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flow plasmaの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 439件
例文
The exhaust emission control device 1 has: a plasma reactor 3 which has the dielectrics 12 and a pair of electrodes 13 (electrode 43 of high voltage during emission control and electrode 33 of grounding during emission control) facing the dielectrics 12 interposed between them; and a cleaning electrode 24 arranged upstream of the plasma reactor 3 in a flow direction of exhaust gas.例文帳に追加
排気ガス浄化装置１において、誘電体１２と、この誘電体１２を挟んで対向する１対の電極１３（浄化時高電圧極４３および浄化時接地極３３）とを備えるプラズマ反応器３と、プラズマ反応器３よりも排気ガスの流れ方向上流側に、清掃用電極２４を配置する。 - 特許庁
The resist removing apparatus includes a vacuum chamber 10, a wafer-mounting stage 21 pivotally provided in a reversible state in the vacuum camber 10, and a plasma-generating means 11, mounted at an upper part of the wafer mounting stage 21 for causing the plasma to flow down onto a wafer-mounting face 21a.例文帳に追加
真空チャンバ１０と、真空チャンバ１０内に設けられ、反転自在に回動可能なウエハ載置台２１と、ウエハ載置台２１の上方に設けられ、ウエハ載置台２１のウエハ載置面２１ａにプラズマをダウンフローさせるプラズマ生成手段１１とを備えたことを特徴とするレジスト除去装置およびこれを用いたレジスト除去方法である。 - 特許庁
The thin film deposition method for forming the thin films consisting of oxide on the surfaces of the substrates by forming a gaseous mixture containing monomer gas and oxidative reaction gas to plasma comprises forming the gaseous mixture to the plasma while changing a supply rate ratio of the monomer gas to the reaction gas in such a manner that the supply flow rate ratio includes at least a specific range.例文帳に追加
モノマーガスと、酸化性の反応ガスとを含有する混合ガスをプラズマ化し、基材の表面に酸化物からなる薄膜を形成する薄膜成膜方法において、前記反応ガスに対する前記モノマーガスの供給流量比が少なくとも特定範囲を含むように、前記供給流量比を変化させながら混合ガスをプラズマ化する。 - 特許庁
In the plasma processing apparatus having a plurality of gas blowoff ports 18 with respect to the side opposite to the processed material 8 for processing it, a uniform plasma processing can be performed onto the processed material, by exhausting a mixture gas comprising more than two kinds of gases with mutually different flow ratio from the mutually different exhaustion ports.例文帳に追加
被処理体８に対する対向面に複数のガス噴出口１８を備えるガス噴出手段を備え、前記被処理体８に処理を施すプラズマ処理装置において、２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを、互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、被処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。 - 特許庁
例文
In the method for controlling flow rate of the inert gas into a tundish with the plasma heating, when the molten metal in the tundish for continuous casting is heated with the plasma-heating, the inert gas is blown from the tundish into a mold from above a tuyere or an immersion nozzle for pouring the molten metal so as to satisfy the expression of 3x≤y≤5x.例文帳に追加
プラズマ加熱により連続鋳造用タンディッシュ内の溶融金属を加熱する際に、タンディッシュから鋳型への溶融金属の注入羽口または浸漬ノズル上部から、下記式を満足するように不活性ガスを吹き込むことを特徴とするプラズマ用タンディッシュの不活性ガスの流量制御方法。 - 特許庁
例文
A thin magnetic field layer perpendicular to a cathode current is applied from the outside of a plasma heating tube to the position of the grid electrode conductor in place of the grid electrode conductor, and using the phenomenon that an electron flow causes cyclotron motion, the cathode current is controlled by the strength of the magnetic field layer whereby gain action similar to the grid electrode conductor is obtained to heat a plasma while solving the thermal problems.例文帳に追加
本発明では上記格子電極導体の代わりに格子電極導体の位置にプラズマ加熱管の外部より陰極電流に直角な薄い磁界層を加え，電子流がサイクロトロン運動を生じることを利用して磁界層の強さにより陰極電流を制御することにより格子電極導体と同様の利得作用を得てプラズマを加熱すると共に熱的問題を解決している。 - 特許庁
The plasma display device 10 has air guide members 44 integrally formed on the rear surface of a chassis base 40 made of plastic materials so as to control the flow of high temperature air generated in an operation of a driving circuit part 60, thereby preventing the temperature of a certain potion of the plasma display device 10 from increasing.例文帳に追加
本発明は、プラズマディスプレイ装置１０において、プラスチック材質で形成されるシャーシベース４０の背面にエアーガイド部４４を一体的に形成し、駆動回路部６０の作動時に発生する高温空気の流れを調整して、プラズマディスプレイ装置１０の特定部位で温度が上昇することを防止するようにしたプラズマディスプレイ装置１０に関するものである。 - 特許庁
In the plasma etching system, control of plasma density spatial distribution performed by varying the ratio of field strength between an outer upper electrode 36 and an inner upper electrode 38 has substantially no effect on the control of radical density spatial distribution performed by varying the ratio of flow rate of processing gas between central shower heads (62, 56a) and peripheral shower heads (64, 56a).例文帳に追加
このプラズマエッチング装置では、外側上部電極３６と内側上部電極３８との間で電界強度の比率を可変することによって行なわれるプラズマ密度空間分布の制御が、中心シャワーヘッド（６２，５６ａ）と周辺シャワーヘッド（６４，５６ａ）との間で処理ガスの流量の比率を可変することによって行なわれるラジカル密度空間分布の制御に実質的な影響を及ぼさない。 - 特許庁
In an enhanced DC plasma processing system which acts to instantaneously stop flow of current through plasma, the inductors 13, 14 having a tap are switched to the ground 9 so as to attain about 10% of substantial reversal of voltage when detecting arc condition through voltage technology and/or voltage rate of change technology.例文帳に追加
プラズマを通して電流が流れるのを即座に停止するように作用するエンハンスト直流プラズマ処理システムは、電圧技術及び又は電圧変化率技術を通してのアーク条件の検出に際し約１０％の実質的反転電圧を達成するようにタップ付きインダクタ１３及び１４が接地９ヘスイッチされる。 - 特許庁
例文
The plasma gas generating device is structured by forming a gas flow channel 25 in a housing 12, arraying three or more electrodes 30 in a row in a direction crossing a gas flowing direction in the flow channel to generate discharge only in a discharge space between adjoining electrodes of the three or more electrodes.例文帳に追加
ハウジング１２内にガスの流路２５を形成し、その流路内におけるガスの流れの方向と交差する方向に、３つ以上の電極３０を１列に並べて設け、その３つ以上の電極の互いに隣り合うものどうしの間の放電空間にのみ放電を生じさせるようにプラズマ化ガス発生装置を構成する。 - 特許庁
例文
In a susceptor 12 in which a heater unit 14, a refrigerant flow passage 15 and a refrigerant chamber 16 are incorporated and on which a wafer W to be subjected to plasma etching processing is mounted, a refrigerant flows in the refrigerant flow passage 15 and refrigerant chamber 16 and when the heater unit 14 generates heat, the refrigerant stops flowing in the refrigerant chamber 16.例文帳に追加
ヒータユニット１４と、冷媒流路１５と、冷媒室１６とを内蔵し、プラズマエッチング処理が施されるウエハＷを載置するサセプタ１２において、冷媒流路１５及び冷媒室１６の内部を冷媒が流れ、ヒータユニット１４が発熱する際に冷媒室１６において冷媒の流れが停止する。 - 特許庁
According to one embodiment, the method has steps of: providing a substrate containing a metal-containing barrier layer having the oxidized surface layer; exposing the oxidized surface layer to a flow of a first process gas containing plasma-excited argon gas to activate the oxidized surface layer; and applying substrate bias electric power during the step of exposing the oxidized surface layer to the flow of the first process gas.例文帳に追加
一の実施例によると、当該方法は、酸化表面層を有する金属含有バリア層を含む基板を供する工程、前記酸化表面層を活性化させるために、プラズマ励起されたアルゴン気体を含む第1処理気体流へ前記酸化表面層を曝露する工程、及び、前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程中に基板バイアス電力を印加する工程を有する。 - 特許庁
In transferring heat from or to a workpiece supporter in a high-frequency coupled plasma reactor, this method includes: placing a coolant in an internal flow channel provided in the workpiece supporter; and transferring the heat from or to the coolant by circulating the coolant through a refrigeration loop in which the internal flow passage of the workpiece supporter constitutes an evaporator of the refrigeration loop.例文帳に追加
高周波結合プラズマリアクタにおいて、被加工物支持体から、又は、該支持体へ熱を伝達するに当たり、該被加工物支持体内に設けられている内部流路内に冷却剤を配置することと、該被加工物支持体の該内部流路が冷却ループの蒸発器を構成する該冷却ループを介して該冷却剤を循環させることにより、該冷却剤から、又は、該冷却剤へ熱を伝達させることとを含む。 - 特許庁
To hasten a flow of a plasma air flow by throwing a high speed rectification gas into an arc surrounding; to strengthen an electromagnetic force and a magnetic field that act on the arc to improve an arc energy density and arc directivity and rigidity to thereby enable to perform high-speed welding; and moreover to improve a shield effect to enable to perform a high-quality welding.例文帳に追加
アーク周囲に高速整流ガスを流してプラズマ気流の流れを速め、アークに作用する電磁力及び磁界を強化してアークのエネルギー密度、アークの指向性及び硬直性を高めて高速溶接を行えるようにし、また、シールド効果を高めて高品質な溶接を行えるようにする。 - 特許庁
A wafer support device 20 includes an electrostatic chuck 22 capable of adsorbing a silicon wafer W as an object of plasma processing, a guard ring 30 mounted on a step 26 of the electrostatic chuck 22, a cooling plate 40 placed on a backside of the electrostatic chuck 22 for cooling the electrostatic chuck 22, and a coolant gas flow path 50 arranged to supply a flow of coolant gas for cooling the guard ring 30.例文帳に追加
ウエハ載置装置２０は、プラズマ処理を施すシリコン製のウエハＷを吸着可能な静電チャック２２と、この静電チャック２２の段差部２６に載置された保護リング３０と、静電チャック２２の裏面に配置された静電チャック冷却用の冷却板４０と、保護リング３０を冷却するための冷却用ガスを供給する冷却用ガス通路５０とを備えている。 - 特許庁
To carry out the control of aerodynamic characteristics using dielectric barrier discharge, and to particularly provide application to a rotary blade for wind power generation by positively detecting a state of a flow of a blade surface without an influence of an ambient environment when controlling the flow of the blade surface by plasma generation generated by the dielectric barrier discharge.例文帳に追加
誘電体バリア放電によるプラズマ発生によって翼表面の流れを制御する際、周囲の環境に影響されずに確実に翼表面の流れの状態を検出し、誘電体バリア放電による空力特性の制御を行うことができるようにし、特に風力発電用の回転翼に適用可能とする。 - 特許庁
An air flow induced by a plasma actuator 30 flows along a rear end 14C of a main wing 14 in a slot 20 serving as an air passage formed in a space between the main wing 14 and the sub wing 16, thereby separating the air flow flowing on a lower surface 16A of the sub wing 16 from the sub wing 16.例文帳に追加
メインウイング１４とサブウイング１６との間隙に設けられた空気流路としてのスロット２０に、プラズマアクチュエータ３０によって誘起された気流がメインウイング１４の後端１４Ｃに沿って流れることで、サブウイング１６の下面１６Ａを流れる気流をサブウイング１６から剥離させる。 - 特許庁
The base-metal restoration (72) is applied by furnishing a source of a structural material that is compatible with the base metal, and depositing the source of the structural material overlying the initially exposed base-metal flow-path surface (70) of the stationary shroud (24) by plasma transferred arc welding to form a repaired base-metal flow-path surface (76).例文帳に追加
該母材修復材（７２）は、ベースメタルと相容性がある構造材料源を供給し、プラズマ移行性アーク溶接によって固定シュラウド（２４）の初期露出母材流路表面（７０）上に位置させて構造材料源を溶着して、修理された母材流路表面（７６）を形成することによって施される。 - 特許庁
The flow rate load of gas is detected by the mass flow controllers, presence/absence of the plasma generated in the processing chamber is detected by the monochrometer, these detection signals are transmitted to the CPU and a control valve is controlled so that pressure of the processing chamber is at a specified level based on a control signal from the CPU.例文帳に追加
マスフローコントローラによってガスの流量負荷を検知すると共に、モノクロメータによって処理室に生成されるプラズマのプラズマ生成有無を検知し、これら検知信号をＣＰＵに伝達すると共に、ＣＰＵからの制御信号に基づいて処理室が所定圧力になるようにコントロールバルブを制御する。 - 特許庁
In the gas flow sputtering device, argon or the like is introduced from a sputtering gas guide-in port 11, a target 15 is sputtered by plasma generated in discharge between an anode 13 and the target 15, and sputter particles flicked off are transported by coercive flow of argon or the like to a base board 16 to be deposited.例文帳に追加
ガスフロースパッタ装置では、スパッタガス導入口１１からアルゴン等を導入し、アノード１３及びターゲット１５間での放電で発生したプラズマによりターゲット１５をスパッタリングし、はじき飛ばされたスパッタ粒子をアルゴン等の強制流にて基板１６まで輸送し堆積させる。 - 特許庁
By controlling flow rates of Ar and He gases which flow in a condensed cluster deposition device and a length of a cluster growth area in plasma gas, Ta clusters having an average diameter of from 4 to 10 nm are deposited on an insulating substrate (glass, plastic substrate) to form transition metal clusters assembly having low-magnetic resistance.例文帳に追加
絶縁体基板（ガラス、プラスティック）の上に、プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置を用いて、該装置に導入するＡｒやＨｅガスの流量、クラスター成長領域長さ等を制御することにより、平均サイズ４−１０ｎｍのサイズの揃ったＴａクラスターを堆積させて低磁気抵抗遷移金属クラスター集合体を製造する。 - 特許庁
The first single crystal semiconductor layer is epitaxially grown to form a second single crystal semiconductor layer with the plasma chemical vapor deposition method using the silane system gas and hydrogen of 50 times or more in the flow rate ratio for the silane system gas as the raw material gas.例文帳に追加
シラン系ガスとシラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素とを原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により第１単結晶半導体層をエピタキシャル成長させて第２単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁
In the reactive sputtering method where the target atoms sputtered from the surface of a target by plasma discharge are allowed to react with oxygen to deposit the resultant oxides onto a substrate, inert gas such as argon or etching gas of oxide is allowed to flow along the surface of the target.例文帳に追加
プラズマ放電によりターゲット表面から飛び出したターゲットの原子を酸素と反応させて、その酸化物を基板に付着させる反応性スパッタ方法において、ターゲット表面に沿ってアルゴンなどの不活性ガスまたは酸化物のエッチングガスを流すものである。 - 特許庁
A nitrogen radical is formed by high frequency plasma, the formed nitrogen radical is supplied on a gas flow flowing along the surface of the oxide film or the oxynitride film formed by an ultraviolet light excitation radical on a substrate, and the film surface is nitrided.例文帳に追加
高周波プラズマにより窒素ラジカルを形成し、形成された窒素ラジカルを、基板上に紫外光励起ラジカルにより形成された酸化膜あるいは酸窒化膜表面に沿って流れるガス流に乗せて供給し、膜表面を窒化する。 - 特許庁
The ion source is constituted of an electrode 2 for extracting cations produced at a plasma source 13 and accelerating them, and the electrode 2 is installed with a coolant path 5, in which a magnet 6 for separating electron from the cation flow is embedded.例文帳に追加
プラズマ源１３で生成した負イオンを引き出して加速する電極２を備え、前記電極２は冷却媒体流路５を内設され、この冷却媒体流路５内に前記負イオンの流れ８の中から電子を分離する磁石６が埋設されている構成とする。 - 特許庁
To solve the problem that it is difficult to massively dope at once a substrate for large-area display elements or a substrate having connected small-area display elements in an apparatus for doping the substrate with an ion flow accelerated by a high voltage after generating plasma ions.例文帳に追加
プラズマイオンを発生させたのち、高電圧にて加速されたイオン流が基板にドーピングされる装置において、大面積表示素子用基板、あるいは小面積表示素子が連なった一枚の基板を一度に大量にドーピングすることが困難である。 - 特許庁
The method for manufacturing the micro flow passage device 10 comprises a film depositing step of depositing a silicon oxide film 3 on a groove 1-formed substrate 12 by using a plasma process so that a cavity 5 extending along the groove 1 is formed in the groove 1.例文帳に追加
マイクロ流路デバイス１０の製造方法は、溝１が形成された基板１２上に、プラズマプロセスを用いて、溝１に沿って延びる空洞５が溝１内に形成されるようにケイ素酸化物膜３を形成する成膜工程を含む。 - 特許庁
The target material is supplied which makes it possible to supply a reproducible successive flow of mass-limited targets in an interaction chamber 4 in such a way that only the amount of the target material needed for the efficient generation of radiation achieves plasma generation.例文帳に追加
放射線の効率的な生成のために必要なターゲット材料の量のみがプラズマ生成を実現するように、相互作用チャンバ４に質量制限ターゲットの再生可能な連続流を供給することを可能にするターゲット材料を供給する。 - 特許庁
A method which is provided for manufacturing the metal oxide sensor that is selectively improved in the sensitivity, comprises a step of: forming a ZnO sensor, equipped with a ZnO sensor electrode therein; and a step of exposing the ZnO sensor electrode to plasma flow.例文帳に追加
本発明は、選択的に感度を向上させた金属酸化物センサの製造するために、該センサ内部にＺｎＯセンサ電極を備えるＺｎＯセンサを形成する工程、および該ＺｎＯセンサ電極をプラズマ流に曝露する工程を包含する。 - 特許庁
The pressure in the processing chamber is reduced, the flow of a process gas is started in the processing chamber, the impedance of an RF system including an electrode is controlled to match desired impedance, and uniformly dense plasma of ions is provided.例文帳に追加
処理チャンバ内の圧力は低減され、処理ガスのフローが処理チャンバに開始され、電極を含むＲＦシステムのインピーダンスを所望のインピーダンスに整合するよう制御され、イオンの均一な密度のプラズマが提供される。 - 特許庁
The sapphire substrate 21 having a resist film formed on the surface is etched by exciting a mixed gas, formed by adding a carbon-based gas to etching gas, into a plasma state while adjusting the flow rate of the carbon-based gas, thereby adjusting the tapered shape of the projections 21a.例文帳に追加
本発明では、表面にレジスト膜が形成されたサファイア基板２１を、エッチングガスに炭素系ガスを添加した混合ガスをプラズマ状態に励起してエッチングすると共に、前記炭素系ガスの流量を調整することで前記凸部２１ａのテーパ形状を調整する。 - 特許庁
The sampling method includes the steps of emitting the plasma to a surface of the analytical object housed in a closed space; producing a sample gas, by making a surface layer part thereof guide into a gas phase; and introducing the sample gas into the analyzer through an introduction means from the closed space by a gas flow.例文帳に追加
閉空間内に納められた分析対象物の表面にプラズマを放出し、その表層部を気相中に飛散させてサンプルガスとし、当該サンプルガスをガス流によって前記閉空間から導入手段を通して分析装置に導入することを特徴とする。 - 特許庁
A silicon nitride layer is deposited on a base film at a ratio P/Q of less than 10 [W/sccm], with Q being the silane gas flow rate and P being the plasma-generating electric power, a deposition pressure of 20 to 200 Pa, and at a base film temperature of not more than 70°C, under a bias potential of not more than -100V applied to the base film.例文帳に追加
シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０［Ｗ／ｓｃｃｍ］未満、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁
Furthermore, a flow channel for sucking the solvent vapor transmitted through the solvent vapor transmitting material under reduced pressure or pushing out the solvent vapor by a purge gas is formed to the injector tube, to provide an apparatus for efficiently performing desolvation, immediately prior to the liquid droplets of the sample being introduced into a plasma.例文帳に追加
さらに、透過材を透過した溶媒蒸気を減圧吸引するための、又はパージガスで押し出すための流路をインジェクターチューブに形成することによって、試料液滴がプラズマに導入される直前で効率的に脱溶媒する装置を提供する。 - 特許庁
The particle deposition method with the use of the apparatus comprises the steps of: reacting the raw materials in the introduced source gas to form and grow the particles; selecting particles only with desired particle diameters by balancing a coulomb force of the plasma with a drag of the gas flow; and depositing the selected particles on the substrate.例文帳に追加
この装置により、導入された原料ガスを反応させて粒子を形成および成長させ、プラズマによるクーロン力と、ガス流による抗力とのバランスによって、所望の粒径を有する粒子のみを選択し、基板上に堆積させる。 - 特許庁
In this way, when dielectric material is inserted between a discharge space and the electrode in which plasma has been formed and when a dielectric capacity impedance is formed, according as the concentration of ion and electron inside the discharge space becomes higher than a specified concentration, the more the electric current flow becomes adversely interfered by the dielectric capacity impedance.例文帳に追加
このように、プラズマが形成された放電空間と電極との間に誘電体を挿入し、誘電容量インピーダンスを形成する場合、放電空間内のイオン及び電子濃度が指定された濃度より高くなるほど誘電容量インピーダンスにより電流の流れが逆に妨害される。 - 特許庁
In an apparatus for generating plasma inside a vacuum vessel 1 by applying high-frequency electric power to a coil 6 disposed outside the vacuum vessel 1, the temperature of a dielectrics window 5 is controlled by allowing water to flow in a cold warm medium path 11 provided inside the dielectrics window 5.例文帳に追加
真空容器１の外に配置されたコイル６に高周波電力を印加し、真空容器１内にプラズマを発生させる装置にて、誘電体窓５の内部に設けられた冷温媒流路１１に水を流すことにより、誘電体窓５の温度を制御する。 - 特許庁
When forming the power generating layer by a plasma vapor phase method using silane gases (SiH_4) as raw material gases in order to contain carbon of the quantity, methane gases (CH4) are introduced within the flow rate range of ≥0.004 and ≤0.17 with respect to that of silane gases.例文帳に追加
この量の炭素を含有させるために、発電層を原料ガスとしてシランガス（ＳｉＨ_４）を用いてプラズマ気相法により形成する際に、メタンガス（ＣＨ_４）をシランガスに対するメタンガスの流量を０．００４以上０．１７以内の範囲で導入する。 - 特許庁
When, using silane gas and ammonia gas as raw material gas, a silicon nitride film is formed by an inductively coupled plasma CVD process, film formation is performed in such a manner that effective power calculated by prescribed calculation formula is controlled to 3 to 30 W/sccm to the feed flow rate of the ammonia gas.例文帳に追加
原料ガスとして、シランガスおよびアンモニアガスを用い、誘導結合プラズマＣＶＤ法によって窒化珪素膜を成膜するに際し、アンモニアガスの供給流量に対し、所定の計算式で算出される有効パワーを３〜３０Ｗ／ｓｃｃｍとして成膜を行う。 - 特許庁
The initial pressure is found by processing the wafer W having a coverage ratio (of an area of an SiO2 divided by an area of an Si film layer) varying depending on the flow rate of Cl2, finding a difference between internal pressures of the chamber 104 before and after plasma generation, and adding a value obtained from the coverage ratio and pressure difference to a processing pressure value.例文帳に追加
初期圧力値は，Ｃｌ_2の流量に応じて，被覆率（ＳｉＯ_2膜層の面積／Ｓｉ膜層の面積）が異なるウェハＷに処理を施し，プラズマ生成前後の処理室１０４内の圧力差を求め，それら被覆率と圧力差から求められた値を処理圧力値に加算して求める。 - 特許庁
To provide a method for forming a deposition film by plasma-CVD process, which steadily forms a deposition film of uniform thickness and quality and drastically improves a yield in the mass production, by stabilizing a gas flow in a generatrix direction in a reaction vessel, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加
反応容器内の母線方向のガス流を安定化することにより、膜厚および膜質が均一な堆積膜を定常的に形成し、量産化を行う上でその歩留まりを飛躍的に向上させたプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁
Accordingly, the high-frequency electromotive force generated in the electronic circuit in DC operation is forcibly held at the same potential, so that the high-frequency current generated by the potential difference of the high-frequency electromotive force generated through the plasma generation does not flow in the electronic circuit in DC operation.例文帳に追加
従って、直流動作の電子回路内で発生する高周波起電力を強制的に同電位とし、直流動作の電子回路中にプラズマ生成により発生する高周波起電力の電位差で生じる高周波電流が流れないようにする。 - 特許庁
At this time, the flow rates of the gases, the temperature of the substrate, the pressure in the chamber and the electric power to be applied on the plasma formation are controlled so that the Ti film is deposited on the interlayer insulation film or insulation film at a high selection ratio.例文帳に追加
この際に、ホール部位に、層間絶縁膜または絶縁膜に対して高選択比でＴｉ膜が成膜されるように、前記ガスの流量、基板温度、チャンバー内圧力およびプラズマを形成する際の投入電力を調整する。 - 特許庁
While sustaining discharge, second etching is supplied into the reaction chamber at a flow rate in the range of ±10% that of the first etching gas and at a gas pressure in the range of ±50% that of the first etching gas and plasma is generated in order to etch the insulating film 3.例文帳に追加
放電を継続した状態で、反応室内に、ガス流量が第１のエッチングガスのガス流量の−１０％〜＋１０％、ガス圧力が第１のエッチングガスのガス圧力の−５０％〜＋５０％である第２のエッチングガスを供給し、プラズマを生成して絶縁膜３をエッチングする。 - 特許庁
A conduction path 3 extending in the direction of a torch fore end of the welding torch 1 is arranged in the welding torch, current I is caused to flow in the conduction path 3 to generate a magnetic field, and plasma 5 generated on the fore end side of the welding torch 1 is concentrated in the axial direction.例文帳に追加
溶接トーチ１内に、そのトーチ先端方向に延出する通電路３を配置し、この通電路３に電流Ｉを流して磁界を発生させ、溶接トーチ１の先端側に発生するプラズマ５を軸芯方向に集中させる。 - 特許庁
In the method for etching an oxide film, an etching gas containing C_5F_8 gases is changed to a plasma state, under which condition an oxide film on a substrate is etched with a flow rate of a CO gas set to 20-90 sccm, thus solving the above problem.例文帳に追加
Ｃ_5Ｆ_8ガスとＣＯガスとを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ状態にして基板上の酸化膜をエッチングするにあたり、ＣＯガスの流量を２０〜９０ｓｃｃｍにすることを特徴とする酸化膜のエッチング方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁
At this time, TCP(transformer-coupled plasma)/bias power ratio is larger than 20, and also HBr/HeO2 gas flow ratio is larger than 1.9, and consequently polysilicon: cap SiO2 selectivity becomes larger than 10:1, and a polysilicon line having a substantially vertical profile is formed.例文帳に追加
このとき、ＴＣＰ／バイアス電力比が２０よりも大きく、かつＨＢｒ／ＨｅＯ_2ガス流量比が１．９よりも大きく、その結果、ポリシリコン：キャップＳｉＯ_2選択性が１０：１よりも大きくなり、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線が形成される。 - 特許庁
The microplasma 300, generated inside the plasma capillary 40, is injected from a body opening 48, and subjects a bonding pad 5 to surface treatment under the sealed state from the outside, by a sealing-gas flow 400 injected from an annular opening 76 at the front end.例文帳に追加
プラズマキャピラリ４０の内部で生成されたマイクロプラズマ３００は、本体開口４８から噴出し、先端の環状開口７６から噴出したシールガス流４００によって外気とシールされた状態でボンディングパッド５の表面処理を行う。 - 特許庁
Amplitude and/or cycle of the base wave shape is controlled according to load of the diesel engine and continuous repeat number of the base wave shape is controlled according to conversion reaction efficiency in plasma treatment, and burst cycle is controlled according to flow rate of exhaust gas.例文帳に追加
そして、ディーゼルエンジンの負荷に応じて基本波形の振幅および／または周期を制御し、プラズマ処理における浄化反応効率に応じて基本波形の連続繰り返し回数を制御し、排気ガスの流量に応じてバースト周期を制御する。 - 特許庁
例文
The method is characterized by heating and melting raw material powder 3 to spheroidize with high-frequency hot plasma 11 and the molten particle is cooled by allowing the particle to fall down through a cooling tower 31 having cooling water sprayed therein from a spray nozzle 46 by allowing the cooling water to flow into an inner wall to prepare the ceramics and the metallic spherical powder 4.例文帳に追加
原料粉末３を高周波熱プラズマ１１により加熱溶融して球状化し、この溶融粒子を内壁に冷却水を流し噴霧ノズル４６から冷却水を噴霧した冷却塔３１内を落下させて冷却してセラミック又は金属の球状粉末４を製造する。 - 特許庁