Electron mobility (original) (raw)

About DBpedia

電子移動度（でんしいどうど、electron mobility）とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量である。易動度ともいう。 単に移動度という場合は、キャリアの移動のしやすさを示す。半導体の場合、キャリアとは、電子および正孔のことである。

thumbnail

Property Value
dbo:abstract En la física de l'estat sòlid, la mobilitat dels electrons es caracteritza per la rapidesa amb què un electró es pot moure a través d'un metall o semiconductor, quan és atret per un camp elèctric. En els semiconductors, hi ha una quantitat anàloga per als forats, anomenada mobilitat dels forats. El terme de mobilitat del portador es refereix en general a la mobilitat tant d'electrons com de forats en semiconductors. La mobilitat dels electrons i dels forat són casos especials de la mobilitat elèctrica de les partícules carregades en un fluid sota un camp elèctric aplicat. Quan s'aplica un camp elèctric E a través d'una peça de material, els electrons responen movent-se amb una velocitat mitjana anomenada velocitat de deriva, . A continuació, amb el valor μ de la mobilitat dels electrons: . La mobilitat dels electrons gairebé sempre s'especifica en cm²/(V·s). Això és diferent de la unitat de mobilitat, m²/(V·s), del SI. Així tenen una conversió de 1m²/(V·s) = 104cm²/(V·s). (ca) في الفيزياء، تعتبر حركية الإلكترون أو انتقالية الإلكترون (أو ببساطة، الحركية أو الانتقالية) كمية تربط بين سرعة انجراف الالكترونات والمجال الكهربائي المسلط عبر مادة، وفقا للعلاقة: حيث سرعة الانجراف m/s (بوحدات إس آي) /s (بوحداتنظام وحدات سنتيمتر غرام ثانية). المجال الكهربائي المسلط V/(m (SI / بوحداتcgs. الحركية (m2/(V·s, في وحدات إس آي، أوcm2/·s, بوحدات نظام وحدات سنتيمتر غرام ثانية. وحدة حركية ممزوجة من 1 (/(V·s) = 0.0001 m2/(V·s تستعمل أيضا عادة. أنها تطبيق للالكترونات ذات الظاهرة الأعم حركية كهربائية للجسيمات المشحونة لمائع تحت تأثير مجال كهربائي. في أشباه الموصلات، يمكن تطبيق حركية على الإلكترونيات . (ar) In solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. When an electric field E is applied across a piece of material, the electrons respond by moving with an average velocity called the drift velocity, . Then the electron mobility μ is defined as Electron mobility is almost always specified in units of cm2/(V⋅s). This is different from the SI unit of mobility, m2/(V⋅s). They are related by 1 m2/(V⋅s) = 104 cm2/(V⋅s). Conductivity is proportional to the product of mobility and carrier concentration. For example, the same conductivity could come from a small number of electrons with high mobility for each, or a large number of electrons with a small mobility for each. For semiconductors, the behavior of transistors and other devices can be very different depending on whether there are many electrons with low mobility or few electrons with high mobility. Therefore mobility is a very important parameter for semiconductor materials. Almost always, higher mobility leads to better device performance, with other things equal. Semiconductor mobility depends on the impurity concentrations (including donor and acceptor concentrations), defect concentration, temperature, and electron and hole concentrations. It also depends on the electric field, particularly at high fields when velocity saturation occurs. It can be determined by the Hall effect, or inferred from transistor behavior. (en) 電子移動度（でんしいどうど、electron mobility）とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量である。易動度ともいう。 単に移動度という場合は、キャリアの移動のしやすさを示す。半導体の場合、キャリアとは、電子および正孔のことである。 (ja) 전자이동도(電子移動度, 영어: Electron Mobility)는 외부에서 가해진 전기장 에 대한 전자의 표류 속도의 비로 정의된다. 2차원 전자계에서는 매우 낮은 산란도(Scattering rates)를 가진다. 평형 상태(Equilibrium state)에서 전도 전자(Conduction electron)들이 임의의 방향으로 움직이기 때문에 전류의 흐름은 없다. 평형 상태에서 특정 방향으로 외부 전기장 을 가해 주면 전도 전자들은 외부 전기장의 방향으로 의 힘을 받아 표류(drift)를 하게 되고 그에 따라 전류 흐름이 생긴다. 안정된 상태 (Steady state)에서 외부 전기장 때문에 생기는 전도 전자들의 운동량(Momentum) 변화는 산란에 의해 잃게 되는 운동량 변화와 정확하게 일치한다. 그리고 을 운동량 완화 시간(momentum relaxation time)이라고 한다면 을 만족하고, 이 경우 mobility 는 가 된다. 이 식에서 보는 바와 같이 전자 이동도는 운동량 완화 시간과 관련이 있다. (ko) Ruchliwość nośników – w fizyce oraz chemii, wielkość wyrażająca związek między prędkością dryfu elektronów, jonów lub innych nośników ładunku, i zewnętrznym polem elektrycznym. Ruchliwością nazywa się czasem również sam proces ruchu skierowanego (dryfowania) nośników ładunku pod wpływem pola elektrycznego. W przypadku ciał stałych ruchliwość elektronów oraz dziur (ruchliwość nośników ładunku) zależy od temperatury. (pl) Mobilidade é a velocidade adquirida por um transportador de carga elétrica sob a ação de um campo elétrico unitário. Em Física do estado sólido, a mobilidade do elétron caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor, quando submetido a um campo elétrico. Em semicondutores, existe um quantitativo análogo para buracos, denominado mobilidade do buraco. A expressão mobilidade do portador [de carga elétrica] refere-se, geralmente, tanto à mobilidade do elétron como à mobilidade do buraco em semicondutores. Mobilidade do elétron e mobilidade do buraco são casos especiais de mobilidade elétrica de partículas carregadas, em um fluido submetido a um campo elétrico. Quando um campo elétrico E é aplicado a uma peça de material, os elétrons respondem movendo-se a uma velocidade média chamada velocidade de deriva, . Portanto a mobilidade do elétron μ é definida como: * Este artigo foi inicialmente traduzido, total ou parcialmente, do artigo da Wikipédia em inglês cujo título é «Electron mobility», especificamente desta versão. (pt) Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие. Размерность подвижности м2/(В·с) или см2/(В·с). Фактически подвижность численно равна средней скорости носителей заряда при напряженности электрического поля в 1 В/м. Стоит заметить, что мгновенная скорость может быть много больше дрейфовой. Понятие подвижности может применяться только при слабых электрических полях, когда выполняется линейность по электрическому полю и нет разогрева носителей, которое связано с квадратом электрического поля. (ru) Рухливість носіїв заряду або мобільність носіїв заряду — кількісна характеристика носія заряду, яка визначає його вклад у провідність. Позначається здебільшого літерою μ, вимірюється в системі SI у м2/B · c. На практиці, проте, частіше використовується одинця см²/B·c. (uk) 电子迁移率（英語：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。 (zh)
dbo:thumbnail wiki-commons:Special:FilePath/Mobility_Edge.png?width=300
dbo:wikiPageExternalLink http://semiconductorglossary.com/default.asp%3Fsearchterm=electron+mobility https://web.archive.org/web/20080723211649/http:/ee.byu.edu/cleanroom/ResistivityCal.phtml http://nanohub.org/resources/6151
dbo:wikiPageID 760994 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength 51258 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID 1124248360 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink dbr:Amorphous_solid dbr:Electric_current dbr:Electrical_mobility dbr:Electron_hole dbr:Boltzmann_constant dbr:Charge_carrier dbr:Velocity_saturation dbr:Carbon_nanotubes dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Early_effect dbr:Second dbr:Net_force dbr:Oligomer dbr:Organic_semiconductor dbr:Quantum_tunnelling dbr:Optical_phonon dbr:Effective_mass_(solid-state_physics) dbr:Electric_field dbr:Electrical_conductivity dbr:Electron dbr:Elementary_charge dbr:Gold dbr:Copper dbr:Crystallite dbr:Crystallographic_defect dbr:Lorentz_force dbr:MOSFET dbr:Magnetic_field dbr:Silver dbr:Empirical_relationship dbr:Speed dbr:Mean_free_time dbr:Augustus_Matthiessen dbr:Ballistic_transport dbr:Drift_velocity dbr:Ionized_impurity_scattering dbc:MOSFETs dbr:Euclidean_vector dbc:Charge_carriers dbr:Normalizing_constant dbr:Graphene dbr:Diffusion_coefficient dbr:Hall_effect dbc:Physical_quantities dbr:Absolute_zero dbc:Electric_and_magnetic_fields_in_matter dbc:Materials_science dbc:Semiconductors dbr:Chemical_polarity dbr:Kinetic_energy dbr:Einstein_relation_(kinetic_theory) dbr:High_impedance dbr:Transistor dbr:2DEG dbr:Philip_W._Anderson dbr:Phonon dbr:Phonons dbr:Polymer dbr:Special_case dbr:Field-effect_transistor dbr:Metal dbr:Metre dbr:Metre_per_second dbr:Brownian_motion dbr:Negative_differential_resistance dbr:Nevill_Francis_Mott dbr:Ohm's_Law dbr:Mean_free_path dbr:Room_temperature dbr:Scattering dbr:Semiconductor dbr:Silicon dbr:Volt dbr:Urbach_energy dbr:Experimental_data dbr:Photoconductivity dbr:Terahertz_time-domain_spectroscopy dbr:Solid-state_physics dbr:Speed_of_electricity dbr:Square_metre dbr:Newton's_Second_Law dbr:Femtosecond_laser dbr:Right_hand_rule dbr:SI dbr:Square_centimetre dbr:Arrhenius_relationship dbr:Fick's_Law dbr:Absolute_temperature dbr:Gunn_effect dbr:File:Electron_Transport_under_Multiple_Trapping_and_Release.png dbr:File:Hall_Effect_Measurement_Setup_for_Electrons.png dbr:File:Hall_Effect_Measurement_Setup_for_Holes.png dbr:File:Mobility_Edge.png dbr:Photo-reflectance_technique
dbp:wikiPageUsesTemplate dbt:About dbt:Authority_control dbt:Distinguish dbt:Main dbt:Overline dbt:Reflist dbt:See_also dbt:Unreferenced_section
dcterms:subject dbc:MOSFETs dbc:Charge_carriers dbc:Physical_quantities dbc:Electric_and_magnetic_fields_in_matter dbc:Materials_science dbc:Semiconductors
rdf:type owl:Thing yago:WikicatSemiconductors yago:Abstraction100002137 yago:Conductor114821043 yago:Material114580897 yago:Matter100020827 yago:Measure100033615 yago:Part113809207 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Relation100031921 yago:Semiconductor114821248 yago:Substance100019613 yago:WikicatPhysicalQuantities
rdfs:comment 電子移動度（でんしいどうど、electron mobility）とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量である。易動度ともいう。 単に移動度という場合は、キャリアの移動のしやすさを示す。半導体の場合、キャリアとは、電子および正孔のことである。 (ja) 전자이동도(電子移動度, 영어: Electron Mobility)는 외부에서 가해진 전기장 에 대한 전자의 표류 속도의 비로 정의된다. 2차원 전자계에서는 매우 낮은 산란도(Scattering rates)를 가진다. 평형 상태(Equilibrium state)에서 전도 전자(Conduction electron)들이 임의의 방향으로 움직이기 때문에 전류의 흐름은 없다. 평형 상태에서 특정 방향으로 외부 전기장 을 가해 주면 전도 전자들은 외부 전기장의 방향으로 의 힘을 받아 표류(drift)를 하게 되고 그에 따라 전류 흐름이 생긴다. 안정된 상태 (Steady state)에서 외부 전기장 때문에 생기는 전도 전자들의 운동량(Momentum) 변화는 산란에 의해 잃게 되는 운동량 변화와 정확하게 일치한다. 그리고 을 운동량 완화 시간(momentum relaxation time)이라고 한다면 을 만족하고, 이 경우 mobility 는 가 된다. 이 식에서 보는 바와 같이 전자 이동도는 운동량 완화 시간과 관련이 있다. (ko) Ruchliwość nośników – w fizyce oraz chemii, wielkość wyrażająca związek między prędkością dryfu elektronów, jonów lub innych nośników ładunku, i zewnętrznym polem elektrycznym. Ruchliwością nazywa się czasem również sam proces ruchu skierowanego (dryfowania) nośników ładunku pod wpływem pola elektrycznego. W przypadku ciał stałych ruchliwość elektronów oraz dziur (ruchliwość nośników ładunku) zależy od temperatury. (pl) Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие. Размерность подвижности м2/(В·с) или см2/(В·с). Фактически подвижность численно равна средней скорости носителей заряда при напряженности электрического поля в 1 В/м. Стоит заметить, что мгновенная скорость может быть много больше дрейфовой. Понятие подвижности может применяться только при слабых электрических полях, когда выполняется линейность по электрическому полю и нет разогрева носителей, которое связано с квадратом электрического поля. (ru) Рухливість носіїв заряду або мобільність носіїв заряду — кількісна характеристика носія заряду, яка визначає його вклад у провідність. Позначається здебільшого літерою μ, вимірюється в системі SI у м2/B · c. На практиці, проте, частіше використовується одинця см²/B·c. (uk) 电子迁移率（英語：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。 (zh) في الفيزياء، تعتبر حركية الإلكترون أو انتقالية الإلكترون (أو ببساطة، الحركية أو الانتقالية) كمية تربط بين سرعة انجراف الالكترونات والمجال الكهربائي المسلط عبر مادة، وفقا للعلاقة: حيث سرعة الانجراف m/s (بوحدات إس آي) /s (بوحداتنظام وحدات سنتيمتر غرام ثانية). المجال الكهربائي المسلط V/(m (SI / بوحداتcgs. الحركية (m2/(V·s, في وحدات إس آي، أوcm2/·s, بوحدات نظام وحدات سنتيمتر غرام ثانية. وحدة حركية ممزوجة من 1 (/(V·s) = 0.0001 m2/(V·s تستعمل أيضا عادة. أنها تطبيق للالكترونات ذات الظاهرة الأعم حركية كهربائية للجسيمات المشحونة لمائع تحت تأثير مجال كهربائي. (ar) En la física de l'estat sòlid, la mobilitat dels electrons es caracteritza per la rapidesa amb què un electró es pot moure a través d'un metall o semiconductor, quan és atret per un camp elèctric. En els semiconductors, hi ha una quantitat anàloga per als forats, anomenada mobilitat dels forats. El terme de mobilitat del portador es refereix en general a la mobilitat tant d'electrons com de forats en semiconductors. La mobilitat dels electrons i dels forat són casos especials de la mobilitat elèctrica de les partícules carregades en un fluid sota un camp elèctric aplicat. . (ca) In solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. (en) Mobilidade é a velocidade adquirida por um transportador de carga elétrica sob a ação de um campo elétrico unitário. Em Física do estado sólido, a mobilidade do elétron caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor, quando submetido a um campo elétrico. Em semicondutores, existe um quantitativo análogo para buracos, denominado mobilidade do buraco. A expressão mobilidade do portador [de carga elétrica] refere-se, geralmente, tanto à mobilidade do elétron como à mobilidade do buraco em semicondutores. (pt)
rdfs:label حركية الإلكترون (ar) Mobilitat dels electrons (ca) Electron mobility (en) 電子移動度 (ja) 전자 이동도 (ko) Ruchliwość (pl) Mobilidade (Física) (pt) Подвижность носителей заряда (ru) Рухливість носіїв заряду (uk) 电子迁移率 (zh)
rdfs:seeAlso dbr:Electrical_mobility dbr:MOSFET
owl:differentFrom dbr:Wien_effect
owl:sameAs freebase:Electron mobility yago-res:Electron mobility http://d-nb.info/gnd/4151863-9 wikidata:Electron mobility dbpedia-ar:Electron mobility dbpedia-ca:Electron mobility dbpedia-fa:Electron mobility dbpedia-he:Electron mobility dbpedia-hu:Electron mobility http://hy.dbpedia.org/resource/Էլեկտրոնների_և_իոնների_շարժունություն dbpedia-ja:Electron mobility dbpedia-ko:Electron mobility dbpedia-pl:Electron mobility dbpedia-pt:Electron mobility dbpedia-ru:Electron mobility dbpedia-sl:Electron mobility dbpedia-sr:Electron mobility http://ta.dbpedia.org/resource/மின்னணு_நகர்திறன் dbpedia-uk:Electron mobility dbpedia-zh:Electron mobility https://global.dbpedia.org/id/4q87g
prov:wasDerivedFrom wikipedia-en:Electron_mobility?oldid=1124248360&ns=0
foaf:depiction wiki-commons:Special:FilePath/Electron_Transport_under_Multiple_Trapping_and_Release.png wiki-commons:Special:FilePath/Hall_Effect_Measurement_Setup_for_Holes.png wiki-commons:Special:FilePath/Mobility_Edge.png wiki-commons:Special:FilePath/Hall_Effect_Measurement_Setup_for_Electrons.png
foaf:isPrimaryTopicOf wikipedia-en:Electron_mobility
is dbo:wikiPageDisambiguates of dbr:Mobility
is dbo:wikiPageRedirects of dbr:Electron_Mobility dbr:Electron_mobility_(solid-state_physics) dbr:Hall_mobility dbr:Hole_mobility dbr:Carrier_mobility dbr:Field-effect_mobility dbr:Matthiessen's_rule dbr:Semiconductor_carrier_mobility
is dbo:wikiPageWikiLink of dbr:Carbon_nanotube_field-effect_transistor dbr:Carver_Mead dbr:Amorphous_silicon dbr:Electron-on-helium_qubit dbr:Electron_bubble dbr:Electron_hole dbr:Electronic_properties_of_graphene dbr:Mobility dbr:Non-fullerene_acceptor dbr:Bismuth_antimonide dbr:Biswa_Ranjan_Nag dbr:Boron dbr:Anomalous_photovoltaic_effect dbr:Perovskite_(structure) dbr:Charge_transport_mechanisms dbr:Current_crowding dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Dusty_plasma dbr:Index_of_physics_articles_(E) dbr:Indium_gallium_arsenide dbr:Indium_gallium_zinc_oxide dbr:JFET dbr:Electron_Mobility dbr:List_of_semiconductor_materials dbr:Continuity_equation dbr:Convection–diffusion_equation dbr:Ellipsometry dbr:Nanocrystalline_silicon dbr:Power_MOSFET dbr:Time_resolved_microwave_conductivity dbr:Effective_mass_(solid-state_physics) dbr:Electrothermal_instability dbr:Gallium_arsenide dbr:Gallium_nitride dbr:Molybdenum_diselenide dbr:MOSFET dbr:Static_fatigue dbr:Zinc_oxide dbr:Hall_effect_sensor dbr:PMOS_logic dbr:Synthetic_diamond dbr:Time_of_flight dbr:Transition_metal_dichalcogenide_monolayers dbr:Michael_Fuhrer dbr:MicroMegas_detector dbr:Augustus_Matthiessen dbr:Titanium_trisulfide dbr:Two-photon_photovoltaic_effect dbr:Wide-bandgap_semiconductor dbr:Drift_current dbr:Drift_velocity dbr:Glass_transition dbr:Haynes–Shockley_experiment dbr:Junction_temperature dbr:Logic_family dbr:Strain_engineering dbr:Organic_photorefractive_materials dbr:Quasi_Fermi_level dbr:Unified_Code_for_Units_of_Measure dbr:Photo–Dember_effect dbr:Aluminium_antimonide dbr:Current_density dbr:Ballistic_conduction dbr:Band_gap dbr:Discrete_complementary_JFETS dbr:Germanane dbr:Graphene dbr:Graphite_oxide dbr:History_of_the_transistor dbr:Kinetic_inductance dbr:Thin_film dbr:Hall_effect dbr:Heterojunction dbr:Hideo_Hosono dbr:Atmospheric_electricity dbr:Tellurium dbr:Tellurium_compounds dbr:Covellite dbr:Molecular_solid dbr:Silicene dbr:Biology_Monte_Carlo_method dbr:Bismuth dbr:Bismuth_compounds dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:High-κ_dielectric dbr:Transistor dbr:Relativistic_runaway_electron_avalanche dbr:Space_charge dbr:Indium_antimonide dbr:Kovio dbr:Microwave dbr:NanoHUB dbr:MU dbr:Magnetoresistance dbr:Matthiessen dbr:Mercury_cadmium_telluride dbr:There's_Plenty_of_Room_at_the_Bottom dbr:Semiconductor dbr:Semiconductor_device dbr:Negative_refraction dbr:Nernst_effect dbr:Strained_silicon dbr:Urbach_energy dbr:Gunn_diode dbr:Low-temperature_polycrystalline_silicon dbr:Van_der_Pauw_method dbr:Nanoelectronics dbr:Wien_effect dbr:Molybdenite dbr:Multigate_device dbr:Polaron dbr:Phonon_drag dbr:Photo-reflectance dbr:Polymorphs_of_silicon_carbide dbr:Silicon–germanium dbr:Speed_of_electricity dbr:Thermoelectric_materials dbr:Two-dimensional_electron_gas dbr:Superlattice dbr:Two-dimensional_semiconductor dbr:Ridley–Watkins–Hilsum_theory dbr:Electron_mobility_(solid-state_physics) dbr:Hall_mobility dbr:Hole_mobility dbr:Carrier_mobility dbr:Field-effect_mobility dbr:Matthiessen's_rule dbr:Semiconductor_carrier_mobility
is foaf:primaryTopic of wikipedia-en:Electron_mobility