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オーミック接続の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 87件
例文
ワイドバンド半導体の**オーミック接続形成方法例文帳に追加
OHMIC CONNECTION FORMING METHOD OF WIDEBAND SEMICONDUCTOR - 特許庁
Ｐ側オーミックメタル電極部３Ａ，３Ｂと半導体結晶１との金属層２を介しての電気接続はオーミック特性を有している。例文帳に追加
The P-side ohmic metal electrodes 3A and 3B and the semiconductor crystal are electrically connected together through the intermediary of the metal layer 2 in an ohmic manner. - 特許庁
第２の保護素子オーミック電極１２３Ｂは第１のゲート電極１１５と接続され、第１の保護素子オーミック電極１２３Ａは第１のオーミック電極１１３Ａと接続され、第１の保護素子ゲート電極１１５は、第１の保護素子オーミック電極１２３Ａ及び第２の保護素子オーミック電極１２３Ｂの少なくとも一方と接続されている。例文帳に追加
A second protective element ohmic electrode 123B is connected to a first gate electrode 115, a first protective element ohmic electrode 123A is connected to a first ohmic electrode 113A, and the first protective element gate electrode 115 is connected to at least one of the first protective element ohmic electrode 123A and second protective element ohmic electrode 123B. - 特許庁
コンタクト半導体層６上に、ソースまたはドレインの**オーミック接続層１１が形成されている。例文帳に追加
On the contact semiconductor layer 6, an ohmic connection layer 11 of source or drain is formed. - 特許庁
例文
炭素元素円筒型構造体への**オーミック接続構造及びその作製方法例文帳に追加
OHMIC CONNECTION STRUCTURE TO CARBON ELEMENT CYLINDRICAL STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
例文
信号線13のトップコート層24と画素電極27との接続がオーミック接触となる。例文帳に追加
Thus, the top coat layer 24 of the signal line 13 is connected to the pixel electrode 27 and makes ohmic contact with each other. - 特許庁
ワイドバンドギャップ半導体材料からなる基板への**オーミック接続形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide an ohmic connection forming method to a substrate consisting of a wideband gap semiconductor material. - 特許庁
良好にかつ高い再現性でカーボンナノチューブと電極とをオーミック接続することが可能なカーボンナノチューブデバイスの作製方法、および**オーミック接続**されたカーボンナノチューブデバイスを提供すること。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a carbon nanotube device wherein ohmic connection of a carbon nanotube and an electrode can be performed excellently with high reproducibility, and a carbon nanotube device which is subjected to ohmic connection. - 特許庁
したがって、Ａｌ膜１０ａとシリコン基板１とをオーミック接続すること、つまり裏面電極１０とシリコン基板１とを**オーミック接続**することが可能となる。例文帳に追加
Accordingly, the ohmic contact of the Al film 10a and the silicon substrate 1 is carried out, that is, it can carry out ohmic contact of the back electrode 10 and the silicon substrate 1. - 特許庁
例文
接続対象に接合した炭素元素円筒型構造体５１の接合部の内部に金属材料５９が位置し、炭素元素円筒型構造体５１と接続対象５７とがオーミック接触により接続している**オーミック接続構造とする。例文帳に追加
In the ohmic connection structure, a metal material 59 is positioned in the joining section of the carbon element cylindrical structure 51 joined with an object to be connected, and the carbon element cylindrical structure 51 and the object to be connected 57 are connected by an ohmic connection. - 特許庁
例文
基板１上にボンディング電極（ｎパッド）７を形成してあり、ボンディング電極７は、オーミック電極９を覆うようにして延設され、オーミック電極９に接続してある。例文帳に追加
A bonding electrode (n pad) 7 is formed on the substrate 1, extended covering the ohmic electrode 9, and connected to the ohmic electrode 9. - 特許庁
また、ｐ型半導体層１０４の上に配置された電極層１０５と、ｎ型領域１０２に*オーミック接続して形成された*オーミック**電極１０６と、基板１０１の裏面側に配置された電極層１０７とを備える。例文帳に追加
Additionally, the light-emitting device comprises an electrode layer 105 arranged on the p-type semiconductor layer 104; an ohmic electrode 106 formed by ohmic connection to the n-type region 102; and an electrode layer 107 arranged at the back side of the substrate 101. - 特許庁
ゲート電極の両側に、電子走行層と**オーミック接続されたソース電極及びドレイン電極が配置されている。例文帳に追加
A source electrode ohmic-connected to the electron transit layer and a drain electrode are arranged on both sides of the gate electrode. - 特許庁
炭化珪素基板１０とコンタクト電極１６とがオーミックに接続されるようにコンタクト電極１６がアニールされる。例文帳に追加
The contact electrodes 16 are annealed so that the silicon carbide substrate 10 and the contact electrodes 16 are ohmic-connected. - 特許庁
ｐ側電極は、パッド電極とオーミック電極とを少なくとも２つの電流経路で接続している。例文帳に追加
The p-side electrode connects the pad electrode and the ohmic electrode by at least two current paths. - 特許庁
接続プラグの形成工程を伴わずに良好なオーミック接触を得ることを可能とするコンタクトホールを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device having contact holes by which proper ohmic contact can be obtained without performing a step for forming connection plugs. - 特許庁
そして、半導体装置の製造工程で一時、上記ゲート電極とそれに隣接するオーミック電極とが導電層で接続されている。例文帳に追加
Then the gate electrode and the ohmic electrode adjacent to it are temporarily connected using a conductive layer in the manufacturing process of a semiconductor device. - 特許庁
更に、幅広部分を介して２個のオーミック電極の間に直列に抵抗４４，４６が接続されている。例文帳に追加
Further, resistances 44 and 46 are connected in series between the two ohmic electrodes with the wide portion interposed. - 特許庁
また、ｐ側電極９の一部は、ｐ型コンタクト層７と**オーミック接続された状態で接している。例文帳に追加
Also, one portion of the p-type electrode 9 is in ohmic contact with the p-type contact layer 7. - 特許庁
ゲート電極上の低抵抗上層配線の形成と同時に，基板に**オーミック接続する配線又は電極を形成する。例文帳に追加
To form a wiring or an electrode with ohmic connection to a substrate, simultaneously with the formation of a low resistance upper layer wiring on a gate electrode. - 特許庁
この多結晶シリコン膜をマスクとしてＰ型不純物を拡散してボデイ領域４及び**オーミック接続用Ｐ^＋半導体領域７を得る。例文帳に追加
A body region 4 and an ohmic connection P^+ semiconductor region 7 are attained by diffusing a P impurity with the polycrystal silicon film as a mask. - 特許庁
サージ保護領域（１６）は、オーミックコンタクトをとった状態でエミッタ電極と電気的に接続する。例文帳に追加
A surge protective region (16) is connected electrically with the emitter electrode under ohmic contact state. - 特許庁
本発明の課題は、半導体と金属の間の**オーミック接続を、短時間でかつ効率的に形成する技術を提供することである。例文帳に追加
To provide a technique for efficiently forming an ohmic connection between a semiconductor and metal in a short time. - 特許庁
変質層１４は、金属膜２０の堆積後に高温のアニールを必要とせずに、**オーミック接続の形成を可能とする。例文帳に追加
The deterioration layer 14 can form the ohmic connection without needing any high temperature anneal after depositing the metal film 20. - 特許庁
導電性反射層１７には、ｐ側オーミック電極１５と接続するための第１コンタクト部１７ａが形成されている。例文帳に追加
A first contact 17a connected with the p-side ohmic electrode 15 is formed on the conductive reflective layer 17. - 特許庁
パワートランジスタ１，２は支持部６の一方表面に接合されており、裏面電極８，９は支持部６に**オーミック接続されている。例文帳に追加
The power transistors 1 and 2 are bonded on the one surface of the support 6, and the back electrodes 8 and 9 are connected to the support 6 in an ohmic manner. - 特許庁
これにより、チタン含有層が、その境界部全体で窒化物半導体層に対して**オーミック接続される。例文帳に追加
Consequently, the titanium-containing layer is ohmic-connected to the nitride semiconductor layer at the whole boundary thereof. - 特許庁
第１コンタクト電極は、絶縁膜上に形成されていて、第１オーミック電極と電気的に接続されている。例文帳に追加
The first contact electrode is formed on the insulating film and is electrically connected to the first ohmic electrode. - 特許庁
素子分離領域上のドレイン連結部が、ドレインオーミック接触部の同じ側の端部同士を接続する。例文帳に追加
A drain connecting portion on an element separation region connects ends of the drain ohmic contacting portions, on the same side to each other. - 特許庁
電極を容易に**オーミック接続できる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor light-emitting device which makes easily an ohmic connection of an electrode, and also to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁
プラグ部１１ａの底部のバリア導体膜８は、ｎ^＋型半導体領域４と**オーミック接続している。例文帳に追加
The barrier conductor film 8 on the bottom of a plug 11a is connected to the n^+-type semiconductor region 4 in ohmic manner. - 特許庁
ゲート絶縁膜用開口と**オーミック接続領域形成用開口とを有するマスクを形成し、ゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加
A mask having an opening for a gate insulating film and an openning for forming an ohmic connection region is formed, and the gate insulating region is formed. - 特許庁
補助容量電極用上層接続パッド３４は、コンタクトホール３３を介して補助容量電極用中継配線３１（金属膜３１ｃ）の他端部に接続されている（**オーミック接続良好）。例文帳に追加
The upper-layer connection pad 34 for the auxiliary capacitance electrode is connected to the other end part of the relay wiring line 31 (metal film 31c) for the auxiliary capacitance electrode through a contact hole 33 (with excellent ohmic connection). - 特許庁
ｐ側オーミック電極６は、複数のストライプ部６ａと、各ストライプ部６ａを連結する連結部６ｂと、ｐ側接続用電極４が接続される接続部６ｃとを有する。例文帳に追加
The p-side ohmic electrode 6 is equipped with two or more striped parts 6a, joints 6b connecting the striped parts 6a together, and a joint 6c which is connected to the p-side connecting electrode 4. - 特許庁
開口の内壁面上に形成された絶縁膜上に、第２オーミック電極と電気的に接続される側面電極を形成すると共に、コンタクト層上に形成された絶縁膜上に、第１オーミック電極と電気的に接続される第１コンタクト電極、及び、側面電極と電気的に接続される第２コンタクト電極を形成する。例文帳に追加
A side face electrode electrically connected to the second ohmic electrode is formed on an insulation film formed on an inner wall surface of the opening, and a first contact electrode electrically connected to the first ohmic electrode and a second contact electrode electrically connected to the side face electrode are formed on the insulation film formed on the contact layer. - 特許庁
シリコン基板の引き出し電極を介さずに固定電極から外部への電気接続経路の引き出しを行うため、センサの小型化し、接続部のオーミック接触を容易に確保することができる。例文帳に追加
Electric connection paths are extracted to the outside from the fixed electrodes 18, 19 without using the extracting electrode of the silicon substrate 10, thus the sensor is miniaturized, and the ohmic contact of a connection section can be easily ensured. - 特許庁
本発明の半導体装置では、金属層と接続する固定電位絶縁電極５の接続領域に突起領域１６を形成し、オーミックコンタクトする領域を増大させている。例文帳に追加
In the semiconductor device, a projecting region 16 is formed at the connection region of the fixed potential insulating electrode 5 connected to a metal layer, and a region for ohmic contact is increased. - 特許庁
第１のアクティブバリア構造ＡＢＲは、ｐ型不純物領域ＰＳＲに接続されたｎ型領域と、ｎ型領域と**オーミック接続されたｐ型領域とを含む。例文帳に追加
The first active barrier structure ABR includes an n-type area connected to a p-type impurity area PSR and a p-type area with which the n-type area is made an ohmic connection. - 特許庁
接続部７５ｄは、発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けられ、２つの副部７５ｃの一方と発光領域３１１上に設けられたｎ型オーミック電極３２１とを接続している。例文帳に追加
A connection 75d is provided to extend in the row direction of the light-emitting thyristor array, and connects one of two sub-parts 75c with a n-type ohmic electrode 321 provided on the light-emitting region 311. - 特許庁
半導体デバイス（ＴＦＴ）は、チャネル部１１を形成する様にＳｉ半導体膜７上に配設された被酸化のオーミック低抵抗Ｓｉ膜８と、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接に接続し、且つ、接続界面近傍に、少なくともＮｉ原子、Ｎ原子及びＯ原子を含むアルミニウム合金膜から成る、ソース電極９及びドレイン電極１０とを有する。例文帳に追加
A semiconductor device (TFT) includes oxidized low-ohmic resistance Si films 8 disposed on a Si semiconductor film 7 so as to form a channel 11, and a source electrode 9 and a drain electrode 10 which are directly connected to the low-ohmic resistance Si films 8, and comprise an aluminum alloy film containing at least Ni atoms, N atoms and O atoms in the vicinity of the connection interface. - 特許庁
上側電子供給層の上に、相互に離隔して配置され、下側電子走行層及び上側電子走行層にオーミックに接続されるソース電極及びドレイン電極が配置されている。例文帳に追加
On the upper side electron supply layer, a source electrode and a drain electrode are arranged that are separate from each other and are connected ohmic to the lower side electron travel layer and the upper side electron travel layer. - 特許庁
ＧａＡｓを含む３−５族化合物半導体単結晶と外部接続用オーミック電極との間で電流を円滑に流すことができるようにすること。例文帳に追加
To ensure a smooth current flow between a III-V compound semiconductor single crystal including GaAs and an ohmic electrode for external connection. - 特許庁
次に、絶縁層１０２の上に所定の間隔で離間し、かつカーボンナノチューブ１０３に一部が**オーミック接続するソース電極１０４及びドレイン電極１０５が形成された状態とする。例文帳に追加
Next, a source electrode 104 and a drain electrode 105 which are apart at the predetermined space on the insulating layer 102 and parts of which are ohmically connected with the carbon nano-tube 103. - 特許庁
ＳｉＣにおける不純物領域に対するコンタクト配線のオーミック接合を確保しつつ、コンタクト配線の接続信頼性を向上させることのできる半導体装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a semiconductor device capable of improving connection reliability of a contact wire while ensuring the ohmic joint of the contact wire to an impurity area in SiC. - 特許庁
駆動電極１０３に電圧を印加するためのパッド１０５は前記駆動電極１０３とオーミックに電気的接続され、かつ、ワイヤボンディング可能なコンタクト用金属薄膜が形成されている。例文帳に追加
A pad 105 for applying a voltage to the drive electrode 103 makes electrical ohmic connection with the drive electrode 103 and provided with a thin metallic contact film which can be wire bonded. - 特許庁
ベース用高濃度オーミック拡散層９とゲート電極１５はベース配線２５又はゲート電極配線２７を介して入力端子２９に接続され、同電位にされている。例文帳に追加
The high concentration ohmic diffusion zone 9 for a base and the gate electrode 15 are connected to an input terminal 29 and kept in the same potential through a base wiring 25 or a gate electrode wiring 27. - 特許庁
ｐ側オーミック電極６は、導電性接着層３と半導体層７〜１２の間に、ｐ型コンタクト層７と電気的に接続されて設けられている。例文帳に追加
The p-side ohmic electrode 6 is provided between the conductive adhesive layer 3 and semiconductor layers 7 to 12, and is electrically connected to the p-type contact layer 7. - 特許庁
表面側に活性領域１acを備えた半導体基板１上に、活性領域１acに対して**オーミック接続させた状態で高融点金属からなるソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄを形成する。例文帳に追加
On a semiconductor substrate 1 formed with an active region 1ac on a surface side, a source electrode 7s and a drain electrode 7d composed of a refractory metal are formed in a state of being in ohmic contact with the active region 1ac. - 特許庁
２つの導電型側のオーミック電極を同一面に設けた構成において、クラック等の欠損に起因する接続不良等の発生を抑え、信頼性を向上できる半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which is capable of improving the reliability by suppressing the occurrence of poor connection or the like due to defects such as cracks in a constitution wherein ohmic electrodes on the sides of two conduction types are provided on one plane. - 特許庁
例文
光導電アンテナ素子１７では、一対のオーミック電極２１，２１において、アンテナ部２２とパッド部２３とを接続するライン部２４が、アンテナ部２２から延在する平行部分２４ａを含んでいる。例文帳に追加
In the photoconductive antenna element 17, a pair of ohmic electrodes 21, 21 each have a line section 24 which connects an antenna section 22 and a pad section 23, and each line section 24 includes a parallel portion 24a extended from the antenna section 22. - 特許庁