Теллурида — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «теллурида»
Способ получения теллурида натрия
Номер патента: 273178
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Новоселова, Поповкин, Финогенова
МПК: C01B 19/00
Метки: натрия, теллурида
...порциями от 0,3 до 0,5 г в течение 1 - 1,5 час. При этом для устранения образования полителлуридов полученный продукт отжигают при температуре 440 - 460 С, а для удаления избытка натрия - при температуре 780 в 8 С.П р и м е р. В ампулу загружают 3 г натрия. Теллур в количестве 5,85 г помещают в боковой отросток ампулы в виде мелкорастертого порошка. Заполненную ампулу откачивают и отпаивают при вакууме 10 з - 10 г лглг рт. ст. и помещают в печь, нагретую до 300 С. Теллур порциями от 0,3 до 0,5 г добавляют к расплавленному натрию в течение 1 - 1,5 час. Затем полученный продукт отжигают при 450 С в течение 24 час, Полученный сероватый продукт пересыпают в боковой отросток ампулы, свободный от теллура, и при 800 С в течение 12 час от...
Способ получения легированного теллурида свинца
Номер патента: 458604
Опубликовано: 30.01.1975
Авторы: Бейлин, Гребенкин, Жемчужина, Полистанский, Ромашкова, Яхац
МПК: C22C 1/02
Метки: легированного, свинца, теллурида
...возгоняет зоне. 11 ол сти,имеет рядка 1.1условиях динашийся теллурид в охчаждаемой типа проводимоителей тока по см - з пературе синтезавакуума образова я и конденсируетс ученный материал рконцентрацию но 02 о см - з ц типа - 5 редмет пзобретени рида ууме, повы- ощедные в устеллу в вак лью и упр исхо 00 С Способ получения л свинца путем синтеза 5 отличающийся т шеппя производительн ния его аппаратурног компоненты сплавляю ловиях динамическогоегированного из элементов ем, что, с це ости процесса о оформления т при 800 - 9 вакуума. Известен способ получения легиртеллурида свинца сплавлением компоэвакуированных ампулах,Для повышения производительности процесса и упрощения его аппаратурного оформления предлагается синтез теллурида свинца...
Способ получения теллурида германия
Номер патента: 566769
Опубликовано: 30.07.1977
Автор: Корень
МПК: C01G 17/00
Метки: германия, теллурида
...теллурида германия на более холодном участке реакционногососуда. Это позволяет вести процесс со зна 5 чительным избытком германия и тем самымисключает необходимость поддержания строго стехиометрического соотношения исходныхкомпонентов.При температуре ниже 600 С резко умень 10 шается скорость процесса, а при температуревыше 800 С увеличивается загрязнение конечного продукта примесями,П р и м е р. В кварцевую ампулу диамет 15 ром 200 мм и длиной 100 мм помещают кусочек теллура весом 0,6 г, а затем 0,8 г германия, Избыток германия составляет более0,1 вес. % по отношению к стехиометрическому составу беТе.Из ампулы откачивают воздух до остаточного давления 10 - 4 мм рт. ст., затем ее запаивают и помещают в электрическую...
Способ осаждения слоев теллурида цинка
Номер патента: 625509
Опубликовано: 23.12.1984
Авторы: Симашкевич, Циуляну, Чукова
МПК: H01L 21/20
Метки: осаждения, слоев, теллурида, цинка
...в ампулу подложки и вещества, из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и выдержку при постоянной температуре, после 35 дующую эпитаксию в процессе понижения температуры с определенной скоростью, слив раствора с подложки и освобождение подложки со слоем от остатков растворителя 2 . Способ позволяет получать слои теллу рида цинка из раствора в расплаве металлов висмута и цинка. мещают в один конец графитовой лодочки, а подложку - в другой ее конец. Лодочку помещают в кварцевую ампулу, которую откачивают и отпаивают, Систему нагревают до температуры 950-1050 С. При такой температуре в течение 1 ч проводят растворение теллурида цинка, Затем лодочку наклоняют и заливают...
Способ потенциометрического определения компонентов теллурида кадмия
Номер патента: 1557511
Опубликовано: 15.04.1990
Авторы: Витер, Каменев, Крылова, Шацкий
МПК: G01N 27/48
Метки: кадмия, компонентов, потенциометрического, теллурида
...ваммиачно-виннокислой среде при рН8раствором диэтилдитиокарбамината нрия с платиновым или графитовым индикаторным электродом, 1 табл. тенциаметрически раствором ДДТК сФплатиновым или граФитовым индикаторным электродом и хларидсеребряным электродом сравнения. К другой алик- вате раствора, содержащего 1-0, 1 мг СйТе, добавляют 2-3 мч 0,.5 М аммиачно-виннакислого буФерного раствора до рН)8, разбавляют водой да 20-25 мл и титруют Сс (11) раствором ДДТК с платиновым кли граФитовым индикаторным электродом.Результаты определения состава теллурида кадмия приведены в табли1557511 шает 0.,87,. Способ может применятьсядля оценки стехиометрии полупроводниковых .соединений. формула изобретения Введено Элект,СДТе, мг род. Найдено, мг1 1 1Сд Бт Те Бг...
Способ потенциометрического определения компонентов теллурида ртути
Номер патента: 1557512
Опубликовано: 15.04.1990
Авторы: Витер, Каменев, Крылова, Шацкий
МПК: G01N 27/48
Метки: компонентов, потенциометрического, ртути, теллурида
...к контролю содержания токсичных веществ. Цель изобретения - сокращение продол- жительности анализа. Сущность способа состоит в растворении пробы теллурида ртути в кислотах и потенцнометрическом осадительном титровании рту" ти (11) и теллура (17) раствором диэтилдитиокарбамината натрия с платиновым или графитовым индикаторным электродом. 1 табл. готовят растворениемпринятой методике.пределения состава приведены в таблице.чиваемое на определенентов, не превышает Полученные данные показывают возможность определения малых количеств теллурида ртути с погрешностью не бо- лее 1 Х.Таким образом, предлагаемый сп б прост в исполнении. По сравнению с известным предлагаемый способ позволяет определять компоненты полупроводникового сплава НяТе из...
Способ выращивания пленок теллурида цинка
Номер патента: 1624067
Опубликовано: 30.01.1991
МПК: C30B 19/02, C30B 29/48
Метки: выращивания, пленок, теллурида, цинка
...С, Эту смесь загружают в ячейку кассеты, в другую помещают подложку из 2 п 5 е, Кассету устанавливают в кварцевый реактор, нагревают до 650 С при непрерывном пропускании водорода и выдерживают при этой температуре в течении времени, достаточного для насыщения раствора-расплава(20 мин), Контакт раствора-расплава с подложкой осуществляют поворотом кассеты на 180 вокруг своей оси, при этом раствор-расплав располагают над подложкой. Для осаждения пленки проводят охлаждение системы до 450 С. При этой температуре проводят отделение раствора-расплава с поверхности выращенной пленки путем возвращения кассеты в исходное положение. После охлаждения печи до температуры эвтектики подложку с осажденной пленкой извлекают иэ ростового реактора, В...
Способ потенциометрического анализа теллурида свинца
Номер патента: 1702281
Опубликовано: 30.12.1991
МПК: G01N 27/416
Метки: анализа, потенциометрического, свинца, теллурида
...2 - 4 М НС раствором диэтилдитиокарбамината натрия с Рт-индикаторным электродом, свинца в щелочном растворе при рН12 тем же титрантом с биметаллической парой электродов Рт - Ю Время, затрачиваемое на анализ, составляет 10-15 мин, При навеске пробы ч 0,7 мг погрешность определения компонентов не превышает 0,01. 1 табл,При определении теллура относительное стандартное отклонение составляет 0,004, а свинца - 0,006, Пименение Р 1-индикаторного электрода и биметаллической пары Рт-Л обеспечивает достаточную величину скачка потенциалов в к,т.т, в соответст-вующих условиях, причем потенциал устанавливается за 2-3 мин.Результаты определения состава теллурида свинца приведены в таблицв.Полученные данные показывают возможность определения малых...
Способ инверсионного вольтамперометрического анализа теллурида свинца
Номер патента: 1746290
Опубликовано: 07.07.1992
Авторы: Григорьева, Каменев
МПК: G01N 27/48
Метки: анализа, вольтамперометрического, инверсионного, свинца, теллурида
...малых концентраций Те(Ч) наблюдается отклонение от линейной зависимости. Начальный участок кривой может быть также описан уравнением .вида у=МСте(в). Значения коэффициентов М, 50 интервал концентраций Те(И), в котором это уравнение выполняется, и нижняя граница определяемых концентраций Те(И) зависит от времени предэлектролиза. Так при 1 э= 80 с Сн= 510 М, при ь = 60 с, 55 Сн=1 10 М а и ри тэ=20 с Сн=2 10 М (Срь(1)=1 10 М).н -При увеличении количества осадка свинца на электроде происходит расширение интервала потенциалов его растворения: при Срь(п)=З 10 М и тэ=бО с разряд- ионизация свинца происходит от,7 до+0,8 В и инверсионный сигнал теллура(И) маскируется сигналом свинца(1), Для того, чтобы зарегистрировать сигнал теллура(И) в...
Способ получения поликристаллических блоков теллурида кадмия
Номер патента: 1791425
Опубликовано: 30.01.1993
Авторы: Гатилов, Зорин, Каратаев, Степанова, Фещенко
МПК: C04B 35/00
Метки: блоков, кадмия, поликристаллических, теллурида
...не осаждаетсяМОС кадмия подают.в таком соотношении, чтобы количество образующегося при термораспаде кадмия составляло 1,2 - 1,5 моля на моль избыточного теллурэ. При соотношении меньше 1,2 блоки теллурида кадмия получаются нестехиометрического состава, а увеличение более 1,5 нежелательно, т. к, происходит излишний расход МОС Сд, не приводящий к увеличению положйтельного эффекта, На каждый моль МОС кадмия подают 2,5 - 3 моля водорода. Использование меньшего избытка водорода и ри водит к появлению мелкодисперсного углерода, образующегося в процессе термораспада МОС Сб, Содержание углерода в структуре бло-.ков значительно снижает качество оптической керамики. Использование избытка водорода более 3-х молей на моль МОС Сб приводит к...
Способ получения кристаллов теллурида кадмия
Номер патента: 1818364
Опубликовано: 30.05.1993
Автор: Колесников
МПК: C30B 29/48, C30B 33/02
Метки: кадмия, кристаллов, теллурида
...Из таблицы (строки 1 - 2) видно, что при температурах ниже 930 С значение Т 1 о 6 остается низким. Испольэо- Б вание температур выше 950 С нецелесообразно, т.к. при этом начинается интенсивная сублимация СОТе, происходит термическое стравливание поверхности обрабатываемого кристалла (см, таблицу, строка 8),Снижение продолжительности отжига Сд(менее 60 ч) приводит к получению кристал лов с недостаточно высоким светопропуска- фь нием (см,таблицу, строка 3), а увеличение (свыше 70 ч) нецелесообразно, т,к. не приводит к росту величину Т 1 о б (см, таблицу, строка 4).Известных технических решений, имеющих признаки, сходные с признаками, отличающими заявленное решение от прототипа, не обнаружено. Следовательно заявленное решение...
Способ формирования имплантированных слоев теллурида кадмия ртути
Номер патента: 2003202
Опубликовано: 15.11.1993
МПК: H01L 21/425
Метки: имплантированных, кадмия, ртути, слоев, теллурида, формирования
...через нее ускоренных ионов легирующего элемента бора и светового отжига, в качестве капсулирующейпленки используют систему, состоящую изо5 слоев АЬО з толщиной порядка 2000 А и 3102отолщиной порядка 1000 А, имплантированный слой КРТ получают внедрением ионовбора с энергией 120-150 кэВ и дозой в диа 10 вазоне 5 х 10 -1 х 10 ион/см, а отжиг про 12 34 2водят ступенчато (1 - 5 ступеней) с режимомкаждой ступени 100 С 15 - ЗО мин,Сопоставительный анализ предлагаемого решения с прототипом показываетчто15 предлагаемый способ отличается от известноготем, что, во-первых, используютдругуюкапсулирующую пленку (систему, состоящую из слоев АЬОз толщиной порядкао о2000 А и ВОр толщиной порядка 1000 А,во-вторых, имплантированный слой КРТ,получают...
Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия
Номер патента: 1431391
Опубликовано: 15.03.1994
МПК: C30B 11/02, C30B 29/48
Метки: выращивания, кадмия, монокристаллов, теллурида
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ, включающий нагрев поликристаллической загрузки и кадмия, расположенных в разных секциях герметичного контейнера, плавление загрузки, выдержку расплава и его последующее охлаждение с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности дислокаций, исключения двойников в кристаллах и упрощения процесса, при охлаждении в секции с расплавом поддерживают безградиентное температурное поле, а температуру в секции с кадмием 755 - 765oС и охлаждение ведут со скоростью, равной или меньшей 3 град/ч.
Способ локального травления подложек из твердых растворов теллурида свинца-теллурида олова
Номер патента: 1814451
Опубликовано: 10.03.1996
МПК: H01L 21/467
Метки: локального, олова, подложек, растворов, свинца-теллурида, твердых, теллурида, травления
...из компонентов смеси - метана в смеси с водородом для травления полупроводниковых соединений. В заявляемом изобретении используется смесь другого состава.В отличие от процесса по прототипу, где для травления ОаААз используют образующий плазму газ, содержащий треххлористый бор и хлор, в описываемом способе травления щелей твердого раствора теллурид свинца-теллурид олова проводят продуктами распада смеси метана и аргона, позволяющем увеличить скорость травления, понизить температуру нагрева, повысить разрешающую способность, устранить использование высокотоксичных веществ.Как показывают экспериментальные данные, наилучшими условиями плазмохимического травления щелей в подложках твердых растворов теллурид свинца-теллурид олова...
Способ изготовления тестовых структур для электронно зондовых методик на основе теллурида кадмия-ртути p-типа проводимости
Номер патента: 1378711
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов
МПК: H01L 21/306
Метки: зондовых, кадмия-ртути, методик, основе, п-типа, проводимости, структур, теллурида, тестовых, электронно
Способ изготовления тестовых структур для электронно-зондовых методик на основе теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку поверхности исходного кристалла полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением медленно диффундирующих металлов из ряда: Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества тестовой структуры за счет повышения ее чувствительности в режиме наведенного тока для диагностики материала теллурида кадмия-ртути, перед напылением металла в течение 10 мин проводят плазменную обработку поверхности теллурида кадмия-ртути в ВЧ диодной системе в атмосфере Ar при давлении от 5
Способ формирования p-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути p-типа проводимости
Номер патента: 1364146
Опубликовано: 27.12.1999
Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов
МПК: H01L 21/306
Метки: p-n-переходов, кадмия-ртути, кристаллов, основе, п-типа, проводимости, теллурида, формирования
Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу поверхности от 0,6 до 1,3 Вт/см2.