under etching - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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under etching
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「under etching」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 380件
例文
The etching amount is controlled depending on the number of etching times under a condition that the etching amount is decided independently of the etching time.例文帳に追加
エッチング時間に依存することなくエッチング量が定まる条件の下で、エッチング回数によってエッチング量を制御する。 - 特許庁
The etching is first executed under a condition of a large etching rate and then under a condition of a small etching rate.例文帳に追加
このエッチングは、最初にエッチングレートの大きな条件で実行し、次に、選択比は大きいがエッチングレートの小さな条件で実行する。 - 特許庁
To measure under-etching in a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置においてアンダーエッチングを測定する。 - 特許庁
This is performed under the control of the etching time calculated from a parameter at dry etching.例文帳に追加
これはドライエッチング時のパラメータから算出するエッチング時間の制御で達成する。 - 特許庁
To provide an etching treatment device capable of treating a sample having different etching areas under optimum etching conditions.例文帳に追加
エッチング面積の異なる試料に対して、最適なエッチング条件で処理を施すことのできるエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁
The check pattern for determining under-etching, just-etching and over-etching is formed of check patterns 4, 5.例文帳に追加
アンダーエッチング、ジャストエッチング、オーバーエッチングを判定するチェックパターン４、５より構成される。 - 特許庁
例文
To provide a resist ink for wet etching having good etching resistance even if an etching process is carried out under severe working conditions.例文帳に追加
より過酷なエッチング条件でエッチング加工してもエッチング耐性が良好なウェットエッチング用レジストインクを提供する。 - 特許庁
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underetching
動詞
underetching
- present participle of underetch
「under etching」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 380件
例文
The etching conditions at the next treatment unit are determined on the basis of the result of an etching at the previously etching-treated treatment unit under specified conditions.例文帳に追加
所定の条件で既にエッチング処理された処理単位のエッチング結果を基にして、次の処理単位のエッチング条件を決定する。 - 特許庁
The silicon nitride film 3 and the oxide film 2 are subjected to open-etching and over-etching under the same etching condition, and the over-etching step is carried out under a condition with a high selective ratio to silicon.例文帳に追加
シリコンチッカ膜３、酸化膜２は同一エッチング条件にて開口エッチングとオーバーエッチングを行い、オーバーエッチングは、対シリコンと高選択比となるエッチング条件で行う。 - 特許庁
The chamber 10 is a chamber storing an etching liquid 5 under fixed pressure.例文帳に追加
チャンバ１０は、エッチング液５を一定の圧力下で貯溜する室である。 - 特許庁
A plasma processing method uses CxHyFz gas, and etching is carried out under low pressure (≤1.0 Pa).例文帳に追加
CxHyFzガスを用い、低圧力(1.0Pa以下)にてエッチングを行う。 - 特許庁
Reaction gas 37 produced by performing etching in the etching chamber 24 is discharged after etching while introducing etching gas 34 under such a state as not generating plasma.例文帳に追加
エッチング室２４でエッチング処理を行ったことにより発生する反応ガス３７を、エッチング処理後に、プラズマを発生させない状態でエッチングガス３４を導入しながら反応ガス３７を排気する。 - 特許庁
In the second etching, etching is carried out under the condition where isotropic etching characteristics are strong, and the etching of the tungsten plug is not carried out so that tungsten residues can be completely removed.例文帳に追加
第２の過エッチングでは等方性エッチング特性が強い条件でエッチングし、タングステンプラグはエッチングされず、タングステン残留物を完全に除去する。 - 特許庁
When the glass base board is subjected to etching under an etching environment in which a 10 mass% concentration of hydrogen fluoride exists and the temperature is 22°C, its etching characteristics give an etching rate of at least 3.7 μm/min.例文帳に追加
前記ガラス基板は、濃度１０質量％のフッ化水素を含む２２℃のエッチング環境で、３．７μｍ／分以上のエッチングレートのエッチング特性を有する。 - 特許庁
例文
The silicon nitride film 20 is then processed to the lens shape by subjecting the silicon nitride film to isotropic etching under such etching conditions under which the etching rates of a plasma nitride film 20 of a base and the resist patterns 21 are equaled (c).例文帳に追加
次に、下地のプラズマナイトライド膜２０とレジストパターン２１とのエッチング速度が等しくなるようなエッチング条件にて等方性エッチングを行い、シリコンナイトライド膜２０をレンズ形状に加工する（ｃ）。 - 特許庁
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