Carrier generation and recombination (original) (raw)
إعادة الاتحاد في الفيزياء والفلك هو أرتباط أيون موجب الشحنة بإلكترون (سالب الشحنة) فتتشكل الذرة أو الجزيء وتعود الذرة إلى حالتها المتعادلة كهربائيا. وتمثل عملية إعادة الاتحاد معكوس عملية التأين التي تفقد خلالها الذرة أحد إلكتروناتها أو أكثر وتصبح أيونا مشحوناً.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | إعادة الاتحاد في الفيزياء والفلك هو أرتباط أيون موجب الشحنة بإلكترون (سالب الشحنة) فتتشكل الذرة أو الجزيء وتعود الذرة إلى حالتها المتعادلة كهربائيا. وتمثل عملية إعادة الاتحاد معكوس عملية التأين التي تفقد خلالها الذرة أحد إلكتروناتها أو أكثر وتصبح أيونا مشحوناً. (ar) In the solid-state physics of semiconductors, carrier generation and carrier recombination are processes by which mobile charge carriers (electrons and electron holes) are created and eliminated. Carrier generation and recombination processes are fundamental to the operation of many optoelectronic semiconductor devices, such as photodiodes, light-emitting diodes and laser diodes. They are also critical to a full analysis of p-n junction devices such as bipolar junction transistors and p-n junction diodes. The electron–hole pair is the fundamental unit of generation and recombination in inorganic semiconductors, corresponding to an electron transitioning between the valence band and the conduction band where generation of electron is a transition from the valence band to the conduction band and recombination leads to a reverse transition. (en) Recombinatie en ladingdragen in de vastestoffysica van halfgeleiders zijn de processen waarbij verplaatsbare ladingdragers (elektronen) en elektronengaten worden gevormd of opgevuld. Recombinatie en ladingdragerprocessen zijn de basis voor de werking van vele halfgeleiders, zoals fotodioden, LEDs en laserdioden. Ze zijn ook onmisbaar voor een volledige analyse van pn-overgangapparaten, zoals bipolaire transistors en pn-overgangdioden. Het elektronengatpaar is de fundamentale eenheid van generatie en recombinatie, overeenkomend met een elektronverplaatsing tussen de valentieband en de geleidingsband. (nl) 半導体においてキャリア生成と放射再結合とは、電荷キャリア（電子と正孔）が生成または消滅する過程のこと。 電子-正孔ペアの生成は価電子帯から伝導帯への電子遷移であり、再結合は逆の遷移である。 (ja) Rekombinacja – w fizyce to połączenie się pary cząstek lub jonów o przeciwnych ładunkach elektrycznych, jest to proces odwrotny do jonizacji. Zjawisku rekombinacji jonu dodatniego i elektronu towarzyszy uwolnienie nadwyżki energii elektronu, zazwyczaj przez wypromieniowanie fotonu. W półprzewodnikach zachodzą dwa mechanizmy rekombinacji par dziura-elektron: * Rekombinacja bezpośrednia polega na przechodzeniu elektronów z pasma przewodnictwa na jeden z wolnych stanów w paśmie walencyjnym, wskutek czego znika elektron z pasma przewodnictwa i dziura z pasma walencyjnego. Uwolniona w tym procesie energia jest emitowana w postaci fotonu (rekombinacja promienista) albo przekazywana innemu nośnikowi (efekt Augera) w trakcie rekombinacji niepromienistej. * Rekombinacja pośrednia jest to proces, w którym przejście elektronu z pasma przewodnictwa do pasma walencyjnego odbywa się w dwóch etapach, elektron przechodzi przez stany kwantowe w przerwie energetycznej wynikające z defektów sieci krystalicznej, nazywanych pułapkami. Zjawisko rekombinacji pośredniej zostało opisane przez W. Shockleya, W.T. Reada oraz R.N. Halla, i nosi nazwę rekombinacji SRH (Shockley-Read-Hall). Przy dużych koncentracjach domieszek, powyżej 1019 cm-3, zaczyna być decydująca rekombinacja Augera. Rekombinacja Augera występuje równocześnie zarówno w rekombinacji bezpośredniej, jak i pośredniej. Energia wytracona w procesie zjawiska Augera zostaje przekazana elektronowi w paśmie przewodnictwa lub dziurze w paśmie walencyjnym. Nośniki te jednak tracą energię w wyniku oddziaływania z siecią krystaliczną, co towarzyszy generacji fononów. (pl) Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда (электрона и дырки) в среде с выделением энергии. В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации: * межзонная — непосредственный переход электронов из зоны проводимости в валентную зону (в последней имеются дырки), существенна в собственных полупроводниках и полупроводниках с узкой запрещённой зоной с минимальным количеством дефектов; * через промежуточные уровни в запрещённой зоне, существенна в примесных полупроводниках; * на поверхностных состояниях (поверхностная рекомбинации); проявляется в образцах специальной геометрии с больши́м значением поверхности на единицу объёма. При рекомбинации носителей выделяется энергия, передаваемая частицам или квазичастицам. В зависимости от типа таких частиц-«приёмников энергии» выделяются: * — энергия уносится фотонами; * — энергия передается фононам или другим частицам (оже-рекомбинация). Процесс обратный рекомбинации называется генерацией; она состоит в возбуждении электрона из валентной зоны (где формируется дырка) в зону проводимости при нагреве, освещении образца или ударе кристаллической решётки уже наличествующим свободным электроном с достаточной энергией. (ru) 在固体物理学中，载流子的复合（英語：recombination）指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。这一过程在许多光电半导体材料中都会涉及。在一些具有PN结的器件，例如二极管和双极性晶体管中，为了研究其详细的工作原理，分析载流子的复合过程也是必要的。 (zh) Генера́ція носії́в заря́ду — це процес утворення вільних електронів і дірок під впливом різних енергетичних факторів: теплової енергії, енергії світла, енергії електричного поля. Протилежним явищем є рекомбінація. Електрон-діркова пара — фундаментальна одиниця генерації та рекомбінації, що відповідає електроному переходу з валентної зони до зони провідності. (uk) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Electronic_band_diagram.svg?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | http://www.pvlighthouse.com.au/calculators/Band%20gap%20calculator/Band%20gap%20calculator.aspx https://www.pveducation.org/pvcdrom/design-of-silicon-cells/surface-recombination http://www.pvlighthouse.com.au/calculators/Recombination%20calculator/Recombination%20calculator.aspx |
| dbo:wikiPageID | 2080260 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 27994 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1121297243 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Robert_N._Hall dbr:Electron_hole dbr:Electronic_band_structure dbr:Charge_carrier dbr:Charge_carrier_density dbr:Valence_band dbr:Deep-level_trap dbr:Dopant dbr:Population_inversion dbr:Conduction_band dbr:Mass_action_law_(electronics) dbr:Organic_solar_cell dbr:Einstein_coefficients dbr:Electron dbr:Frequency dbr:Momentum dbr:Crystal_momentum dbr:Optoelectronics dbr:Light-emitting_diode dbr:Cage_effect dbr:Density_of_states dbr:Passivation_(chemistry) dbr:Phase_(waves) dbr:Photodiode dbr:Spontaneous_emission dbr:Stokes_shift dbr:William_Shockley dbr:Laser_diode dbr:Quasi_Fermi_level dbc:Optoelectronics dbr:Fermi_level dbr:Band_gap dbc:Charge_carriers dbr:Diode dbr:Direct_and_indirect_band_gaps dbr:KT_(energy) dbr:Thermodynamics dbr:Quantum_efficiency dbr:Temperature dbr:Absolute_zero dbr:Absorption_(electromagnetic_radiation) dbc:Semiconductors dbr:Laser dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Transistor dbr:Direct_bandgap dbr:Auger_effect dbr:Phonon dbr:Photon dbr:Polarization_(waves) dbr:Solar_cell dbr:Fermi–Dirac_statistics dbr:Energy_state dbr:Carrier_lifetime dbr:Luminescence dbr:Maser dbr:Semiconductor dbr:Semiconductor_device dbr:Silicon dbr:Thermal_equilibrium dbr:Direction_(geometry) dbr:Crystal_lattice dbr:Stimulated_emission dbr:Exciton dbr:Photoconductivity dbr:Phosphor dbr:Photodetector dbr:Solid-state_physics dbr:Perovskite_solar_cell dbr:P-n_junction dbr:Radiative_recombination dbr:Auger_recombination dbr:Degeneracy_(quantum_mechanics) dbr:Crystal_defect dbr:File:Diffusion_center.gif dbr:File:Electronic_band_diagram.svg dbr:File:Shockley-Read-Hall_model_inorganic_semiconductors.png dbr:Shockley–Read–Hall_(SRH) dbr:William_Thornton_Read |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Main dbt:More_citations_needed dbt:Reflist dbt:See_also dbt:Short_description |
| dct:subject | dbc:Optoelectronics dbc:Charge_carriers dbc:Semiconductors |
| rdf:type | owl:Thing |
| rdfs:comment | إعادة الاتحاد في الفيزياء والفلك هو أرتباط أيون موجب الشحنة بإلكترون (سالب الشحنة) فتتشكل الذرة أو الجزيء وتعود الذرة إلى حالتها المتعادلة كهربائيا. وتمثل عملية إعادة الاتحاد معكوس عملية التأين التي تفقد خلالها الذرة أحد إلكتروناتها أو أكثر وتصبح أيونا مشحوناً. (ar) 半導体においてキャリア生成と放射再結合とは、電荷キャリア（電子と正孔）が生成または消滅する過程のこと。 電子-正孔ペアの生成は価電子帯から伝導帯への電子遷移であり、再結合は逆の遷移である。 (ja) 在固体物理学中，载流子的复合（英語：recombination）指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。这一过程在许多光电半导体材料中都会涉及。在一些具有PN结的器件，例如二极管和双极性晶体管中，为了研究其详细的工作原理，分析载流子的复合过程也是必要的。 (zh) Генера́ція носії́в заря́ду — це процес утворення вільних електронів і дірок під впливом різних енергетичних факторів: теплової енергії, енергії світла, енергії електричного поля. Протилежним явищем є рекомбінація. Електрон-діркова пара — фундаментальна одиниця генерації та рекомбінації, що відповідає електроному переходу з валентної зони до зони провідності. (uk) In the solid-state physics of semiconductors, carrier generation and carrier recombination are processes by which mobile charge carriers (electrons and electron holes) are created and eliminated. Carrier generation and recombination processes are fundamental to the operation of many optoelectronic semiconductor devices, such as photodiodes, light-emitting diodes and laser diodes. They are also critical to a full analysis of p-n junction devices such as bipolar junction transistors and p-n junction diodes. (en) Recombinatie en ladingdragen in de vastestoffysica van halfgeleiders zijn de processen waarbij verplaatsbare ladingdragers (elektronen) en elektronengaten worden gevormd of opgevuld. Recombinatie en ladingdragerprocessen zijn de basis voor de werking van vele halfgeleiders, zoals fotodioden, LEDs en laserdioden. Ze zijn ook onmisbaar voor een volledige analyse van pn-overgangapparaten, zoals bipolaire transistors en pn-overgangdioden. (nl) Rekombinacja – w fizyce to połączenie się pary cząstek lub jonów o przeciwnych ładunkach elektrycznych, jest to proces odwrotny do jonizacji. Zjawisku rekombinacji jonu dodatniego i elektronu towarzyszy uwolnienie nadwyżki energii elektronu, zazwyczaj przez wypromieniowanie fotonu. W półprzewodnikach zachodzą dwa mechanizmy rekombinacji par dziura-elektron: (pl) Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда (электрона и дырки) в среде с выделением энергии. В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации: * межзонная — непосредственный переход электронов из зоны проводимости в валентную зону (в последней имеются дырки), существенна в собственных полупроводниках и полупроводниках с узкой запрещённой зоной с минимальным количеством дефектов; * через промежуточные уровни в запрещённой зоне, существенна в примесных полупроводниках; * на поверхностных состояниях (поверхностная рекомбинации); проявляется в образцах специальной геометрии с больши́м значением поверхности на единицу объёма. (ru) |
| rdfs:label | عودة ارتباط (ar) Generació i recombinació de portadors (ca) Carrier generation and recombination (en) キャリア生成と再結合 (ja) Recombinatie (natuurkunde) (nl) Rekombinacja (fizyka) (pl) Рекомбинация (физика полупроводников) (ru) 復合 (物理學) (zh) Генерація носіїв заряду (uk) |
| rdfs:seeAlso | dbr:Electronic_band_structure dbr:Deep-level_trap dbr:Absorption_(electromagnetic_radiation) dbr:Stimulated_emission |
| owl:sameAs | freebase:Carrier generation and recombination wikidata:Carrier generation and recombination dbpedia-ar:Carrier generation and recombination dbpedia-ca:Carrier generation and recombination dbpedia-fa:Carrier generation and recombination dbpedia-ja:Carrier generation and recombination dbpedia-nl:Carrier generation and recombination dbpedia-pl:Carrier generation and recombination dbpedia-ru:Carrier generation and recombination dbpedia-uk:Carrier generation and recombination dbpedia-zh:Carrier generation and recombination https://global.dbpedia.org/id/3EnPB |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Carrier_generation_and_recombination?oldid=1121297243&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Diffusion_center.gif wiki-commons:Special:FilePath/Electronic_band_diagram.svg wiki-commons:Special:FilePath/Shockley-Read-Hall_model_inorganic_semiconductors.png |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Carrier_generation_and_recombination |
| is dbo:knownFor of | dbr:William_Shockley dbr:Pierre_Victor_Auger |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:Generation_(disambiguation) dbr:Recombination |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Non-radiative_life_time dbr:Nonradiative_recombination dbr:Non-radiative_lifetime dbr:Non-radiative_recombination dbr:Electron-hole_pair dbr:Electron-hole_pairs dbr:Electron-hole_recombination dbr:Electron–hole_pair dbr:Electron–hole_recombination dbr:Shockley-Hall-Read_process dbr:Carrier_generation dbr:Carrier_recombination dbr:Radiative_recombination dbr:Auger_Recombination dbr:Auger_recombination dbr:Recombination_(physics) dbr:Recombine_(physics) dbr:Shockley-Read-Hall_process dbr:Shockley–Hall–Read_process dbr:Shockley–Read–Hall_process |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Cadmium_sulfide dbr:Electrically_detected_magnetic_resonance dbr:Electron_hole dbr:Electron_pair dbr:Monocrystalline_silicon dbr:Anomalous_photovoltaic_effect dbr:Charge_carrier dbr:Charge_transport_mechanisms dbr:Current_injection_technique dbr:Deep-level_transient_spectroscopy dbr:Deep-level_trap dbr:Double_heterostructure dbr:Index_of_physics_articles_(C) dbr:Interband_cascade_laser dbr:Electron_Pair_Production dbr:Solar-cell_efficiency dbr:Optical_amplifier dbr:List_of_laser_articles dbr:Photocatalysis dbr:OLED dbr:Concentrator_photovoltaics dbr:Convection–diffusion_equation dbr:Analytical_chemistry dbr:Generation–recombination_noise dbr:Low-level_injection dbr:Organic_solar_cell dbr:P–n_diode dbr:Quantum_dot_laser dbr:Copper_indium_gallium_selenide_solar_cell dbr:LED_lamp dbr:Optoelectrowetting dbr:Light-emitting_diode dbr:Cage_effect dbr:Semiconductor_characterization_techniques dbr:Two-photon_photovoltaic_effect dbr:Wide-bandgap_semiconductor dbr:William_Shockley dbr:Drift_current dbr:Laser_diode dbr:Surface_photovoltage dbr:Fiber-optic_communication dbr:Band_bending dbr:Band_gap dbr:Dielectric_gas dbr:Diode dbr:Diode_modelling dbr:Flicker_noise dbr:Generation_(disambiguation) dbr:Quantum_well dbr:Recombination dbr:Rutherford_backscattering_spectrometry dbr:EHP dbr:Bifacial_solar_cells dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Reciprocity_(optoelectronic) dbr:Auger_effect dbr:Avalanche_transistor dbr:Pierre_Victor_Auger dbr:Capacitance–voltage_profiling dbr:Carrier_lifetime dbr:SRH dbr:Semiconductor_Bloch_equations dbr:Semiconductor_luminescence_equations dbr:Step_recovery_diode dbr:Semiconductor dbr:Sonoluminescence dbr:Non-radiative_life_time dbr:Nonradiative_recombination dbr:Exciton dbr:Radiation_hardening dbr:Phosphor dbr:Photovoltaic_module_analysis_techniques dbr:Silicon_quantum_dot dbr:Non-radiative_lifetime dbr:Staebler–Wronski_effect dbr:Transient_photocurrent dbr:Thyristor dbr:Non-radiative_recombination dbr:Electron-hole_pair dbr:Electron-hole_pairs dbr:Electron-hole_recombination dbr:Electron–hole_pair dbr:Electron–hole_recombination dbr:Thermophotovoltaic_energy_conversion dbr:Shockley-Hall-Read_process dbr:Carrier_generation dbr:Carrier_recombination dbr:Radiative_recombination dbr:Auger_Recombination dbr:Auger_recombination dbr:Recombination_(physics) dbr:Recombine_(physics) dbr:Shockley-Read-Hall_process dbr:Shockley–Hall–Read_process dbr:Shockley–Read–Hall_process |
| is dbp:knownFor of | dbr:Pierre_Victor_Auger |
| is dbp:workingPrinciple of | dbr:Laser_diode |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Carrier_generation_and_recombination |
