gaas quantum dot - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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gaas quantum dot
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「gaas quantum dot」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
例文
To appropriately control the size of InAs quantum dot formed on GaAs layer.例文帳に追加
ＧａＡｓ層上に形成されるＩｎＡｓ量子ドットのサイズを適切に制御する。 - 特許庁
On a GaAs layer 3, an InAs quantum-dot 4 having the larger lattice constant is formed by utilizing the strain relaxation.例文帳に追加
ＧａＡｓ層３上に、これよりも格子定数の大きいＩｎＡｓ量子ドット４を歪み緩和を利用して形成する。 - 特許庁
An intrinsic GaAs wave-guiding layer 9 on a p-type AlGaAs clad layer 2 and the quantum dot active layer 3 is formed thereon.例文帳に追加
ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２上に真性ＧａＡｓ導波層９が形成され、その上に量子ドット活性層３が形成されている。 - 特許庁
To provide a method for forming a quantum dot which can form a pure InAs quantum dot at a desired position or with a desired density on a GaAs substrate, an AlAs substrate, or a GaAlAs alloy substrate.例文帳に追加
ＧａＡｓ基板、ＡｌＡｓ基板あるいはＧａＡｌＡｓ混晶基板上において、所望する位置あるいは所望する密度で純粋なＩｎＡｓ量子ドットを形成することができる量子ドットの形成方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor light-emitting device includes the GaAs substrate 1, the quantum dot active layer 3 formed over the GaAs substrate 1, a GaAs layer 4 formed above or below the quantum dot active layer 3, and the diffraction grating 7 formed from InGaP or InGaAsP and periodically provided along an propagating direction of light in the GaAs layer 4.例文帳に追加
半導体発光素子を、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に形成された量子ドット活性層３と、量子ドット活性層３の上側又は下側に形成されたＧａＡｓ層４と、ＧａＡｓ層４の内部に、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰからなり、光の進行方向に沿って周期的に設けられた回折格子７とを備えるものとする。 - 特許庁
In the multilayered quantum dot structure having InGaAs quantum dot laminate structures provided on a GaAs buffer layer, an arbitrary number of InGaAs quantum dot laminate structures 6 are laminated, each of the laminate structures 6 including an InGaAs thin-film layer 3 provided with a plurality of InGaAs quantum dots 4 and a GaAs buffer layer 5 provided on the InGaAs thin-film layer 3 so as to bury the InGaAs quantum dots 4.例文帳に追加
ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体を設けた多積層量子ドット構造体では、前記ＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体６は、複数のＩｎＧａＡｓ量子ドット４を設けたＩｎＧａＡｓ薄膜層３と、そのＩｎＧａＡｓ量子ドット４を埋め込むようにＩｎＧａＡｓ薄膜層３上に設けたＧａＡｓバッファ層５から構成するＩｎＧａＡｓ量子ドット構造体６を任意数層積層して構成する。 - 特許庁
例文
To provide a multilayered quantum dot structure having respective layers made faster in growing speed than before by providing a normal GaAs layer having a simple structure as an intermediate layer of a quantum dot layer without growing a strain compensation layer increasing processes, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
工程を増加させる歪補償層を成長させることなく、簡単な構造をとる通常のＧａＡｓ層を量子ドット層の中間層として設け、各層の成長速度を従来のものより早くする多積層量子ドット構造体および製造方法を得る。 - 特許庁
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「gaas quantum dot」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
例文
After an InAs quantum dot, fabricated by S-K mode growth on a GaAs substrate, is embedded and planarized using GaAs, molecular-layer etching for etching molecular layers layer by layer is carried out continuously, without moving from the growth container.例文帳に追加
ＧａＡｓ基板上にＳ−Ｋモード成長を利用して作製したＩｎＡｓ量子ドットをＧａＡｓで埋め込んで表面を平坦にした後、分子層を一層、一層エッチングする分子層エッチングを、成長槽内から移動せずに連続的に行なう。 - 特許庁
To provide a semiconductor light-emitting device which is formed on the GaAs substrate and has a quantum dot active layer, the semiconductor light-emitting device being improved in yield by making it possible to form a diffraction grating in a semiconductor laminated structure.例文帳に追加
ＧａＡｓ基板上に形成され、量子ドット活性層を備える半導体発光素子において、半導体積層構造の内部に回折格子を形成できるようにし、歩留まりを良くする。 - 特許庁
To provide an optical semiconductor device formed on a barrier layer containing GaAs and provided with a quantum dot containing InAs, capable of easily obtaining a polarization-insensitive gain.例文帳に追加
ＧａＡｓを含む障壁層上に形成され、ＩｎＡｓを含む量子ドットを備える光半導体装置において、容易に偏波無依存な利得を得られるようにする。 - 特許庁
For example, in the case of introducing a GaSb layer with 0.24 to 1.52 ML thickness with a composition x (x=1) of antimony (Sb) to the GaAs buffer layer, the InAs quantum dots can be self-formed on the GaSb layer with a high uniformity with a dot density of 1.1×10^11cm^-2 or over.例文帳に追加
たとえば、アンチモン（Ｓｂ）の組成ｘをｘ＝１にして、０．２４〜１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層を導入する場合は、ＧａＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを、１．１×１０^11ｃｍ^-2以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。 - 特許庁
The VCSEL device 10 has a tunnel junction 17 between an n-type lower DBR mirror 12 and an n-type upper DBR mirror 19, and the tunnel junction 17 has a quantum dot layer 32 of 2.5 mono layer thickness between a p^+-GaAs layer 31 and an n^+-InGaAs layer 33.例文帳に追加
ＶＣＳＥＬ素子１０は、ｎ型下部ＤＢＲミラー１２とｎ型上部ＤＢＲミラー１９との間にトンネル接合１７を有し、トンネル接合１７は、ｐ^+−ＧａＡｓ層３１とｎ^+−ＩｎＧａＡｓ層３３との間に２．５モノレーヤ厚みの量子ドット層３２を有する。 - 特許庁
例文
The forming method of quantum dot includes a first formation step of forming a first semiconductor layer (120), containing GaAs on a substrate (110); and a second formation step of casting In and As each on the first semiconductor layer and forming a second semiconductor layer (130) containing InAs, after the substrate temperature of the substrate is set at a temperature between 480°C and 530°C.例文帳に追加
量子ドットの形成方法は、基板（１１０）上にＧａＡｓを含んでなる第１半導体層（１２０）を形成する第１形成工程と、基板の基板温度を摂氏４８０度及び摂氏５３０度の間の温度にした後に、第１半導体層の上に、Ｉｎ及びＡｓを夫々照射して、ＩｎＡｓを含んでなる第２半導体層（１３０）を形成する第２形成工程とを備える。 - 特許庁
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