Вейко — Автор (original) (raw)
Вейко
Способ локального лазерного нанесения пленки
Номер патента: 1824456
Опубликовано: 30.06.1993
Авторы: Вейко, Кайданов, Ковачки, Шахно
МПК: C23C 14/04
Метки: лазерного, локального, нанесения, пленки
...также использование для реализации предлагаемого способа проекционной опт 1 еской системы для формирования топологии наносимых пленок проекционным или контурно-проекционным методом,При использовании предлагаемого способа после перенесения материала донорной пленки с донорной подложки на анцепторную подложку в конце импульса излучения уменьшается плотность потока лазерного излучения, достигающего пленки, вследствие рассеяния излучения на освободившейся от донорной пленки шероховатой поверхности донорной подложки, Результаты проведенных оптических измерений мощности излучения, проходящего через донорную подложку с шероховатой поверхностью(йд = 3 мкм), ц и мо;.1 ности излучения, проходящего через донорную подложку с полированной...
Способ изготовления оптической детали из пористого стекла
Номер патента: 1682337
Опубликовано: 07.10.1991
Авторы: Вейко, Костюк, Роскова, Цехомская, Яковлев
МПК: C03C 23/00
Метки: детали, оптической, пористого, стекла
...относительным объемом п о р д = 0,3 см/см и радиусом пор г = 30 А отжигают при 650 С в течение 2 ч. После охлаждения до комнатной температуры их пропитывают изопропиловым спир . том с поверхностным натяжением при20 С ) = 22,75 10 кг/см) в течение 6 ч.После чего заготовку шлифуют и полируют со все; сторон соответствующими водными абразивными суспензиями. Далее тщатель но промывают бензином, высушивают на воздухе, промывают в воде и сушат вновь сначала на воздухе (в течение 1 сут,), а затем при температуре 550 С в течение 2 ч, В результате годными оказались 9 пластин, 50П р и м е р 2. 10 заготовок из пористого стекла с относительным объемом пор д = 0,45 см /м и радиусом пор г= 70 Аз зотжигают при 600 С в течение 2 ч. После охлаждения до...
Растровый спектрометр
Номер патента: 1636695
Опубликовано: 23.03.1991
Авторы: Вейко, Маркин, Соболев, Тарасов, Тарасова, Шакола
МПК: G01J 3/12
Метки: растровый, спектрометр
...растровой диафрагмы 2 с 40выходной растровой диафрагмой 6. Смещение изображения входной растровой диафрагмы 2 в процессе сканирования приводитк возникновению сигнала, пропорционального величине побочных максимумов аппаратной функции кода, который может бытьпринят за полезный сигнал, При регистрации исследуемого спектрального диапазона ЬА наличие побочных максимумов ваппаратной функции кода растра неизбежно 50создает погрешности в изменении интенсивности спектра, которые могут достигать,например, при использовании диафрагмы с53 элементами20%.Спектральный диапазон ЬЛ фильтра 1 связан с последовательностью расположения прозрачных и непрозрачных элементов в верхней строке входной и выходной растровой диафрагмы и определяется из усло-...
Способ варки оптического стекла в горшковой печи
Номер патента: 1636352
Опубликовано: 23.03.1991
Авторы: Ануфриева, Бондаренко, Вейко, Костюк, Никифоров, Яковлев
МПК: C03B 5/06
Метки: варки, горшковой, оптического, печи, стекла
...10 ЭВт),при этом получают стекло высокого качества;б) в качестве монохроматическогоисточника излучения кинопроекционныелампы типа КГМ 12-100 с монохроматическим Фильтром на я0,63 мкм иконденсором со световым диаметром35Й10 10 м; расположенным на расстоянии 3 Ъ 150 10 Эм от источникаизлучения, при этом система обеспечивает плотность мощности излучения на3поверхности шихты менее 10 , т.е.Е = --- 35 Вт/м28где 3 - коэффициент пропускания оптической системы, формирующей зону облучения на поверхности шихты ( ) - 0,8), Б= й Й - площадь зоны облучения на по 20. верхности шихты; .Йо110 м;ЭР =.О й 0,14 Вт = коэф 3 ТЯ 41 цыц ф55фищентхарактеризующий пропускание монохроматического фильтра( /35 10 Р) Р - мощность кинопроекционнойлампы, Вт,При этом...
Способ лазерной обработки материалов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1635017
Опубликовано: 15.03.1991
Авторы: Вейко, Костюк, Чуйко, Яковлев
МПК: B23K 26/04, G01J 5/00
Метки: лазерной
...Сканирование зоны обработки в процессе обработки осуществляется покачиванием селективного зеркала 8 с частотой з. приводящим к перемещению сфокусированного пучка видимого диапазона спектра со скоростью Чз = Из относительно неподвижной диафрагмы 11. Излучение, прошедшее через диафрагму при сканировании зоны обработки, регистрируется фотоприемником, выход которого соединен с осциллографом. На экране осциллографа наблюдают картину усредненного по времени обработки распределения интенсивности ИК-излучения в зоне обработки,Усредненое по времени обработки распределение интенсивности видимого излучения в зоне обработки полностью идентично распределению интенсивности ИК-излучения, так как и то, и другое распределение формируются эа счет...
Способ флуоресцентной детекции иммобилизованных нуклеиновых кислот
Номер патента: 1613493
Опубликовано: 15.12.1990
Авторы: Вейко, Карпухин, Потапов, Спитковский
МПК: C12Q 1/68
Метки: детекции, иммобилизованных, кислот, нуклеиновых, флуоресцентной
...метилумб цтиферона (Я о. в= - 360 цм; Ъ з,ииссии = 450 нм) и Флуоресцеица (Ъ вом 490 цм; / миссии = - 510 цм) . Зависимости интенсивности Флуоресценции от количества ДНК ца Фильтре показывают близкие значения при определении ДИК с разцымц метка - ми в одном пятне и цацесецными по отдельности. Интенсивность Флуоресцецции Флуоресцеица для гидразцдной ДНК ц 4-метилумбеллиферона для биотинировацной ДНК соответствует Фоновым значениям и це зависит от концентрации модифицированной ДИК. Сле - довдтельцо, отсутствуют перекрестное взаимодействие и Факторы, препятствующие детекши ра гличных меток в одном пятне. Чувствительность способа позволяет определять до 0,1 пг меченной ЛНК.П р и м е р 2. Количественное определение двух различных...
Регулятор расхода газообразных сред
Номер патента: 1605933
Опубликовано: 07.11.1990
Авторы: Вейко, Эркки
МПК: F24F 11/04
Метки: газообразных, расхода, регулятор, сред
...1, на оси 4 поворота по обе стороны от нее и выполненный с воэможностьюпостепенного поворота поперек потока при увеличении перепада давления для поддержания объемного расхода на заданном уровне.Регулирукпций элемент 2 выполнен в виде изогнутой пластины с кривизной по обе стороны от оси 4 поворота, причем при повороте регулирующего элемента 2 поперек потока в заданном диапазоне регулирования по крайней мере часть его изогнутой поверхности за осью поворота по ходу движения потока остается в тени обтекаемой поверхности.Кривизна регулирующего элемента 2 может быть образована ломаными плоскостями, стыкующимися под тупым углом.Регулятор расхода газообразных сред работает следующим образом,Газообразная среда проходит по каналу 3,...
Способ биотинирования нуклеиновых кислот
Номер патента: 1443404
Опубликовано: 23.09.1990
Авторы: Вейко, Карпухин, Салимов, Спитковский
МПК: C12N 15/00
Метки: биотинирования, кислот, нуклеиновых
...40 мл во 11 ы, Далее все операции с гэидами проводят в затемненной комнате, Лосле 30 минреакции прн комнатной температуре осадок отделяют, Перекристаллиэонываеот из воды. Выход очищенной 4-аэидо-нитробензойной кислоты состав 55 ляет 65 Ж. 20 ммоль 4-аэ 11 до-нитробензойной кислоты растворл 1 от в 25 мл диоксана, прибавляют по 20 ммоль Б-оксисукцинимида и дициклогексилкарбодиимида, Реакционную смесь выдер" . жнааЕот.20 ч при 20 С и сильном встря" хивании. Выпавший осадок отфильтро" вывают и промывают диоксаном. фильтрат уаривают при пониженном давлеииие Полученный Б ОксиДукцинимидный эфир 4-аэидо"нитробензойной кислоты используют в дальнейшем беэ предварительной очистки.К 2 ммоль 1,7-диаминогептана в 3 мл диокеана добавляют по каплям...
Способ детекции нуклеиновых кислот
Номер патента: 1538126
Опубликовано: 23.01.1990
Авторы: Вейко, Карпухин, Спитковский
МПК: G01N 33/58
Метки: детекции, кислот, нуклеиновых
...гибридизации нитроцел"люлоэный фильтр с образцами ДНК, гомологичной меченой, нанесенной в ко;личестве 1-20 пг, и негомологичнойДНК (25 пг) обрабатывают буферомБ (0,6 М ЯаС 1, 0,002 мг/мл поливинилпнроллидон, 007 М натрий-фосфатныйбуфер, рН 7,5, 10 мкг/мл РНК,50% формамид) в течение 1 ч при 37 С. Далеепроводят гибридизацию в буфере Б,содержащем ДНК, меченую . гидразидом (пример 1 А) (100 нг/мн) при37 С в течение 16 ч, Далее фильтр отмывают буфером В (0,07 М натрий-фосФат, 0,1 М НаС 1, 0,5% додецилсульфат натрия, рН 7,5) при комнатнойтемпературе 3 раза по 10 мин и буфером В, содержащим МаС 1 в концентрации 0,05 М при 48 С в течение 1 ч,Затем фильтры выдерживают в буфереА, содержащем 0,1 М аС 1, в течение30 мин и обрабатывают ферментом,...
Устройство для уравновешивания крутящего момента в регуляторах расхода газов
Номер патента: 1533627
Опубликовано: 30.12.1989
Авторы: Вейко, Эркки
МПК: F24F 11/047
Метки: газов, крутящего, момента, расхода, регуляторах, уравновешивания
...слегка изогнутые пластины. Рабочий "ияпазон устройства 1 регулируется путе т изменения регулирук, - щим элементом 3 эффективного прохода между кожухом 2 и регулирующим элементом 3, а также путем перемещения груза 6 на несущем элементе 5.Несущий элементможет иметь шкалу положения груза 6 (не показана), по которой регулируется противодейств 1 ющий крутящий момент. На кор - цусе 9 и несущем элементе 5 выполнена шкала 2, по которой определяют положение несущего элемента 5 во время работы лстройства 1, Средством отст етя ня шкале 7 несущего элемента является шарик, перемещающийся цо окружности ь желобке 2 на внутренней стороне корпуса 9.Устройство 1 может быть установлено на трубопрсводе 13 при любом го направлении, я корпус 9 может быть...
Способ определения энергетического порога разрушения твердого материала
Номер патента: 1523956
Опубликовано: 23.11.1989
Авторы: Вейко, Дрейден, Островский, Семенова
МПК: G01N 3/30
Метки: порога, разрушения, твердого, энергетического
...за счеттеплового расширения поверхности,либо за счет ее взрывного испарения.Интенсивность этой ударной волны регистрируют либо при помощи пьезодатчика, помещенного на ее пути, либо вЗ на голографической интерферограмме.Плотность потока энергии излучения лазера изменяют либо путем изменения энергии накачки лазера, либо путемустановки фильтров на пути пучка.1523956 в О раз. Кроме того, способ позволяет исследовать порог разрушенияобразцов любой толщины, что невозможно было сделать при использованииизвестного способа, поскольку позволяет исследовать материалы безих предварительного напыления на пьезокристалл. Составитель О.БулькановТехред 6.Кравчук Корректор М.Пожо Редактор Н.БобковаТираж 789 Заказ 7035/5 Подписное ВНИИПИ...
Устройство для обработки деревьев
Номер патента: 1448994
Опубликовано: 30.12.1988
Автор: Вейко
МПК: A01G 23/08, B27L 1/00
Метки: деревьев
...И.Касарда аказ 6856/58 Тираж 661 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к лесной и деревообрабатывакщей промышленности и может быть использовано как подающее устройство при обрабоке деревьев.Цель .изобретения - повышение качества обработки.На чертеже схематически изображено устройство, вид сбоку.Сучкореэный блок 1 установлен накронштейне 2 корпуса 3в качествекоторого может быть использовано шасси какой-либо рабочей машины, например, лесозаготовительной, Сучкорезный блок 1 имеет опору 4, к которой прикреплен с возможностью регулировки обрабатывакщий дерево...
Способ гидролиза целлюлозосодержащих материалов
Номер патента: 1410867
Опубликовано: 15.07.1988
Авторы: Антти, Вейко
МПК: C08B 1/02, C08B 37/00
Метки: гидролиза, целлюлозосодержащих
...гидролиэуют в соответствии с примером 1 путем рециркуляции массы выгруженного непрореаги ровавшего остатка. Выход глюкозы увеличивается при увеличении коэффициента рециркуляции. Параметры для получения максимального выхода глюкозы приведены в табл.1, 45 П р и м е р 5. Предварительногидролизованные опилки древесины По отношению к целлюлозе, содержащейся в исходном материале.П р и м е р 3. Древесные опилки хвойных пород древесины гидролизуют в трубчатом реакторе по примеру 1. Реакционную смесь выгружают через 5 мин при непрерывной продувке. Остаток подвергают аналогичной обработке (5 мин гидролиза и продувка). Операцию повторяют для каждого нового остатка. После каждого цикла определяют размер частиц. Установлено, что средний размер...
Способ определения фокусного расстояния оптической системы
Номер патента: 1348693
Опубликовано: 30.10.1987
Авторы: Вейко, Костюк, Филиппов, Чуйко, Яковлев
МПК: G01M 11/00
Метки: оптической, расстояния, системы, фокусного
...С 31 Л)Ы В ИЯОСкс)сти измерения, т.с к ошибке в 01 редел(.ии фокусного рдеетяния 3(с(33 тус л(0 итемы.(, ь)ря,к 1 1рд че ИЕался0 Ф е 1. 1( . сПЕре МС це НцеФОКЕ Сц(Сск т;3 я(/. рдсстояцие исцы 3 ее чцй- -1,74+. ),1):) е. У 1 С Г ,151 Е 1 Я Е,Е,МК)ЦЕ Иее ЧЬ УЕКЗ Вц ГО рзспц,н)же тельнц опор ИО; рСцрЕ,(С,ЕЕИ Ир,Ци е ИЕчи 1;е.ОЖЕЕ 3(еЧ И1 ЕЕЧ;Я ОН13 0,13 33 Ж Н(3 Н(1 В,И Н(С ЦИЕ Р(1,УС;1РЕЦИ 13.3 С КЦй цитц 13( Скц"3330 и 1, ц 5 ка во в 1 цр 3 В( 1) кдк лля пучка, црецбой, тдк и лля матрицы пр- ы, т.е. Оцтичеснстечы, ИЕи( Л,) Н,ОСКЦ 1 И 1 ЕРС) (1 От ие 333,е меТОЧ 0 ТЬ Оц)С.Е(.,и.НИ 51 фцКЧОГО р(е- стояния пц прелла зс мочу способу вынн, чеч по известному, п(н кольку. вц-цернык расстояние (1выбирается гора (лц большим рзссгця иЯ (11 т (...
Способ определения показателя преломления объекта из оптически прозрачного материала
Номер патента: 1345099
Опубликовано: 15.10.1987
Авторы: Вейко, Костюк, Яковлев
МПК: G01N 21/41
Метки: объекта, оптически, показателя, преломления, прозрачного
...стекла с пористостью я =и и фД 2 - продольное смещение изображения, формируемого объективом, м;толщина пластины из пористого высококремнеземногостекла в области определегде ния, м;и - показатель преломленияпластины в области, равнойразмеру маски,Далее маску перемещают по всей поверхности пластины с шагом р ( Й, Области, где изображение элементов рисунка остается резким и неискаженным, а величина смещения - одинаковой,определяют как области одинаковые и однородные по показателю преломления,= 0,2 - 0,65 и толщиной С = 1,0 -- 2,0 мм при маске с размером й = 0,2 - 2,0 мм и размером элемента рисунка Ъ = 50-200 мкм продольное смещение изображения а 1 будет изменяться в пределах 0,12 - 0,4 мм, а показатель преломления и - в пределах 1,15 -...
Оптический локатор
Номер патента: 1251007
Опубликовано: 15.08.1986
Авторы: Вейко, Осадчий, Разумовская, Разумовский, Сербин, Слободянюк
МПК: G01W 1/00
Метки: локатор, оптический
...В.Кадар Корректор Л. Пилипенко Редактор Л. Пчелинская Заказ 4406742 Тираж 728 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г Ужгород, ул, Проектная,4 На чертеже приведена структурная схема оптического локатораУстройство содержит источник 1 излучения, модулятор 2 с секторным диском 3, плоское зеркало 4, объектив 5, фотоприемники 6 и 7 и регистратор 8.Устройство работает следующим образом.Излучение от источника 1 излучения поочередно отражается в сторону водной поверхности 9 либо секторным. диском 3 модулятора 2, либо плоским зеркалом 4, Отраженное от водной поверхности 9 излучение собирается зеркальным объективом 5 и...
Способ изготовления микролинзового упорядочного растра
Номер патента: 1108382
Опубликовано: 15.08.1984
Авторы: Вейко, Дульнев, Костюк, Мешковский, Чуйко, Яковлев
МПК: G03B 21/06
Метки: микролинзового, растра, упорядочного
...изменением: длительности воздействия 1; ; размера сформированной зоны воздействия закоф 30 на распределения плотности мощности потока излучения. Минимальный размер микролинзы,которую можно изготовить по данному способу, определяется расходимостью луча лазера 1 и оптическимихарактеристиками объектива 5 и состав-.ляет величину - 50 мкм,Микролинзу микролинзового упорядоченного растра Формируют локальным термическим воздействием на поверхность заготовки из пористого оптического материала до температуры размягчения, при которой происходит .уплотнение заготовки, т.е. смыкание пор и, следовательно, усадка материала, сопровождающаяся изменением показателя преломнения в пределах зоны воздействия сформированного луча лазера, имеющего длину...
Способ определения энергетического порога разрушения материала под действием концентрированного потока энергии
Номер патента: 635414
Опубликовано: 30.11.1978
Авторы: Банков, Вейко, Либенсон, Юркевич
МПК: G01N 25/12
Метки: действием, концентрированного, порога, потока, разрушения, энергетического, энергии
...тэлшцце) прц л 100 ых Вариантах ряспдлд)кения испытуемого ьматерНала иа квашезэй лластгипе ц гпооэй форме цс:ытуемо;о мдтсрцдлд, который мджеГ оыть нанесен 1,ак В ф)ръг п.1 епки, тдк ц в Вце Ооъгмпой частицы. При воздейсязцц на чОпытуемый материал козцентрировалното потока -НРрпт 1 и и 1) и экстр и альп Ом , зели 1 е 1 1 пгООсти потока энергии, испытуемьш;материал з оиргделеичый момент зрезтени 2)чпндет разршдться, чтд сс;рдзсжлдгтся его структурнымп пзмгнецгя)и и цзмгепия)и гго массы, Прц сгр ктургньх изменениях гмсняются упрупце сзойсввд,)атевиалд, в результате ето изменястся )ОДУ,1 Ц УПРУГОСТИ МЕХЯНИССКО 1 ГКОЛЕО 2- тельг 10 Ссе з цело)1 которая дбр 1 эояапа пьезоэгсктрически) Гдораторо) и гнапсссцным па его поверхность...
Способ получения рельефных микрорисунков
Номер патента: 309664
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Вейко, Грамм, Коган, Либенсон
Метки: микрорисунков, рельефных
...находящийся под фоторезистом. х миктивномоптическом зистивСпособ получецця ре ков, заключающийся в 20 ровании фоторезиста и квантового генератора,ванин облученцых участ отличающийся тем щения операций экспон 25 цпя, под фоторезист ца риала, оптически не пр ния оптического квантов ну волны излучения вы зрачности фоторезиста.льефных мцкселективномзлучением опттермическомков резистивночто, с целыирования ц заносят подслойозрачного дляого генераторбирают в обла рорисуц- экспонического задублиго слоя, о совме- дубливаз мате- излучести п оИзобретение относится к электронной технике. Способ может в частности, найти широкое применение в технологии производства полупроводниковых и тонкопленочных интегральных схем.Известен способ получения...
Способ выполнения отверстий
Номер патента: 213517
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Вейко, Либенсон, Цельный
МПК: C23C 14/46, C23C 26/00
Метки: выполнения, отверстий
...способ позволяет получать металлизированные микроотверстия. Он отличается от известного тем, что осуществляют одновременную прошивку отверстий в обрабатываемом изделии и металлической пластине, расположенной со стороны выхода луча из подготавливаемого отверстия детали.Прошивку отверстия осуществляют при помощи сфокусированного излучения оптического квантового генератора. Энергия импульса оптического квантового генератора выбирается достаточной для прошивки отверстия в детали, а также плавления и испарения материала пластины под отверстием. Количество металла, осевшего на стенки отверстия, регулируется путем изменения энергии и мощности импульса излучения или путем применения нескольких импульсов. Увеличения толщины покрытия...