Мдп-транзисторов — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «мдп-транзисторов»
Способ определения концентрации примеси и глубины залегания р-п-перехода встроенного канала мдп-транзисторов
Номер патента: 1283874
Опубликовано: 15.01.1987
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: встроенного, глубины, залегания, канала, концентрации, мдп-транзисторов, примеси, р-п-перехода
...потенциалов между встроеннымканалом и подложкой;Е- концентрация примеси вподложке.Начальное значение р быпо выбрано равным 900 см /В с.Значение констант в формупах (1)и (2) таковы:- 1 610 Кл= 12 о8 85 10 Ф/см, Ц = 0 7 В.Расчет привел к значениям К6 -Эс2,45 10 см, Х = 0,43 мкм.По графику эавнсймости(И,)для кремния находят значение шсоответствующее полученному значению И, : р = 1140 см /В с,Подставляют это число в формулы(1) и (2), проводят расчет вновь иполучают М = 1,710 см , Х0,45 мкм.Дальнейшие итерации не проводятк. заметному изменению результатов.При этом измерения по способу-прототипу заняло около трех часов, тогда как измерения предлагаемым способом были выполнены в течение10 мин,Формула изобретения Способ определения...
Способ обращения к энергонезависимому запоминающему устройству на основе мдп-транзисторов
Номер патента: 1539840
Опубликовано: 30.01.1990
Авторы: Сагитов, Селезнев, Хцынский
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающему, мдп-транзисторов, обращения, основе, устройству, энергонезависимому
...для чего записывают в достаточно большое (больше 100) число МДП-трапзисторов информационную единицу и измеряют их пороговые напряжения. По полученному массиву данных, используя стандартные статистические модели, определяют величину Ч при заданной доверительной вероятности. Величины А, В, 10 и Б определяют, исходя из схемотехники и топологии накопителя и схем его обрамления. Значение 7 выбирается равным пороговому напряжению опорного МДП-транзистора. При записи - стирании информации на затворы опорных .и выбранных запоминающих ИДП-транзисторов подают напряжение ф (15-50)В.Заказ 223 Тираж 476 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1473633
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Кузнецов, Латышев, Титов
МПК: H01L 21/8232
Метки: мдп-транзисторов
...парах водь 1 на 1000 С, На области полевого оксида кремния и маску из литвинкремния осажджОт слой 5 диэлек танка иэ оксида кремния толщиной 300 нм, полученного реакцией моносилана созакисью хэота при 800 С в реакторе пониженного давления, Затем с помощью5 операций Фотолитографии и диффузии бара Формируют области 6 стока и истока. Диффузию бора проводят при 1010"С в течение ч 0 мин до его концентрации в областях б на уровне 10- 10"см з Далее на облаСтях стоков, истоков Формируют второй ,слой 7 оксид:х кремния при 900 С толщи"б ной О,б мкм, После чего слой 5 ди электрика, ма"ку 3 из нитрнда кремния н первый слой 2 оксида кремния удаляют и проводят стандартные операцииФормирования МДП-транзисторов.В качестве слоя 5 дижлектрика . 2 О можно...
Способ изготовления интегральных мдп-транзисторов
Номер патента: 865053
Опубликовано: 15.07.1993
Автор: Глущенко
МПК: H01L 21/335
Метки: интегральных, мдп-транзисторов
...с удельным сопротивлением 7,5 Ом см. На подложку осаждают за счет реакции дихлорсилана саммиаком в среде азота нитрид кремния толщиной 700 А при температуре 710 С.фотолитографией формируют фоторезистивную маску и на установке "Плазма 600 Т" вытравливают нитрид кремния и кремний на глубину 0,35 мкм. В открытые участки поверхности подложки проводят ионную имплантацию бора с энергией 80 кэ 8 и дозой 2 мК /см. В результате на этих участках формируются р -области, препятствующие образованию инверсионных каналов между диффузионными шинами. Тем самым увеличивается пороговое напряжение паразитного транзистора.После снятия фоторезиста и отмывки в перекисно-аммиачной смеси (10:1) проводят окисления при температуре 1050 С в течение 120 мин в среде...
Способ определения концентрации свободных носителей заряда в каналах инверсии мдп-транзисторов
Номер патента: 1835567
Опубликовано: 23.08.1993
Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков, Шафран
МПК: H01L 21/66
Метки: заряда, инверсии, каналах, концентрации, мдп-транзисторов, носителей, свободных
...О, Ок ОПрЕдЕЛяЕтСя ВЕрХНЕИ - Ъ границей интересующего нас диапазона из- ОС менения напряжений на затворе. Подают на затвор периодические сигналы (твч) с фронтом нарастания т, удовлетворяющим усло- уи (Ок) = ), С 1 вч (О), (Ц - О - 1),1 СЯ 1- С,ч Огде Снч - С 1 нч+ Сгнч, Свч = С 1 вч + С 2 вч. Со - 5 емкость диэлектрика;3 - площадь диэлектрика;р - элементный заряд.П р и м е р реализации, Объектом является и-канальный МОП-транзистор с площадью затвора я -21,9 10 з см 2, Величины С 1 нч, С 2 нч определялись по емкостному току при подаче на затвор медленно меняющегося напряжения, представляющего собой синусоидальный сигнал с частотой 1 Гц, Для ОПРЕДЕЛЕНИЯ С 1 вч, С 2 вч На ЗатВОр ТРаНЗИСТО- ра подавалось на фоне постоянного смещения быстро...
Способ изготовления мдп-транзисторов интегральных микросхем
Номер патента: 1322929
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов
МПК: H01L 21/8232
Метки: интегральных, мдп-транзисторов, микросхем
...Фотолитографическим споП р и м е р 1, Кремниевую монокристал- собом формируют поликремниевые здтооры 8. лическую подложку 1 р-типа проводимости После травления поликремния е хромо- КДВ 12 Ом см ориентации (100) окисляют вом трдеителе через слой подзатеорного диопри 1000 Свсредекислородасдобаелени- электрика проводят совместное ионное ем хлористого водорода до толщины пред легироеание областей 9 истока и стокд и верительного окисла кремния 2 - 60 нм, эатворое мышьяком с энергией 130 кэР и методом пиролизадихлорсилана в аммиаке дозой 1000 мкКл/см и фосфором с знерпри давлении 100 Па и температуре 800 С гией 100 кэВ и дозой 7 мкКл/см . Здтем наносят на слой 2 слой 3 нитрида кремния проводят разгонку имплантировднной притолщиной 100...
Способ изготовления мдп-транзисторов интегральных микросхем с поликремниевым затвором
Номер патента: 1345976
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов
МПК: H01L 21/82
Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...
Способ контроля мдп-транзисторов с индуцированным каналом
Номер патента: 1660530
Опубликовано: 30.04.1994
Авторы: Лепилин, Мамичев, Урицкий
МПК: H01L 21/66
Метки: индуцированным, каналом, мдп-транзисторов
...= 4,2 К.П р и м е р, Исследуют МДП-транзисторы с каналом п-типа, длиной канала 10 мкми концентзоацией бора в подложке (2 -4)х 1016 смПо схеме, приведенной на фиг. 1, наэлектроды испытуемого транзистора подают следующие испытательные напряжения: на электрод затвора ступенчатоенапряжение со значениями "ступени": 1, 2,3, 4 и 5 В; на электрод стока синхронно со ступенчатым напряжением на затворе подают пульсирующее напряжение (полуволнысинусоиды) со значениями 25 В. На экране осциллографической трубки контрольного прибора 7 регистрируют выходные вольтамперные характеристики испытуемых МДП-транзисторов при комнатной температуре (300 К) для двух случаев: 1-й случай - электрод подложки испытуемого транзистора подключен к тому же потенциалу, что...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1176777
Опубликовано: 10.05.1995
Авторы: Вахтель, Гитли, Еремин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Лобов, Фетисова
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонки порогового напряжения, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения точности подгонки, подгонку порогового наряжения производят после формирования металлической разводки путем облучения структуры рентгеновским излучением дозойгде D доза облучения, Р;E3 ширина запрещенной зоны диэлектрика, эВ; относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;m массовый...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1452398
Опубликовано: 27.05.1995
Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесения металлической разводки и подгонки порогового напряжения, которую проводят после нанесения металлической разводки путем облучения подложек с транзисторами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине необходимого изменения порогового напряжения U отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов путем локализации обработки рентгеновским излучением, после нанесения металлической разводки измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1419418
Опубликовано: 09.06.1995
Авторы: Вахтель, Гитлин, Евсеев, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Стоянов
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонку порогового напряжения на величину Un путем облучения подложки со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной Un, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки, а также улучшения температурной стабильности параметров транзисторов, облучение подложки со структурами проводят при нагреве подложки до...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1499614
Опубликовано: 20.09.1995
Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Мокшин, Остроухов
МПК: H01L 21/263, H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подготовки пороговых напряжений и увеличения процента выхода годных МДП-транзисторов, перед облучением структур рентгеновским излучением, ионным легированием примесью в подзатворную область проводят предварительный сдвиг среднего значения порогового напряжения до значения МДП-транзисторов, а U0-заданное пороговое напряжение.
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1464797
Опубликовано: 20.11.1995
Авторы: Гитлин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Левин, Лобов, Остроухов
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, а также улучшения точности подгонки порогового напряжения и увеличения процента выхода годных изделий, облучение рентгеновским излучением проводят дозой насыщения, после чего пластины облучают ультрафиолетовым излучением с энергией квантов в интервале 4,35 8,8 эВ и проводят их термический отжиг, причем первоначально экспериментально определяют изменение порогового...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1597018
Опубликовано: 27.05.1996
Авторы: Варламов, Емельянов, Ильичев, Инкин, Липшиц, Матына, Олейник, Пекарев, Полторацкий
МПК: H01L 21/205
Метки: мдп-транзисторов
Способ изготовления МДП-транзисторов, включающий формирование на подложке арсенида галлия n-типа проводимости областей истока и стока, осаждение слоя диэлектрика методом пиролиза, формирование электрода затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны транзисторов, слой диэлектрика осаждают пиролитическим разложением диэтилдитиокарбамата цинка при температуре подложки 290 350oС и температуре испарителя диэтилдитиокарбамата 200250oС.