PIN diode (original) (raw)
الوصلة الثلاثية p-i-n أو PIN Diode في الإلكترونيات هي نبيطة اخترعها في اليابان عام 1950، وتتكون من ثلاث مكونات: شبه موصل موجب p وشبه موصل سالب n وبينهما شبه موصل ذاتي i، وبهذا تختلف عن الوصلة الثنائية. يتم تشويب الجزء الداخلي بكميات أقل بكثير من الجزئين الموجب والسالب، كما يتم تقليص عرض الجزء الموجب وزيادة عرض الجزء الداخلي ليكون أعرض من كلا الجزئين. تجعل المنطقة الجوهرية i الواسعة من الترانسيستور الثنائي PIN مقومًا للتيار (وظيفة نموذجية واحدة للديود) ، لكنها تجعله أيضا مناسبًا كموهن إلكتروني ، وللمفاتيح السريعة، وأجهزة الكشف الضوئي وتطبيقات إلكترونيات الطاقة عالية الجهد.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | الوصلة الثلاثية p-i-n أو PIN Diode في الإلكترونيات هي نبيطة اخترعها في اليابان عام 1950، وتتكون من ثلاث مكونات: شبه موصل موجب p وشبه موصل سالب n وبينهما شبه موصل ذاتي i، وبهذا تختلف عن الوصلة الثنائية. يتم تشويب الجزء الداخلي بكميات أقل بكثير من الجزئين الموجب والسالب، كما يتم تقليص عرض الجزء الموجب وزيادة عرض الجزء الداخلي ليكون أعرض من كلا الجزئين. تجعل المنطقة الجوهرية i الواسعة من الترانسيستور الثنائي PIN مقومًا للتيار (وظيفة نموذجية واحدة للديود) ، لكنها تجعله أيضا مناسبًا كموهن إلكتروني ، وللمفاتيح السريعة، وأجهزة الكشف الضوئي وتطبيقات إلكترونيات الطاقة عالية الجهد. (ar) Die pin-Diode (englisch positive intrinsic negative diode) ist ein elektrisches Bauelement. Der Aufbau ist ähnlich einer pn-Diode, mit dem entscheidenden Unterschied, dass sich zwischen der p- und n-dotierten Schicht eine zusätzliche schwach oder undotierte Schicht befindet. Diese Schicht ist somit lediglich intrinsisch leitend (eigenleitend) und wird daher i-Schicht genannt. Die p- und n-Schicht sind somit nicht in direktem Kontakt, und bei Anlegen einer Sperrspannung kommt es zur Ausbildung einer größeren Raumladungszone als bei der klassischen pn-Diode. Da die i-Schicht nur wenige freie Ladungsträger enthält, ist sie hochohmig. Die pin-Diode wird auch psn-Diode (s für schwach dotiert) oder Leistungsdiode (auf Grund der Anwendung in der Leistungselektronik) genannt. (de) Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν). La amplia región intrínseca contrasta con un diodo p-n ordinario. La amplia región intrínseca hace que el diodo PIN sea un rectificador inferior (una función típica de un diodo p-n), pero lo hace adecuado para ser atenuadores, interruptores rápidos (microondas y RF), fotodetectores y aplicaciones de electrónica de potencia de alto voltaje. (es) PIN diodoa hiru geruzadun diodo mota bat da, erdiko geruza erdieroale intrinsekoa, eta alboko geruzak bat P motakoa eta bestea N motakoa izanik. Praktikan, ordea, geruza intrintsekoa erresistibitate haundiko P edo N geruza batekin ordezkatzen da. (eu) Une diode PIN (de l’anglais Positive Intrinsic Negative diode) est une diode constituée d'une zone non-dopée, dite intrinsèque I, intercalée entre deux zones dopées P et N. Une diode PIN polarisée dans le sens direct (passante) offre une impédance dynamique (vis-à-vis des signaux variables) extrêmement faible. Polarisée dans le sens inverse (bloquée) elle offre une très grande impédance et surtout une très faible capacité (elle se comporte comme un condensateur de très faible valeur, quelques picofarads, voire bien moins encore suivant les modèles). (fr) A PIN diode is a diode with a wide, undoped intrinsic semiconductor region between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor region. The p-type and n-type regions are typically heavily doped because they are used for ohmic contacts. The wide intrinsic region is in contrast to an ordinary p–n diode. The wide intrinsic region makes the PIN diode an inferior rectifier (one typical function of a diode), but it makes it suitable for attenuators, fast switches, photodetectors, and high-voltage power electronics applications. The PIN photodiode was invented by Jun-Ichi Nishizawa and his colleagues in 1950. It is a semiconductor device. (en) PIN 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체 영역 사이의 폭, 도핑되지 않은 진성 반도체 영역과 다이오드이다. p형 및 n형 영역은 을 위해 사용되기 때문에, 전형적으로 도핑된다. 넓은 진성 영역은 보통의 PN 다이오드와는 대조적이다. (ko) In 1950 is de PIN-diode uitgevonden door de Japanse wetenschapper . Een PIN-diode of p-i-n diode is een type diode waar tussen de hooggedoteerde p- en n-lagen een bijna ongedoteerde laag toegevoegd is. De naam van deze component is te danken aan de toegevoegde intrinsieke halfgeleiderlaag, i-laag genoemd. (nl) Dioda PIN (od ang. P-type, Intrinsic, N-type semiconductor) jest diodą półprzewodnikową, w której pomiędzy warstwami o przewodnictwie typu p i typu n znajduje się szeroka, słabo domieszkowana warstwa o przewodnictwie samoistnym. Odróżnia to diodę PIN od innych diod. Warstwy zewnętrzne są silnie domieszkowane, gdyż spełniają rolę kontaktu omowego z wyprowadzeniami. (pl) Un Diodo PIN (diodo tipo-p, intrinseco, tipo-n) è un diodo con una larga regione di materiale semiconduttore intrinseco (non drogato) contenuta tra un semiconduttore di tipo p e un semiconduttore di tipo n. I diodi PIN agiscono quasi perfettamente come resistori alle frequenze delle microonde e delle onde radio; la resistenza dipende dalla corrente continua applicata al diodo. Un diodo PIN mostra un aumento della conduttività elettrica in funzione dell'ampiezza, della lunghezza d'onda e del tasso di modulazione della radiazione incidente. Il vantaggio di un diodo PIN è che la regione di carica spaziale esiste quasi completamente all'interno della regione intrinseca, che presenta una larghezza costante (o quasi costante) indipendentemente dai disturbi applicati al diodo. La regione instrinseca può essere realizzata larga a piacere, aumentando l'area in cui le coppie di lacune possono essere generate. Per queste ragioni, molti includono almeno un diodo PIN, come i fotodiodi PIN o i fototransistor. Non sono limitati in velocità dalla capacità esistente tra le regioni n e p, ma sono limitati dal tempo che un elettrone impiega a passare attraverso la regione non drogata. I diodi PIN sono utilizzati come trasduttori di destinazione nelle fibre ottiche. Essi in questi casi generano correnti proporzionali al numero di fotoni che arriva dalla fibra ottica. (it) En PIN-diod är en diod med en bred, lätt dopad, nästan ren halvledarregion mellan en p-dopad och n-dopad region. Diodens p- och n-regioner är vanligtvis kraftigt dopade då den används i . Den nästan rena halvledarregionen i PIN-dioden är motsatsen mot en vanlig diod. Den breda rena regionen gör att PIN-dioden likriktar dåligt (en typisk uppgift för en diod), men PIN-dioden blir istället användbar för , snabba , fotodetektorer och kraftelektronik. (sv) PIN-діод — різновид діоду, в якому між областями електронної (n) і діркової (р) провідності знаходиться власний (нелегований, англ. Intrinsic) напівпровідник (i-область). р- та n-області, як правило, легуються сильно, оскільки вони часто використовуються для омічного контакту до металу. Широка нелегована i-область робить PIN-діод поганим випрямлячем (звичайне застосування для діода), але з іншого боку це дозволяє використовувати його в атенюаторах (послаблювачах сигналу), швидких перемикачах фотодетекторах, а також у високовольтній електроніці. Як правило, призначений для роботи в сантиметровому діапазоні хвиль (ВЧВ). (uk) PIN型二极管，又称移相开关二极管，和普通的二层结构的PN结二极管相比，PIN型二极管引入了I层：即在普通PN结二极管的由P型半导体材料组成的P层和由N型半导体材料组成的N层中间，插入一层低掺杂的纯度接近于本征半导体材料组成的I层。如果I层材料为低掺杂的P型半导体，则该二极管可称为π型PIN二极管；如果I层材料为低掺杂的N型半导体，则该二极管可称为ν型PIN二极管。在PIN型二极管中，P层和N层通常由高掺杂的半导体材料组成。由于I层的存在，PIN型二极管通常比普通的二极管拥有更宽的耗尽层，更大的和更小的。在射频与微波级别的电路中，PIN型二极管经常被用作、和衰减器。 (zh) PIN-диод — разновидность диода, в котором между областями электронной (n) и дырочной (p) проводимости находится собственный (нелегированный, англ. intrinsic) полупроводник (i-область). p и n области как правило легируются сильно, так как они часто используются для омического контакта к металлу. Широкая нелегированная i-область делает PIN-диод плохим выпрямителем (обычное применение для диода), но, с другой стороны, это позволяет использовать его в аттенюаторах (ослабителях сигнала), быстрых переключателях, фотодетекторах, а также в высоковольтной электронике. Как правило предназначен для работы в сантиметровом диапазоне волн. (ru) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Pin-Diode.svg?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://www.ieee.li/pdf/essay/pin_diode_handbook.pdf https://www.skyworksinc.com/-/media/SkyWorks/Documents/Products/1-100/200480C.pdf |
| dbo:wikiPageID | 41556 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageInterLanguageLink | dbpedia-ja:PINダイオード |
| dbo:wikiPageLength | 15384 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1123245669 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Amorphous_silicon dbr:Jun-Ichi_Nishizawa dbr:Phase_noise dbr:Depletion_region dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Indium_gallium_arsenide dbr:Interconnect_bottleneck dbr:Intrinsic_semiconductor dbr:Ohm dbr:P–n_diode dbr:P–n_junction dbr:Frequency_multiplier dbr:N-type_semiconductor dbr:Thin-film_solar_cell dbr:Optical_communication dbc:Power_electronics dbr:P-type_semiconductor dbr:Diode dbr:Germanium dbr:Quantum_efficiency dbr:Rectifier dbc:Diodes dbc:Japanese_inventions dbr:Attenuator_(electronics) dbr:Ionizing_radiation dbr:Parallel_optical_interface dbc:Microwave_technology dbc:Optical_diodes dbr:Jun-ichi_Nishizawa dbr:Avalanche_photodiode dbr:Photon dbr:Solar_cell dbr:Fiber-optic_cable dbr:Optical_interconnect dbr:Capacitance dbr:Step_recovery_diode dbr:Semiconductor dbr:Silicon dbr:Ohmic_contact dbr:Photodetector dbr:Semiconductor_detector dbr:RF_switch dbr:Electron-hole_pair dbr:File:Diode-EN.svg dbr:CdTe dbr:RF_signal dbr:File:Microwave_Switch.png dbr:File:General_Microwave_Modulator.png |
| dbp:caption | Layers of a PIN diode (en) |
| dbp:invented | 1950 (xsd:integer) |
| dbp:name | PIN diode (en) |
| dbp:symbol | dbr:File:Diode-EN.svg |
| dbp:symbolCaption | The diode may be denoted by "PIN" letters on the diagram (en) |
| dbp:type | dbr:Semiconductor |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Authority_control dbt:Cn dbt:Reflist dbt:Inline_citations dbt:Electronic_components dbt:Infobox_electronic_component |
| dcterms:subject | dbc:Power_electronics dbc:Diodes dbc:Japanese_inventions dbc:Microwave_technology dbc:Optical_diodes |
| gold:hypernym | dbr:Diode |
| rdf:type | owl:Thing yago:WikicatTransducers yago:WikicatOpticalDiodes yago:Artifact100021939 yago:Device103183080 yago:Diode103202940 yago:ElectricalDevice103269401 yago:ElectronicDevice103277771 yago:Instrumentality103575240 yago:Object100002684 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Transducer104470953 yago:Tube104494204 yago:Whole100003553 yago:WikicatDiodes |
| rdfs:comment | الوصلة الثلاثية p-i-n أو PIN Diode في الإلكترونيات هي نبيطة اخترعها في اليابان عام 1950، وتتكون من ثلاث مكونات: شبه موصل موجب p وشبه موصل سالب n وبينهما شبه موصل ذاتي i، وبهذا تختلف عن الوصلة الثنائية. يتم تشويب الجزء الداخلي بكميات أقل بكثير من الجزئين الموجب والسالب، كما يتم تقليص عرض الجزء الموجب وزيادة عرض الجزء الداخلي ليكون أعرض من كلا الجزئين. تجعل المنطقة الجوهرية i الواسعة من الترانسيستور الثنائي PIN مقومًا للتيار (وظيفة نموذجية واحدة للديود) ، لكنها تجعله أيضا مناسبًا كموهن إلكتروني ، وللمفاتيح السريعة، وأجهزة الكشف الضوئي وتطبيقات إلكترونيات الطاقة عالية الجهد. (ar) PIN diodoa hiru geruzadun diodo mota bat da, erdiko geruza erdieroale intrinsekoa, eta alboko geruzak bat P motakoa eta bestea N motakoa izanik. Praktikan, ordea, geruza intrintsekoa erresistibitate haundiko P edo N geruza batekin ordezkatzen da. (eu) Une diode PIN (de l’anglais Positive Intrinsic Negative diode) est une diode constituée d'une zone non-dopée, dite intrinsèque I, intercalée entre deux zones dopées P et N. Une diode PIN polarisée dans le sens direct (passante) offre une impédance dynamique (vis-à-vis des signaux variables) extrêmement faible. Polarisée dans le sens inverse (bloquée) elle offre une très grande impédance et surtout une très faible capacité (elle se comporte comme un condensateur de très faible valeur, quelques picofarads, voire bien moins encore suivant les modèles). (fr) PIN 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체 영역 사이의 폭, 도핑되지 않은 진성 반도체 영역과 다이오드이다. p형 및 n형 영역은 을 위해 사용되기 때문에, 전형적으로 도핑된다. 넓은 진성 영역은 보통의 PN 다이오드와는 대조적이다. (ko) In 1950 is de PIN-diode uitgevonden door de Japanse wetenschapper . Een PIN-diode of p-i-n diode is een type diode waar tussen de hooggedoteerde p- en n-lagen een bijna ongedoteerde laag toegevoegd is. De naam van deze component is te danken aan de toegevoegde intrinsieke halfgeleiderlaag, i-laag genoemd. (nl) Dioda PIN (od ang. P-type, Intrinsic, N-type semiconductor) jest diodą półprzewodnikową, w której pomiędzy warstwami o przewodnictwie typu p i typu n znajduje się szeroka, słabo domieszkowana warstwa o przewodnictwie samoistnym. Odróżnia to diodę PIN od innych diod. Warstwy zewnętrzne są silnie domieszkowane, gdyż spełniają rolę kontaktu omowego z wyprowadzeniami. (pl) En PIN-diod är en diod med en bred, lätt dopad, nästan ren halvledarregion mellan en p-dopad och n-dopad region. Diodens p- och n-regioner är vanligtvis kraftigt dopade då den används i . Den nästan rena halvledarregionen i PIN-dioden är motsatsen mot en vanlig diod. Den breda rena regionen gör att PIN-dioden likriktar dåligt (en typisk uppgift för en diod), men PIN-dioden blir istället användbar för , snabba , fotodetektorer och kraftelektronik. (sv) PIN型二极管，又称移相开关二极管，和普通的二层结构的PN结二极管相比，PIN型二极管引入了I层：即在普通PN结二极管的由P型半导体材料组成的P层和由N型半导体材料组成的N层中间，插入一层低掺杂的纯度接近于本征半导体材料组成的I层。如果I层材料为低掺杂的P型半导体，则该二极管可称为π型PIN二极管；如果I层材料为低掺杂的N型半导体，则该二极管可称为ν型PIN二极管。在PIN型二极管中，P层和N层通常由高掺杂的半导体材料组成。由于I层的存在，PIN型二极管通常比普通的二极管拥有更宽的耗尽层，更大的和更小的。在射频与微波级别的电路中，PIN型二极管经常被用作、和衰减器。 (zh) Die pin-Diode (englisch positive intrinsic negative diode) ist ein elektrisches Bauelement. Der Aufbau ist ähnlich einer pn-Diode, mit dem entscheidenden Unterschied, dass sich zwischen der p- und n-dotierten Schicht eine zusätzliche schwach oder undotierte Schicht befindet. Diese Schicht ist somit lediglich intrinsisch leitend (eigenleitend) und wird daher i-Schicht genannt. Die p- und n-Schicht sind somit nicht in direktem Kontakt, und bei Anlegen einer Sperrspannung kommt es zur Ausbildung einer größeren Raumladungszone als bei der klassischen pn-Diode. Da die i-Schicht nur wenige freie Ladungsträger enthält, ist sie hochohmig. (de) Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν). (es) A PIN diode is a diode with a wide, undoped intrinsic semiconductor region between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor region. The p-type and n-type regions are typically heavily doped because they are used for ohmic contacts. The wide intrinsic region is in contrast to an ordinary p–n diode. The wide intrinsic region makes the PIN diode an inferior rectifier (one typical function of a diode), but it makes it suitable for attenuators, fast switches, photodetectors, and high-voltage power electronics applications. (en) Un Diodo PIN (diodo tipo-p, intrinseco, tipo-n) è un diodo con una larga regione di materiale semiconduttore intrinseco (non drogato) contenuta tra un semiconduttore di tipo p e un semiconduttore di tipo n. I diodi PIN agiscono quasi perfettamente come resistori alle frequenze delle microonde e delle onde radio; la resistenza dipende dalla corrente continua applicata al diodo. Un diodo PIN mostra un aumento della conduttività elettrica in funzione dell'ampiezza, della lunghezza d'onda e del tasso di modulazione della radiazione incidente. (it) PIN-діод — різновид діоду, в якому між областями електронної (n) і діркової (р) провідності знаходиться власний (нелегований, англ. Intrinsic) напівпровідник (i-область). р- та n-області, як правило, легуються сильно, оскільки вони часто використовуються для омічного контакту до металу. Широка нелегована i-область робить PIN-діод поганим випрямлячем (звичайне застосування для діода), але з іншого боку це дозволяє використовувати його в атенюаторах (послаблювачах сигналу), швидких перемикачах фотодетекторах, а також у високовольтній електроніці. (uk) PIN-диод — разновидность диода, в котором между областями электронной (n) и дырочной (p) проводимости находится собственный (нелегированный, англ. intrinsic) полупроводник (i-область). p и n области как правило легируются сильно, так как они часто используются для омического контакта к металлу. Широкая нелегированная i-область делает PIN-диод плохим выпрямителем (обычное применение для диода), но, с другой стороны, это позволяет использовать его в аттенюаторах (ослабителях сигнала), быстрых переключателях, фотодетекторах, а также в высоковольтной электронике. (ru) |
| rdfs:label | ثنائي المساري PIN (ar) Díode PIN (ca) Pin-Diode (de) Diodo PIN (es) PIN diodo (eu) Diode PIN (fr) Diodo PIN (it) Pin 다이오드 (ko) PIN-diode (nl) PIN diode (en) Dioda PIN (pl) Pin-диод (ru) PIN-diod (sv) PIN型二极管 (zh) PIN-діод (uk) |
| owl:sameAs | freebase:PIN diode http://d-nb.info/gnd/4174704-5 yago-res:PIN diode wikidata:PIN diode dbpedia-ar:PIN diode dbpedia-bg:PIN diode dbpedia-ca:PIN diode dbpedia-da:PIN diode dbpedia-de:PIN diode dbpedia-es:PIN diode dbpedia-et:PIN diode dbpedia-eu:PIN diode dbpedia-fa:PIN diode dbpedia-fr:PIN diode dbpedia-it:PIN diode dbpedia-ko:PIN diode dbpedia-nl:PIN diode dbpedia-pl:PIN diode dbpedia-ru:PIN diode dbpedia-sv:PIN diode dbpedia-tr:PIN diode dbpedia-uk:PIN diode dbpedia-zh:PIN diode https://global.dbpedia.org/id/2TeJD |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:PIN_diode?oldid=1123245669&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Diode-EN.svg wiki-commons:Special:FilePath/General_Microwave_Modulator.png wiki-commons:Special:FilePath/Microwave_Switch.png wiki-commons:Special:FilePath/Pin-Diode.svg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:PIN_diode |
| is dbo:product of | dbr:Microsemi |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:PIN |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:P-i-n_and_n-i-p dbr:PIN_photodiode dbr:Pin_diode dbr:P-I-N dbr:P-i-n dbr:P-i-n_diode dbr:P-i-n_junction dbr:N-i-p |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Queen_Elizabeth_Prize_for_Engineering dbr:Electronic_personal_dosimeter dbr:Quantum-confined_Stark_effect dbr:Resonant-cavity-enhanced_photo_detector dbr:Deep-level_transient_spectroscopy dbr:Index_of_electrical_engineering_articles dbr:Infrared_Data_Association dbr:J._J._Ebers_Award dbr:Light_meter dbr:Limiter dbr:List_of_inventors dbr:Opto-isolator dbr:Power_semiconductor_device dbr:Reconfigurable_antenna dbr:QSK_operation_(full_break-in) dbr:RF_switch_matrix dbr:Radio-frequency_microelectromechanical_system dbr:RailSAR dbr:Glossary_of_electrical_and_electronics_engineering dbr:Zinc_telluride dbr:PIN dbr:Photodiode dbr:Position_sensitive_device dbr:Silicon_photonics dbr:Tohoku_University dbr:Two-photon_photovoltaic_effect dbr:Wireless_data_center dbr:Dissipative_soliton dbr:Laser_diode dbr:Fiber-optic_communication dbr:André_Taylor dbr:Car_alarm dbr:Diode dbr:History_of_science_and_technology_in_Japan dbr:List_of_Japanese_inventions_and_discoveries dbr:Attenuator_(electronics) dbr:Jun-ichi_Nishizawa dbr:Hodoscope dbr:Homodyne_detection dbr:X-ray_fluorescence dbr:Reflectarray_antenna dbr:AzaadiSAT dbr:Microsemi dbr:Modulating_retro-reflector dbr:RONJA dbr:Semiconductor_device dbr:Sensitivity_(electronics) dbr:Vega_program dbr:Optical_link dbr:TDR_moisture_sensor dbr:Multi-junction_solar_cell dbr:Phase_shift_module dbr:Transimpedance_amplifier dbr:P-i-n_and_n-i-p dbr:PIN_photodiode dbr:Outline_of_electrical_engineering dbr:Outline_of_electronics dbr:X-ray_detector dbr:RF_switch dbr:Transmitarray_antenna dbr:Pin_diode dbr:Transposer dbr:Squeezed_states_of_light dbr:P-I-N dbr:P-i-n dbr:P-i-n_diode dbr:P-i-n_junction dbr:N-i-p |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:PIN_diode |
