Тепман — Автор (original) (raw)
Тепман
Охладитель полупроводникового прибора
Номер патента: 1823037
Опубликовано: 23.06.1993
Авторы: Воронин, Коган, Комаленков, Никитин, Тепман, Феоктистов, Чибиркин
МПК: H01L 23/36, H05K 7/20
Метки: охладитель, полупроводникового, прибора
...свинца или пластичного материала. Работа охладителя фиг.5 аналогична работе охладителя, изображенного на фиг, 2 и 3. Применение таких конструкций упрощает решение проблемы коррозионной стойкости и совместимости материалов внутри охладителя при одновременном снижении материалоемкости и трудоемкости его изготовления. Изображенный нэ фиг. 6 охладитель полуп роводникового прибора содержит корпус 1, связанные с ним гибкие теплопередающие диафрагмы 2 с возможностью контакта их внутренних поверхностей с теплоносителем 3, а на их внешних поверхностях размещены полупроводниковые приборы 4. Между внутренними поверхностями гибких тепло- передающих диафрагм 2, примыкая к ним, размещена составная эластичная опора 11, состоящая из 2-х дисков...
Способ формирования внутреннего геттера в пластинах кремния
Номер патента: 1635827
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Асеев, Бельц, Горохов, Денисов, Тепман, Трищункин, Федина, Чулинина
МПК: H01L 21/322
Метки: внутреннего, геттера, кремния, пластинах, формирования
...м е р 1. Пластины кремния диаметром ,00 мм, легированные бором с концентрацией кислорода (б) 10 см.17 -3 подвертались окислению в хлорсодержащей среде при 1000 С до толщины окисла40 ф 10 нм, а затем температура в печи поднималась до 1200" С в газовой смеси азо1635827 Формула изобретения Составитель Т.СкомороховаТехред М,Моргентал Корректор Н Ревгкая Редактор Т,Кпюкинэ 3 аназ 4059 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета поизобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская нэб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.1 эг:рнл 101 та с кислородом с содержанием кислорода 2,5 -0,5 и сохраняпэсь в течение 4 ч. Затем температура в печи снижалась до 750 С и сохранялась на этом уровне в течение...
Охладитель силового полупроводникового прибора
Номер патента: 1746437
Опубликовано: 07.07.1992
Автор: Тепман
МПК: H01L 23/46
Метки: охладитель, полупроводникового, прибора, силового
...к диаметруоснования тепловыде-лг.ющего тела,Минимальная толщина пластичной массы (прокладки) должна быть такой, чтобы при сжатии обеспечивать выборку макрозазоров, вследствие неплоскостности тепло- выделяющего тепла и охладителей, суммарная величина которых по ТУ может составлять 40 микрометров.Максимальная толщина прокладки выбирается при использовании групповых охладителей для 2-стороннего теплоотвода от 2 или 3 СПП такой толщины, чтобы обеспечить плотное прилегание всех оснований таблеточных СПП к охладителям, учитывая возможную разницу высот используемых полупроводниковых приборов, Так, при диаметре оснований СПП 40 мм, максимальной разности их толщин 2 мм и расстоянии между. осями СПП 400 мм толщина прокладки должна быть не менее...
Охладитель полупроводникового прибора
Номер патента: 1746436
Опубликовано: 07.07.1992
Автор: Тепман
МПК: H01L 23/36
Метки: охладитель, полупроводникового, прибора
...для установки на нем полупроводникового прибора. В конденсатор 25 ной части рабочей трубы в плотномтепловом контакте с ее внешней поверхностью расположены ребра 6, предназначенные.для отвода тепла во внешнюю среду.На фиг.З изображен охладитель полу 30 проводникового прибора. конструкция которого аналогична охладителю,изображенному на фиг.1. Отличие заключается в том, что в средней рабочей трубе 1замерзающий теплоноситель 2 заменен на35 незамерзающий теплоноситель 4,Работа охладителя, изображенного нафиг.1, заключается в том, что выделяемое.полупроводниковым прибором тепло черезего основание (изображенное пунктиром)40, передается основанию 5 охладителя и черезкорпус тепловых труб 1 и 3 отдается теплоносителям 2 и 4, Незамерзающий...
Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 1734250
Опубликовано: 15.05.1992
Автор: Тепман
МПК: H01L 23/34, H01L 23/46, H05K 7/20 ...
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, силовых
...45 50 55 конденсации 4 снабжен пустотелыми ребрами 5 с внутренними перегородками 6. Токоподводы 7 с испарителями 3 жестко закреплены с внутренней стороны тонкостенной оболочки с возможностью образования между испарителями 8 зазора для размещения полупроводникового прибора 9,Сборка устройства для охлаждения силовых полупроводниковых приборов осуществляется следующим образом,Из изоляционного материала методом прессования (литья) изготовляют две части тонкостенной оболочки с пустотелыми ребрами, вставив в оболочку токоподводы 7, затем при горизонтальном положении охладителя помещают в него полупроводниковые приборы 9 и заполняют полость изолирующей жидкостью 3, устанавливают вторую часть оболочки, Устройство помещают в закрытую камеру....
Элемент памяти
Номер патента: 440960
Опубликовано: 15.05.1988
Авторы: Болдырев, Гиновкер, Мокеев, Тепман, Хрящев
МПК: G11C 11/40
...снижают надежность элемента памяти и ограничивают амплитуду импульсов записи.Цель изобретения - улучшить эксплуатационные характеристики и повысить надежность элемента памяти.Это достигается тем, что предлагаемая конструкция элемента памяти, кроме области двуслойного диэлектрика, обладающей эффектом запоминания,35 со слоем двуокиси кремния толщиной 15-40 А и слоем,нитрида кремния толщиной 600-1200 Л, содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие толщину двуокиси кремния в 15-20 раз больше толщины слоя двуокиси кремния в .области запоминания.На фиг. 1 представлена конструкция предлагаемого элемента памяти; на фиг, 2 показан характер,.зависимости тока стока элемента памяти от...
Устройство для герметизации емкостей с двумя плоскими стенками
Номер патента: 1377562
Опубликовано: 28.02.1988
Автор: Тепман
МПК: F28D 15/02
Метки: герметизации, двумя, емкостей, плоскими, стенками
...1 и матрицей при их нагреве, Выдавки 10 распрямляются, а на участках выспов П 1 и матрицы происходит холная сварка стенок ТТ и ее герметция. 1 з.п. ф-лы, 4 ил. заправочное отверстие 6, а соосно сним в пуансоне 1 - отверстие 7, снабженное штуцером 8 для подсоединенияк системе заправки теплоносителем(хладагентом), Пуансон 1 снаружи выступов 3 снабжен уплотнительной кольцевой прокладкой 9, а стенки 4 трубы имеют дискретно расположенныедистанционирующие выдавки 10, Кольцевые выступы 3 на пуансоне 1и матрице 2 соединены радиальнымиперемычками (не показаны). После герметизации на стенках трубы 5 остаются кольцевые и радиальные пазы 11 и12 соответственно. Уплотнительнаяпрокладка 9 служит для герметизацииотверстия 6 при заправке трубы...
Масса для изготовления теплозвукоизоляционного материала
Номер патента: 532595
Опубликовано: 25.10.1976
Авторы: Новожилов, Тепман, Усыскин
МПК: C04B 43/04
Метки: масса, теплозвукоизоляционного
...агент.Цель изобретения - повышение прочнсти материала и уменьшение его усадки впроцессе изготовления,Для этого предложенная масса дополнительно содержит асбест при следующемсоотношении компонетов, вес, % :Фенолформальдегидная смолаАлюминиевая пудра О,Поверхностно-активное везагружают фенолформальдегидную смолу,асбест (отходы от добычи 7-8 сорта), алк- миниевую пудру и ПАВ, например, ОП,перемешивают в течение 5 мин, затем добавляют вспениваюше-отверждаюший агент,например марки 18-22. После перемешивания композицию выливают в форму, где онавспенивается и отверждается. После выдержки в течение суток образцы были испытаныО на сжатие с определением обьемной массыи коэффициента теплопроводности.Результаты...
Сырьевая смесь для изготовления теплоизоляционных изделий
Номер патента: 511307
Опубликовано: 25.04.1976
Авторы: Тепман, Тугусова, Усыскин
МПК: C04B 19/04
Метки: смесь, сырьевая, теплоизоляционных
...9,0-10 1,0-2,0 пс строоливиннл етен Формула изо,1-0,3 мульс влеиия теплоюшвя жид рем атри й, вкл 0,3-0,5 ляц ион ных жидкое стекло и отходыводства. Однако материалкомпозиции обладает недосстью и водостойкостью,Цель изобретения - пости теплоизоляционных иэгается тем, что сырьеваятельно содержи 1 гипс стрвинилацетатную эмульсиюстый натрий при следуюшкомпонентов, вес, ч.: ыскин, .Л. Н, Тепман и Р. М, Тугусо Теплоизоляционная масса приготавливается следуюшим образом, Влажные отходео, смешивают в смесителе с гипсом, жидкимстеклом, отвердитепем и поливинилацетатм.ной эмульсией, гранулируют в барабанномили тарельчатом грануляторе и высушивают при 80 оС. Высушенные гранулы поливают комплексным связующим, формуютплиты и отверждают.Пример...
Способ изготовления тонкопленочных конденсаторов
Номер патента: 297326
Опубликовано: 05.02.1975
Авторы: Гаштольд, Кутолин, Остаповский, Степанов, Тепман
МПК: H01G 13/00
Метки: конденсаторов, тонкопленочных
...электродов и ди электрика. Это приводит к перерасходу мате риала и уменьшению пробивного напряже Цель изобретения - зкономия материала, увеличение пробивного напряжения и получение однородной границы металл-диэлектрик,Это достигается тем, что диэлектрическую пленку конденсатора и его электроды получают путем последовательного испарения нитридов переходных металлов при температурах испарения, С:исп= 1300 - 1350поп = 1750 - 2000Изобретение поясняется чертежом, на котором приведен общий вид и разрез узла тонкопленочных емкостных элементов, где: 1 - нижний электрод - нитрид алюминия с металлической гроводпмостью, 2 - диэлектрик - нитрид алюминия с высоким удельным сопротивлением, 3 - верхний электрод - нитрид алюми. ния с металлической...
Теплоизоляционная масса
Номер патента: 436807
Опубликовано: 25.07.1974
Авторы: Меркин, Смирнов, Тепман, Тугусова, Усыскин
МПК: C04B 43/02
Метки: масса, теплоизоляционная
...комплексного связующего в 5 - меньше, чем однокомпонентного связувследствие пониженной вязкости биго лака и покрытия поверхности заполя более тонким слоем. к производст осится иалов. оляцио ую смо пилки. я масса, вклюхлористый амретени едмет изо яционная м смолу, хло пилки, о тл повышения на содержит мный лак,следующемса, включающая истый аммоний и чающаяся тем, прочности и водо- кроме того жидкое кремниефтор истый оотношении компо 25 - 30 0,25 - 0,3 30 - 50 10 - 15 идная смолаый аммонийые опилкиый лакефтористый настекло О 1 - ал Цель изобретения - повысить прочность и водостойкость. Это достигается тем, что масса содержит, кроме того жидкое стекло, битумный лак, кремниефтористый натрий при следующем соотношении компонентов,...
Теплоизоляционная масса
Номер патента: 434073
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Маркин, Смирнов, Тепман, Тугусоза, Усыскин
МПК: C04B 28/24, C04B 38/08
Метки: масса, теплоизоляционная
...тверденияКН 4 С 1 то теп тве на ительуско дующе Это масса леную смолуия -омп 8 - 50 3 - 5 7 - 30 Предусматривается мипоры, которые пр и смачивают связую ции, после чего гра термообработке приСвязующее предст нее перемешанных ж использов дварительно щим путем улируют и 80 С. авляет со идкого сть отходы измельчают пульвериза- подвергают оои смесь зар екла, карбамп бретение относится к сост ных масс.стна теплоизоляционная я жидкое стекло и мине апо 30.06.74. бюллетень2 ликования описания 10.11.74 ной смолы, бигумногоака и ускорителя твердеп. я,Получаемый тсплоизоляционный материалимеет следующие показатели физико-механи чсских свойств:Объемный вес - 100 кГ/смПредел прочности п 4 кГ/смсжатииВодопоглощенне 10 - 12(по объему)Коэффициент...
Стенд для определения механических характеристик строительных материалов
Номер патента: 372480
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Аузиньш, Куннос, Тепман, Цедерс
МПК: G01N 11/10, G01N 33/38
Метки: механических, стенд, строительных, характеристик
...7, снабженными порш цями 8, и сосуд 9. Через последний проведенарифленая пластинка 10, которая нижним концом присоединена к самопишущему прибору 11, а верхним - к лебедке. На шейках кулачков прикреплены и намотаны концы троса 12.10 Этот трос перекинут через отклоняющиеся ролики 18 и нагружен грузом 14, К тросу 4 подвешен груз 15. Кулачки имеют одинаковый профиль по закону архимедовой спирали. 15 Работа предлагаемого стенда за в следующем. Предварительно встав ную пластинку 10, заполняют сосуд репляют его к раме быстросъемным При этом нижний конец рифленой 20 присоединяют к самопишущему при верхний к лебедке 2. На тросы 4 и 1 вают грузы 14 и 15. Под действием укрепленного на тросе 12, кулачки чиваются и перемещают толкатели 25 цями 8...
Всгсоюзнае; •”• уп rrv-: ; . “-; , -, ., . ii., . iu: . i •. л.: гi;
Номер патента: 365630
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Зиньш, Куннос, Тепман, Цедерс
МПК: G01N 11/10, G01N 33/38
Метки: rrv, всгсоюзнае
...с строительных смесей, например бет иа рацией стадии их твердецця путем б гивацця рифленой пластпцки через от,гич(погги 1 ся тем, что, с целью уто определения реологических постоянных тонной смеси и учета цормальцых ца иий для увеличения прочности издели 20 цесс про 1 ягиваиця рифленой пластш 5 П мещают с двусторонним симметричны левием ца цспытусвую строительную направленным перпендикулярно переме пластицки.Изобретение относится овация физико-мехацичес тельных материалов.Известен способ опред ких свойств строитсльцых бетоццх, ца ранней стади тем протягивация ри(1)лецо смесь. Цель изобретения - уточцеице определсци 5 рсолочческих иост 05 ицых Оетоциой смссп и у)ет иормалыых иапряжсций для увеличения прочности изделий.Достигается это...
Способ определения содержания воздуха в жесткой бетонной смеси
Номер патента: 319878
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Государственный, Зоткин, Конструкций, Тепман
МПК: G01N 7/14
Метки: бетонной, воздуха, жесткой, смеси, содержания
...воздушных разность уровней при изи после его снятия. и сме- ывают редмет изобретения Способ определения жесткой бетонной сме ния ее с водой в замки О ющим замером пониже чаюш,ийся тем, что, с ности определения, к ле ее перемешивания избыточное давление.содержания воздуха в си путем перемешиваутом объеме с последуния уровня воды, отлицелью повышения точповерхности смеси посприкладывают внешнее верхнеи отметпосле чего заибор вращают ни, достаточноИзвестны способы определения содержаниявоздуха в жесткой бетонной смеси путем перемешивания ее с водой в замкнутом объемес последующим замером понижения уровняводы.Эти способы не обеспечивают необходимойточность определения содержания воздуха ввследствие неполного удаления его из...
Вентильный разрядник
Номер патента: 300921
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Бронфман, Грехов, Научно, Тепман, Штеренберг
МПК: H01T 1/16
Метки: вентильный, разрядник
...коцстр, и. ецьшения габаритов, указанное цс,шсопротивление выполнено из отдсл- ков, каждый из которых содержит щиеся между собой встречно вклюполупроводниковыс пластины с р - лами и металлические прокладки и зав герметичный кожух с выводами. Известные всцтильцые разрядники, содержащие изоляционный корпус, внутри которого размещены искровые промежутки, цтунтировацые сопротивлением, и последовательно соединенное с ними нелинейное сопротивление, це позволяют упростить конструкция и уменьшить габариты.В предлагаемом изобретении целцнейное сопротивлешц. выполнено из отдельных бло- КОВ, каждый из которых содеркит чередующиеся между сооой встречно включенные полупроводниковые пластины с о - п-переходами и еалическе проладк и за(люнен в...
Фонд знооертоввсесоюзный проектно-конструкторский и научно исследоййатёльский”————в п т бинститут автоматизации пищевой промышленности
Номер патента: 282689
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Каберник, Тепман, Шифрин
МПК: G01G 7/02
Метки: автоматизации, бинститут, знооертоввсесоюзный, исследоййатёльский"————в, научно, пищевой, проектно-конструкторский, промышленности, фонд
...вторичного прибора и задатчика. В это время емкость 12 заполняется дозируемым продуктом через кла пан 17 из резервной емкости 13.Изменение массы емкости 12 с повтощью тмзометрических датчиков 18 контролируют вторичным прибором, В момент заполнения емкости 12 шкала 2 прибора начинает поворачи ваться вокруг вертикальной оси, а шкала 3задатчика дозы остается неподвижной, Оператор вручную на шкале 3 устанавливает заданную дозу при помощи ручки 10 заьания дозы через коническую насадку 11 и колесо 6. зо При полностью заполненной емкости 12 сигнал от датчпка 1 б верхнего уровня подает команду на закрытие клапана заполнения 17, открытие клапана позирования 1 б и отключение электромагнита 4. Когда при этом шкала 3 задатчика под действием...
Устройство для классификации полупроводниковых вентилей по величине обратного пробивногонапряжения
Номер патента: 241547
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Грицевский, Ильичев, Пашенцев, Тепман
МПК: G01R 31/26
Метки: величине, вентилей, классификации, обратного, полупроводниковых, пробивногонапряжения
...фиг. 2 приведены следующие обозначения: У, - напряжение сети; Г,от, - номинальное значение напряжения сети; /, амплитуда п импульса испытательного напряжения;- время.Принцип работы устройства состоит в следующем.Реверсивный коммутаторпеременного напрях ения по сигналу пуск начинает вырабатывать сергио спнусопдальных импульсов напряжения 1= ИЛп з 1 пЛг, амплитуды которых пропорциональны напряжениям классов испытуемых вентилей (прп этом амплитуда каждого импульса пропорциональна верхней границе п класса и нижней грашще п+1 класса),Высоковольтный управляемый выпрямитель 2 предназначен для повышения и выпрямления напряжения, поступающего на его вход от коммутатора 1. Выпрямитель 2 снабжен специальным быстродействующим выключателем,...
Аппарат для автоматического бесперебойного переключения приемника электроэнергии на резервный источник постоянного тока
Номер патента: 121835
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Тепман
МПК: H01H 43/24, H02J 9/06
Метки: аппарат, бесперебойного, источник, переключения, постоянного, приемника, резервный, электроэнергии
...мощными контактами 1 и 2, рассчитанными на пр.:- гвгскание номинальных значений тока запорных или переключаюш:х устройств, расположен полупроводниковый германиевый или кремнигзый выпрямительный элемент 3, рассчитаннньш на небольшой прям й ток и большое обратное напряжение. Выпрямитель 3 припаян к кол тактам 1 и 2 легкоплавким сплавом 4.В 1 юрмальном режиме работы запорного устройства (гг,1 и переключателя литания) аппарат запирает резервный источник постоянно"с тока, и потребитель питается от основного источника.При исчезновении напряжения основ;гого источника питания;,отребитель начинает питаться от резервного источника через предлаг;:,- .",ый аппарат. При этом выпрямитель 3 разогревается, легкоплавк.:и сплав 4 расплавляется и надежно...