Сидорович — Автор (original) (raw)

Сидорович

Штамм гибридных культивируемых клеток животных mus musculus l продуцент моноклональных антител к холерному энтеротоксину

Номер патента: 1835848

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Бабицын, Игнатьева, Сидорович, Темиралиева

МПК: C12N 5/00

Метки: musculus, антител, гибридных, животных, клеток, культивируемых, моноклональных, продуцент, холерному, штамм, энтеротоксину

Штамм гибридных культивируемых клеток животных Mus musculus L ВСКК (П) N 469D продуцент моноклональных антител к холерному энтеротоксину.

Способ подготовки рудных пульп перед флотацией

Номер патента: 1665590

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Алехин, Копылов, Куханов, Леонов, Машович, Полонский, Сидорович

МПК: B03D 1/00, B03D 1/14

Метки: подготовки, пульп, рудных, флотацией

СПОСОБ ПОДГОТОВКИ РУДНЫХ ПУЛЬП ПЕРЕД ФЛОТАЦИЕЙ, включающий придание пульпе и раствору реагентов вращательного движения, раздельное выбрасывание пульпы и раствора реагентов в виде обособленных струй, соударение обособленных струй с неподвижно установленной поверхностью, формирование и перемешивание на ней потоков пульпы и раствора реагентов, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса подготовки пульпы, в раствор реагентов подают воздух при соотношении воздуха и руды в пульпе от 0,001 : 1 до 0,025 : 1, при этом обособленные струи раствора реагентов набрасывают на сформированный на неподвижно установленной поверхности поток пульпы.

Вибропоглащающая мастика

Загрузка...

Номер патента: 1837062

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Александрова, Андреев, Астраханцева, Бердеников, Береснев, Болясов, Бочарова, Дувакина, Климентьева, Климец, Кондрашина, Косинова, Кришневский, Михеев, Никитина, Николаев, Самкова, Сидорович, Соколова, Струкова, Таевере, Тихомиров

МПК: C08K 13/02, C08L 31/04

Метки: вибропоглащающая, мастика

...сополимера 2-этилгексилакрилата 98 и винилокса 2 оЛ. Водный раствор белого цвета, содержание сухого продукта 24,5%, вязкость а,7 дин/см,размер частиц 100 А, рН " 5,36, 77)толуол25=2,29. Оба латекса являются опытными образцами, в промышленном масштабе непроизводятся.5 Мастику готовят следующим образом.При комнатной температуре и непрерывном перемешивании в поливинилацетатную дисперсию, включающую 30 мас,7аминофенольной эпоксидной смолы, вводятполиэтиленполиамин, затем латексы сополимеров Ли Л - 338, Полученную массутщательно перемешивают до получения однородной смеси. После этого вводят волластонит или отход рудничного производстваили отвальный продукт,а затем графит.Всю массу тщательно перемешивают дополучения гомогенной смеси и...

Способ размножения viссiniuм viтis-idaea l in viтrо

Загрузка...

Номер патента: 1824115

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Кутас, Сидорович

МПК: A01H 4/00

Метки: viссiniuм, viтis-idaea, viтrо, размножения

...на субстрате, состоящем изсмеси торфа и перлитэ в соотношении 1:1,Для получения калчуса испольэовалисемена брусники обцкновенной, Стерилизацию их пробно;,или я 6 растворе гипохлориала брусники. Сущя: экспланты брусники аризованной среде Аней в своем составе 100 0 мг/л аденин сульфата, 4 мг/ индолилуксусной изопентениладенина, 30 агара. Культивируют наб ования каллусной ткани генерации из нее побеживают для укоренения тавляющий собой смесь оотношении 1:1 соответпосадочного мате ность иэобретени культивируют на а дерсона, содержащ мг/л мезоинозита, 8 0.4 мг/л тиамина, 0 кислоты, 15,0 мг/л г/л сахарозы и 7 г/л этой среде до образ и последующей ре гов, которые переса на субстрат, предс торфа и перлита в с ственно. рита Са с...

Транзисторный ключ

Загрузка...

Номер патента: 1812632

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Долинский, Мачинский, Сидорович

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...13, последний отпирается и подключает реле 24 к общей шине, Реле 24 срабатывает, его нормально разомкнутые контакты 25 замыкаются и подсоединяют эмиттер транзистора 2 к выходной шине 9. При этом отпирается транзистор 2 и ега коллекторный ток поступает на базу транзистора 3, По истечении положительного импульса, сформированногб одновибратором 23, открытое состояние транзистора 3 поддерживается коллекторным током транзис."ара 2,При подаче на входную шину 10 запирающего сигнала положительной полярности открывается транзистор 14 и шунтирует базаэмиттерный переход транзистора 3, который, закрываясь, вызывает запирание транзистора 1 и отключение питания от выходной шины 9; Одновременно с транзистором 14 отпирается транзистор 12,...

Транзисторный ключ

Загрузка...

Номер патента: 1811001

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Сидорович, Черников

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...12, дроссель 13, нагрузку 14, диоды 15, 16.Транзисторы 1 и 2 одного типа проводимости подключены эмиттерами к плюсовой шине источника питания, к которой также подключены первый вывод резистора 8, первый вывод резистора 10, катод диода 15 и первый вывод реле 12, второй вь 1 вод которого подключен к катоду диода 15 и к коллектору транзистора 4, база которого через резистор 6 соединена с выходной шиной, к которой через резистор 7 подключена база транзистора 3 такого же типа проводимости, что и транзистор 4, а эмиттер транзистора 3 соединен с общей шиной, с которой 25 соединены также эмиттер транзистора 4, анод диода 16 и второй вывод резистора 14, первый вывод которого подключен ко второму выводу дросселя 13, первый вывод которого...

Транзисторный ключ

Загрузка...

Номер патента: 1810995

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Мачинский, Сидорович

МПК: H03K 17/08, H03K 17/78

Метки: ключ, транзисторный

...1 подключен между базой ключевого транзистора 6 и общей шиной, Коллектор фототранзистора 4.2 оптопары 4 подключен к базе ключевого транзистора 6,Транзисторный ключ работает следующим образом.При поступлении открывающего сигнала от источника 1 отпираются транзисторы 5 6 и 7, и через нагрузку протекает ток поцепи: шина источника питания, змиттерноколлекторный переход. транзистора 7, датчик тока 8, нагрузка 9, общая шина. Транзистор 5 заперт, так как падение напряжения на дат чике тока 8 не хватает для его отпирания, цепьсветодиодов оптопар 3, 4 обесточена, фото- транзистор 3.2 оптопары 3, фототранзистор 4;1 оптопары 4 закрыты. При возникновении короткого замыкания в нагрузке, падение 15 напряжения на датчике 8 увеличивается истановится...

Способ выращивания промышленной культуры клюквы крупноплодной

Загрузка...

Номер патента: 1808239

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Афанаскина, Игнатенко, Калевич, Рудаковская, Рупасова, Русаленко, Сидорович

МПК: A01C 21/00

Метки: выращивания, клюквы, крупноплодной, культуры, промышленной

...азота целесообразно производить за счет внесения двух видов удобрений - аммиачной или кальциевой селитры и сернокислого аммония, В качестве микроудобрений рекомендуем использовать сернокислые.соли железа, марганца, цинка, меди и борную кислоту. Микроудобрения можно предварительно смешать с одним из негигроскопичных видов макроудобрений (азотным или калийным) либо вносить в виде водного раствора. подкисленного до рН 3-3,5 серной или соляной кислотой, равномерно распределяя по поверхности почвы обычными опрыскивателями с последующей заделой.Приблизительно через месяц после за- правки субстрата, во второй декаде мая производят посадку клюквы черенками длиной 12 - 15 см по два черенка в одно гнездо из расчета 25 гнезд на 1 м . Дальнейший...

Транзисторный ключ

Загрузка...

Номер патента: 1800610

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Долинский, Мачинский, Сидорович, Черников

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...поступающим от источника питания через резистор 14 на его вход. Открытый управляющий элемент 12 шунтирует база - эмиттерный переход транзистора 1. Когда на входе устройства появляется управляющий положительный 10 15 20 25 30 35 40 сигнал, то открывается транзистор 13, шунтируя тем самым вход управляющего элемента 12, последний закрывается, начинает заряжаться конденсатор 8 по цепи; управляющий вход устройства, резистор 7, базаэмиттерный переход транзистора 1, который в процессе заряда конденсатора 8 насыщается, В этом случае напряжения на базе транзистора 2 достаточно, чтобы открыть его до насыщения, При отсутствии короткого замыкания напряжение на коллекторе транзистора 2 становится максимальным, и его коллекторный ток...

Оптоэлектронный переключатель

Загрузка...

Номер патента: 1780183

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Сидорович

МПК: H03K 17/78

Метки: оптоэлектронный, переключатель

...принципиальнаяэлектрическая схема оптоэлектронного переключателя.Оптоэлектронный переключатель содержит транзисторный оптрон 1, в составкоторого входят фототранзистор 2 и светодиод 3, диодный оптрон 4, в состав котороговходят фотодиод 5 и светодиод 6, транзистор 7, резисторы 8 и 9,К эмиттеру транзистора 7 подключеныаноды светодиодов 3, 6, катод светодиода 3подключен к коллектору транзистора 7, базакоторого соединена с катодом светодиода 6и с источником входного сигнала, База фототранзистора 2 через резистор 8 подключена к аноду фотодиода 5, катод которогосоединен с общей шиной и с первым выводом резистора 9, второй вывод которого соединен с выходом устройства и с эмиттеромфототранзистора 2, коллектор которого подключен к источнику...

Транзисторный ключ

Загрузка...

Номер патента: 1780179

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Гойман, Долинский, Сидорович

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...такого же типа проводимости, что и транзисторы 1 и 2, К шине 22 питания подключены также вторые выводы резисторов 11, 13, 14, 16. Змиттеры транзисторов 5 - 8 другого типа проводимости соединены с общей шиной 24, с которой соединены второй вывод тумблера управления, отрицательная обкладка конденсатора 10, положительная обкладка которого подключена к первому выводу резистора 13, второму выводу резистора 12 и катоду стабилитрона 9, База транзистора 3 подсоединена первому выводу резистора 17, второму выводу резистора 15 и второму выводу резистора 18, а коллектор через резистор 19 подключсн к базе транзистора 5, коллектору транзистора б и входной шине 21, Коллектор транзистора 5 подключен к первому выводу резистора 18 и эмиттеру транзистора...

Транзисторный ключ с защитой от перегрузки

Загрузка...

Номер патента: 1780178

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Сидорович, Черников

МПК: H03K 17/60

Метки: защитой, ключ, перегрузки, транзисторный

...спервым входом логического элемента 2 И - НЕ и с вторым выводом резистора 14, первый вывод которого подключен к управляющей шине, первому выводу резистора 5, катоду диода 6. Анод диода 6 соединен с базой транзистора 3 и с первым выводом резистора 9, второй вывод которого соединен с коллектором транзистора 1, выходной шиной 12 и с эмиттером транзистора 2. Коллектор последнего соединен с выходом ключевого элемента 18, вход которого соединен с вторым выводом резистора 4, а управляющий вход - с.вторым выводом резистора 17, Первый вывод резистора 17 10 15 20 подключен к выходу логического элемента 2 И-НЕ 16. Второй вывод резистора 5 соединен с базой транзистора 2, Ключевой элемент 18 реализован по известной схеме,Ключ работает следующим...

Усилитель с защитой от перегрузки

Загрузка...

Номер патента: 1778907

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Мачинский, Сидорович

МПК: H02H 7/20, H03F 3/04

Метки: защитой, перегрузки, усилитель

...шину питания21, выходную шину 22 и общую шину 23,Входная шина 20 соединена с одним55 выводом резистора 9 и с одним выводамрезистора 10, другой вывод которого с единен с базой транзистора 3, эмиттер которого подключен к общей шине 23, с которойтакже соединены одни выводы резисторов12, 13, 14 и эмиттеры транзисторов 5 и 6.30 35 50 Вывод резистора 17 соединзн с одним выводом резистора 10 и с базой транзистора 1, эмиттер которого подключен к шине питания 21, с которой также соединены одни выводы резисторов 15, 16, 17 и эмиттер транзистора 2, база которого соединена с другим выводом резистора 17 и с первым выводом конденсатора 8, второй вывод которого соединен с коллектором транзистора 1, и с другим выводом резистора 14, Коллектор транзистора...

Усилитель с защитой от перегрузки

Загрузка...

Номер патента: 1777230

Опубликовано: 23.11.1992

Автор: Сидорович

МПК: H03F 1/52

Метки: защитой, перегрузки, усилитель

...с защитой от перегрузки содержит входной и выходной каскады на транзисторах 1 и 2, пороговый элемент на 10 диоде 3, шунтирующий резистор 4, нагрузку на резисторе 5, базовый резистор 6, управляющий транзистор 7, диоды 8 - 10. резистор 11.Усилитель с защитой работает следую щим образом.При отсутствии управляющего сигнала на входе усилителя транзисторы 1,2,7 закрыты. При подаче положительного управляющего сигнала на вход усилителя 20 транзистор 7 открывается и на его эмиттере появляется положительный потенциал, который является закрывающим для диода 3, Затем открываются транзисторы 1,2 и на резисторе 5 появляется импульс напряже ния, который также является запрещающим для диода 3. При отсутствии короткого замыкания в нагрузке усилителя...

Транзисторный ключ с защитой от перегрузки

Загрузка...

Номер патента: 1774480

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Гойман, Марченко, Сидорович, Черников

МПК: H03K 17/08

Метки: защитой, ключ, перегрузки, транзисторный

...12 соединена с выходом одновибратора 13, вход которого соединен с выходом генератора 14 прямоугольных колебаний, запускающий вход которого соединен с базой транзистора 9 и источником управляющего сигнала+Еупр,Транзисторный ключ работает следующим образом.При подаче напряжения от источника управляющего сигнала+Еупр на вход ключа открывается транзистор 9, а генератор 14 вырабатывает прямоугольные импульсы, которые преобразуются одновибратором 13 в короткие импульсы низкого уровня, которые через резистор 12 подаются на базу транзи-, стора 2, с коллектора которого снимаются короткие импульсы высокого уровня. Во время включения транзистора 2 потенциал анода диода 11 становится положительным и напряжение между эмиттерсм транзистора 2 и катодом...

Транзисторный ключ с защитой от короткого замыкания

Загрузка...

Номер патента: 1767672

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Марченко, Сидорович, Черников

МПК: H02H 7/10, H02M 7/537

Метки: замыкания, защитой, ключ, короткого, транзисторный

...13 должно быть больше напряжения насыщения транзистора 1, но меньше определенного значения напряжения, соответствующего напряжению коллектор-эмиттер транзистора 1, находящегося в активном режиме работы, Опорное напряжение компаратора 14 должно быть больше определенного значения напряжения, соответствующего напряжению коллектор-эмиттер транзистора 1, находящегося в активном режиме, но меньше напряжения питания устройства, На первый вход элемента 2 И - НЕ подается сигнал компаратора 13, инвертированный элементом НЕ 15, а на второй вход - сигнал компаратора 14, В результате на выходе элемента 2 И - НЕ 16 появляется высокий уровень напряжения, который удерживает дополнительный транзистор 18 в закрытом состоянии,При поступлении...

Устройство для защиты электронного ключа

Загрузка...

Номер патента: 1767607

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Габрильчук, Сидорович

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, ключа, электронного

...стабилитрона 11 порогового элемента 10, выход которого соединен с вы ходом ключа 1 и первым выводом нагрузки14, второй вывод которой подключен к шине 15 питания.Устройство работает следующим образом, При отсутствии отпирающего сигнала 25 ключ 1 и ключевой элемент 4 заперты, нагрузка 14 отключена от источника 15 питания, ключевой элемент 18 также заперт, и на выходе компаратора напряжения 19 присутствует сигнал низкого уровня, напряжение 30 на ключе 1 и на включенном параллельно .ему пороговом элементе 10 равно напряжению питания, При этом через стабилитрон 11 протекает ток, создающий на резисторе 13 падение напряжения, Это напряжение 35 подается на базу транзистора 9 и удерживает его в открытом состоянии, Таким образом, транзистор 9...

Устройство для защиты переключающего транзистора от короткого замыкания в нагрузке

Загрузка...

Номер патента: 1742933

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Сидорович, Черников

МПК: H02H 7/10

Метки: замыкания, защиты, короткого, нагрузке, переключающего, транзистора

...5 устанавливается нулевой потенциал, потому что напряжение питания больше Ооп 1 и больше ООп 2. На перВЯ-триггера с инверсными входами 11 и к первому выводу резистора 13, а К-вход триг гера 11 подключен к первому выводу рези 174293320 25 30 35 В случае короткого замыкания в нагруз вый вход логического элемента 2 И-НЕ 8 подается сигнал компаратора 4, инвертированный логическим элементом 6, а на второй вход - сигнал компаратора 5, В результате на входе второго формирователя импульсов появляется сигнал, соответствующий переходу от низкого уровня к высокому,На выходе формирователя 10 коротких импульсов низкого уровня по срезу входного сигнала изменения сигнала не происходит, следовательно, на входах триггера 11 В и Я присутствует напряжение...

Гусеничная цепь

Загрузка...

Номер патента: 1729885

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Гаврись, Карпов, Климов, Лацько, Мисько, Павлович, Росоха, Сидорович, Шаповал

МПК: B62D 55/08

Метки: гусеничная, цепь

...на транспортное средство; на фиг.2 - звено гусеничной цепи в плане; на фиг, 3 - звено верхней части гусеничной цепи, разрез; на фиг. 4-звено нижней части гусеничной цепи, не опирающейся на поверхность грунта, разрез; на фиг. 5 - то же, но опирающуюся на поверхность грунта; на фиг. 6 - вид А по фиг. 1; на фиг. 7 - часть гусеничной цепи, аксонометрия.Гусеничные цепи 1 устанавливаются на транспортное средство(фиг. 1) и могут перемещаться с помощью вращения ведущей 2 и ведомой 2 а звездочек и опираются на опорные катки 3, которые закреплены на корпусе 4 транспортного средства. Гусеничные цепи 1 собраны из шарнирно соединен-, ных звеньев 5.Каждое звено 5 (фиг. 2) состоит из основания 6, в котором шарнирно на болтах 7 установлены уширители 8....

Способ изготовления керамического кирпича из углеотходов

Загрузка...

Номер патента: 1712339

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Карпинская, Лазорик, Мороз, Павлюк, Сидорович, Хрундже

МПК: C04B 33/02

Метки: керамического, кирпича, углеотходов

...ФРГ М 2851412, кл.С 04 В 33/32, этом полученный горючий газ используется опублик. 1980.,для сушки углеотходов и обжига кирпича, а (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕ- сушка кирпича осуществляется отходящими СКОГО КИРПИЧА ИЗ УГЛЕОТХОДОВ .от обжига газами. Физико-механическйесвойства кирпича следующие: водопоглоще- (57) Изобретение относится к производству . ние 11-14 О/, предел прочности при сжатии лицевогокерамического кирпича изотходов13,6-15,7 МПа, при изгибе 2,7-4,1 МПа, углеобогащения. С целью изготовления ли-,. усадка 7,0-8,1 О/ лицевая поверхность кир- . цевого кирпича из отходов углеобогащения пича без пятен и посечек, 1 з.п, ф-лы, 2 табл,. Полукокс ссодержанием углерода 8 - 9 % Углеотходы с содержанием углерода 15- 40% при...

Устройство для регистрации динамических процессов

Загрузка...

Номер патента: 1702358

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Васильев, Сидорович, Ярош

МПК: G06F 3/153

Метки: динамических, процессов, регистрации

...где: 1 - импульс, поступающий с выхода формирователя 1 на вход сигнала запуска формирователя 2; 2 - импульс на выходе триггера 24; 3 - импульс на выходе триггера 25; 4 - импульсы на входе счетчика 29; 5 - импульсы запу ка с выхода счетчика 29; б - импульсы напрягкения коммутации с выхода счетчика 29; 7 - сигнал переполнения, поступающий на вход астанова; 8 - импульс на выходе дифференцирующей цепи 23.Формирователь управляющих импульсов работает следующим образом.При поступлении импульса на вход сиг-нала запуска счетчик 29 устанавливается внулевое состояние, а на первых выходах триггеров 24 и 25 устанавливается уровень "1", На втором выходе триггера 24 устанавливается уровень "О", который поступает на выход формирователя 2. В...

Связка для изготовления вакуумплотной керамики методом шликерного литья

Загрузка...

Номер патента: 1694546

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Блинова, Гурьева, Кийко, Садовый, Сидорович, Цыганский

МПК: C04B 35/632

Метки: вакуумплотной, керамики, литья, методом, связка, шликерного

...прочность, что в конечном счете снижает величива дефектность и упродукции,Связку и шликер на е следующим образом.Каучук измельчают но ми на куски размером 15 жают в полиэтиленовый и барабан, Затем заливают бензина, гексана и октана в течение 24 ч до полного чука. Полноту растворени ляют визуально по отсут осадка. После этого связку сито М 70, добавляют диб рошок глинозема, Порошо ки ГЛМК по ТУ 48-5-200-7 измельчают до дисперсно прокаливают при 900 С,основе готовя лучшека хра- ГОДНОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) АвторскоеМ 1085960, кл. жом или ножница 20 х 20 мм, загрули алюминиевый смесью ацетона, и перемешивают растворения кауя каучука опредествию сгустков ифильтруют через утилфталат и пок...

Устройство для защиты электронного ключа

Загрузка...

Номер патента: 1690071

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Мачинский, Сидорович

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, ключа, электронного

...21101520 253035404550 55 состоянии, на обоих входах элемента И-НЕ 22 присутствует высокий уровень напряжения, на выходе элемента И-НЕ 22 появляется низкий уровень напряжения, соответственно на выходе элемента И-НЕ 21 появляется высокий укровень напряжения, которым отпирается транзистор 18 и запирается транзистор 19, Ключевой элемент 4 открывается транзистором 18 и подключает нагрузку 14 через токоограничительный резистор 3 к отрицательному зажиму источника 15 питания, Напряжение на ключе 1 и пороговом элементе 10 при этом уменьшается и его величина определяется величиной сопротивления нагрузки 14 и ограничивающего резистора 3, Если величина сопротивления нагрузки 14 больше допустимой, то напряжение на выходе порогового элемента 10...

Устройство для промежуточной разгрузки грузов с ленточного конвейера

Загрузка...

Номер патента: 1684190

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Коржов, Мандрукевич, Сидорович, Шкулин

МПК: B65G 47/34

Метки: грузов, конвейера, ленточного, промежуточной, разгрузки

...2 и 3расположены опорные направляющие 18 и19 в виде сплошного желобчатого настила,сечение каждого из них повторяет сечениепазов 15 на шкивах 2 и 3. Направляющие 18и 19 выполнены в горизонтальной плоскости поэтажно на одном уровне с пазами 15,являясь как бы их продолжением,Нижняя направляющая 19 снабжена повсей длине Е-образной отбортовкпй 20, выполненной вниз, а каждый элемент 5 имеет5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 боковой сквозной вырез 21 для захода внего горизонтальной части отбортовки 20.Таким образом, чтобы увеличить жесткость ряда элементов 5(фиг.З) в зоне контакта их с лентой конвейера 1, этот рядопирается сверху в направляющую 19, асбоку - в отбортовку 20, образуя сплошнуювертикальную стенку, служащую подвижным плужком для...

Универсальный пуансон для пробивки-вырубки

Загрузка...

Номер патента: 1682014

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Косяков, Сидорович, Цитлик, Шлосберг

МПК: B21D 28/14, B21D 37/00

Метки: пробивки-вырубки, пуансон, универсальный

...1 ВО ндправлл)о 511)при перемещении гд-.):, Б)садяи э (дспс;ложены между цилиндрическими пгв;р:;)оСтяМИ 9 ГаЕК 4 И СЭКЦИЛМИ1(ЯХг:ЭЬ)6ВКЛЯДЫШ Э БЫПОЛ 1(:и С ВЫ)О 1(3 Г 1;Гьг) И)С,Г)111:ческой повеРхност.-гк: 1 1 зтсй н)БВРХ.шСТЬЮ СОП РИ КЯСЯ 8 ТЭЛ С 1 ОВВЭХНОС 1 Ь)С:.1соответствуОщей -Яйкх 4,1)11);кегпс э ",:;:ЦИй 2 фИКСИОуЕтСЛ,ПС 11 Ь 34 И Вг)гТа),)г 1 Э,Пуансон нагтр; Ива 01 СГ 8 Вв с 3,31 гэ -гг 11 Язом.ОСЛабЛЛЮт ВИ)- Гь .)1 ПЕ 1 (рч. г С грез щлиц на свобо(н 111 тг 1) 38 1)егчГи о )эчНОГО ВИНТЯ сэ Б". с) и;Я )С г Г 1 Згс.18 Д Ийпвремещают вдоль +его 1;йку 1, Г 11 И зэсВКЛаДЫШ 5 ПЕРЕМ 8.ЦД:.:ГОЛ О .,:,сг,ДР 18СКОЙ ПОВЕРХНОстИ Ю Гс)1)К 4 1 Я С(1 ЗТГ)Е )СГБУЮ.щая СЕКцИя 2 ПОВОрац)г БЯЕтСя НЯ ТрЕбуЕМЫйугол. Затем положени 1 Ятей Г екьни...

Устройство для резки сырца ячеистого бетона

Загрузка...

Номер патента: 1678626

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Проскалович, Сидорович, Соболевский

МПК: B28B 11/14

Метки: бетона, резки, сырца, ячеистого

...10, а другим - со струной 2 непосредственно или посредством тяги 12. На участках струны или тяги, находящихся в стакане, имеется упор 13, контактирующий с выступами 14 в стаканах,Установка работает следующим образом,Н а исходной позиции перед резкой нахомассив 15 на поддоне или поддон-ваке 16, на которой перед установкой в и заливкой ячеистобетонной смеси овлена рама 1 со струнами 2, отклоняи блоками 3, натяжными механизмами иводом 5 продольного перемещенияструн. Затем на стол с массивом сырца накатывается портал 6, опускается траверса 8, связи 9 соединяются с рамой 1, включается привод 7 и начинается подъем рамы 1. При этом струны 2 начинают испытывать сопро тивление массива 15 перемещению, натяжение их возрастает, они начинают...

Устройство для разделения потока банок на несколько потоков

Загрузка...

Номер патента: 1668251

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Власенко, Коржов, Никулина, Сидорович, Шкулин

МПК: B65G 47/71

Метки: банок, потока, потоков, разделения

...3 в ряд с шагом т, немногимпревышающим максимальную длину банки9, с наклоном в направлении каналов 7 и 8,В данном случае они выполнены подуглом 20-30 (угол ф на фиг. 2) относитель 10 но продольной оси конвейера 3 в направлении транспортирования, Банки 9 поступаютс конвейера 2 на конвейер 3 по склизу 17,установленному на одном уровне с рабочимполотном конвейера 2, закрепленному на15 плужке 4. Сориентированные банки 9 выводятся иэ устройства по наклонным лоткамканалов 7 и 8. Последние выполнены из листовой полированной стали для созданияблагоприятных условий скольжения при пе 20 реходе с одного конвейера на другой, Плужки 4 и 5 и ограждения б также выполнены иэполированных полос для наилучшего скольжения.Устройство работает...

Штамм гибридных культивируемых клеток животных mus. мusсulus l. продуцент моноклональных антител к гликопротеину е v 3 вируса клещевого энцефалита

Загрузка...

Номер патента: 1666531

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Атанадзе, Красильников, Николаева, Новиков, Рубин, Сидорович

МПК: C12N 5/00, C12P 21/08

Метки: антител, вируса, гибридных, гликопротеину, животных, клеток, клещевого, культивируемых, мusсulus, моноклональных, продуцент, штамм, энцефалита

...ГАТ на обычнуюсреду следующего состава: средаКРМ 1-1640 с 15 фетальной телячьейсьворотки и 2 мМ 1-глютамина. Дляисключения возможности бактериально-.го пророста в среду добавляют гентамицин в дозе 50 мкг/мп.Гибридома по типу роста являетсясуспензионной культурой и растет ввиде гроздей из 10-30 клеток и в виде единичных клеток, Характер ростаменяется в зависимости от качестваиспользуемого пластика или стекла.Пересев культуры осуществляют путемзнергичного встряхивания культурального сосуда или смьвом клеток скультуральной поверхности средой поддавлением из шприца в случае ростакультуры в виде монослоя. Морфологияклеток предлагаемого штамма .-клеткинеоднородны по форме и размерам,но преимущественно имеют округлуюФорму и неровные...

Способ контроля поверхностей оптических деталей

Загрузка...

Номер патента: 1661567

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Васильев, Венедиктов, Духопел, Лещев, Сидорович

МПК: G01B 9/00

Метки: оптических, поверхностей

...В 3 и В 2, огстоящие от объектива на расстоянияБ и 1соответственно, и в масштабах, относящихся, какБ/Е . В остальном действие способа такое же. как и для осесимметричных поверхностей,В ряде случаев, например в случае использования лазера невысокой временной когерентности, удобнее оказывается использоват для формирования опорной волны отдельное вспомогательное устройство (не показано), Это устройство може быть выполнено в виде обычного плоского зеркала. В этом случае все излучение, пришедшее от точечного источника на объектив, может быть использовано для формирования обьектной волны. Устройство для реализации способа содержит зеркальный объектив 9, не исправленный на аберрации, плоские зеркала 10-12, полупрозрачные зеркала 13 и...

Загрузочное устройство агломерационной шихты

Загрузка...

Номер патента: 1661554

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Ворошилов, Голубов, Голышев, Дябин, Кудояров, Прохоров, Сараев, Сидорович, Чигинцев

МПК: F27B 21/10

Метки: агломерационной, загрузочное, шихты

...регулирования соотношения этих слоев, Верхняя часть, состоящая иэ более крупных частиц с пониженным содержанием твердого топлива, 50 гаемый за счет оптимизации теплообмена вслое, не достигается.При установке валика-делителя 6 с выступом выше плоскости наклонного лотка 7 на величину более 0,5 диаметра барабана 5 большая часть шихты выходит в зазор 8 и укладка также становится однослойной.Рациональная величина зазора 8 междуваликом-делителем 6 и приводным барабаном 5 находится в пределах 0,03-0,15 длины лотка. При уменьшении или наоборот увели 5 10 15 20 25 30 35 40 загружается в основание спекаемого слоя 10, высоту которого регламентирует направляющий лоток 7. Нижнюю часть потока шихты, состоящую преимущественно из мелких частиц с...