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ESD PROTECTIONの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 415件
例文
To reduce a terminal leak current of a signal terminal by decreasing an off-leak current of a MOS transistor used in an ESD protection circuit.例文帳に追加
ＥＳＤ保護回路に使用するＭＯＳトランジスタのオフリーク電流を低減して、信号端子の端子リーク電流を低減する。 - 特許庁
To solve the problem with a conventional device, wherein an input/output circuit tends to be broken due to insufficient surge current flowing from an electrode pad to an ESD protection circuit.例文帳に追加
電極パッドからＥＳＤ保護回路に十分なサージ電流が流れず、入出力回路が破壊されやすくなる。 - 特許庁
To provide a light emitting device package that can be manufactured by a simple manufacturing process, is free from reduction of brightness caused by an ESD protection device, and has an improved radiation characteristic.例文帳に追加
製造工程が単純で、ＥＳＤ保護素子による光度減少がなく、放熱特性が向上した発光素子パッケージを提供する。 - 特許庁
ESD protection elements 60, 61 are provided at the front of an input buffer 311 and at the front end of a data wire 312, respectively.例文帳に追加
入力バッファ３１１の前段およびデータ線３１２の先端にＥＳＤ保護素子６０、６１を設ける。 - 特許庁
例文
The connecting wires 13, 14, 15, 16 connected to the ESD protection circuit 10 extend in the same direction as a wire preferential direction of each wiring layer.例文帳に追加
ＥＳＤ保護回路１０に接続される接続配線１３，１４，１５，１６は、各配線層の配線優先方向に一致する方向に配置されている。 - 特許庁
例文
To uniformly activate MOS transistors in an ESD protection element with a multi-finger structure composed of a plurality of MOS transistors.例文帳に追加
複数のＭＯＳトランジスタからなるマルチフィンガー構造のＥＳＤ保護素子において、ＭＯＳトランジスタを均一に動作させることができる。 - 特許庁
To provide an ESD protection circuit using an N-EDSCR element, which is capable of solving a problem resulted from a latch-up, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
ラッチアップによる問題点を解決できるＮ−ＥＤＳＣＲ素子を用いたＥＳＤ保護回路及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a new circuit for detecting the input voltage that allows fast and accurate detection, while conducting ESD protection.例文帳に追加
高速で正確な感知を可能にするとともに、ＥＳＤ保護を行う、新規な入力電圧感知回路を提供する。 - 特許庁
If discharge occurs in an ESD protection device 9 connected to the device connection part 5, the pulse width of this discharge pulse is shortened.例文帳に追加
デバイス接続部５に接続されるＥＳＤ保護デバイス９において放電が生じると、この放電パルスのパルス幅が短縮される。 - 特許庁
例文
To provide an ESD protection circuit for CDM, capable of preventing generation of breakage caused by passing a heavy current when a battery is reversely connected.例文帳に追加
バッテリが逆接続されたときに、大電流が流れて破壊することを防止させることのできるＣＤＭのＥＳＤ保護回路の提供。 - 特許庁
例文
To realize an ESD protection circuit that is formed monolithically on a surface of an integrated circuit to be protected.例文帳に追加
保護すべき集積回路の表面にモノリシックな形で形成されたＥＳＤ保護回路を実現する。 - 特許庁
To improve noise characteristics and avoid worsening effect for a high speed operation by ESD (electrostatic discharge) protection resistors inserted to reference voltage terminals in a CMOS sensor.例文帳に追加
ＣＭＯＳセンサーにおける基準電圧端子に挿入されるＥＳＤ保護抵抗によるノイズ特性や、高速動作の悪化を避ける為 - 特許庁
The ESD protection which is arranged on the carrier and covered by the package housing is electrically connected to the carrier.例文帳に追加
キャリア上に配置し、パッケージハウジングで被覆したＥＳＤ保護部はキャリアに電気的に接続する。 - 特許庁
To provide an inter-domain protection technique to protect ESD of an interface between different power domains that overcome drawbacks of the prior art.例文帳に追加
従来技術の短所を克服する異なった電力領域間のインターフェースのＥＳＤ保護のための領域間保護技術を提供すること。 - 特許庁
To provide a terminal pad structure of which ESD durability of a terminal part for testing a protection circuit module of a battery pack is improved.例文帳に追加
本発明は電池パック用保護回路モジュールのテスト用端子部分のＥＳＤ耐量の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁
Thus, the second power source would not be affected by the first power supply because of passing through the ESD protection circuit.例文帳に追加
従って、ＥＳＤプロテクション回路の通過により、第２電源は、第１電源により影響を受けない。 - 特許庁
In an electrostatic-discharge protection circuit, when a voltage extremely higher than VDD1 is applied to a power supply line 11 due to ESD, a high potential difference is generated in the portion interposed between VDD1 and VSS.例文帳に追加
ＥＳＤによって、電源線１１にＶＤＤ１よりはるかに高い電圧がかかると、ＶＤＤ１−ＶＳＳ間に高い電位差が発生する。 - 特許庁
To provide an ESD protection device that reduces overshoot appeared in IC, and to provide a method of designing the device.例文帳に追加
ＩＣに現れるオーバーシュートが低減可能なＥＳＤ保護デバイス、およびその設計方法の提供。 - 特許庁
To provide a semiconductor device of an SOI structure which has a protection diode which is made larger in ESD breakdown strength.例文帳に追加
ＥＳＤ破壊耐量をより大きくした保護用ダイオードを持つ、ＳＯＩ構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a light emitting diode package on which a light emitting diode, a driving chip, and an ESD protection element are mounted on the same base.例文帳に追加
発光ダイオードと駆動チップとＥＳＤ保護素子とを同一ベース上に実装した発光ダイオードパッケージを提供する。 - 特許庁
The power supply switch transistor 1 uses an unused transistor which is arranged as an ESD protection element in an I/O area 2.例文帳に追加
電源スイッチトランジスタ１は、従来ＥＳＤ保護素子として利用するためにＩ／Ｏ領域２に配置されている空きトランジスタを使用する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor integrated circuit device which has such an ESD (electro-static discharge) protection capability as to satisfy specifications of a surge test according to the subdivision of a process.例文帳に追加
プロセスの微細化に対応して、サージ試験の規格を満たすＥＳＤ保護能力を有する半導体集積回路装置を得られるようにする。 - 特許庁
A notch 11a is provided at a side opposed to the ESD protection element 14 in the p well block region 11.例文帳に追加
そして、Ｐウエルブロック領域１１におけるＥＳＤ保護素子１４に対向する側に、切込１１ａを設ける。 - 特許庁
To provide an ESD protection device and the like which offer a reduced discharge starting voltage and improved durability against repeated use.例文帳に追加
放電開始電圧が低く、繰り返しの使用の耐久性が高められた、静電気対策素子等を提供すること。 - 特許庁
To provide a diode element which can enhance both high-speed operativity of a protection circuit and ESD breakdown strength.例文帳に追加
保護回路の高速動作性とＥＳＤ耐圧とを、ともに向上させることが可能なダイオード素子を提供する。 - 特許庁
The structure 100 and method operable to provide ESD protection for protected circuitry 110 of automatic test equipment (ATE).例文帳に追加
自動試験装置の保護対象回路構成(110)に対するＥＳＤ保護を提供するよう動作可能な構成(100)及び方法である。 - 特許庁
To provide an LED package in which an ESD protection part does not exert an influence on emission intensity and an optical form of the LED package.例文帳に追加
ＥＳＤ保護部がＬＥＤパッケージの発光強度および光形状に影響を与えないようにしたＬＥＤパッケージを提供すること。 - 特許庁
When ESD is generated, the input and output terminals are short-circuited by the protection circuit, so that overvoltage application to the circuit 103 is prevented.例文帳に追加
ＥＳＤが発生したとき、保護回路によって２つの入出力端子を短絡して、回路１０３に過電圧が印加されることを防ぐ。 - 特許庁
To provide an electrostatic discharge protection device inhibiting deterioration of ESD properties, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
ＥＳＤ特性の劣化を防止することのできる静電気放電保護素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that includes a plurality of transistors for evenly discharging static electricity from the outside in an ESD protection circuit, which further can mix ESD protection circuit transistors and drive circuit transistors.例文帳に追加
ＥＳＤ保護回路において外部からの静電気を均等に放電させることができる複数のトランジスタを含み、かつＥＳＤ保護回路用トランジスタ及び駆動回路用トランジスタを混在させることができる半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
In the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, a thick insulating film is disposed in proximity to the shallow trench isolation region of a channel region of the N-type MOS transistor for ESD protection.例文帳に追加
素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に近接する部分には、厚い絶縁膜を配置した。 - 特許庁
In the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, a P-type impurity region having a higher concentration than any other region is disposed in proximity to the shallow trench isolation region of a channel region of the N-type MOS transistor for ESD protection.例文帳に追加
素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に近接する部分には、他のチャネル領域より高濃度のＰ型の不純物領域を配置した。 - 特許庁
Furthermore, the operational amplifier unit is provided with a non-inverting input terminal electrically connected to the first resistor and the first ESD protection circuit and an inverting input terminal electrically connected to the second resistor and the second ESD protection circuit.例文帳に追加
さらに、前記増幅演算器は、前記第１の抵抗器と前記第１のＥＳＤ保護回路とに電気的に接続された非反転入力端子と、前記第２の抵抗器と前記第２のＥＳＤ保護回路とに電気的に接続された反転入力端子とを有している。 - 特許庁
In the ESD protection semiconductor device, a protection thyristor 10 interposed between its I/O terminal and its GND terminal, and a protection thyristor 20 interposed between its power-supply terminal and its GND terminal, have a first NPN transistor 21 in common.例文帳に追加
Ｉ／Ｏ端子−ＧＮＤ端子間保護サイリスタ１０と電源端子−ＧＮＤ端子間保護サイリスタ２０とにおいて、第１のＮＰＮトランジスタ２１を共有する。 - 特許庁
To provide an improved protection circuit against electrostatic discharge (ESD) and, more specifically, improvements intended for the cases of Charged Device Model (CDM) stress in the protection circuit of an integrated circuit (IC).例文帳に追加
改良された静電放電（ＥＳＤ）保護回路、より詳細には、集積回路（ＩＣ）の保護回路におけるデバイス帯電モデル（ＣＤＭ）ストレスの場合に対する改良を提供すること。 - 特許庁
The electrostatic discharge protection, known as ESD protection, is provided in a form of a discrete array with a voltage variable material (VVM) or a VVM device.例文帳に追加
ＥＳＤ保護として知られる静電気放電保護は、電圧可変材料（ＶＶＭ）またはＶＶＭデバイスを有する別個のアレイの形態で提供される。 - 特許庁
To provide a protection element for protection against ESD(electrostatic discharge) which has a relatively simple structure, and allows Vt1 to be set to three or more voltage values.例文帳に追加
比較的簡易な構成であり、かつ、Ｖｔ１を３つ以上の多くの電圧値に設定することを可能にする、ＥＳＤ（静電気放電）対策用の保護素子を提供する。 - 特許庁
To provide a device suitable for an ESD protection device of a MOS transistor base that can provide protection from voltage deviation generated in a certain range.例文帳に追加
特定の範囲で生じる電圧偏位からの保護を与えることができるＭＯＳトランジスタ・ベースのＥＳＤ保護デバイスに適したデバイスを提供すること。 - 特許庁
Each of the ESD protection elements 60, 61 comprises a TFT-A and a TFT-B which are diode-connected in series, and operates as an electrostatic protection circuit.例文帳に追加
ＥＳＤ保護素子６０、６１は、各々、直列接続してダイオード接続としたＴＦＴ−Ａ、ＴＦＴ−Ｂからなり静電保護回路として動作する。 - 特許庁
Consequently, an NMOS 13 for terminal protection turns on and the input pad 1 and a ground line GL2 for ESD protection are connected to each other with internal resistance lower than that in the breakdown state.例文帳に追加
これにより、端子保護用のＮＭＯＳ１３がオン状態となり、ブレークダウンの状態よりも低い内部抵抗で入力パッド１とＥＳＤ保護用の接地線ＧＬ２の間が接続される。 - 特許庁
To provide an electrostatic protection circuit allowing an operation of discharging ESD (Electrostatic Discharge) surges at a low operation voltage while mitigating a stress voltage applied to a protection object circuit.例文帳に追加
保護対象回路に印加されるストレス電圧を緩和しつつ、低い動作電圧でＥＳＤサージの放電動作を行うことができる静電保護回路を提供する。 - 特許庁
Thereafter, a silicide protection mask 21 is formed in a portion which becomes a non-silicide region 24 in a formation region of an ESD protection element simultaneously with formation of gate sidewall films 20a, 20b.例文帳に追加
その後、ゲート側壁膜２０ａ，２０ｂの形成と同時に、ＥＳＤ保護素子の形成領域の非シリサイド領域２４となる部位に、シリサイド保護マスク２１を形成する。 - 特許庁
To provide a composite electronic component which is constituted by combining an electrostatic discharge (ESD)protection element and a common mode filter and can obtain a protection voltage equal to or higher than 5 kV.例文帳に追加
静電気対策素子とコモンモードフィルタとを組み合わせて構成され、５ｋＶ以上の保護電圧を得ることが可能な複合電子部品を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of achieving electrostatic discharge (ESD) protection of an open-drain signal terminal having a small area and not being provided a protection element between a power terminal and the signal terminal.例文帳に追加
小さな面積で電源端子との間に保護素子が設けられていないオープンドレイン信号端子のＥＳＤ保護を図る半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for protecting ESD that restrains an off leak current without increasing processes and occupation areas and has a shallow trench separation structure having sufficient ESD protection functions.例文帳に追加
工程の増加や占有面積の大きな増加なくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を得る。 - 特許庁
When a positive voltage exceeding a triggering voltage level is applied to the cathode and anode terminals, the ESD protection device triggers an inherent thyristor into a snapback mode to provide a low impedance path through the structure for discharging an ESD current.例文帳に追加
カソード及びアノードの端子に、トリガー電圧レベルを上回る正電圧が印加されると、ＥＳＤ保護デバイスは、構造を通り抜ける低インピーダンス経路を提供してＥＳＤ電流を放電するよう、内在サイリスタをスナップバックモードに入らせる。 - 特許庁
To provide an electrostatic-discharge protection circuit which enhances ESD characteristics by ensuring a plurality of current paths that are uniform against high-voltage generation caused by an electrostatic charge, and enhances reliability of a semiconductor integrated circuit device to a higher level by ensuring the high ESD level.例文帳に追加
静電荷による高電圧発生に対して均一な複数の電流通路を確保して、ＥＳＤ特性を向上させることができ、高いＥＳＤレベルを確保することにより半導体集積回路素子の信頼性をより向上させることが可能な静電気放電保護回路を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device including an NMOS transistor for ESD protection in the shallow trench isolation structure having sufficient ESD protecting function through suppression of an off-leak current to a small value without increase in the manufacturing steps and occupation area.例文帳に追加
工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
In the semiconductor device, an embedded N-type region comprising a silicon region including high N-type impurities is disposed at a lower portion of a channel region in the N-type MOS transistor for ESD protection for protecting the N-type MOS transistor of an internal element and the other internal elements from a breakdown due to ESD.例文帳に追加
内部素子のＮ型ＭＯＳトランジスタやその他の内部素子をＥＳＤによる破壊から保護するためのＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域の下部に、濃いＮ型の不純物を有するシリコン領域からなる埋め込みＮ型領域を配置した半導体装置とした。 - 特許庁
例文
This ESD protection circuit (40) includes a first terminal (12) and a second terminal (14), and an ESD current path (42) which is coupled between the first terminal (12) and the second terminal (14).例文帳に追加
第１の端子（１２）および第２の端子（１４）と、該第１の端子（１２）と第２の端子（１４）の間にあるＥＳＤ電流経路（４２）とを備えるＥＳＤ保護回路（４０）であって、前記ＥＳＤ電流経路はＥＳＤトランジスタ（４４）の作動電流区間を介して導かれる。 - 特許庁