Диодами — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «диодами»
Функциональный преобразователь с потенциально заземляемыми диодами
Номер патента: 101940
Опубликовано: 01.01.1955
Автор: Таланцев
МПК: G06G 7/26
Метки: диодами, заземляемыми, потенциально, функциональный
...Е)- - не) куммнь е,и О,) );Р Я, - сопротивления, задаю(1щис крутизну характеристики соответственно 1 и-го диодпого элемента; ) - сопротивления, с помощью которых задается папря 5 кепие смещения соответственно 1)г-го диодпого элемс)гга.Ключи Л)Ь, Символизируют соединенияОотвстственно 1 сг-го;иодпого элемента либо с - с .ибо с - Е. ключи КЛ, символизиру)от соединения соотвсствснно 1 сг-:о диодпого элемента либо с - е либо с - , - е. Блок, )сПТ представляет собой усилитель постояшюго тока с большим коз 1)фицсито усилгп 1 ия и с псчстпы. с)ис,со:5 каскадов. Блок ОС Ознячяст цспь Оорятнои св 51 зи, которая может представлять собой в обпем случае такую же схему из дцодных э гс.)1 снтов, 1,якя 5 в)кпоченя в)о ьходноп цепи.На фиг. 4...
Усилитель с отрицательным сопротивлениемв известных усилителях с параметрическими или туннельными диодами малый коэффициент шума достигается при включении циркулятора или при использовании специальной двухтактн
Номер патента: 166736
Опубликовано: 01.01.1964
Автор: Иванов
Метки: включении, двухтактн, диодами, достигается, известных, использовании, коэффициент, малый, отрицательным, параметрическими, сопротивлениемв, специальной, туннельными, усилитель, усилителях, циркулятора, шума
...схемы имеют значительные габариты и вес, особенно в диапазоне метровых волн.Предложенная схема усилителя с отрицательным сопротивлением отличается от известных тем, что параметрический или туннельный усилитель соединяется с нагрузкой четвертьволновым отрезком линии. В результате не только не происходит усиления шумов нагрузки, но и обеспечивается их частичное подавление. Для этого вносимое в контур усилителя отрицательное сопротивление должно быть равно эквивалентному сопротивлению контура. Так, например, когда нагрузкой усилителя является электронная лампа, подавляется шумовое напряжение, наведенное в цепи ее сетки,На чертеже изображена схема предлагаемого усилителя. Усиливаемый сигнал подается на входной контур 1, к которому...
Способ стабилизации выходного напряжения автономных резонансных инверторов с отсекающими диодами
Номер патента: 877779
Опубликовано: 30.10.1981
Авторы: Белкин, Ганеев, Гутин, Исхаков, Таназлы, Шапиро
МПК: H02P 13/18
Метки: автономных, выходного, диодами, инверторов, отсекающими, резонансных, стабилизации
...затухания н колебательном контуре. Например, при увеличении затухания уменьшается напряжение, возникающее на обмотке 9 сброса при убывании колебательного тока через тиристоры 1, 3 (2, 4). Это приводит к более позднему включению нентиля 10, вследствие чего меньшая доля энергии коммутирующего дросселя 8 возвращается конденсатору 7 Фильтра и, соответственно, выходное напряжение инвертора увеличивается. При неизменной величине коэФфициента трансформации и уменьшении затухания выходное напряжение уменьшается.При уменьшении затухания ниже номинальной величины, сопровождающемся уменьшением выходного напряжения, когда отклонение его превысит неко" торую заданную величину, необходимо изменить коэффициент трансформации. Указанное изменение...
Способ регулирования мощности инверторов с отсекающими диодами
Номер патента: 921034
Опубликовано: 15.04.1982
Авторы: Белкин, Гутин, Копьев, Попов
МПК: H02P 13/18
Метки: диодами, инверторов, мощности, отсекающими
...12. Мостовыеячейки 1 и 2 подключены к выводамисточника питания 13 через дроссели14-17 Фильтра, причем конденсаторы18 и 19 фильтра, подключены через первичные обмотки 20 и 21 коммутирующих 50дросселей 22 и 23 параллельно указан,ным ячейкам 1 и 2 и выходным выводам,образованным катодными группамиячеек .1 и 2. Вторичные обмотки 24и 25 коммутирующих дросселей 22 и 5523 через отсекающие диоды 26 и 27подключены к фильтровым конденсаторам 18 и 19 ячеек 1 и 2. К выходнымвыводам инвертора псдключена активно-индуктивная нагрузка 28-29, эа- бОшунтированная компенсирующей батареей конденсаторов 30. Вспомогательный конденсатор 41 подключается косновной батарее через ключ 32.Инвертор с отсекающими диодами снаб жен блоком 33 управления силовыми...
Устройство для управления мостовым инвертором с диодами обратного тока
Номер патента: 1023624
Опубликовано: 15.06.1983
МПК: H02P 13/18
Метки: диодами, инвертором, мостовым, обратного
...схеме и подсоединены со стороны постоянного тока к основному источнику питания 35, а со стороны переменного тока - к трехфазной мостовой схеме из коммутирующих тиристоров основной частоты 13-18, общие катоды и общие аноды которых подключены через кожутирующие тиристоры тройной частоты 19-20 соответственно к положительному и отрицательному полюсу основного источника 35, ачерез коммутирующий дроссель 21 - коднофазной мостовой схеме из дополнительных тиристоров .22-25 с коюутирующим конденсатором 26 в диаго"нали, подключенной через подэарядныйдроссель 27 и отсекакщий тиристор28 к источнику подэаряда Зб,Работа устройства происходит следующим образом.10 Пусть в начальный момент временивключены основные тиристоры 1, 3,б и конденсатор 26...
Устройство для защиты статистического преобразователя на тиристорах с обратными диодами
Номер патента: 1231557
Опубликовано: 15.05.1986
Авторы: Белкин, Зотов, Попов, Ройзман
МПК: H02H 7/12
Метки: диодами, защиты, обратными, преобразователя, статистического, тиристорах
...которого зашунтиронана стабилитроном 14 и подключена,через третий диод 15, катод которогоимеет общую точку с анодом стабилитрона 14, к второму конденсатору 16,16 связанному с резистором 11 с регулируемой величиной сопротивления,так, что вместе с первым конденсатором 10 образует замкнутый контур11 - 10 - 16 - 11.15 Устройство работает следующим образом.Задатчик 4 настраивается путемподбора стабилитрона 14 и изменениявеличины резистора 11 так, чтобы на 20 пряжение на конденсаторе 16 былопропорционально величине тока обратного диода 2, равного 1/3 или 1/4амплитуды тока тиристора 1 в номинальном режиме работы статического25 преобразователя,При нормальном установившемся режиме работы статического преобразователя ток обратного диода 2...
Вентиль интегральной логики с диодами шоттки
Номер патента: 1401595
Опубликовано: 07.06.1988
Авторы: Коробейников, Кузьмичев, Фурсин
МПК: H03K 19/091
Метки: вентиль, диодами, интегральной, логики, шоттки
...тока4 О 53 элеменга 9 при переходе выходного напряжения от О к 1 перезаряжает выходную емкость вентиля, Таким образом, ц предлагае. мом вентиле ванду инерционности тока коллектора шунтирчющеГО р - ир транзисто ра 6 удается увеличить суммарный ток, г)ерезаряжающий во время переходных пронес. сов выходцуо емкость вентиля, и соот етственно поьысить быстродействие и увеличить крутизну фронтов,Ем кость а иод - катод диода Шотти 4 В поедля аемом вентиле работает как ус)юряющяя: при переходе нагря:кения на Выходе вентиля Отк О зя счет протекания тока прц ЗакрЫтОМ ЛИОВЕ ИоттКИ 4 ЧЕРЕЗ ТЗ(1.О ЕМ- . кость уме(эьшзется врмя перезарядки выходной емкости Вентиляувеличение укаэанной емкос), Ирнвслит к говышению быстродействия. Лоэгому, при...
Устройство управления переключающими диодами
Номер патента: 1483589
Опубликовано: 30.05.1989
Автор: Харитонов
МПК: H03C 3/02
Метки: диодами, переключающими
...напряжения, в результате чего отпираются первый и третий входы формирователя 10 и другие входы первого и второго переключателей 8 и 13. На переключающие диоды 3 и 4 подается от двухполярного источника 9 через второй источник 7 положительное напряжение, которое отпирает переключающий диод 3 и запирает переключающий диод 4, Первый и второй каскады 2 и 5 при этом заперты.При изменении на входе устройства управляющего уровня напряжения с высокого на низкий, изменяют уровни на выходах формирователя 1, при этом запираются первый и третий входы формирователя 10 и отпираются второй и четвертый входы, а также отпираются одни и запираются другие входы первого и второго переключателей 8 и 13. В результате на выходе формирователя 10...
Способ управления последовательным резонансным инвертором напряжения с диодами встречного тока
Номер патента: 1508325
Опубликовано: 15.09.1989
Авторы: Гончаров, Дьячков, Замаруев, Ивахно, Шеенко
МПК: H02M 7/523
Метки: встречного, диодами, инвертором, последовательным, резонансным
...15разцостный сигнал поступает в регулятор 16, выполненный, например, посхеме ПИ-регулятора, Выходной сигналрегулятора 16 поступает ца одинвход узла 17 сравнения, ца второйвход которого поступает сигнал с Бы"хоца ГРН 13 (Фиг. 2 е), Узел 17 сравнения выполнен, например, по схемекомпаратора. В момент равенства наг. -ряжеция ГРН 13 и ныходцого напряжения регулятора 16 ца ныходе узла 17сравнения появляется напряжение логической единицы (Фиг. 2 з), котороепоступает на распределитель 18 импульсов управления, выполненный, например, по схеме селектора, и распределяющий поступа 1 ощие на его входимпульсы с вьгхода узла 17 сравненияв соответствии с сигнапами ДПВТ 10ца управляющие электроды упранляемь 1 хкл 1 очей 2 и 3 так, что при...
Способ контроля отсутствия обрывов и коротких замыканий на корпус или подложку внешних выводов твердотельных интегральных схем с изолирующими диодами
Номер патента: 1541542
Опубликовано: 07.02.1990
Авторы: Антонов, Самиуллин, Цветков
МПК: G01R 31/02, G01R 31/303
Метки: внешних, выводов, диодами, замыканий, изолирующими, интегральных, коротких, корпус, обрывов, отсутствия, подложку, схем, твердотельных
...по номиналу ограничительные резисторы 4.1-4.п, Этонапряжение должно быть больше, чемнапряжение обратимого пробоя диоднойизоляции в интегральной микросхемеа ток пробоя не должен превышать значения, гарантирующего обратимостьпробоев любых р - и-переходов микросхемы (Фиг.2-5)На ТТЛ-микросхеме (Фиг.2) при подключении выводов 3.1-3,5 к отрицательному полюсу источника 5 через токоограничивающие резисторы 4,1-4.5 открываются входные 8-10 и изолирующие11-13 диоды. При отсутствии обрывови коротких замыканий выводов на корпус или подложку нз всех резисторах4,1-4.3, 4,5, подключенньх к выводам3.1-3.3, 3.5, устанавливается напряжение источника 5 за вычетом прямого5 154 падения напряжения йа диодах. На резисторе 4.4, подключенном к выводу 3,4...
Устройство для управления и защиты тиристорного резонансного преобразователя с обратными диодами
Номер патента: 1598032
Опубликовано: 07.10.1990
Авторы: Горохов, Дудкин, Жарков, Таубес, Твердов
Метки: диодами, защиты, обратными, преобразователя, резонансного, тиристорного
...29 сигнала установки повключению питания, вход которого черезвыключатель 1 подсоединен к источнику,Устройство работает следующим образом.Управляемый генератор 17 импульсоввырабатывает сигналы, частота которых определяется напряжением с регулятора 16.Эти сигналы через элементы И-НЕ 18 и НЕ19 поступают на вход распределителя 20, свыходов которого сдвинутые на 180 двапрямоугольных импульса поступают на усилители-формирователи 22 и 21, после чегоимпульсы с длительностью 5 мкс подаютсяна управляющие электроды тиристоров 3и 4,При работе ТРП 2 через силовой транс. форматор 9 и трансформатор 8 тока проходят синусоидальные импульсы, которые собмотки трансформатора 8 тока поступаютна входы компараторов 24 и 23.Выходные сигналы...
Способ управления последовательным резонансным инвертором напряжения с диодами встречного тока
Номер патента: 1647816
Опубликовано: 07.05.1991
Авторы: Гончаров, Замаруев, Ивахно, Кривошеев, Овсиенко
МПК: H02M 7/523
Метки: встречного, диодами, инвертором, последовательным, резонансным
...26 осуществляет суммирование полученного сигнала с выходным сигналом КС 23. Таким образом, начиная с момента оремени ъв перехода тока чеРез нУль, УпРавлЯюЩий сигнал Осб фоР- ЗО мируют согласно о м ле сб = (Ос + Оь + Ох) + 0 ь) + (Фь + д) (1) где р - волновое сопротивление колебательного ЕС - контура РИ,Первое слагаемое в правой части фор мулы можно рассматривать как длину вектора с координатами, равйыми сумме переменных составляющих напряжения на конденсаторе РИ, выходного напряжения коммутатора и нагрузки РИ (первая коорди ната) и сигнала, пропорционального выходному току 1 в (вторая координата), При фОРМИРОВаНИИ УПРаВЛЯЮЩЕГО СИГНаЛа Осб, согласно формуле (1), обеспечива. гся точное поддержание управляемой величины 45 (амплитуды...
Способ управления последовательным инвертором с отсекающими диодами
Номер патента: 1690135
Опубликовано: 07.11.1991
Авторы: Дзлиев, Куанышбаева, Кузьмина, Силкин
МПК: H02M 7/48
Метки: диодами, инвертором, отсекающими, последовательным
...контуров) пропорциональны волновому сопротивлению, поэтому интенсивностьпроцессов во втором контуре (включающем25 коммутирующие конденсаторы 5, 5 мостов 1,1) существенно ниже (соотношениезависит от сопротивления нагрузки 11).Уменьшение фазового сдвига у приводит кросту влияния второго контура перезаряда30 5(1), 5(11), в результате снижается интенсивность процессов в инверторе и токи тиристоров.Устройство для управления инвертором,реализующее данный способ управления, со 35 держит задающий генератор 14, к выходу которого подключены последовательно блок 15регулируемой задержки и распределитель 16импульсов, а также распределитель 17. Квыходам распределителей 16 и 17 импуль 40 сов подключены выходные каскады 18 и 19,подсоединенные к...
Трехфазный трансформатор для питания полууправляемого преобразовательного агрегата с четырьмя вентильными мостами с диодами и тиристорами в соответствующих анодных и катодных группах вентилей
Номер патента: 1767661
Опубликовано: 07.10.1992
Авторы: Виноградов, Манжос, Пестряева
МПК: H01F 27/28, H02M 7/12
Метки: агрегата, анодных, вентилей, вентильными, группах, диодами, катодных, мостами, питания, полууправляемого, преобразовательного, соответствующих, тиристорами, трансформатор, трехфазный, четырьмя
...другие - по схеме "треугольник", при этом все части расположены на одном концентре таким образом, что каждая занимает половину высоты обмотки, и в пределах каждой половины части переплетены между собой, предложено на одной половине высоты обмотки располагать часть, соединенную в звезду, и часть, соединенную в треугольник, причем первую подключать к вентильному мосту с диодами в катодной группе и тиристорами в анодной группе вентилей, а вторую - к вентильному мосту с тиристорами в катодной и диодами в анодной группах вентилей; на другой половине высоты обмотки располагать часть, соединенную в "звезду", подключая ее к вентильному мосту с тиристорами в катодной группе вентилей и диодами в анодной группе, и часть, соединенную в...
Способ управления последовательным резонансным инвертором напряжения с диодами встречного тока
Номер патента: 1791941
Опубликовано: 30.01.1993
Авторы: Гончаров, Замаруев, Ивахно, Кривошеев
МПК: H02M 7/48
Метки: встречного, диодами, инвертором, последовательным, резонансным
...заданной длительности, ждущий генератор 20 развертывающего пилообразного сигнала, датчик 21 напряжения нагрузки инвертора, фазочувствительный выпрямитель 22, первый сумматор 23, выделитель 24 модуля (прецизионный выпрямитель), блок 25 выборки-хранения, второй сумматор 26, источник 27 сигнала задания амплитуды напряжения на конденсаторе. ПИ-регулятор 28, третий сумматор 29, компаратор 30.Способ управления реализуется следующим образом.Пусть в момент 1 о (фиг. 2, а) выходной ток инвертора (напряжение 09 датчика 9), возрастая, протекает через включающийся диод 5. реактор 6, обмотку И/1 трансформатора 8, датчик 9, конденсатор 7, повышая на нем напряжение, Напряжение конденсатора От поступает в устройство 13, и из него на сумматоре 23...
Способ создания интегральных микросхем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера
Номер патента: 1589932
Опубликовано: 20.12.1995
Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков
МПК: H01L 21/306
Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, шоттки
1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевый подложке n-типа, нанесение диэлектрического покрытия, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон к эмиттерным областям и формирование эмиттерных структур, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии к базовым областям и областям формирования высокобарьерных диодов Шоттки, нанесения слоя платины и формирование силицида в открытых контактных областях, вскрытие контактных окон к областям формирования незкобарьерных диодов Шоттки, последовательное нанесение барьерного и токопроводящего слоев и формирование контактных электродов и...
Способ изготовления интегральных схем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера
Номер патента: 1581142
Опубликовано: 27.01.1996
Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков, Толубаев
МПК: H01L 21/82
Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, потенциального, различную, схем, шоттки
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий создание в полупроводниковой подложке активных и пассивных элементов интегральной схемы, маскированных диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон к невыпрямляющим контактам и высокобарьерным диодам Шоттки, формирование на поверхности подложки во вскрытых окнах силицида платины, формирование фоторезистивной маски с окнами под низкобарьерные диоды Шоттки, вскрытие в окнах фоторезистивной маски поверхности полупроводниковой подложки, удаление фоторезистивной маски, нанесение барьерной и токопроводящей пленок и фотолитографию по ним для создания рисунка разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности...
Способ создания интегральных схем микросхем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера
Номер патента: 1814432
Опубликовано: 20.04.1996
Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков
МПК: H01L 21/265
Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки
...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...
Солнечная батарея с шунтирующими диодами
Номер патента: 1436793
Опубликовано: 10.08.2004
Авторы: Горячева, Далецкий, Летин, Тюркин
МПК: H01L 31/04
Метки: батарея, диодами, солнечная, шунтирующими
1. Солнечная батарея с шунтирующими диодами, содержащая каркас с несущей подложкой, модули скоммутированных солнечных элементов и шунтирующие диоды, отличающаяся тем, что, с целью увеличения надежности и ресурса батареи, перпендикулярно тыльной стороне подложки расположены полосы из диэлектрика, одна сторона которых содержит металлизированные участки, на которых расположены шунтирующие диоды.2. Солнечная батарея по п.1, отличающаяся тем, что каждая полоса из диэлектрика на стороне, не содержащей металлизированные участки, имеет покрытие из теплорегулирующего материала.