С помощью ионного луча, получаемого от внешнего ионного источника — C23C 14/46 — МПК (original) (raw)

П плтгмтно.: -, i iliijj ii ” г-. х; ичв: дя iв. м. голянов

Номер патента: 179573

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: C23C 14/46

...д клапан 9 служит для тои кой регулировки давления и поддержания егона одном уровне, то есть для поддержания постоянной силы разрядного тока в течение всего процесса распыления. Упрдвляот клапаном 9 снаружи при помощи экрана 10. Кро ме того, через клдпзц 9 подводят высокое от 179573рицательное напряжение к катоду 1, Подвижный катод 2 перемещается при помощи четырех ручек 11 в двух взаимно перпендикулярных направлениях па величину 4 мм. Это дает возможность, не нарушая вакуума и без 5остановки процесса распыления, получать бесструктурные многослойные пленки путем замены вещества на катоде по отношению к светящемуся шнуру газового разряда. Наблюдают за центрированием и перемещением катода через окно 12. Одно из отверстий 4 анода 3 можно...

Способ выполнения отверстий

Номер патента: 213517

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Вейко, Либенсон, Цельный

МПК: C23C 14/46, C23C 26/00

Метки: выполнения, отверстий

...способ позволяет получать металлизированные микроотверстия. Он отличается от известного тем, что осуществляют одновременную прошивку отверстий в обрабатываемом изделии и металлической пластине, расположенной со стороны выхода луча из подготавливаемого отверстия детали.Прошивку отверстия осуществляют при помощи сфокусированного излучения оптического квантового генератора. Энергия импульса оптического квантового генератора выбирается достаточной для прошивки отверстия в детали, а также плавления и испарения материала пластины под отверстием. Количество металла, осевшего на стенки отверстия, регулируется путем изменения энергии и мощности импульса излучения или путем применения нескольких импульсов. Увеличения толщины покрытия...

403202

Номер патента: 403202

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C23C 14/46

Метки: 403202

...мишени 6. Каждая разрядная камера содержит электродную систему по Фппкельштейну, катод 2, анод 3 н антпкятод 16. Магнитная катушка 10 с железным ярмом 17 состоит из двух частей с раздельным токоподводом. Нижняя секция катушки 10 служит для управления разрядом3в области эмиссионных отверстий. Система электродов для отсасывания носителей зарядов является отдельным регулируемым блоком с антикатодом, изолирующим цилиндром 18, управляющим электродом 4, отсасывающим электродом 5, защитным электродом 19 и дистанционным кольцом 20. Эта система навинчивается на двойной цилиндр 8. Антикатод 16, отсасывающий электрод 5 и управляющий электрод 4 имеют по четыре ситообразных насадки 11, легко поддающиеся смене.Устройство работает следующим...

Способ вакуумного нанесения тонких пленок

Номер патента: 1708919

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Закутаев, Исаков, Ремнев

МПК: C23C 14/46

Метки: вакуумного, нанесения, пленок, тонких

..., тонких пленок, При этом подложку можно размещать на небольшом расстоянии от мишени, что в свою очередь сокращает время осаждения и увеличивает скорость осаждения пленки. Нижний пре" дел плотности мо 4 ности пучка определяется как необходимый для испарения 35 мишени на глубину пробега ионов, ниже которого снижается эффективность плаз" мообразования, и соответственйо качество пленок.Для того, цтобы уменьшить потери энергии за счет теплопроводности необходимо, цтобы длина пробега ионов 1 е,была больше или сравнима с расстоянием, на которое распространяется тепловая волна за время действия импульса йц, так как:ф1 о г (ф("Й) (1) 19,"ЪП р и м е р. Для распыления использовали мишени из кадмия и меди..В таблице приведены рассчитанные...

Устройство для ионно-лучевой обработки деталей

Номер патента: 1758086

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Даныш, Лобанов, Обухов

МПК: C23C 14/46

Метки: ионно-лучевой

...5, а при использовании установки для нанесения на обрабатываемую поверхность покрытия в нее введены источники 10 потока атомов мате-. риалов покрытия, например, испарительного типа.Магнит 6 в роли тормозящего электрода может быть выполнен из магнито-твердо1758086 30 35 50 55 из диэлектрического магнитного материала, при этом он заключается в кожух 13 из злектропроводного немагнитного материала,Устройство; например, при ионном травлении кристаллов арсенида галлия работает следующим образом,При достижении вакуума 10 П а включается источник 2 ионного потока, Обычный уровень параметров потоков известных ионных источников; энергия ионов е 00 200 зВ, плотность ионного тока 1-2 мА/см,Однако для обработки кристаллов арсенида галлия требуется...

Способ определения коэффициента распыления материалов

Номер патента: 1400138

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Проценко

МПК: C23C 14/46

Метки: коэффициента, распыления

...н может найти применение для определения коэффициентов распыления различных ма 5 териалов.Целью изобретения является повыше ние точности и упрощение измерения коэффициента распыления материалов,П р и м е р. На стандартную уста новку, включающую ионную пушку и масс-спектрометр, устанавливают исОюедуемый,образец (поликристаллическая медная фольга) так, чтобы распыляющий ионный пучок бып направлен 15 по нормали к поверхности. Сфокусир 9- ванным пучком ионов ксенона с энергией 5 кэВ, током 9, 1 10А, диаметром ионного пучка 0,83 1 О см, с гауссовым распределением плотности тока 20 создают кратер глубиной, равной диаметру, и одновременно с помощью массспектрометра регистрируют выход вторичных ионов меди. Определяют время, при котором...

Способ изготовления акустических диафрагм

Номер патента: 1812236

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Запорожский, Колпаков, Маслов, Сидельников, Стригунов

МПК: C23C 14/00, C23C 14/46

Метки: акустических, диафрагм

...ионов превышает104 см з, то это приводит к чрезмерномуразогреву подложки и возникновениюструктурных дефектов в слое аморфного уг- "0лерода.Соблюдение вышеприведенных режимных параметров. обеспечивает скоростьосаждения аморфного углерода в пределах0,2-0,5 мкм/мин. Снижение скорости осаждения меньше 0,2 мкм/мин не обеспечиваетдостижения поставленной цели в части повышения производительности процесса.Если же реализовать скорость осажденияуглерода больше 0,5 мкм, то формируемая 20пленка обладает неудовлетворительной адгезией к титану и содержит большое количество структурных дефектов. Методосаждения импульсного потока углероднойплазмы по сравнению с используемым в 25способе-прототипе методом испарения углерода в газовой среде...

Способ получения тонкой пьезо-электрической пленки оксида цинка

Номер патента: 1812242

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Котелянский, Лузанов, Шкляр

МПК: C23C 14/02, C23C 14/46

Метки: оксида, пленки, пьезо-электрической, тонкой, цинка

...наращивалась на ионнообработанную часть поверхности свеженапыленной пленки.По мнению авторов, в данном случае эффект заключается в уменьшении химической активности поверхности подложки и образовании встроенного заряда под действием ионной обработки.П р и м е р 1. Рабочу ерхность звукопровода ПАВ устройс Ч-диапа1812242 Формула изобретения Составитель Т.СмирноваТехред М,Моргентал Корректор М, Куль Редактор Заказ 1560 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 зона, выполненного из монокристалла алюмоиттриевого граната, подвергают ионной обработке в течение 20 мин ионами аргона...

Устройство для нанесения покрытий в вакууме

Номер патента: 1812243

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Антонов, Достанко, Корницкий, Уласюк, Хохлов, Ширипов

МПК: C23C 14/46

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

...характеризующие распределение15 толщины пленки на подложке при распылении протяженной мишени ионным пучкомразличной формы, определяемой типом газовой системы; а - равномерный задув газа,а следовательно; и постоянная плотность20 ионного тока ) на всем протяженйом участке; б - увеличенная интенсивность газовогопотока на краях протяженного участка; в -использование трехканальной газовой системы. Расчеты пооводились для случая зна-25 чений длины протяженной зоныраспыления 200 мм и расстояния мишеньподложка 50 мм.На фиг. 2 представлена схема устройства для нанесения покрытий, построенного30 на базе ионных источников с объемной разрядной камерой; на фиг.З - схема устройства на основе холловского ускорителя сзамкнутйм дрейфом электронов.На...

Способ плазменного нанесения покрытий в вакууме

Номер патента: 1069451

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Селифанов, Станкевич, Точицкий

МПК: C23C 14/46

Метки: вакууме, нанесения, плазменного, покрытий

СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, включающий генерирование встречных потоков плазм исходных материалов, смешивание их в зоне взаимодействия потоков, направление электрическим полем в сторону подложки и их осаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности путем увеличения коэффициента использования массы исходных материалов, при смешивании потоки плазм исходных материалов тормозят в зоне взаимодействия температурным полем на время 101 - 104 мкс.

Способ обработки оптических поверхностей

Номер патента: 1566785

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Беликова, Лящук, Самаль, Хворостина

МПК: C23C 14/46

Метки: оптических, поверхностей

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ОПТИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ путем распыления материала детали потоком ионов, направленным под углом к обрабатываемой поверхности при одновременном ее вращении, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки, перед распылением на материал детали потока ионов, проводят ее нагрев до температуры, соответствующей температуре нагрева ионным источником, но не превышающей температуру отжига, со скоростью, не превышающей пороговой скорости нагрева материала детали, а распыление прекращают при визуальном обнаружении однородного свечения детали и ореола вокруг нее.