Турцевич — Автор (original) (raw)
Турцевич
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния
Номер патента: 1597019
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Гранько, Лесникова, Семенов, Турцевич
МПК: H01L 21/205
Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 30-50 нм пиролитическим разложением моносилана при температуре 550-600°С, последующее доращивание подслоя до получения пленки поликристаллического кремния при температуре 600-650°С до заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем снижения в них уровня механических напряжений при одновременном снижении трудоемкости, подслой осаждают при давлении 2,66-13,3 Па.
Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния
Номер патента: 1588202
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Красницкий, Лесникова, Семенов, Турцевич, Шкуть
МПК: H01L 21/205
Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического
Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемой пленки путем снижения уровня механических напряжений, перед осаждением аморфного слоя на подложку наносят подслой поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при температуре осаждения аморфного слоя пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па.
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния
Номер патента: 1584641
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Гранько, Кабаков, Красницкий, Лесникова, Турцевич
МПК: H01L 21/205
Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с толщиной каждого отдельного слоя 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя осаждение и отжиг, а отжиг каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемых пленок поликристаллического кремния путем подавления...
Способ формирования пленок нитрида кремния
Номер патента: 1715138
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Макаревич, Турцевич
МПК: H01L 21/318
Метки: кремния, нитрида, пленок, формирования
Способ формирования пленок нитрида кремния, включающий осаждение на кремниевые подложки пленки нитрида кремния при температуре 650-900°С из газовой смеси дихлорсилана и аммиака при соотношении ингредиентов 1:(4-20) и общем давлении 13,3-133,3 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их электрической прочности и снижения дефектности, осаждение проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя не более 15 монослоев, последовательно чередуя операции осаждения и отжига в аммиаке в течение 2-10 мин при давлении 6,65-66,5 Па при температуре осаждения пленки нитрида кремния.
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку
Номер патента: 1484193
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть
МПК: H01L 21/205
Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...
Способ изготовления элементов интегральных схем
Номер патента: 1598707
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Довнар, Кисель, Красницкий, Турцевич, Цыбулько
МПК: G03F 7/26, H01L 21/312
Метки: интегральных, схем, элементов
Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов интегральных схем за счет снижения их дефектности, перед формированием фоторезистивной маски на поверхность функционального слоя наносят слой тантала, перед сухим травлением функционального слоя осуществляют сухое травление слоя тантала, а перед осаждением слоя...
Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла
Номер патента: 1651698
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Вискуп, Кастрицкий, Красницкий, Петрашкевич, Турцевич, Шкуть
МПК: H01L 21/316
Метки: осаждения, пленки, стекла, фосфоросиликатного
Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 350-450°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реакционную зону реактора смеси моносилана с фосфином и кислорода и наращивание пленки фосфоросиликатного стекла при давлении 26,6-46,6 Па и соотношениях ингредиентов фосфинмоносилан с фосфином 0,03-0,25, кислород-моносилан 0,8-4,0, при температуре нагрева реактора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фосфоросиликатного стекла путем увеличения электрической прочности и снижения дефектности осаждаемых пленок, после наращивания пленки толщиной 0,1-0,3 мкм прекращают...
Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем
Номер патента: 1651697
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Корешков, Красницкий, Мамедов, Румак, Смаль, Турцевич
МПК: H01L 21/3105
Метки: мдп-интегральных, микросхем, структур
Способ изготовления структур МДП-интегральных микросхем, включающий формирование в кремниевой подложке охранных областей, создание слоя подзатворного окисла кремния, осаждение слоя кремния, легированного фосфором, при 550-580°C в реакторе при пониженном давлении, формирование на его основе затвора, создание истоковых и стоковых областей внедрением примеси и термообработкой при 800-10000°C, формирование межуровневого диэлектрика и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и выхода годных МДП-интегральных микросхем путем повышения стабильности порогового напряжения, уменьшения токов утечки p-n-переходов, после осаждения слоя легированного фосфором кремния...
Способ создания микрорисунка на поверхности кремния
Номер патента: 1701064
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Базыленко, Василевич, Родин, Турцевич
МПК: H01L 21/302
Метки: кремния, микрорисунка, поверхности, создания
Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой проводят обработку поверхности кремния и фоторезиста, дополнительно содержит 40-50 об.% гексафторида серы, плотность мощности разряда на обрабатываемой поверхности создают в диапазоне 0,7-0,9 Вт/см 2 и обработку проводят до удаления слоя кремния толщиной 0,04-0,12 мкм.
Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла
Номер патента: 1697563
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Базыленко, Баянов, Родин, Турцевич
МПК: H01L 21/306
Метки: металла, микрорисунка, многослойной, полицидом, структуре, тугоплавкого
Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла, нанесенным на микрорельеф из двуокиси кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности структуры с полицидом тугоплавкого металла, реактивно-ионное травление полицида в окнах маски в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом при давлении 1,0-8,0 Па и плотности мощности разряда на поверхности полицида 0,3-0,6 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет повышения анизотропности травления и создания вертикального профиля травления, травление полицида тугоплавкого металла в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом приводят...
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем
Номер патента: 1694015
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Воронин, Малышев, Мамедов, Солодуха, Турцевич
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами слоя алюминия или его сплавов с микрорисунком нижнего уровня разводки, формирование межуровневой изоляции с контактными окнами к нижнему уровню, формирование слоя проводящего материала с микрорисунком верхнего уровня разводки, имплантацию ионов металлов в слой материала уровня с энергией 30-150 кэВ, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и увеличения надежности интегральных схем за счет уменьшения деградации параметров разводки, имплантацию в слой материала нижнего и/или верхнего уровня разводки проводят ионами металлов...
Способ изготовления контактно-барьерной металлизации
Номер патента: 1739801
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Коваленко, Красницкий, Наливайко, Турцевич, Шкуть
МПК: H01L 21/285
Метки: контактно-барьерной, металлизации
Способ изготовления контактно-барьерной металлизации, включающий предварительное удаление естественного окисла с поверхности кремниевых подложек путем обработки в водном растворе фтористоводородной кислоты, нанесение на поверхность подложек диэлектрического слоя и формирование в нем контактных окон, размещение кремниевых подложек в реакторе, вакуумирование реактора, продувку реактора водородом и селективное осаждение вольфрама при 270-350°C из парогазовой смеси гексафторида вольфрама и водорода при соотношении компонентов 1:(10-100) и общем давлении 13,3-66,5 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности контактно-барьерной металлизации на основе слоев вольфрама путем...
Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем
Номер патента: 1783932
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Дулинец, Красницкий, Родин, Сухопаров, Турцевич
МПК: H01L 21/28
Метки: интегральных, межсоединений, микросхем
1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качества межсоединений путем уменьшения количества коротких замыканий, подслой формируют из алюминия или алюминия с кремнием, толщина подслоя d1 и толщина верхнего слоя d 2 сплава удовлетворяют соотношениям: ...
Способ формирования межуровневой изоляции интегральных схем из борофосфоросиликатного стекла
Номер патента: 1780467
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Зайцев, Кабаков, Карпиевич, Козлов, Красницкий, Турцевич
МПК: H01L 21/76
Метки: борофосфоросиликатного, изоляции, интегральных, межуровневой, стекла, схем, формирования
Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбората в инертном газе и кислорода, наращивание пленки борофосфоросиликатного стекла требуемой толщины с содержанием фосфора 2-5 мас.% и бора 3-6 мас.% при давлении 15-100 Па и соотношении ингредиентов фосфин-кислород более или равном 0,2 при температуре нагрева реактора, оплавление борофосфоросиликатного...
Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния
Номер патента: 1780461
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Лесникова, Наливайко, Турцевич
МПК: H01L 21/316
Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического
Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки,...
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем
Номер патента: 1575832
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Белицкий, Казачонок, Колешко, Красницкий, Солодуха, Таратын, Турцевич
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, микросхем, многоуровневой, разводки
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя сплава алюминия с кремнием на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, проведение ионной имплантации в этот слой, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, термообработку полученной структуры, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон в ней к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между ее элементами, имплантацию в слой сплава алюминия с кремнием проводят...
Межсоединение для сверхбольших интегральных схем
Номер патента: 1730989
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Демьянович, Дулинец, Красницкий, Лесникова, Родин, Турцевич
МПК: H01L 23/46
Метки: интегральных, межсоединение, сверхбольших, схем
1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества межсоединения путем улучшения надежности и электрофизических характеристик, толщина слоя тугоплавкого металла выбрана равной 40-100 нм, а толщина d1 и d 2 соответственно верхнего и нижнего слоев алюминия или его сплавов выбраны из выражений
Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра
Номер патента: 1824014
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Домбровский, Сарычев, Турцевич, Чигирь
МПК: H01L 21/66
Метки: осажденных, помощью, проводящих, профилометра, селективно, слоев, толщины
Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра, включающий формирование на кремниевой подложке диэлектрического покрытия, вскрытие в нем окон, определение высоты рельефа в окнах с помощью иглы профилометра, определение толщины проводящего слоя после его осаждения как разницы высоты рельефа в окнах до и после осаждения проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, диэлектрическое покрытие на подложке формируют толщиной, удовлетворяющей соотношению: 0,1 h/H 0,8,где h -...
Способ планаризации кремниевых структур
Номер патента: 1515964
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Войтович, Ковалевский, Красницкий, Турцевич, Цыбульский
МПК: H01L 21/324
Метки: кремниевых, планаризации, структур
Способ планаризации кремниевых структур, включающий нанесение на их поверхность пленки борофосфоросиликатного стекла и последующую термообработку при 800-950°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения планарности структур и снижения дефектности пленки борофосфоросиликатного стекла, термообработку проводят в парогазовой смеси водорода и алканола R-OH, где R - CH3 -(CnH2n), n = 0, 1, 2, 3, ..., при давлении 20-200 Па и концентрации алканола 0,5-10 мас.%.
Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией
Номер патента: 1822298
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Белицкий, Дулинец, Калошкин, Колешко, Красницкий, Малышев, Турцевич
МПК: H01L 21/18
Метки: интегральная, металлизацией, микросхема, тонкопленочной
1. Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией, содержащая кремниевую подложку с расположенными в ней активными и пассивными элементами, диэлектрический слой со сформированными в нем контактными окнами и созданным первым слоем тонкопленочной металлизации, расположенным на диэлектрическом слое и в контактных окнах, вторым слоем металлизации на основе алюминия или его сплавов, расположенным над первым, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции ИМС за счет уменьшения вертикальных размеров элементов, первый слой тонкопленочной металлизации выполнен толщиной от 15 до 100 нм из заэвтектической смеси кремния с алюминием при содержании кремния от 11,8 до 60...
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния
Номер патента: 1568798
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Красницкий, Лесникова, Турцевич
МПК: H01L 21/205
Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение при пониженном давлении на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 10-20 нм из газовой фазы, содержащей моносилан, проведение отжига в азоте при температуре выращивания подслоя в течение 10-30 мин и доращивание кремния до заданной толщины при 600-650°C, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок поликристаллического кремния путем повышения стабильности кристаллической структуры подслоя кремния, подслой осаждают из газовой фазы, дополнительно содержащей моногерман, при парциальных давлениях моносилана и моногермана 12-40 и 1-3 Па соответственно при температуре 600-650°C.
Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем
Номер патента: 1769635
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Красницкий, Сарычев, Сасновский, Турцевич
МПК: H01L 21/28
Метки: интегральных, контактных, межсоединений, столбиков, схем
Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем и снижения трудоемкости за счет сокращения длительности процесса формирования контактного столбика, слой кремния формируют до полного заполнения контактного окна, а осаждение вольфрама проводят из парогазовой смеси гексафторида вольфрама с...
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем
Номер патента: 1563516
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Ковалевский, Коваленко, Семенов, Турцевич
МПК: H01L 21/316
Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий нанесение слоя алюминия на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, формирование рисунка нижнего уровня разводки, создание межуровневой изоляции последовательным нанесением первого слоя двуокиси кремния при 250-300°С и второго слоя двуокиси кремния, вскрытие контактных окон к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки из алюминия, термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности разводки интегральных схем за счет уменьшения механических напряжений, первый слой двуокиси кремния наносят толщиной 0,15-0,25 мкм в плазме...
Способ изготовления контактов интегральных схем
Номер патента: 1766208
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Довнар, Красницкий, Турцевич
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, контактов, схем
Способ изготовления контактов интегральных схем, включающий создание на поверхности кремниевой пластины изолирующей пленки, формирование на ее поверхности фоторезистивной маски с конфигурацией контактных окон, вскрытие контактных окон, удаление маски, селективное осаждение в контактных окнах вольфрама, формирование разводки из алюминия или его сплавов, отличающийся тем, что, с целью снижения тока утечки, повышения стабильности контактного сопротивления за счет снижения бокового распространения и потребления кремния в области контакта, после вскрытия контактных окон проводят имплантацию ионов вольфрама или молибдена с энергией 5-30 кэВ и дозой не менее 1012 см-2.
Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика
Номер патента: 1667567
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Гранько, Солонинко, Турцевич, Чигирь
МПК: H01L 21/66
Метки: диэлектрика, оплавления, планаризующего, степени, структура
Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика при изготовлении интегральных схем, включающая полупроводниковую подложку со сформированными на ней параллельными токопроводящими дорожками с трапецеидальным сечением и углом между нижним основанием трапеции и боковой стороной не менее 45°, покрытых слоем планаризующего диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности неразрушающего контроля и разбраковки пластин, токопроводящие дорожки шириной b расположены на расстоянии a i на полувысоте микрорельефа, и выполнены высотой h, удовлетворяющих условию ai=(1+k)·a i-1, aмакс
Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем
Номер патента: 1760920
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Довнар, Лесникова, Сарычев, Сасновский, Турцевич
МПК: H01L 21/28
Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем, формирования
Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения качества межэлементных соединений путем уменьшения вероятности коротких замыканий и повышения стойкости к электромиграции, после удаления маски пластины со сформированным на них рисунком межэлементных соединений в течение 5-30 мин обрабатывают в атмосфере гексафторида...
Способ изготовления многоуровневой разводки мдп ис
Номер патента: 1491266
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Домбровский, Кисель, Красницкий, Смаль, Турцевич
МПК: H01L 21/28
Метки: мдп, многоуровневой, разводки
Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя нитрида кремния, незащищенного маской, удаление маски, формирование межслойного диэлектрика и верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки путем уменьшения количества закороток между элементами разводки, маску формируют после нанесения слоя нелегированного...
Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика
Номер патента: 1753893
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Базыленко, Баянов, Буляк, Родин, Турцевич
МПК: H01L 21/312
Метки: алюминия, диэлектрика, межслойного, микрорельефе, микрорисунка, слое, создания, сплавов
Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости микрорисунка и предотвращения коротких замыканий на микрорельефе, травление проводят до вскрытия планарных поверхностей микрорельефа, после чего осуществляют дотравливание слоя при давлении 6-12 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,6-0,8...
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем
Номер патента: 1655252
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Лесникова, Малышев, Попов, Солодуха, Турцевич
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, микросхем, многоуровневой, разводки
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя алюминия или его сплавов на подложку со сформированными активными и пассивными элементами, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, проведение имплантации, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между элементами разводки, имплантацию проводят ионами меди перед созданием микрорисунка в нижнем уровне разводки с энергией 30-100 кэВ и дозой...