MOS characteristic - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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意味・対訳 MOS特性
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MOS characteristic
「MOS characteristic」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 80件
例文
To provide a semiconductor device including a depletion type MOS transistor and an enhancement type MOS transistor, which provides a reference voltage circuit having an enhanced temperature characteristic or analog characteristic without increasing an area of the semiconductor device through addition of a circuit.例文帳に追加
Depletion型MOS TrとEnhance型MOS Trによって形成される半導体装置において、回路的な付加によって半導体装置の面積を増大させることなく、温度特性やアナログ特性を向上させた基準電圧回路を提供する。 - 特許庁
To reduce a temperature change in the gain characteristic of a variable gain amplifier employing a MOS transistor (TR).例文帳に追加
本発明の目的は、MOSトランジスタを用いた可変利得増幅器の利得特性の温度変化を小さくすることである。 - 特許庁
To obtain a high-quality MOS interface and the same bulk insulating characteristic at a low processing temperature.例文帳に追加
低いプロセス温度で高品質のＭＯＳ界面とバルク絶縁特性を得る。 - 特許庁
To provide a structure of a high drive-capability lateral MOS transistor whose gate width per unit area is increased and whose device characteristic is stable.例文帳に追加
高駆動能力横型MOSトランジスタにおいて、単位面積当りのゲート幅を増大させつつ、素子特性の安定した高駆動能力横型MOSトランジスタの構造を提供する。 - 特許庁
MOS TRANSISTOR CHARACTERISTICS DETECTION DEVICE AND CMOS CIRCUIT CHARACTERISTIC AUTOMATIC ADJUSTING ARRANGEMENT例文帳に追加
ＭＯＳトランジスタ特性検出装置及びＣＭＯＳ回路特性自動調整装置 - 特許庁
To control a drain current-temperature characteristic of a MOS transistor without changing a manufacturing process.例文帳に追加
製造工程を変更することなくＭＯＳトランジスタのドレイン電流−温度特性を制御する。 - 特許庁
例文
To provide a semiconductor circuit configured of MOS-FETs capable of attaining both a high-speed switching characteristic and a small sub threshold current characteristic.例文帳に追加
高速のスイッチング特性と小サブスレッショルド電流特性とが両立可能なＭＯＳ−ＦＥＴで構成される半導体回路を提供する。 - 特許庁
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「MOS characteristic」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 80件
例文
To provide a semiconductor circuit which is composed of a MOS-FET that can achieve both of a high speed switching characteristic and small threshold current characteristic.例文帳に追加
高速のスイッチング特性と小サブスレッショルド電流特性とが両立可能なＭＯＳ−ＦＥＴで構成される半導体回路を提供する。 - 特許庁
To provide a cell layout method for a semiconductor device and the semiconductor device in which a gate size of an MOS transistor is changed, while suppressing the characteristic variations of the MOS transistor.例文帳に追加
ＭＯＳトランジスタの特性ばらつきを抑えつつ、ＭＯＳトランジスタのゲートサイズを変更する半導体装置のセルレイアウト方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁
Consequently, a silicon carbide semiconductor device having MOS structure showing excellent characteristic can be manufactured.例文帳に追加
本発明により良好な特性を示す、ＭＯＳ構造を有するシリコンカーバイド半導体装置の製造が可能となる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which reduces the MOS transistor's characteristic variations caused by the impact ionization phenomenon found in the high-accuracy power management semiconductor device or analog semiconductor device with integrated MOS transistors such as CMOS semiconductor integrated circuits, and assures stable electrical characteristics.例文帳に追加
CMOS半導体集積回路などのMOSトランジスタを含み、高精度を有するパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置におけるインパクトイオン化現象によるMOSトランジスタの特性変動を低減し、安定した電気的特性を得ることを特徴とする半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
Accordingly, there can be obtained a stable characteristic that variation in the characteristic due to a surface on which the channel is formed does not appear, and the high drive-capability lateral MOS transistor having a reduced on-resistance per unit area can be provided.例文帳に追加
これにより、チャネルが形成される面による特性の変動が現れない安定した特性が得られ、単位面積当りのオン抵抗が低減された高駆動能力横型MOSトランジスタを提供することが可能となる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device equipped with a MOS transistor capable of adjusting a drain voltage-drain current temperature characteristic.例文帳に追加
ドレイン電圧−ドレイン電流温度特性を調整できるＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein leakage current characteristic and element isolation characteristics of a high breakdown voltage MOS transistor are satisfactorily ensured.例文帳に追加
高耐圧ＭＯＳトランジスタのリーク電流特性、素子分離特性を良好に確保した半導体装置を提供する。 - 特許庁
例文
The method for manufacturing vertical MOS transistor prevents the deterioration of characteristic from occurring for a long term, by generating destruction between a drain and a source in the latter.例文帳に追加
ドレイン−ソース間破壊を後者で発生させることにより長期的に特性劣化が生じないようにする。 - 特許庁
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