Coulomb blockade (original) (raw)
درج الكولومأو الترانزيستور أحادي الإلكترون (بالإنجليزية: Single electron transistor) هو عبارة عن درج له نفس خاصية الجهد الجاري ناتج عن تأثيرات درج الكولوم.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | درج الكولومأو الترانزيستور أحادي الإلكترون (بالإنجليزية: Single electron transistor) هو عبارة عن درج له نفس خاصية الجهد الجاري ناتج عن تأثيرات درج الكولوم. (ar) Coulomb-Blockade ist das Verschwinden der elektrischen Leitfähigkeit eines Strompfades über ein Nanoobjekt, weil dieses wegen seiner kleinen elektrischen Kapazität zur Umgebung keine elektrische Ladung abgeben oder aufnehmen kann. Der Effekt ist nach Charles Augustin de Coulomb (1736–1806) benannt, wurde aber erst viel später vorhergesagt und beobachtet. Das Nanoobjekt kann ein kleines leitfähiges Partikel, eine leitfähige Insel auf einem Isolator oder auch ein sogenannter Quantenpunkt sein. Es ist zwischen zwei Leitern (manchmal in Analogie zum Feldeffekttransistor als „Source“ und „Drain“ bezeichnet) angeordnet. Das Nanoobjekt muss über zwei ausreichend hohe elektrische Widerstände kontaktiert werden, das geschieht in der Praxis durch den quantenmechanischen Tunneleffekt. Das heißt, dass ein kleiner Spalt zwischen dem Nanoobjekt und den Stromleitungen besteht; dieser kann auch mit einem Isolator gefüllt sein. Die Elektronen überwinden den Spalt durch Tunneln. Tritt ein Elektron auf das Nanoobjekt über, so ändert sich die Spannung des Objekts um , wobei die Elementarladung und die elektrische Kapazität zwischen dem Objekt und der Umgebung (inklusive der beiden Leiter) ist. Bei einem ausreichend kleinen Objekt kann diese Kapazität so klein sein, dass die zur Spannungserhöhung benötigte Energie größer wäre, als die Elektronenenergie, die durch thermische Anregung und die angelegte Spannung zur Verfügung steht. In diesem Fall kann das Elektron die Energie nicht aufbringen, um auf das Nanoobjekt zu gelangen, und der Stromfluss ist blockiert. Um den Effekt zu beobachten, muss also die Kapazität zwischen dem Nanoobjekt und der Umgebung sehr klein sein und die Temperatur niedrig genug, dass thermische Anregungen nicht ausreichen, damit ein Elektron das Nanoobjekt „aufladen“ kann. Beispielsweise hat eine Metallinsel von 100 Nanometer mal 100 Nanometer Größe, die durch heutige Lithografie-Technik leicht hergestellt werden kann, auf einer Oxidschicht der Dicke 1 Nanometer und Dielektrizitätszahl eine Kapazität von 10−15 Farad. Um für dieses Objekt Coulomb-Blockade beobachten zu können, sind Temperaturen von unter 1 Kelvin notwendig; die angelegte Spannung darf nur im Mikrovolt-Bereich liegen. Bei noch viel kleineren Objekten kann aber auch bei Raumtemperatur eine Coulomb-Blockade beobachtet werden. Das Phänomen der Coulomb-Blockade ist Grundlage für den Einzelelektronentransistor. (de) In mesoscopic physics, a Coulomb blockade (CB), named after Charles-Augustin de Coulomb's electrical force, is the decrease in electrical conductance at small bias voltages of a small electronic device comprising at least one low-capacitance tunnel junction. Because of the CB, the conductance of a device may not be constant at low bias voltages, but disappear for biases under a certain threshold, i.e. no current flows. Coulomb blockade can be observed by making a device very small, like a quantum dot. When the device is small enough, electrons inside the device will create a strong Coulomb repulsion preventing other electrons to flow. Thus, the device will no longer follow Ohm's law and the current-voltage relation of the Coulomb blockade looks like a staircase. Even though the Coulomb blockade can be used to demonstrate the quantization of the electric charge, it remains a classical effect and its main description does not require quantum mechanics. However, when few electrons are involved and an external static magnetic field is applied, Coulomb blockade provides the ground for a (like Pauli spin blockade) and valley blockade, which include quantum mechanical effects due to spin and orbital interactions respectively between the electrons. The devices can comprise either metallic or superconducting electrodes. If the electrodes are superconducting, Cooper pairs (with a charge of minus two elementary charges ) carry the current. In the case that the electrodes are metallic or normal-conducting, i.e. neither superconducting nor semiconducting, electrons (with a charge of ) carry the current. (en) En physique mésoscopique, un blocage de Coulomb (Coulomb Blockade en Ang.), nommé d'après la force électrique de Charles-Augustin de Coulomb, est l'augmentation de la résistance par un faible potentiel appliqué sur un dispositif comprenant au minimum une jonction tunnel de faible capacitance. Le blocage de Coulomb est un mécanisme étudié notamment pour l'élaboration de transistors à un électron (S.E.T. : Single Electron Transistor). Car au travers du blocage de Coulomb, on a la possibilité de contrôler le flux de porteurs, électron par électron. En raison du blocage de Coulomb, la résistance des dispositifs n'est pas constante à faible potentiel, mais augmente à l'infini pour des potentiels inférieurs à un certain seuil (c.à.d. aucun courant existant). Quand peu d'électrons sont impliqués et un champ magnétique externe et statique est appliqué, le blocage de Coulomb crée des conditions propice pour un (aussi appelé blocage de Pauli) et un qui inclut les effets de la mécanique quantique dus aux interactions de spin et d'orbite entre les électrons. Un blocage de Coulomb peut également être observé lors de la création d'un point quantique (Quantum dot en Ang.). Lorsque l'appareil est assez petit, les électrons à l'intérieur de l'appareil créent une forte répulsion coulombienne empêchant les autres électrons de circuler ainsi le dispositif ne suit plus la loi d'Ohm. La relation courant-tension du blocage de coulomb ressemble à un escalier. (fr) In fisica con blocco coulombiano (traduzione dall'inglese Coulomb blockade che ha come acronimo CB) si indica l'incremento della resistenza elettrica per piccole differenze di potenziale di un dispositivo elettronico di piccola capacità elettrica. A causa del CB, la resistenza elettrica di alcuni dispositivi è non costante a bassa tensione di alimentazione e diventa molto grande, quasi infinita, per alcuni valori di polarizzazione(cioè non scorre nessuna corrente). In genere tali fenomeni si osservano quando i dispositivi sono molto piccoli (pochi nm) ad esempionei quantum dots. Se il dispositivo è abbastanza piccolo la presenza di un elettrone all'interno del dispositivo crea una forte repulsione coulombiana che impedisce l'ingresso di altri elettroni ( e quindi la corrente circolante va a zero). La caratteristica corrente-tensione invece di essere una retta, come nel caso della legge di Ohm, è più simile ad una scalinata. (it) クーロンブロッケード（くーろんぶろっけーど、Coulomb blockade, CB）とは、接合容量が低いトンネル接合を一つ以上含むような電子素子において、バイアス電圧が小さい時に電気抵抗が増大する現象である。その名はシャルル・ド・クーロン (Charles-Augustin de Coulomb) にちなむ。 (ja) De Coulombblokkade is het natuurkundige fenomeen waarbij een elektronische component die bestaat uit ten minste één tunnel-junctie met lage capaciteit bij lage spanning plots een hogere weerstand krijgt. Dit effect is genoemd naar Charles-Augustin de Coulomb. (nl) Em física, um bloqueio de Coulomb (abreviado QB), em homenagem a Charles Augustin de Coulomb, é a resistência aumentada em tensões de polarização pequena de um dispositivo electrónico, constituído por, pelo menos, uma baixa de junção túnel capacitância. Uma junção túnel é, na sua forma mais simples, uma fina barreira isolante entre dois eletrodos de condução. Se os eletrodos são supercondutores, os pares de Cooper, com uma carga de duas cargas elementares transportam a corrente. No caso em que os eletrodos são normalconducting, ou seja, nem supercondutores nem semicondutor, os elétrons com uma carga de uma carga elementar transportar a corrente. O raciocínio a seguir é para o caso de junções túnel com uma barreira de isolamento entre dois eletrodos de condução normal nos cruzamentos (NIN). De acordo com as leis da eletrodinâmica clássica, nenhuma corrente pode fluir através de uma barreira de isolamento. De acordo com as leis da mecânica quântica, no entanto, há um não nulos (maior que zero) a probabilidade de um elétron em um lado da barreira para chegar ao outro lado (ver tunelamento quântico). Quando uma tensão de polarização é aplicada, isto significa que haverá um fluxo de corrente. Na aproximação de primeira ordem, ou seja, negligenciando os efeitos adicionais, o túnel corrente será proporcional à tensão de polarização. Em termos elétricos, a junção túnel se comporta como um resistor com uma resistência constante, também conhecido como um resistor ôhmico. A resistência depende exponencialmente com a espessura de barreira. Espessuras barreira típicos são da ordem de um para nanômetros diversos. Um arranjo de dois condutores com uma camada isolante no meio não só tem uma resistência, mas também uma capacidade finita. O isolador é também chamado de dielétrico, neste contexto, a junção túnel se comporta como um capacitor. Devido à singularidade do fluxo de carga elétrica, corrente através de uma junção túnel é uma série de eventos em que exatamente um elétron passa (túneis), através da barreira de túnel (eventos que a negligência em que dois elétrons túnel simultaneamente). O capacitor de junção túnel é carregado com uma carga elementar do elétron túnel, causando um acúmulo de tensão U = E / C, onde e é a carga elementar de 1,6 × 10 -19 coulomb e C a capacitância da junção. Se a capacitância é muito pequeno, o acúmulo de tensão pode ser grande o suficiente para impedir um outro elétron de túneis. A corrente elétrica é, então, reprimida em viés de baixa tensão e da resistência do dispositivo não é mais constante. O aumento da resistência diferencial em torno de zero viés é chamado o bloqueio de Coulomb. Para que o bloqueio de Coulomb a ser observado, a temperatura deve ser suficientemente baixo de modo que a energia característica de carga (a energia que é necessário para carregar a junção com uma carga elementar) é maior do que a energia térmica dos portadores de carga. Para capacitâncias acima de 1 FemtoFarad (farad 10 -15), isso implica que a temperatura deverá ser inferior a cerca de 1 kelvin. Esta escala de temperatura é alcançado rotineiramente, por exemplo, refrigeradores de diluição. Para fazer uma junção túnel em geometria condensador de placa com uma capacidade de 1 FemtoFarad, usando uma camada de óxido de permissividade elétrica 10 e espessura de um nanômetro, um tem que criar eletrodos com dimensões de cerca de 100 por 100 nanômetros. Esta gama de dimensões é alcançado rotineiramente, por exemplo, a litografia por feixe de elétrons e tecnologias de transferência adequado padrão, como o Niemeyer-Dolan técnica, também conhecida como técnica de evaporação de sombra. Outro problema para a observação do bloqueio de Coulomb é a capacitância relativamente grande das ligações que conectam a junção túnel para o sistema eletrônico de medição. (pt) Кулоновская блокада — блокирование прохождения электронов через квантовую точку, включённую между двумя туннельными контактами, обусловленное отталкиванием электронов в контактах от электрона на точке, а также дополнительным кулоновским потенциальным барьером, который создаёт электрон, находящийся на точке. Аналогично тому, как поле ядерных сил при альфа распаде препятствует вылету альфа-частицы, кулоновский барьер препятствует вылету электрона из точки, а также попаданию новых электронов на неё. Экспериментально кулоновская блокада проявляется как пикообразная зависимость проводимости точки от потенциала точки, то есть от напряжения на дополнительном электроде (затворе). Это явление наблюдается тогда, когда кулоновская энергия e²/2C (обусловленная даже одним электроном с зарядом e; C — ёмкость точки) квантовой точки заметно больше, чем температура и расстояние между уровнями квантовой точки. Понять это явление можно следующим образом. Пусть с помощью дополнительного электрода потенциал точки установлен в V, и на точке находятся N дополнительных электронов. Пусть C — ёмкость точки. Тогда, чтобы перенести на точку дополнительный электрон, нужно совершить работу где — дополнительная энергия, обусловленная разностью уровня Ферми электронов на точке и в контактах. При определённом подборе напряжения на затворе и относительных положений уровней Ферми контактов и точки выполняют соотношение , , то есть потенциальный барьер для перехода электрона из контакта в точку исчезает. Это и наблюдается как пик в проводимости точки. Из-за конечной температуры точки уровень Ферми в контактах слегка размыт, это делает ширину пиков кулоновской блокады конечной. То есть обычно ширина пика в единицах eV порядка температуры точки в единицах . (ru) Кулонівська блокада (англ. Coulomb blockade) - блокування проходження електронів через квантову точку, включену між двома тунельними контактами, і обумовлене відштовхуванням електронів у контактах від електрону на точці, а також додатковим кулонівським потенціальним бар'єром, який створює електрон, який осів на цій точці. Тунельний перехід у своїй найпростішій формі може бути представлений у вигляді двох металічних електродів розділених тонким шаром діелектрика. У випадку надпровідних металічних контактів, тунельний струм буде обумовлений тунелюванням куперівських пар. А у випадку нормальних металічних контактів, тунельний струм буде обумовлено одиничними електронами. Таким чином, будемо розглядати нижче тільки ті тунельні ефекти, котрі обумовлені протіканням одиничних електронів через нормальні металічні n- контакти (т.з. NIN- переходи). Згідно із законами класичної електродинаміки, ніякого струму не може бути через ізолюючий бар'єр. Навпаки, згідно з квантовою механікою, існує відмінна від нуля ймовірність проходження квантової частинки через потенціальний бар'єр (див. тунелювання). Коли до двох металічних контактів, розділених тонким шаром діалектрика, прикладається напруга, то починається і протікання струму. В першому порядку наближення тунельний струм пропорційний до прикладеної напруги. Іншими словами, тунельний перехід поводить себе, як тривіальний резистор, з постійним значенням опору. (див. закон Ома). Цей опір експоненційно залежить від товщини потенціального бар'єру, котра сягає декількох нанометрів.Очевидно, що структура із двох металічних електродів, розділених діелектриком, також має і ємність. Тому тунельний перехід веде себе подібно до конденсатора. Враховуючи дискретність електричного заряду, струм через тунельний перехід являє собою серію подій, в яких один електрон проникає через бар'єр шляхом тунелювання (ефектами двох- електронного тунелювання тут нехтується). Тому конденсатор тунельного переходу заряджається одиночними тунельними електронами, викликаючи появу напруги на металічних контактах , де - елементарний заряд електрона 1.6х10-19 Кулон та - ємність тунельного переходу. Оскільки ємність тунельного переходу мала, тому навіть при тунелюванні одного електрона напруга на контактах буде досить значною. Це викликає зменшення електричного струму, обумовленого зовнішньою малою напругою, прикладеною до електродів. Збільшення опору тунельного переходу в області нульових струмів і називається кулонівською блокадою. У випадку кулонівської блокади необхідно забезпечити достатньо низьку температуру, щоб отримати значно більше значення зарядової енергії (енергія, що необхідна для одноелектронного заряду тунельної ємності) по відношенню до термальної. Для вищевказаної ємності 1 фемтофарада (10-15 Фарада), Це означає, що температура повинна бути порядку 1 кельвіна. Щоб зробити тунельний перехід у вигляді пластинчатого конденсатора з ємністю порядку 1 фемтофарада, використовуючи оксидний шар з відносною проникністю 10 та товщиною один нанометр, необхідно створити електроди розмірами 100х100 нанометрів. Іншою проблемою, що заважає спостерігати кулонівську блокаду є відносно велике значення паразитних ємностей з'єднувальних дротів та вимірювальної техніки. (uk) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/TyTunnelling.png?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://books.google.com/books%3Fid=TNZyxqXGFY8C https://nanohub.org/resources/1439 |
| dbo:wikiPageID | 2133700 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 16581 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1046852115 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Capacitor dbr:Quantum_mechanics dbr:Electrode dbr:Mesoscopic_physics dbr:Permittivity dbr:Uncertainty_principle dbr:Voltage dbr:Coulomb's_law dbr:Ohm's_law dbr:Quantum_tunnelling dbr:Classical_mechanics dbr:Electrical_resistance dbr:Electrical_resistance_and_conductance dbr:Electron dbr:Elementary_charge dbr:Cooper_pair dbr:Physical_constants dbr:Magnetic_field dbc:Mesoscopic_physics dbr:Exponential_function dbr:Femtofarad dbr:Angular_momentum_coupling dbr:Farad dbr:Superconductivity dbr:Probability dbr:Quantum_dot dbr:Resistor dbr:Helium-3 dbc:Nanoelectronics dbr:Coulomb_blockade dbr:Charge_(physics) dbr:Charles-Augustin_de_Coulomb dbr:Kelvin dbr:Dielectric dbr:Spin_(physics) dbc:Quantum_electronics dbr:Nanometer dbr:Capacitance dbr:Semiconductor dbr:Single-electron_transistor dbr:Niemeyer–Dolan_technique dbr:Valleytronics dbr:Tunnel_junction dbr:Thermometer dbr:Electron_beam_lithography dbr:Bias_voltage dbr:Classical_electrodynamics dbr:Pattern_transfer dbr:Voltage_bias dbr:File:Set_schematic.svg dbr:File:Single_electron_transistor.svg dbr:File:TySETimage.png dbr:File:TyTunnelling.png dbr:Spin_blockade |
| dbp:date | October 2016 (en) |
| dbp:reason | Refers to the red dot in the second figure, not the drain. (en) |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Cite_journal dbt:Clarify dbt:Main dbt:More_footnotes dbt:Reflist |
| dct:subject | dbc:Mesoscopic_physics dbc:Nanoelectronics dbc:Quantum_electronics |
| gold:hypernym | dbr:Resistance |
| rdf:type | dbo:MilitaryConflict |
| rdfs:comment | درج الكولومأو الترانزيستور أحادي الإلكترون (بالإنجليزية: Single electron transistor) هو عبارة عن درج له نفس خاصية الجهد الجاري ناتج عن تأثيرات درج الكولوم. (ar) クーロンブロッケード（くーろんぶろっけーど、Coulomb blockade, CB）とは、接合容量が低いトンネル接合を一つ以上含むような電子素子において、バイアス電圧が小さい時に電気抵抗が増大する現象である。その名はシャルル・ド・クーロン (Charles-Augustin de Coulomb) にちなむ。 (ja) De Coulombblokkade is het natuurkundige fenomeen waarbij een elektronische component die bestaat uit ten minste één tunnel-junctie met lage capaciteit bij lage spanning plots een hogere weerstand krijgt. Dit effect is genoemd naar Charles-Augustin de Coulomb. (nl) Coulomb-Blockade ist das Verschwinden der elektrischen Leitfähigkeit eines Strompfades über ein Nanoobjekt, weil dieses wegen seiner kleinen elektrischen Kapazität zur Umgebung keine elektrische Ladung abgeben oder aufnehmen kann. Der Effekt ist nach Charles Augustin de Coulomb (1736–1806) benannt, wurde aber erst viel später vorhergesagt und beobachtet. Das Phänomen der Coulomb-Blockade ist Grundlage für den Einzelelektronentransistor. (de) In mesoscopic physics, a Coulomb blockade (CB), named after Charles-Augustin de Coulomb's electrical force, is the decrease in electrical conductance at small bias voltages of a small electronic device comprising at least one low-capacitance tunnel junction. Because of the CB, the conductance of a device may not be constant at low bias voltages, but disappear for biases under a certain threshold, i.e. no current flows. (en) En physique mésoscopique, un blocage de Coulomb (Coulomb Blockade en Ang.), nommé d'après la force électrique de Charles-Augustin de Coulomb, est l'augmentation de la résistance par un faible potentiel appliqué sur un dispositif comprenant au minimum une jonction tunnel de faible capacitance. Le blocage de Coulomb est un mécanisme étudié notamment pour l'élaboration de transistors à un électron (S.E.T. : Single Electron Transistor). Car au travers du blocage de Coulomb, on a la possibilité de contrôler le flux de porteurs, électron par électron. (fr) In fisica con blocco coulombiano (traduzione dall'inglese Coulomb blockade che ha come acronimo CB) si indica l'incremento della resistenza elettrica per piccole differenze di potenziale di un dispositivo elettronico di piccola capacità elettrica. A causa del CB, la resistenza elettrica di alcuni dispositivi è non costante a bassa tensione di alimentazione e diventa molto grande, quasi infinita, per alcuni valori di polarizzazione(cioè non scorre nessuna corrente). In genere tali fenomeni si osservano quando i dispositivi sono molto piccoli (pochi nm) ad esempionei quantum dots. Se il dispositivo è abbastanza piccolo la presenza di un elettrone all'interno del dispositivo crea una forte repulsione coulombiana che impedisce l'ingresso di altri elettroni ( e quindi la corrente circolante va (it) Em física, um bloqueio de Coulomb (abreviado QB), em homenagem a Charles Augustin de Coulomb, é a resistência aumentada em tensões de polarização pequena de um dispositivo electrónico, constituído por, pelo menos, uma baixa de junção túnel capacitância. Um arranjo de dois condutores com uma camada isolante no meio não só tem uma resistência, mas também uma capacidade finita. O isolador é também chamado de dielétrico, neste contexto, a junção túnel se comporta como um capacitor. (pt) Кулоновская блокада — блокирование прохождения электронов через квантовую точку, включённую между двумя туннельными контактами, обусловленное отталкиванием электронов в контактах от электрона на точке, а также дополнительным кулоновским потенциальным барьером, который создаёт электрон, находящийся на точке. Аналогично тому, как поле ядерных сил при альфа распаде препятствует вылету альфа-частицы, кулоновский барьер препятствует вылету электрона из точки, а также попаданию новых электронов на неё. Экспериментально кулоновская блокада проявляется как пикообразная зависимость проводимости точки от потенциала точки, то есть от напряжения на дополнительном электроде (затворе). (ru) Кулонівська блокада (англ. Coulomb blockade) - блокування проходження електронів через квантову точку, включену між двома тунельними контактами, і обумовлене відштовхуванням електронів у контактах від електрону на точці, а також додатковим кулонівським потенціальним бар'єром, який створює електрон, який осів на цій точці. Щоб зробити тунельний перехід у вигляді пластинчатого конденсатора з ємністю порядку 1 фемтофарада, використовуючи оксидний шар з відносною проникністю 10 та товщиною один нанометр, необхідно створити електроди розмірами 100х100 нанометрів. (uk) |
| rdfs:label | درج الكولوم (ar) Coulomb-Blockade (de) Coulomb blockade (en) Blocage de Coulomb (fr) Bloccaggio coulombiano (it) クーロンブロッケード (ja) Coulombblokkade (nl) Bloqueio de Coulomb (pt) Кулоновская блокада (ru) Кулонівська блокада (uk) |
| owl:sameAs | freebase:Coulomb blockade wikidata:Coulomb blockade dbpedia-ar:Coulomb blockade dbpedia-be:Coulomb blockade dbpedia-de:Coulomb blockade dbpedia-fi:Coulomb blockade dbpedia-fr:Coulomb blockade dbpedia-it:Coulomb blockade dbpedia-ja:Coulomb blockade dbpedia-nl:Coulomb blockade dbpedia-pt:Coulomb blockade dbpedia-ru:Coulomb blockade dbpedia-tr:Coulomb blockade dbpedia-uk:Coulomb blockade https://global.dbpedia.org/id/4Q77u |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Coulomb_blockade?oldid=1046852115&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Set_schematic.svg wiki-commons:Special:FilePath/Single_electron_transistor.svg wiki-commons:Special:FilePath/TySETimage.png wiki-commons:Special:FilePath/TyTunnelling.png |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Coulomb_blockade |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:Blockade_(disambiguation) |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Coulomb_blockade_thermometer dbr:Coulomb_blockade_effect dbr:Coulomb_staircase dbr:Single-electron_transistors dbr:Single_electron_transistors |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Charge_density_wave dbr:CBT dbr:Index_of_physics_articles_(C) dbr:Blockade_(disambiguation) dbr:Cornelis_Jacobus_Gorter dbr:Ballistic_conduction_in_single-walled_carbon_nanotubes dbr:Gallium_manganese_arsenide dbr:Coulomb_blockade_thermometer dbr:Ionic_Coulomb_blockade dbr:Fermi_level dbr:List_of_things_named_after_Charles-Augustin_de_Coulomb dbr:Quantum_dot dbr:Coulomb_blockade dbr:CMOS dbr:Single-electron_transistor dbr:Valleytronics dbr:Nanocircuitry dbr:Nanopore dbr:Molecular_scale_electronics dbr:Molecular_wire dbr:Thermometer dbr:Coulomb_blockade_effect dbr:Coulomb_staircase dbr:Single-electron_transistors dbr:Single_electron_transistors |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Coulomb_blockade |
