Гитлин — Автор (original) (raw)
Гитлин
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1464797
Опубликовано: 20.11.1995
Авторы: Гитлин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Левин, Лобов, Остроухов
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, а также улучшения точности подгонки порогового напряжения и увеличения процента выхода годных изделий, облучение рентгеновским излучением проводят дозой насыщения, после чего пластины облучают ультрафиолетовым излучением с энергией квантов в интервале 4,35 8,8 эВ и проводят их термический отжиг, причем первоначально экспериментально определяют изменение порогового...
Способ изготовления мдп бис
Номер патента: 1384106
Опубликовано: 10.11.1995
Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов
МПК: H01L 21/263
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий, а также повышения надежности и улучшения стабильности их работы путем снятия нестабильной части радиационно стимулированного в подзатворном диэлектрике заряда, после облучения структуры проводят дополнительный термический отжиг последней при температуре от 400 до 450oС в течение от 30 до 60 мин, а дозу облучения выбирают из отношениягде =6 10-6P
Способ получения структуры полупроводниковых приборов
Номер патента: 1396862
Опубликовано: 20.10.1995
Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов
МПК: H01L 21/316
Метки: полупроводниковых, приборов, структуры
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на поверхность структуры полупроводникового прибора, содержащего алюминиевую металлизацию двухслойного диэлектрического покрытия, первым из которых является фосфорсиликатное стекло, и вскрытие в покрытии контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы приборов и увеличения выхода годных приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия, на слой фосфорсиликатного стекла методом низкотемпературного разложения моносилана в высокочастотном разряде осаждают пленку аморфного кремния толщиной 500 1000 нм, причем осаждение аморфного кремния до толщины пленки 50 нм проводят со скоростью 5 15 нм/мин, а затем структуру подвергают отжигу в...
Способ изготовления мдп бис
Номер патента: 1752128
Опубликовано: 27.09.1995
Авторы: Бугров, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/268
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование МДП-структур и подгонку порогового напряжения до требуемой величины путем облучения сформированной структуры рентгеновским излучением с последующим высокотемпературным отжигом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет расширения диапазона подгонки порогового напряжения, цикл облучение отжиг при подгонке проводят не менее двух раз.
Способ изготовления мдп бис
Номер патента: 1519452
Опубликовано: 20.09.1995
Авторы: Ачкасов, Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/26
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке областей истоков, стоков и слоев подзатворного диэлектрика, формирование электродов затворов и металлизированной разводки, подгонку пороговых напряжений путем облучения подложки рентгеновским излучением и термический отжиг при температуре 400-450oС в течение 30-60 мин, отличающийся тем, что с целью улучщения эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизации ее параметров и повышения процента выхода годных, термический отжиг проводят в среде водяного пара, после этого проводят обработку в нейтральной среде, при температуре 500-510oС в течение 8-12 мин.
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1499614
Опубликовано: 20.09.1995
Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Мокшин, Остроухов
МПК: H01L 21/263, H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подготовки пороговых напряжений и увеличения процента выхода годных МДП-транзисторов, перед облучением структур рентгеновским излучением, ионным легированием примесью в подзатворную область проводят предварительный сдвиг среднего значения порогового напряжения до значения МДП-транзисторов, а U0-заданное пороговое напряжение.
Способ изготовления мдп бис
Номер патента: 1762688
Опубликовано: 20.08.1995
Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Татаринцев
МПК: H01L 21/268
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения сформированных структур пучком рентгеновского излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа при подгонке БИС, содержащих две различных группы МДП компонентов, одновременно с рентгеновским излучением структуры облучают ультрафиолетовым излучением, а соотношение между коэффициентами подгонки двух групп МДП компонентов регулируют путем изменения соотношения интенсивностей рентгеновского и ультрафиолетового излучений Iу/Iр, устанавливают это соотношение, исходя...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1419418
Опубликовано: 09.06.1995
Авторы: Вахтель, Гитлин, Евсеев, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Стоянов
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонку порогового напряжения на величину Un путем облучения подложки со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной Un, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки, а также улучшения температурной стабильности параметров транзисторов, облучение подложки со структурами проводят при нагреве подложки до...
Способ изготовления мдп-больших интегральных схем
Номер патента: 1436768
Опубликовано: 09.06.1995
Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Лобов, Остроухов
МПК: H01L 21/268
Метки: интегральных, мдп-больших, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (МДП-БИС) с пороговым напряжением Uо, включающий формирование в кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса параметров МДП-БИС и увеличения процента выхода годных, облучение рентгеновским излучением проводят до дозы насыщения, затем снимают гистограмму распределения порогового напряжения МДП-БИС на пластине, определяют по гистограмме величину минимального порогового напряжения Uмин и разность
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1452398
Опубликовано: 27.05.1995
Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесения металлической разводки и подгонки порогового напряжения, которую проводят после нанесения металлической разводки путем облучения подложек с транзисторами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине необходимого изменения порогового напряжения U отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов путем локализации обработки рентгеновским излучением, после нанесения металлической разводки измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений...
Способ изготовления структур кмоп больших интегральных схем
Номер патента: 1431619
Опубликовано: 15.10.1993
Авторы: Ачкасов, Гитлин, Кадменский, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/8238
Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем
...стравливают первый подзатворный слойоксида кремния б с активных областей 15 на подложке 1 и карманах 5 (см, фиг.5). После химической отмывки окислением в водяном 25 паре при 800 С на поликремнии 12 выращивают слой изолирующего оксида кремния 16 толщиной 0,25 мкм и при 1000 ОС в кислороде выращивают второй слой подзатворного оксида кремния 17 на активных областях 15 З 0 толщиной 60 нм (см. Фиг.б). Пиролизом моносилана при пониженном давлении осаждают второй. защитный слой поликремния 18 толщиной 0,1 мкм, на котором формируют фоторезистивную маску 19, закрываюЗ 5 щую активную область карманов 5, иионной имплантацией бора (60 кэВ;0,02 мК "см ) проводят подгонку порогового напряжения транзисторов, формируемых в подложке 1, создавая области...
Способ получения глюконата кальция
Номер патента: 1810346
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Агладзе, Гамрекели, Гитлин, Долишвили, Лукницкий, Майрановский
МПК: C07F 3/04, C07H 23/00
...р и м е р 2. Электролизу подвергают1 л электролита следующего состава: О-глю. коза 300 г/л, карбонат кальция 10 г/л, бромид натрия 140 г/л, Температура раствора50 С. Плотность тока по сечению насыпногослоя составляет 55 А/дм, а падение напряжения на единицу высоты насыпного слоя2,4 В/см,Электролиз ведут в течение 1 ч, Получают 136,3 г глюконата кальция, Удельный расход электроэнергии составляет2,9 Вт ч/г, объемная производительность0 63 кг/ч л,Влияние плотности тока по сечению насыпного слоя на удельный расход электроэнергии и объемную производительностьдано в табл,1,Как видно из табл,1 оптимальные результаты достигаются при плотностях тока 45по сечению насыпного слоя в пределах 10 -55 А/дм, При реализации плотности тока. менее 10...
Ковш скрепера
Номер патента: 1476073
Опубликовано: 30.04.1989
Авторы: Баловнев, Гитлин, Кононенко, Яркин
МПК: E02F 3/64
...7 закреплен шарнирно и подпруяинен, при этом егосвободный конец контактирует с под-,шипниковой опорой шнека 6,Тыпьная сторона задней стенки 3 25снабжена наклонно установленной пластиной 9 с возможностью взаимодействия данной пластины с упором 7.Ковш скрепера работаеч следующимобразом. ЗОПри выгрузке грунта из ковша открывается заслонка 4 и включаетсяперемещение задней стенки 3, а затемвключается вращение шнека 5 ла разгрузку,Перемещение задней стенки 3 приводит к выдавливанию грунта совместносо шнеком вперед в сторону открытойчасти ковша. Перемещаясь вперед,задняя стенка 3 доходит до упора 7и вдавливает его в полость 8 днища1, обеспечивая себе свободный проход на всю длину ковша. По мере разГрузки ковша шнек 5 возвращается в исходное...
Устройство для измерения концентрации атомов и молекул в плазме
Номер патента: 1132668
Опубликовано: 30.07.1987
Авторы: Ахмеджанов, Гитлин, Новиков, Полушкин, Щербаков
МПК: G01N 21/21
Метки: атомов, концентрации, молекул, плазме
...излучения лазераВыбор оптических длин Ь и Ь плеч резонатора обеспечивает совпадение спектрального расположения 20 минимумов потерь, обусловленных интерференцией в обоих плечах резонатора в отсутствие плазмы со спектральным расположением минимумов селективных потерь. Это позволяет соз дать условия, при которых малые спектральные сдвиги квазимод, обусловленные,внесением плазмы, можно регистрировать в виде измеримого изменения интенсивности этих квазимод по срав нению с их интенсивностью в отсутствие плазмы или с интенсивностью квазимод вдали от линии поглощения плазмы..В первом варианте устройства, основанном на использовании эффекта дву-З .лучепреломления, поляризатор и двулучепреломляющая пластина в совокупности образуют элемент с...
Коррозионно-стойкий чугун
Номер патента: 1258865
Опубликовано: 23.09.1986
Авторы: Гитлин, Иоффе, Кузьмин, Майрановский
МПК: C22C 37/00
Метки: коррозионно-стойкий, чугун
...влияние добавки становится малозаметным, При содержании никеля более 5% структура чугуна в питом состоянии становится мартенситной, твердость повышается до 400 НВ, значительно ухудшается обрабатываемость. Оптимальная добавка циркония нахо-. дится в пределах 0,05-2,0%. При вве 58865 3дении более 2% циркония начинаетпроявляться его карбидообразующаяспособность, что привоДит к отбелучугуна, хотя его коррозионная стой кость остается высокой. Добавка менее 0,05% Ег существенно не увеличи"вает корроэионную стойкость чугуна.Введение в сплав более благородного по сравнению с железом никеля 10 повышает коррозионную стойкость чу"гуна в щелочах, где никель, помимоповышения электродного потенциаламеталлической матрицы, легко образует....
Способ калибровки внутрирезонаторного лазерного спектрометра
Номер патента: 1103661
Опубликовано: 30.03.1986
Авторы: Гитлин, Новиков, Полушкин, Щербаков
МПК: G01J 3/42
Метки: внутрирезонаторного, калибровки, лазерного, спектрометра
...для этого требуется исследованиебольшого количества образцов жидкости с различными коэффициентами преломления.Цель изобретения - повышение точ 10 ности и упрощение калибровки в широком диапазоне изменения рабочих режимов лазерного спектрометра.Это достигается благодаря тому,что в способе калибровки внутрирезо 15 наторного лазерного спектрометра поселективным потерям, вводимым в резонатор установкой эталонного образца с известным коэффициентом поглощения, основанном на измерении спект 20 ральной плотности энергии генерации,в качестве эталонного образца используют двулучепреломляющий элемент иполяризатор, установленные на оптической оси резонатора, двулучепрелом 25 ляющий элемент вращают вокруг егооптической оси, при этом...
Устройство для селекции признаков при распознавании образов
Номер патента: 1084833
Опубликовано: 07.04.1984
Авторы: Гараев, Гитлин, Кузнецов, Лялин
МПК: G06K 9/36
Метки: образов, признаков, распознавании, селекции
...Импульс с выхода элемента И 3 запускает первый ждущий мультивибратор 11 и подается на второй вход элемента И 6. Т. к. разрешающего сигнала с выхода второго ждущего мультивибратора 12 на первом входе элемента И 6 нет, то этот импульс не проходит на выход последнего.Разрешающий сигнал с выхода первого ждущего мультивибратора 11 подается на первый вход элемента И 5 и на первый вход элемента ИЛИ 8. Если второй входной импульс проходит во время квазиустойчивого состояния первого ждущего мультивибратора 11, то импульс с выхода элемента И 4, запуская второй ждущий мультивибратор 12, подается через открытый разрешающим сигналом с выхода первого ждущего мультивибратора 11 элемент И 5 на вход сброса мультивибратора 11. Этот же импульс,...
Устройство для задержки импульсов
Номер патента: 1046924
Опубликовано: 07.10.1983
Автор: Гитлин
МПК: H03K 5/13
...соединенныепоследовательно первый логическийэлемент, времязадающую РС -цепьи второй логический элемент, введенлогический элемент со свободнымколлектором, причем входы логического элемента со свободным коллектором включены параллельно соответствующим входам первого логическогоэлемента, а выход логического элемента со свободным коллектором соединен с выходом времязадающейЙС -цепи,На фиг. 1 представлена функциональная схема устройства; на фиг. 2 -временная диаграмма ее работы дляслучая, когда РС -цепь задана в виде интегрирующей бс-цепи,1046924 10 60 65 Устройство содержит первый логический элемент 1, времязадающуюЙС-цепь 2, второй логический элемент 3, соединенные последовательно,и элемент 4 со свободным коллектором. В качестве...
Грузоподъемный борт автомобиля
Номер патента: 988600
Опубликовано: 15.01.1983
МПК: B60P 1/44
Метки: автомобиля, борт, грузоподъемный
...общий вид.,на фиг. 2 - конструктивное.выполнение поворотного устройства.Груэоподъемный борт. автомобилясодержит платформу 1, прикрепленнуюк груэоподъемному механизму 2,Поворачивающее платформу 1 поворотное устройство 3 установлено накузове автомобиля и включает внутреннюю 4 и внешнюю 5 (фиг. 2) направляющие, в которых при повороте платфор-мы 1 перемещаются ролики б выдвиж-.ного кронштейна 7 платформы. Приэтом внешняя направляющая 5 установлена на внутренней криволинейной направляющей 4 поворотно посредствомоси 8 и подпружинена пружиной растяжения 9, создающей усилие прижатиянаправляющей 5 к ролику б при егоперемещении. На направляющей 4 смонтирована также подпружиненная защел-ка 10, фиксирующая грузоподъемныйборт в нерабочем положении...
Датчик скорости носителей электрического заряда
Номер патента: 958978
Опубликовано: 15.09.1982
Авторы: Гитлин, Ястребцев, Ястребцов
МПК: G01P 3/64
Метки: датчик, заряда, носителей, скорости, электрического
...заземленного экрана 5 со стороны входа носителей заряда со слоем диэлектрика 6, эле- мента 7, чувствительного к изменению скорости носителей электрического заряда, выполненного в виде полого цилиндра 8, охватывающего их траекторию и соединенного с источником питания 9 и измерительным устройством 10Элемент 7 выполнен на базе МДП элемента, содержащего полупроводниковую подложку 11, на внутренней поверхности 12 которой сформированы области истока 13, стока 14, подзаторного диэлектрика 15 и затвора 30 8, выполненную в виде полого цилинд958978Датчик скорости носителей элект"рического заряда за счет введения внего источника питания и выполйейияконтура в виде ИДП-элемента, чувствительного к изменению скорости но" 5 сителей электрического...
Устройство для автоматической смены многогранных неперетачиваемых пластин
Номер патента: 956230
Опубликовано: 07.09.1982
Авторы: Гитлин, Горюшкин, Гусаков, Любочко, Сухиненко
МПК: B23Q 3/155
Метки: автоматической, многогранных, неперетачиваемых, пластин, смены
...шестерен 8, осуществляющим согласование их движения, Поворот многогранных неперетачиваемых пластин обеспечивают кинематически связанный с приводом 9 шток 13 с пружиной 11 и выступ 15, установленные в проеме 10 магазина, связывающим подводящий и отводящий каналы последнего и выполненном в основании магазина. Для извлечения режущих пластин из маг,азина предусмотрена плоская 15 пружина 16, Одна из режущих пластин 17 находится в рабочей зоне,Устройство для автоматической смены многогранных неперетачиваемых пластин работает следующим образом. щДля смены затупившейся грани режущей пластины, например 17, каретка 5 получив движение вправо от привода 9 (шток идет влево), поворачивает коромысло 3 вокруг оси, освобождая 25 режущую пластину 17...
Устройство для автоматической смены многогранных неперетачиваемых пластин
Номер патента: 941160
Опубликовано: 07.07.1982
Авторы: Гитлин, Горюшкин, Любочко, Сухиненко
МПК: B23Q 3/155
Метки: автоматической, многогранных, неперетачиваемых, пластин, смены
...пластины 12, 13, 14, 15 и 16.Устройство работает следующим образом.Для смены затупившейся грани многогранной цеперетачиваемой пластины, например 13, каретка 2, получив движение от привода (гидравлического или иного), освобождает многогранную цеперетачиваемую пластину 13 от зажима. Движение каретки 2 вперед черсз шестерню 6 передается ца ползун 5, заставляя его смещаться назад, Пружина 4 разжимается, и толкатель 3 движется назад. Упор на каретке цри дальнейшем ее движении вперед освобождает коромысло 8, которое под действием пружины поднимает многогранную цсперстачцваемую пластину 13 до уровня верхнего канала в корпусе. В это время толкатель 3, продолжая двигаться назад, полностью открывает окно между верхним и нижним каналами,...
Лидар для зондирования атмосферы
Номер патента: 685021
Опубликовано: 15.03.1982
Авторы: Гитлин, Лойко, Моткин, Чайковский
МПК: G01W 1/00
Метки: атмосферы, зондирования, лидар
...проходит через зеркало 7, отражается от поворотных зеркал 10 и 11, проходит через полуволновую пластинку 13 и цилиндрическую линзу 14 и возбуждает раствор красителя в кювете 15,Непреобразованная часть излучения с длиной волны 694,3 нм полностью отражаетея от зеркала 7 и через телескоп 9 направляется в нелинейный кристалл б, где частично преобразуется во вторую гармонику. Далее излучение второй гармоники проходит через селективное зеркало 8, отражается от поворотного зеркала 12, проходит через пластинку 13 и цилиндрическую линзу .14 и возбуждает раствор красителя в кювете 16, Непреобразованная часть излучения с длиной волны 694,3 нм полностью отражается от зеркала 8 и возбуждает раствор красителя в кювете 17.Генерация красителей...
Аппланационный офтальмотонограф
Номер патента: 884693
Опубликовано: 30.11.1981
Авторы: Беленький, Гитлин, Пиндюрин, Ястребцов
МПК: A61B 3/00
Метки: аппланационный, офтальмотонограф
...истока и стока наводится ннверсионный. канал при наличии контакта сплющенной ро говицы со слоем несмачивающегося диэлектрика 5. При наличии разности потенциалов между истоком и стоком, созданной источником 6 литания, в образованной цепи в которую включено и регистрирующее устройство 7, протекает ток.Зависимость выходного сигнала от внутри. глазного давления для этого преобразователя можно записать в видеКУВЬ 1 Х ВХгде Х - внутриглаэное давление (вВхили динамике);у - выходной сигналнапряжения нагруэВЫХщийся устройствоК- коэффициент.Выходной сигнал МДП.датчика в зти от внутриглаэного дав тщий вид."цд ощ И, )- начальное давление, которое созда.ется .начальной нагрузкой, кудавходит и весь самого МДП-датчика,и которое обеспечивает...
Измеритель электрического тока в проводнике
Номер патента: 883754
Опубликовано: 23.11.1981
Авторы: Гитлин, Овсюков, Ястребцев, Ястребцов
МПК: G01R 19/00
Метки: измеритель, проводнике, электрического
...1 с контролируемым током окружен изолирующим слоем 2 и пропущен через полупроводниковую подложку 3, на поверхности которой сформированы МДП-транзисторы, включающие в себя области истоков 4-7, стоков 8-11 и изолированных затворов 12-15. МДП-транзисторы образуют измерительный мост, в котором между общими точками 16, 17 истоков 4, 5 и стоков 10, 11 подключен источник 18 питания, а между шинами 19, 20, соединяющими сток 8 с штоком 7 и сток 9 с истоком 6 установлен регистрирующий прибор 21, Источник 22 напряжения смещения включен между, общей точкой всех затворов 23 и шиной 24 нулевого потенциала, ,с которой соединены также источник 18 питания и подложка 3. Помимо четырех рабочих каналов, образованных истоками и стоками...
Устройство для выделения основного тона речи
Номер патента: 714474
Опубликовано: 05.02.1980
Авторы: Гитлин, Книппер, Сметанин, Сорокин, Щуткин
МПК: G10L 19/02
Метки: выделения, основного, речи, тона
...сравнения сигналам на каждом периоде основного тона речи. 5Изобретение позволит измерить параметры речи, которые невозможно измерить,с помощью известных устройств, например, измерение затухания формант. Йри этом повышается достбверность выделения основного тона речи. Устройство для выделения основноготона речи, содержащее полосовыйфильтр, вйделитель огибающей спектраи формирователь сигнала основноготона, отличающееся тем,что, с целью повышения достоверности ВВййй -мфилиал ППП Патент, г. Ужг выделения основного тона речи, оноснабжено вторым полосовым фильтром,обратньи фильтром, вторым выделителемогибающей спектра и блоком сравнения,причем выход полосового фильтра под"ключен одновременно ко входам второгополосоэого и обратного...
Способ задержки импульсных сигналов
Номер патента: 712942
Опубликовано: 30.01.1980
Авторы: Гитлин, Новоселов, Сметанин, Шуткин
МПК: H03K 5/153
Метки: задержки, импульсных, сигналов
...импульса преобразуют в напряжение, запоминают его и через время задержки запомненное напряжение преобразуют в длительность, после преобразования длительности в напряжение коммутируют полученные напряжения по различным каналам, а перед преобразованием напряжения в 5 длительность коммутируют их в обратном порядке, преобразование длительности в напряжение и преобразование напряжения в длительность осуществляют по различным, но монотонным законам. 10На чертеже представлены временные диаграммы, поясняющие указанный способ.Входные импульсы подвергают преобразованию длительность - напряжение.Напряжение, соответствующее моменту 1 б окончания входного сигнала, коммутируют и отдельно для каждого импульса запоминают, После поступления опрашивающего...
Преобразователь линейных перемещений
Номер патента: 691678
Опубликовано: 15.10.1979
Авторы: Гитлин, Ястребцев
МПК: G01B 7/00
Метки: линейных, перемещений
...слоя 3 электролита относительно подвижного электрода преобразователя. Формула изобретения МДП-структуры, расстояние между "истоком и стоком которой изменяется по линейному закону по ширине канала, а обслочка подвижного электрода выполнена из диэлектрика, один полюс источника питания постоянного тока подключен к неподвижному электроду и через регистрирующий прибор - к стоку МДП-структуры, а второй полюс - к полупроводниковой подложке и к истоку МДП-структуры.Яа фиг . 1 схематически показана конструкция преобразователя На фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.Преобразователь содержит корпус 1, заполненный тремя слоями 2,3, 4 несмешивающихся жидкостей, подвижный электрод 5, состоящий иэ оболочки 6 и размещенного в ней чувствительного...
Устройство для зажима проводов
Номер патента: 447787
Опубликовано: 25.10.1974
Авторы: Гитлин, Курков
МПК: H01R 9/02
...снабжено механизмом перемещения рамыйрасположенным, например, в нижне 6части корпуса,На фиг. 1 изображено устройство, вид сйврвди сцастичным вырывом йереднвй стенки и боковой разез; на фиг. 2- вид сверху; наиг. 3 и 4 - процесс зажима концапровода; на фиг. 5 - процесс освобождения конца йровода.В корпусе Х помещена рама 2,имеющая сквозные прямоугольные ок-на 3 и поперечныв пазы Ф. В окна 3 1 О, помещены эксцентриковыв зажимщицеэлЬйвнты 5, установленные на валу6 с возможйостью вращения, Вал 6,жестко закрепленный в корпусе, рас, полагается в пазах 4 рамы е.В нижней яасти корпуса расположен механизм перемещения рамы 2,выполненный, например, в виде эксцентрика 7, жестко закрепленногона валу 8, который заканчиваетсярукояткой 9, имеющвИ...
360472
Номер патента: 360472
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Битюгов, Гитлин, Кислое, Кошман, Лаптев, Липатов, Николаенко, Смоловский
МПК: F02M 61/12
Метки: 360472
...выполненов виде эластичной манжеты, армированнойметаллом.Эластичное манжетное уплотнение из маслобензостойкой резины, армированной металлом, обеспечивает герметизацию сопряженияподвижных частей в,корпусе и исключаетутечки топлива из форсунки, Гидроплотностьсопряжения игла-манжета характеризуется падением давления с 400 до 390 кг/слР за 450 - 500 сек, т, е, выше, чем в известных форсупнках с прецизионньгм сопряжением.На чертеже изображена предложенная 5 форсувока.В корпусе 1 форсувкки устацовлен распылитель 2, игла 3 которого прижата к запорному,конусу 4 упругим элементом 5 с помощью регулировочного устройства б, В верх О цей части сопряжения устацавлена мацжета7 из,маслобензостойкой резиныармированной ьчеталлом.При подаче через...