемому способу фазовые измерения осуществляются с сигналами заведомо большей интенсивности (например, это могут быть сигналы, подаваемые от ис точника переменного напряжения на...
Установка для очистки раствора щелочи от сульфата и хлорида натрия охлаждением
Номер патента: 1813475
Опубликовано: 07.05.1993
Авторы: Анищенко, Восторгова, Жигулин, Зотова, Ивакин, Мелихов, Посенчук, Прибыткин, Прокопьев, Романов
МПК: B01D 9/02
Метки: натрия, охлаждением, раствора, сульфата, хлорида, щелочи
...натрия 2 с помощью насоса 14Горячая щелочь по трубопроводу 12 поступает в отстойники 1 и 2 или в кристаллизаторы 5, 6 в периоды промывок установки от инкрустированного осадка. В отстойнике 1 осуществляется преимущественное осаждение крис-. таллов сульФата натрия, а в отстойнике 2 - крупных кристаллов хлорида натрия, В кристаллизаторах 5, 6 и 7 в результате охлаждения щелочи в холодильниках 9 происходит кристаллизация хлорида и сульФата натрия, которые частично отводятся из них в . отстойник 2 и отделяются в отстойниках 3, 4 и окончательно отстаиваются в отстойнике сульФата натрия 1, Из отстойника 1 твердая Фаза отводится на стадию вывода сульФата натрия, из отстойника 2, - на стадии приготовления обратного рассола, Из отстойников...
Способ электроэрозионно-химического удаления заусенцев
Номер патента: 1811448
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Ивакин, Матвеев, Метелев, Петрухин, Терехин
МПК: B23H 9/02
Метки: заусенцев, удаления, электроэрозионно-химического
...- из условия предотвращения пробоя МЭЗ и сильного разбрызгивания электролита,Градиент температуры электролита создают за счет того, что поток электролита направляют навстречу вектору силы тока. Электролит, поступающий из сопла, за время движения до поверхности заготовки от Джоулевого тепловыделения нагревается от начальной температуры до температуры кипения, Диэлектрическая насадка, имеющая выходное отверстие меньшее, чем отверстие катода-инструмента, создает дополнительный барьер против прорастания ионизированной среды до поверхности катода. Защитный эффект обусловлен ростом градиента температур в прикатодной области эа счет снижения плотности тока на кромке катода-инструмента. Дополнительная защита прикатодной зоны от. перегрева...
Способ идентификации айвово-яблониевых гибридов
Номер патента: 1805840
Опубликовано: 30.03.1993
Авторы: Грушин, Ивакин, Коринец
МПК: A01H 1/04
Метки: айвово-яблониевых, гибридов, идентификации
...пероксидазы применяли раствор бензидина. ООПредварительно был изучен изопероксидазный состав у.18 сортов айвы, относящихся к различным разновидностям. На р основании этого были построены эталонные спектры коры и листьев, включающие все выявленные у этих сортов изопероксидазы (спектры А, С). В результате электрофоретического анализа айвово-яблониевого гибрида Панова М 1 были построены (Д энзимограммы иэопероксидаз из листьев и коры (спектры В, Д), Сравнительный анализ спектров гибрида и эталонных спектров айвы. показал, что изоферментный спектр пероксидаз листьев гибрида имеет в своем На чэлектрофдаз;Аи С(46) 30.03.93. Бюл. М 12 (72) А.А.Грушин, А.П.Ивакин и В (73) Волгоградская опытная ста(56) Руденко И.С. Отдаленная ги и...
Сталь
Номер патента: 1782249
Опубликовано: 15.12.1992
Авторы: Агрызков, Ивакин, Кострубова, Ромен, Черняк
МПК: C22C 38/38
Метки: сталь
...лей машин горнорудн работающих в услови зивного износа, цик низких температур. С носостойкости и сопро му разрушению, ст содержит барий, азот ющем соотношении углерод 0,5-0,7; марга 4,0; кремний 0,3-0,65фор 0,020-0,025; м 0,05-0,1; титан 0,01-0, азот 0,003-0,006; к стронций 0,05-0,20; ж табл,ми 15 х 15 х 80 мм и 50 х 50 х 12 мм. Заготовки закаливали с 1170 С в воду, затем из них изготовляли образцы,еИспытания механиче йств и износостойкости проводил ндартных д образцах, а сопротивле лостному разрушению - на резона ине типа УП.Испытания образцов из известной стали и предлагаемой стали проводили с соблюдением условий сопоставимости, 4 ьПрименение стали позволит повысить О надежность и долговечность деталей горнорудной промышленности,...