Полевым — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «полевым»
Полупроводниковое устройство с полевым управлением
Номер патента: 434871
Опубликовано: 05.07.1977
Автор: Поляков
МПК: H01L 21/00
Метки: полевым, полупроводниковое, управлением
...например титанат батолщиной 1100 мкм. Наибольшая чувствитеность устройства к сигналу управления при вкой температурной стабильности достигаетсятолпвпте слоя сегнетоэлектрита 5-10 мкм,летень25 (53) УДК621382323 (088.8 ння 12 11.77Редактор И, Орлова Корректор М, демчук Заказ 2 36/223 Тираж 976 Повислое ЩМИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретений и открьгпФ 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 нагрузкой к выходной цепи, При отключении иповторной подаче напряжения питания устройствоостается во включенном состоящщ благодаря оста.очной поляризации слоя 3 и сохранению свяэаьщого с ней обогащения приповерхностной части об.ласти 1 основными носителями.Перевод...
Способ управления -канальным накопительным полевым транзистором
Номер патента: 664586
Опубликовано: 25.05.1979
Автор: Бернвард
МПК: H01L 29/788
Метки: канальным, накопительным, полевым, транзистором
...для вызывания канальной инжекции.Величина напряжения может быть достаточна для разогревания электроновдб энергии 1 3-3,8 еЧ.При наличии управляющего затворак нему может быть приложен потенциалподожительный посравнению с потенциалом стока,При управлении по способу, согласно изобретению, отрицательный заряд, находящийся до этбго при срав"нйтеЛьно полбжительном потенциалезапомиНающегб затвора, происМодйтэлектрически с помощью канальнбйинжекции. Накопительный затвор палевого транзистора при программированиизаряжается зарядами; которые самифорМируются в полевом транзисторетаким образом, что заряд, благодаряиндукции,-воздействует на ток стокистока тормозящим образом вместо пе-.редающего так, что заряженный накоп 11 т,ельный затвор в...
Устройство освещения для индикатора на жидких кристаллах с полевым эффектом
Номер патента: 713544
Опубликовано: 30.01.1980
Авторы: Вальтер, Майнольф, Марко, Маркус, Петер, Юрг
МПК: G02F 1/133
Метки: жидких, индикатора, кристаллах, освещения, полевым, эффектом
...ЖК, обусловленные несовершенством оптической системы, а также сложность изготовления подобных устройств в условиях массового производства.Целью изобретения является повышение коэффициента использования световой энгрпш, улучшение равномерности освещения и упрощение технологии изготовЭта цель достигается тем, что монолитная светопроводная плата выполняется с утолщением с одной стороны, поверхность платы, обращенная к индикатору, выполнена шероховатой, а противоположная поверхность выполняется диффузно зеркально отражающей одним из двух способов: поверхность гладкая, а прилегающий отражатель - диффузный, либо она выполнена шероховатой, а отражатель - зеркальный.ФНа фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сбоку; на фиг. 2 - то же,...
Способ управления -канальным накопительным полевым транзистором
Номер патента: 791272
Опубликовано: 23.12.1980
Автор: Бернвард
МПК: H01L 29/72
Метки: канальным, накопительным, полевым, транзистором
...около 351 Ч при первой очистке и в пределах одной минуты при двадцатой очистке. Измеренная продолжительность очистки увеличивается от очистки к очистке, Наконец продолжительность очистки превосходит максимально допустимое, произвольно установленное значение, с которого очистка рассматривается как нарушенная и более невозможная. Необходимые для электрической Очистки затраты незначительны. Применение и-канала вместо -канала для запоминающего полевого транзистора необходимо, так как иначе невозможно программирование посредством канальной инжекции и очистка посредством туннельного эффекта Фоулера-Нордхейма.В дальнейшем последующее развитие предлагаемого устройства основывается на новом понимании причин и вспомогательных возможностей...
Электрическая схема для ионизационного пожароизвещателя с двойным полевым транзистором типа моп
Номер патента: 945878
Опубликовано: 23.07.1982
МПК: G08B 17/12
Метки: двойным, ионизационного, моп, пожароизвещателя, полевым, схема, типа, транзистором, электрическая
...истока 9 работаеткак преобразователь полного сопротивления. На выходе преобразователя пол- .ного сопротивления подключена триггерная схема 11 аварийной сигнализации,благодаря чему обеспечивается надежная работа ионизационного пожароизвещателя, На том же выходе через соединительную клемму 5 одновременно можетбыть. подключен неинвертирующий входоперационного усилителя 12. Втораясистема двойного полевого транзистора типа ИОП 8 работает с сопротивлением 10 как истоковый повторитель,Этот исток соединяется через соединительную клемму б с инвертирующимвходом, а затвор - через соединительную клемму 4 с выходом операционного усилителя 12, Зто совместное вклю,чение может быть использовано как составная часть электроники ионизацион...
Способ изготовления полупроводниковых приборов с полевым эффектом
Номер патента: 862742
Опубликовано: 30.05.1984
Авторы: Кандыба, Панова, Петрова
МПК: H01L 21/18
Метки: полевым, полупроводниковых, приборов, эффектом
...атмосфере, при этом энергия ионов фосфора составляет 35-65 кэВ, доза(1;2)10 ион/см, температура от-,жига 850-1050 С.В результате сокращения числа критических операций путем исключения операции нанесения третьего слоя при создании трехслойного подзатворного диэлектрика повышается выход годных полупроводниковых приборов с нолевым эффектом, имеющих изолированный затвор.Последовательность Формирования для создания областей истока и стока. Маскирующий слой удаляют и оро-,водят термообработку с целью активации внедренной примеси и ее разгон Однако поверхностная пленка ФСС может вступать в химическое взаимодействие с алюминиевым электродом затвора, вызывая его коррозию и увеличйвая положительный заряд в диэлектрике. Кроме того,...
Устройство для управления мощным полевым транзистором
Номер патента: 1690116
Опубликовано: 07.11.1991
МПК: H02M 1/08
Метки: мощным, полевым, транзистором
...импульс управляющего сигнала амплитудойОз, В результате вычитания отрицательногонапряжения заряженного конденсатора 7 иимпульса положительной полярности Оз аточке а схемы устройства управления формируется отпирающий импульс положительной полярности амплитудой Оа=Оз-От.Входная емкость Свх транзистора 4 заряжается и на время действия положительногоимпульса транзистор 4 открыт и насыщентоком, ограниченным резистором 6. Напряжение между стоком и истоком Оси открытого транзистора 4 достигает остаточногонапряженияОос 1 - В си 1 н,где Бси - сопротивление открытого транзистора; 1 н - ток через транзистор. В момент прихода очередного импульсаположительный полупериод запирает диод8, при этом конденсатор 7 незначительно разряжается, так как его...
Устройство для управления мощным полевым транзистором
Номер патента: 1725333
Опубликовано: 07.04.1992
Авторы: Артюшенко, Давиденко, Малахатка
МПК: H02M 1/08
Метки: мощным, полевым, транзистором
...и коллектор отпирающего транзисторов предназначены для подключения к затвору мощного полевого транзистора снабжено источником положительного отпирающего напряжения, запускающим резистором и опережающим источником отрицательного напряжения, минусовой вывод которого подключен к коллектору запирающего транзистора непосредственно и к эмиттеру через запускающий резистор, а плюсовой вывод подключен к эмиттеру отпирающего транзистора и к плюсовому выводу источника положительного отпирающего напряжения, . минусовой вывод которого предназначен для подключения к истоку мощного полевого транзистора, развязывающий трансформатор снабжен дополнительной вторичной обмоткой, а источник положительного отпирающего напряжения выполнен на...
Лазер с полевым управлением
Номер патента: 1391424
Опубликовано: 10.06.1996
Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Жуков, Иванютин, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин
МПК: H01S 3/19
Метки: лазер, полевым, управлением
Лазер с полевым управлением, содержащий полупроводниковую сильнолегированную подложку, на которой расположены слои, образующие двойную р-n-гетероструктуру (ДГС), полупроводниковый слой n-GaAs с контактами истока, стока и электродом затвора, а также омический контакт к подложке, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода, указанный полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, а между ним и подложкой размещен монокристаллический изолирующий слой AlGaAs:O, причем в полупроводниковом и монокристаллическом изолирующем слоях имеется канавка с наклонными стенками, глубина которой больше...
Лазер с полевым управлением
Номер патента: 1393291
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Алавердян, Артамонов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Шелюхин
МПК: H01S 3/19
Метки: лазер, полевым, управлением
Лазер с полевым управлением, содержащий полуизолирующую подложку из GaAs i-типа проводимости с расположенными на ней слоями, которые образуют двойную гетероструктуру (ДГС), сильнолегированный полупроводниковый слой, изотипный внешнему слою ДГС и граничащий с ним, а также полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора, отличающийся тем, что, с целью достижения непрерывного режима работы лазера путем улучшения теплоотвода, в полуизолирующей подложке выполнена сильнолегированная область, проникающая на всю толщину подложки, а полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, причем в упомянутом полупроводниковом слое под...
Силовой полупроводниковый прибор с полевым управлением
Номер патента: 1001830
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Асина, Евсеев, Ефремов, Зи
МПК: H01L 29/76
Метки: полевым, полупроводниковый, прибор, силовой, управлением
1. Силовой полупроводниковый прибор с полевым управлением, например тиристор, содержащий не менее двух ячеек, каждая из которых включает базу с участками различного удельного сопротивления, p+ - анод и n+ - катод, окруженный p+ - затвором, отличающийся тем, что, с целью увеличения активной площади прибора с полевым управлением при сохранении высоких значений коэффициента запирания и быстродействия, база выполнена 3-х слойной, высокоомный слой базы расположен между низкоомными слоями, при этом удельное сопротивление высокоомного слоя базы по крайней мере на порядок выше удельного сопротивления низкоомных слоев.2. Прибор по п. 1, отличающийся тем, что...
Излучательный элемент с полевым управлением (и его вариант)
Номер патента: 820559
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Емельянов, Рябоштан, Садовой, Сидорова
МПК: H01L 33/00
Метки: variant, излучательный, полевым, управлением, элемент
1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя противоположного с эмиттерным слоем типа проводимости с гетеропереходом внутри слоя, причем внешняя часть указанного слоя - более широкозонная, чем прилегающая к...