Хисаеси — Автор (original) (raw)

Хисаеси

Способ растягивания и складывания симметричной детали швейных изделий из мягкого куска ткани для подачи его в рабочую зону швейной машины и устройство для его осуществления

Номер патента: 1634130

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Дэвид, Есиноби, Роберт, Хиродзи, Хироси, Хисаеси, Шейн

Метки: детали, зону, куска, мягкого, подачи, рабочую, растягивания, симметричной, складывания, ткани, швейной, швейных

...6формы 9 к двум швейным машинам "Оверлок" 12 для сшивания,Подающая пластина 7 (фиг.16) состоит. из металлической пластины, имеющей такую Форму, что деталь 1 выступает за кромки 7 а пластины 7, которая имеет противолежащие выступаю- .щие поверхности 7 в для направлениябольшого числа роликов, связанных спредыдущей рабочей позицией (не показана), участвующих в сшивании соответствующих противолежащих кромокдетали 1. Пластина 7 имеет большоечисло вырезов 7 с для уменьшения еевеса и, кроме того, два противостоящих штыря, с которыми взаимодействуютсоответствующие захваты для подъема,опускания и перемещения пластины 7,Устройство (Фиг.17 и 18) содержитдва воздуховсасывающих сопла 5, соединенных с источником всасывания (непоказан) с помощью...

Полупроводниковое устройство

Номер патента: 638289

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Есиюки, Такеси, Теруаки, Хисаеси, Хисао

МПК: H01L 27/04

Метки: полупроводниковое

...клапаны в аппарат для выращшгапия испарением 18, в котором находится полупроводниковая подложка 19. Газообразный М который поступает из резервуара 20 и служит газом- носителем, пропускается через аппарат с постоянным расходом 25 л,мин, а моносилан 51 Н 4 подается в аппарат с постоянным расходом 30 см/мин. Расход КО изменяется как О, 10, 20, 30, 150, 300 и 1200 смз/мин.Полупроводниковая подлокка нагревается до температур от 600 до 750 С. Так как температура выращивания относительно низкая, то существует лишь небольшая возможность того, что примеси, содержащиеся в полупроводниковой структуре, диффузировать будут в слой 9 поликристаллического кремния.При температуре ниже 600 С скорость выращивания слишком низка для практического...