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ESD PROTECTIONの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 415件
例文
To provide an active matrix device having an ESD protection function to prevent the damage of the device and circuit of the active matrix device by ESD.例文帳に追加
アクティブマトリクス装置の装置及び回路がＥＳＤにより損壊されることを防ぐＥＳＤ保護機能を有するアクティブマトリクス装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for protecting against ESD, which has a sufficient function for protection against ESD with less increase in an occupation area.例文帳に追加
占有面積の増加を少なく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device including an N-type MOS transistor for ESD protection having a sufficient ESD protecting function without an increase in processes and without an increase in occupation area.例文帳に追加
工程の増加や占有面積の増加もなく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device including an N-type MOS transistor for ESD protection with a shallow trench isolation structure provided with a satisfactory ESD protecting function without increasing an occupation area.例文帳に追加
占有面積の大きな増加なく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
例文
To provide an ESD protection circuit using an output buffer, capable of protecting satisfactorily a prestage circuit such as a prebuffer, without providing a dedicated element for making a surge current flow when applying an ESD surge.例文帳に追加
ＥＳＤサージ印加時にサージ電流を流すための専用の素子を設けることなく、プリバッファなどの前段回路を良好に保護することができる出力バッファを利用したＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁
例文
To provide an ESD protection circuit which has an ESD protecting function for respective circuits from a low breakdown voltage circuit to a high breakdown voltage circuit, and is attained with small layout area.例文帳に追加
低耐圧回路から高耐圧回路までの各回路に対するＥＳＤ保護機能を有し、しかも小さいレイアウト面積で実現できるＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁
In this ESD protection circuit (40), the ESD transistor (44) is controlled through a transistor (49), and the transistor (49) is controlled by an inverter (50) with the inversion potential of the intermediate tap (46).例文帳に追加
このＥＳＤ保護回路（４０）は、ＥＳＤトランジスタ（４４）がトランジスタ（４９）を介して制御され、トランジスタ（４９）は中間タップ（４６）の反転電位を備えるインバータ（５０）により制御されることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an ESD protective element that has a high breakdown voltage between drain and back gate and achieves ESD protection of a gate for DMOSFET.例文帳に追加
ドレイン、バックゲート間耐圧が高く、ＤＭＯＳＦＥＴ用ゲートのＥＳＤ保護を両立することが可能なＥＳＤ保護素子を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁
According to the necessity of the ESD resistance, wirings LS for connecting each cell for protection with an output terminal TR_OUT of an ESD trigger detecting circuit 10 is formed on a distributing layer.例文帳に追加
ＥＳＤ耐性の必要度に応じて、各保護用セルと、ＥＳＤトリガ検出回路１０の出力端子ＴＲ＿ＯＵＴとを接続するための配線ＬＳが配線層に形成される。 - 特許庁
例文
METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING ESD PROTECTION BY USING DIODE AND GROUNDING STRIP FOR HEAD GIMBAL ASSEMBLY例文帳に追加
ヘッドジンバルアセンブリにダイオード及び接地用ストリップを用いてＥＳＤ保護を提供する方法及びシステム - 特許庁
例文
To miniaturize a protection circuit, by which an internal circuit formed in a semiconductor device is protected from a high voltage by an ESD.例文帳に追加
半導体装置に形成されている内部回路をＥＳＤによる高電圧から保護する保護回路を小型化する。 - 特許庁
A capacitive load effect of an ESD circuit having an electrostatic protection diode is reduced by using a capacitance compensation circuit.例文帳に追加
容量補償回路を用いることによって静電保護ダイオードを有するＥＳＤ回路の容量性負荷効果を軽減する。 - 特許庁
Further, an ESD protection circuit (15) having the same transistor structure as the transmitting side shunt circuit is connected to an antenna terminal (3).例文帳に追加
また、アンテナ端子（３）に対して、送信側シャント回路と同一のトランジスタ構成を有するＥＳＤ保護回路（１５）を接続する。 - 特許庁
The first and second electrostatic discharge (ESD) protection circuits are electrically connected to the first and second resistors.例文帳に追加
前記第１および第２の静電気放電（ＥＳＤ）保護回路は、それぞれ第１および第２の抵抗器に電気的に接続されている。 - 特許庁
The configuration of the capacitor and the resistor forms a R-C circuit used for triggering an electro-static discharge (ESD) protection.例文帳に追加
そのキャパシタおよび抵抗の構成は、静電放電（ＥＳＤ）保護をトリガするのに用いられるＲ−Ｃ回路を形成する。 - 特許庁
An ESD protection diode is constructed by forming an n+ buried diffusion layer 8 on an N type silicon substrate and also forming an epitaxial layer 9 thereon.例文帳に追加
Ｎ型シリコン基板上にｎ＋埋込拡散層８を設けるとともに、この上にエピタキシャル層９を設け、静電保護ダイオードを構成する。 - 特許庁
To provide an electrostatic discharge protection circuit which has low leakage current during normal operation and low trigger voltage at the time when ESD stress is applied.例文帳に追加
通常動作時のリーク電流が小さく、且つ、ＥＳＤストレス印加時のトリガ電圧が低い静電保護回路を提供する。 - 特許庁
To provide ESD protection circuits which are provided in specified places, and avoid effectively generated ESDs, and further, can prevent effectively equipment from suffering damages.例文帳に追加
特定の場所に置いて生じるＥＳＤを有効に回避し、装置が損害を受けるのを有効に防ぐことができるＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁
The present invention provides a charged-device model (CDM) electrostatic discharge (ESD) protection circuit for an integrated circuit (IC).例文帳に追加
本発明は、集積回路（ＩＣ）のためのデバイス帯電モデル（ＣＤＭ）静電放電（ＥＳＤ）保護回路を提供する。 - 特許庁
Thereby, the ESD to the circuit 4a on the circuit board 4 can be prevented even if it does not have a protection circuit such as a diode.例文帳に追加
このため、ダイオード等の保護回路がなくとも、回路基板４上の回路４ａへのＥＳＤを防止することができる。 - 特許庁
This circuit is provided with a circuit 11 to be protected and an ESD protection circuit 2 which protects the circuit 11 to be protected against an electrostatic discharge.例文帳に追加
この発明は、被保護回路１１と、この被保護回路１１を静電気放電から保護するＥＳＤ保護回路２とを備える。 - 特許庁
To provide an ESD protection circuit using multi-finger type NMOS for a semiconductor integrated circuits (IC) having a protected circuit.例文帳に追加
保護されている回路を有する半導体集積回路（ＩＣ）のためのマルチフィンガ型ＮＭＯＳ利用のＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device having an effective ESD protection function that does not depend on handling conditions and terminal connection conditions.例文帳に追加
取扱い状況と端子接続状況によらない有効なＥＳＤ保護機能を備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor integrated circuit device having an ability of ESD protection satisfying the specification of surge test in correspondence with miniaturization of process.例文帳に追加
プロセスの微細化に対応して、サージ試験の規格を満たすＥＳＤ保護能力を有する半導体集積回路を得られるようにする。 - 特許庁
To provide a CMOS circuit with an ESD protection circuit by which ringing noise can be suppressed without decreasing a circuit operating speed.例文帳に追加
回路の動作スピードを低下することなく、リンギングノイズを抑制できるＥＳＤ保護回路付きＣＭＯＳ回路を提供すること。 - 特許庁
In this ESD protection circuit, all current path between the power line L1 and the power line L2 are shut off in any cases.例文帳に追加
このＥＳＤ保護回路ではいずれの場合にも電源線Ｌ１と電源線Ｌ２との間の電流経路がすべて遮断される。 - 特許庁
To provide an ESD protection circuit for sufficiently protecting elements in a semiconductor integrated circuit and stabilizing operation.例文帳に追加
半導体集積回路内の素子を十分に保護することができるとともに動作の安定化が図られたＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁
To achieve a semiconductor integrated circuit that has excellent tolerance to a surge without increasing the area of an ESD protection circuit.例文帳に追加
ＥＳＤ保護回路の面積を増大させることなく、サージに対する耐性に優れた半導体集積回路を実現する。 - 特許庁
The design of the ESD protection circuit is optimized so that the increase of the trigger speed is achieved taking the trigger speed of the element into consideration.例文帳に追加
この要素のトリガー速度が考慮され、その設計はそのトリガー速度が増加するように最適化される。 - 特許庁
By altering the distance between the third and fourth high concentration diffusion regions, the breakdown voltage of the ESD protection device is adjusted.例文帳に追加
そのうち、第三及び第四高濃度拡散区は相互に分かれ、第三と第四拡散区の距離を変え、静電防護装置の崩壊電圧を調整する。 - 特許庁
To further reduce the area of an electrostatic protection circuit by suppressing the eccentricity of current density in a thyristor-type ESD protective element.例文帳に追加
サイリスタ型ＥＳＤ保護素子において、電流密度の偏在を抑え、静電保護回路の面積をより小さくする。 - 特許庁
An N-type diffusion layer 17 is formed deeper than an LDD diffusion layer 15a in a formation region of an ESD protection element, for example.例文帳に追加
たとえば、ＥＳＤ保護素子の形成領域に、ＬＤＤ拡散層１５ａよりも深く、Ｎ型拡散層１７を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an ESD protection circuit in which a gate insulating film exhibits a high breakdown voltage and high durability.例文帳に追加
ゲート絶縁膜の破壊および高耐久性を有するＥＳＤ保護回路を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
When CDM ESD is generated in the input device, this protection device applies a current path with much lower impedance than a conventional manner.例文帳に追加
従来技術に比べて、本発明の保護装置は、ＣＤＭ ＥＳＤが入力装置に発生したとき、より低いインピーダンスの電流経路を与える。 - 特許庁
Then, the extracted parasitic npn bipolar transistor 22 is incorporated into the ESD protection circuit of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加
続いて、抽出された寄生ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ２２を半導体集積回路のＥＳＤ保護回路に組み込む。 - 特許庁
ESD PROTECTION CIRCUIT USING SIMULTANEOUS, AND DISTRIBUTED SELF-BIAS METHOD FOR MULTI-FINGER TURN-ON例文帳に追加
マルチフィンガ・ターンオンのための同時及び分散自己バイアス法を用いた静電放電（ＥＳＤ）保護デバイス - 特許庁
The ESD protection circuit 220' includes a first power line 221, a second power line 222, a first diode 223 and a second diode 224.例文帳に追加
ＥＳＤ保護回路２２０’は、第１の電源線２２１、第２の電源線２２２、第１のダイオード２２３及び第２のダイオード２２４を備える。 - 特許庁
This corresponds to the DC short circuit to require no ESD protection circuit, causing no decrease in impedance.例文帳に追加
これは直流的には短絡状態に相当するので、ＥＳＤ保護回路を必要とせず、インピーダンスの低下を招かない。 - 特許庁
To provide a high frequency ESD protection circuit performing operation without having a bad effect on a high frequency region.例文帳に追加
高周波領域においても悪影響を与えることなく動作可能な高周波ＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁
Therefore, the impedance of the ESD protection element 13 connected between the connection node A and the actual ground terminal GND becomes almost zero.例文帳に追加
このため、接続ノードＡと実際の接地端子ＧＮＤの間に接続されたＥＳＤ保護素子１３のインピーダンスはほぼ零となる。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING ESD PROTECTION AND/ OR NOISE REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加
集積回路においてＥＳＤ保護または雑音軽減あるいはその両方を提供するための方法および装置 - 特許庁
Consequently, an ESD protection element 20 having an avalanche voltage lower than that of the MOSFET 21 and a small operating resistance can be formed.例文帳に追加
このようにして、ＭＯＳＦＥＴ２１のアバランシェ電圧より低く、且つ、動作抵抗が小さなＥＳＤ保護素子２０を形成することができる。 - 特許庁
To provide a circuit with reduced chip area cost in an ESD transistor, while obtaining the protection required for repeated pulse load.例文帳に追加
ＥＳＤトランジスタに対するチップ面積コストを低減すると共に反復性パルス負荷からの所要の保護も得られる回路を提供すること。 - 特許庁
To set a latchup voltage of a semiconductor device for ESD protection, using a latchup, to an arbitrary value.例文帳に追加
ラッチアップを利用したＥＳＤ保護のための半導体装置において、ラッチアップ発生電圧を任意の値に設定すること。 - 特許庁
To provide a small ceramic multilayer substrate and an electronic module having an ESD protection function at a low cost.例文帳に追加
ＥＳＤ保護機能を有し、低コストで小型のセラミック多層基板および電子モジュールを提供する。 - 特許庁
To provide an electrostatic protection circuit device for protecting an internal element having a high breakdown voltage from the overcurrent noise of an ESD and overcurrent noise in a latch-up test.例文帳に追加
高耐圧の内部素子をＥＳＤの過電流ノイズとラッチアップ試験の過電流ノイズから保護する静電保護回路装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device ensuring ESD (Electrostatic Discharge) protection and noise separation between a tuner circuit and a digital circuit.例文帳に追加
チューナー回路とデジタル回路との間でＥＳＤ保護とノイズ分離とを両立可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device with an ESD protection circuit in which external terminals can be arranged efficiently.例文帳に追加
ＥＳＤ保護回路を備え外部端子数を効率よく配置できる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
To provide an ESD protection circuit appropriately operating to a chip terminal in which a signal voltage exceeds a power supply voltage in both positive and negative directions.例文帳に追加
信号電圧が電源電圧を正負両方向に越えるようなチップ端子に対し適切に動作するＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁
例文
The branch points A204 and B212 are arranged at positions nearer to the ESD protection circuit 206 than those of the electrode pads 202 and 213.例文帳に追加
分岐点Ａ２０４，分岐点Ｂ２１２は、電極パッド２０２，２１３よりもＥＳＤ保護回路２０６に近い位置に、配置されている。 - 特許庁