Карбиды — C30B 29/36 — МПК (original) (raw)
Способ выращивания монокристаллов карбида кремния
Номер патента: 136328
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: C30B 29/36, C30B 9/06
Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов
...его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пер- сыщение раствора. Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния В атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава,С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлов карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме прп постоянной температуре расплава 1600 вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический...
Способ выращивания монокристаллов карбидакремния
Номер патента: 253778
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Государственный, Ионов, Колосов, Проектный, Прокофьева, Рейфман
МПК: C30B 23/00, C30B 29/36
Метки: выращивания, карбидакремния, монокристаллов
...цссодержащий гермдццй в пающем содержание в цсм есей в 1 О- - 10 рдз. Спосоо выращцв 15 бида кремния пер го легированного тсрцала через газ тем, что, с цель 1 о щцваемых моцокр 20 ходный м атерц ал количестве, превьп акцепторцых примИзвестен способ выращивания моцокристаллов карбида кремния перекрцсталлцзацией исходного легированного поликристаллического материала через газовую фазу.По предлагаемому способу используют исходный материал, содержащий германий в количестве, превышающем содержание в нем акцепторных примесей в 10- - 10" раз. Прц перекристаллизации материала, содержащего германий, повышается чистота получаемых монокристаллов.Способ выращивания монокристаллов карбида кремния осуществляется следующим образом. Исходный...
Способ выращивания нитевидных монокристаллов карбида кремния
Номер патента: 384208
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вейцар, Инастраи, Иностранна, Клод, Швейцари, Якоб
МПК: C30B 29/36, C30B 29/62
Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов, нитевидных
...О Применяемый раствор имеет концентрацию 0,01 - 2 г железа на 100 г растворителя; время погружения варьируется от 0,5 до 5 мин, После нанесения раствора подлояки супоат для,вьспаривания растворителя и помещают в 15 реакционный объем.Реакпор состотст из водоохл аждае ма гостального кожуха, футерованното муллитом и графитовыми плитами, напревательньсм элементом является графитовый стержень. Под ложечки располагают по вертикали на расстоянии 5 см друг от друта; на каждую подложку наносят элементарный кремний или ЯОг и уголь. Молярное отношение ЯОг, С составляет от 1:1 до 1:10. Уголь полностью или частич но может быть з,амещен газообразными углеводородами (метан, этан, горопаи), Реактор наполняют водородом или смесью из Нг и аргона и...
396862
Номер патента: 396862
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C30B 25/00, C30B 29/36, C30B 29/62 ...
Метки: 396862
...количество зависит От того,какова должна быть консистенция наносимого 25 слоя. Целесообразно лак добавлять в такомколичестве, чтобы получилась масса, хорошо наносивая кистью.Эту массу наносят на подложку. Прп нагревании происходит обугливание лака и неорганические частицы заключаются в тонком396862 Предмс Г изобретения Сос Гавитепь В. БезбородоваТсхред А, 1(амышникова Корректор О, Тгорнна Реиктор Ю, Агапова, , аЯД 71 д, о92. Тираж 678 Подписное Ц 11 г 11осударствсв 1 о и козитета Совета МишОров ГССР ИО;С.ае ИапРСтенпй И ОтКРЫтнй москва, )К.зо, 1 аушская наб., д. 4/оОб 1. Тии. Костровского уи,)ав си 151 11 Латедьств, 101 Г 11111 и и капк;:ои т "Г, а угольнох слое. Вследствие этого вцесв 1, содействующие росту кристаллов, при воздейст...
401042
Номер патента: 401042
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C30B 25/00, C30B 29/36, C30B 29/62 ...
Метки: 401042
...или фтор. Газ пропускают со скоростьго 10 - 20 с.гг/.ггин.П р и м е р 1. В реакционную трубку из плотно спеченной окиси алюмиция вводят 4,5 г углерода и 8 г порошксобразиого кремния техцического качества так, что по направлению пропускаиия газа, кремний цаходится иепосредствеиио перед углеродом. Зятем через реакциоииуго труоу пропускают реакциоииый гяз, который состоит из 72",о Не, 20 о Хе и 8",г С 1 е, в то врезя как реактор иагревают до 1480 С.5 Приблизительцо по истечении 8 чаг реакцияокоцчеиа. Реактор охлаждают и открывают, В результате получают кгловидиые моцокристаллы карбида кремиия диаметром от 3 до 5 лгк и длиной в несколько миллиметров.О П р и м е р 2. Опыт проводят яиялогичцопримеру 1. Состав газа 84 оггг, 11 е, 120/, Х и...
Сверхпроводящий материал
Номер патента: 1076502
Опубликовано: 28.02.1984
Авторы: Васильев, Голянов, Елесин, Михеева
МПК: C30B 29/36
Метки: материал, сверхпроводящий
...пленки, определяют скорость распыления технеция и углерода,Эти скорости оказываются постоянными и независящими от времени распыления. Скорость распыления технеция составляет 10,0 А/мин. Скорость радпиления углерода составляет 2,2 А/мин.Толщину моноатомного слоя технеция принимают равной удвоенному металлическому радиусу атома технеция, толщину моноатомного слоя углерода принимают равной удвоенному ковалентному радиусу атома углерода. Эти величины равны 0,77 Ъ для углерода и 1,36 А для технеция. Зная время распыления и толщины моноатомных слоев технеция и углерода, определяют время осаждения одного моноатомного слоя технеция или углерода. Эти величины составляют 16,3 и 42,0 соответственно. За 16,3 с осаждается 482 атома технеция на...
Способ определения скорости роста эпитаксиального слоя s с
Номер патента: 1590484
Опубликовано: 07.09.1990
МПК: C30B 19/10, C30B 29/36
Метки: роста, скорости, слоя, эпитаксиального
...катодолюминесценцию, Цвет катодолюминесценции эпитаксиального слоя - зеленый,На фоне зеленой катодолюминесценции от эпитаксиального слоя наблюдают две полости, обладающие голубой люминесценцией, характерной для эпитаксиальных слоев Я 1 С - 6 Н, легированных алюминием; Расстояние между этими полосками составляет 9 мкм, Зная фиксированный интервал времени (2 мин) и толщину слоя, выросшего за это время (9 мкм), определяют локальную скорость роста Чрл = 4,5 мкм/мин.Общая толщина эпитаксиального слоя 42 мкм, Средняя скорость роста Чр, определяемая по известному способу, составляет 2,5 мкм/мин,П р и м е р 2. Эпитаксиальный слой выщащен аналогично примеру 1, но рост проводят в диапазоне температур 1640- 1570 С. Интервал охлаждения 70 С....
Способ выращивания кристаллов карбида кремния и устройство для его осуществления
Номер патента: 1663060
Опубликовано: 15.07.1991
Автор: Рыбкин
МПК: C30B 23/00, C30B 29/36
Метки: выращивания, карбида, кремния, кристаллов
...ЯС не фиксирована и зависит от температуры кристаллизации. Однако в любом случае зона активного испарения шихты или эона 10 сублимации в данном методе в несколько раз меньше по высоте, чем высота всей загрузки порошка ЯС,в контейнере, Это составляет одно иэ преимуществ предлагаемого метода, поскольку позволяет увеличить объем загрузки шихты ЯС иувеличить время кристаллизации. Последнее в свою очередь позволяет увеличить размеры выращивеамых кристаллов, используя перемещение кристалла и контейнера с шихтой в противоположныхнаправлениях10 В исходном положении (фиг.2) послеподьема со скоростью 250 - 300 С ч до2100 С температуры в зоне роста и создания ваккума(1 - 5) 10 ммрт.ст,впечидлякристаллизации ЯС создается осевое рас 5 пределение...
Способ эпитаксиального выращивания монокристаллических слоев кубического s с
Номер патента: 1710604
Опубликовано: 07.02.1992
Авторы: Баранов, Белов, Дмитриев, Кондратьева, Челноков, Шаталов, Эрлих
МПК: C30B 25/02, C30B 29/36
Метки: выращивания, кубического, монокристаллических, слоев, эпитаксиального
...процесса выращивания - отсутствие буферного слоя, и позволяет использовать стандартное технологическое оборудование для получе ния эпитаксиальных слоев кремния, так как дает возможность выращивать монокристаллические слои ВС той же толщины, что и известный способ на Ю-подложке при более низких температурах. Температура рос та является одним из основных параметров, который оказывает влияние на качество выращенного слоя, Возможность сохранения монокристалличности эпитаксиальных сло-ев РС при снижении температуры роста до10 15 20 25 30 35 40 Ф 45 50 55 ков, Хотя выращивание монокристаллических слоев ЯС на Я 1-подложке известно, однако для выращивания монокристаллического 9 С на Я-подложках трихлорэтилен не использовался. При этом не было...
Способ выращивания карбидкремниевых р-п-структур политипа 6н
Номер патента: 1726571
Опубликовано: 15.04.1992
Авторы: Дмитриев, Рендакова, Челноков
МПК: C30B 19/00, C30B 29/36, H01L 21/208 ...
Метки: выращивания, карбидкремниевых, политипа, р-п-структур
...они, по-видимому, иг- давления 3 10 мм рт.ст. последовательнорают роль фактора, увеличивающего 25 ротационным и цеолитовым насосами, авероятность образования ЗС-ЮС, Другой затем втечение 15 мин продували очищенс ественный недостаток метода - невоз- ным водородом. Величину расхода водоможность получать эпитаксиальные слои, рода устанавливали 2 д /ущз,содержащие акцепторную примесь с необ- Осуществляли нагрев тигля с навесками доходимой концентрацией. Это связано стем, .30 500 С, затем в течение 1 ч осуществлялиочто используемый в качестве растворителя отжиг при 500 С,для жижидкостной эпитаксии Оа входит в расо -зПосле отжига увеличивали нагревотущий материал на уровне 10 см и его тигля до 1200 С и в течение 0,5 ч выдерсодержание не...
Полупроводниковый материал
Номер патента: 1730219
Опубликовано: 30.04.1992
Авторы: Гогоци, Сафаралиев, Таиров, Цветков, Шабанов
МПК: C30B 23/02, C30B 29/36
Метки: материал, полупроводниковый
...карбида кремния и карбида ниобия, обработанные так же, как и в примерах 1 и 2, прикладывали друг к другу и подвергали горячему прессованию в засыпке порошка дисперсностью .5 мкм, Процесс проводили при 1700 С, давлении 20 МПа в среде ч 2 в течении 60 мин. Ширина слоя гетеровалентного твердого раствора (ЯС)1-х(ИЬС)х 5 - 7 мкм,Во всех трех случаях получали гетеровалентные твердые растворы (ЯС)1- х(МЬС)х во всем диапазоне изменения состава (О х 1). Исследования концентрационного распределения КЬ и Я проводились на Оже-микроанализаторе "3 ЕО Я". На фиг, 1 дана обычная электронная микрофотография, Области с элементами различной тяжести отличаются. Более тяжелые элементы светлее.На фиг. 2 изображены концентрационные профили ниобия и...
Полупроводниковый материал
Номер патента: 1819922
Опубликовано: 07.06.1993
Авторы: Сафаралиев, Таиров, Цветков, Шабанов
МПК: C30B 29/02, C30B 29/36
Метки: материал, полупроводниковый
...Но в отличие от предыдущего случая,процесс проводили при температуре1900 Сдавлении ЗО М 1 а в среде Й 2 в течение 60 мин. Ширина полученного слоя гомовалентного твердого раствора (31 С)1-х(ЕгС)х 40составила 10 мкм.П р и м е р 3. В этом случае кристаллыкарбида кремния и карбида циркония, обра-ботанные так же, как и в примерах 1 и 2,прикладывали друг к другу и подвергали горячему прессованию в засыпке порошка дисперсностью 5 мкм. Процесс проводили притемпературе 1700 С, давлении 20 МПа в среде Мг в течение 60 мин. Ширина слоя гомовалентного твердого раствора (31 С)-х(ЕгС)х 50составила 5-7 мкм. Во всех трех случаяхполучались гомовалентные твердые растворы (31 С)1-х(2 гС) во всем диапазоне изменения состава (0 х 1),...
Способ получения слоев карбида кремния
Номер патента: 1398484
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков
МПК: C30B 23/02, C30B 29/36
Метки: карбида, кремния, слоев
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ путем конденсации паров источника на подложку карбида кремния в инертной атмосфере при температуре выше 1800oС и температурном градиенте, перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения морфологического и структурного совершенства слоев, конденсацию паров ведут на подложку с одной или несколькими выступающими квадратными площадками высотой 5 - 200 мкм, площадью 0,01 - 1,0 мм2 при дополнительном радиальном температурном градиенте 10 - 50 град/см, скорости роста не более 100 мкм/ч в течение не менее 10 мин.
Способ выращивания монокристаллического sic
Номер патента: 882247
Опубликовано: 20.11.1996
Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков
МПК: C30B 23/00, C30B 29/36
Метки: выращивания, монокристаллического
Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника.
Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4h
Номер патента: 913762
Опубликовано: 20.11.1996
МПК: C30B 23/02, C30B 29/36
Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального
1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...
Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора
Номер патента: 1695709
Опубликовано: 10.07.2003
Авторы: Денисевич, Радучев, Штейнберг
МПК: C30B 11/02, C30B 29/10, C30B 29/36 ...
Метки: бора, боридов, карбида, карбидов, металлов, монокристаллов, тугоплавких
Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора, включающий индукционное плавление шихты в водоохлаждаемом тигле и выращивание монокристаллов при температуре 0,8-1,0 температуры плавления соединения в атмосфере защитного газа гарнисажным методом, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве шихты используют предварительно переплавленную и измельченную до дисперсности 0,1-3 мм исходную шихту или ее смесь с исходной шихтой, взятой в количестве не более 15 мас.%.