Ильичев — Автор (original) (raw)
Ильичев
Сетчатый сополимер винилбензиламин-n-метиленфосфоновой кислоты в качестве сорбента индия из концентрированных сернокислых растворов
Номер патента: 1538491
Опубликовано: 27.08.2002
Авторы: Балакин, Быдрина, Ильичев, Коленко, Меньшиков, Петров, Родионов, Теслер
МПК: B01J 20/26, C08F 212/14, C08F 8/40 ...
Метки: винилбензиламин-n-метиленфосфоновой, индия, качестве, кислоты, концентрированных, растворов, сернокислых, сетчатый, сополимер, сорбента
Сетчатый сополимер винилбензиламин-N-метиленфосфоновой кислоты общей формулыгде молярное соотношение x : a : b : c = 1 : 2,8 - 3,9 : 0,5 - 1,6 : 4,в качестве сорбента индия из концентрированных сернокислых растворов.
Рабочая клеть стана холодной прокатки труб
Номер патента: 1490778
Опубликовано: 27.04.2000
Авторы: Ильичев, Казакевич, Карпов, Литвак, Макаркин, Носов, Павлов, Солодихин, Сухарев
МПК: B21B 13/18, B21B 21/00
Метки: клеть, прокатки, рабочая, стана, труб, холодной
Рабочая клеть стана холодной прокатки труб, содержащая неподвижную станину, подвижную станину с пальцами под шатуны привода перемещения, вертикальные валки с подушками, их зубчато-реечный привод с вертикально расположенными неподвижными рейками и шестернями на валках и нажимные механизмы регулировки положения валков с винтовыми парами, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности калибра и улучшения условий обслуживания, она снабжена брусьями, соединяющими верхние подушки валков, рамой, установленной на неподвижной станине с одной стороны на оси, а с другой зафиксированной приводным клином и несущей верхнюю рейку привода валков, относительно которой нижняя рейка расположена...
Способ получения феромонов чешуекрылых насекомых
Номер патента: 1113921
Опубликовано: 20.04.2000
Авторы: Андреев, Гальченко, Иванов, Ильичев, Кондратьев, Мшенский, Скрябин, Штыкова
МПК: A01N 63/00
Метки: насекомых, феромонов, чешуекрылых
Способ получения феромонов чешуекрылых насекомых, преимущественно совок, путем химического превращения жирных кислот в целевой продукт, отличающийся тем, что, с целью сокращения затрат труда и получения нескольких феромонов в одном технологическом цикле, в качестве исходных веществ используют смесь жирных кислот, полученную из биомассы бактерий, выращенных на питательной среде, содержащей источники углерода, азота и минеральные соли.
Способ получения наполненных метакриловых сополимеров
Номер патента: 1406135
Опубликовано: 27.03.2000
Авторы: Ильичев, Паус, Сергеев, Столярова, Шварева
МПК: C08F 2/44
Метки: метакриловых, наполненных, сополимеров
Способ получения наполненных метакриловых сополимеров путем водосуспензионной сополимеризации метиловых эфиров метакриловых кислот в присутствии радикального инициатора, эмульгатора, регулятора молекулярной массы и наполнителя при нагревании, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости суспензии, в качестве эмульгатора и одновременно наполнителя используют 45 - 100 мас.% от сомономеров гидрофобного мела, а нагревание смеси до температуры полимеризации осуществляют со скоростью 0,6 - 1,4 град/с.
Отражатель электромагнитных волн
Номер патента: 1563547
Опубликовано: 10.01.2000
Авторы: Благодырь, Добровольский, Ильичев
МПК: H01Q 15/14
Метки: волн, отражатель, электромагнитных
Отражатель электромагнитных волн по авт. св. N 1426378, отличающийся тем, что, с целью повышения точности калибровки, в отражателе параллельно его образующей выполнен сквозной канал круглого сечения, ось которого пересекает ось направляющей отражателя, а радиус сквозного канала равенгде - расстояние от точки сопряжения первых концов логарифмической спирали до оси сквозного канала, причем мин
Отражатель электромагнитных волн
Номер патента: 1426378
Опубликовано: 27.12.1999
Авторы: Благодырь, Добровольский, Ильичев, Пурышев
МПК: H01Q 15/14
Метки: волн, отражатель, электромагнитных
Отражатель электромагнитных волн, выполненный в виде прямого цилиндра, направляющая которого содержит два участка, имеющих форму логарифмической спирали, симметричных относительно оси, каждый из которых вписан в прямой угол и первые концы их плавно сопряжены, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона углов, в котором линейно изменяется эффективная поверхность рассеяния, вторые концы участков продлены до пересечения с осью.
Способ получения изолирующих покрытий
Номер патента: 1119523
Опубликовано: 27.12.1996
Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев
МПК: H01L 21/205
Метки: изолирующих, покрытий
Способ получения изолирующих покрытий по авт. св. N 940601,отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения заряда в диэлектрических слоях при формировании диэлектрических слоев из газовой фазы, в нее дополнительно вводят триметилгаллий при мольном отношении к триметилалюминию (0,3 oC 10) 1 и моногерман при мольном отношении к триметилгаллию и триметилалюминию (10-4 10-6) 1.
Способ определения параметров морских волн
Номер патента: 1699233
Опубликовано: 10.10.1996
Авторы: Гореликов, Ильичев, Меджитов
МПК: G01C 13/00
Метки: волн, морских, параметров
Способ определения параметров морских волн, при котором размещают в исследуемом районе моря цилиндрическую трубу с датчиком разностного давления, производят измерения и обрабатывают их результаты, отличающийся тем, что, с целью повышения точности за счет уменьшения влияния температурной погрешности и повышения информативности за счет одновременного определения периода и длины волн, при размещении трубы с открытыми торцами первый из них располагают на глубине b1 определения параметров морских волн, при измерении фиксируют период волн Т и разность давлений волн h1 h2 в трубе и вне ее, а при обработке результатов измерений находят длину волны ...
Лазер с периодической структурой
Номер патента: 1378740
Опубликовано: 20.07.1996
Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин
МПК: H01S 3/18
Метки: лазер, периодической, структурой
Лазер с периодической структурой, включающий полупроводниковую подложку с расположенной на ней двойной гетероструктурой (ДГС) и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения управляющей мощности, управления диаграммой направленности и повышения граничной частоты модуляции, на верхнем слое ДГС расположен первый дополнительный слой того же типа проводимости, что и у прилегающего к нему слоя ДГС, на первом дополнительном слое расположен монокристаллический изолирующий слой Ga1-zAlzAs:O, в котором выполнены параллельные канавки с наклонными стенками, глубина канавок больше толщины изолирующего, но меньше суммы толщин изолирующего и первого дополнительного слоев, расстояние между канавками меньше 10 мкм,...
Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с х у-адресацией
Номер патента: 1347831
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Артамонов, Емельянов, Ефремова, Ильичев, Инкин, Лозовский, Попов, Шелюхин
МПК: H01L 33/00
Метки: диодов, излучающих, матриц, монолитных, у-адресацией
Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с Х-У-адресацией на AIGaAs, включающий формирование в высокоомной подложке с ориентацией 100 проводящих каналов, эпитаксиальное наращивание активных слоев, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных матриц путем исключения двухуровневой разводки, адресные p-шины в Х-направлении формируют на подложке с нанесенным локально маскирующим слоем методом зонной плавки с градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки из расплава галлия с добавкой германия или цинка в количестве 2-4 ат. при температуре 1100-1270 К, градиенте температуры 20-40 К/см со скоростью перекристаллизации 5-200 мкм/ч, затем формируют активные слои, рабочие элементы которых выделяют...
Лазер с полевым управлением
Номер патента: 1393291
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Алавердян, Артамонов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Шелюхин
МПК: H01S 3/19
Метки: лазер, полевым, управлением
Лазер с полевым управлением, содержащий полуизолирующую подложку из GaAs i-типа проводимости с расположенными на ней слоями, которые образуют двойную гетероструктуру (ДГС), сильнолегированный полупроводниковый слой, изотипный внешнему слою ДГС и граничащий с ним, а также полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора, отличающийся тем, что, с целью достижения непрерывного режима работы лазера путем улучшения теплоотвода, в полуизолирующей подложке выполнена сильнолегированная область, проникающая на всю толщину подложки, а полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, причем в упомянутом полупроводниковом слое под...
Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором
Номер патента: 1565292
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин
МПК: H01L 21/335
Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов
1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...
Способ создания полевых транзисторов с затвором шоттки для сбис зу на арсениде галлия
Номер патента: 1559975
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин
МПК: H01L 21/283
Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки
1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...
Квантовый интерференционный полевой транзистор
Номер патента: 1549419
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Ильичев, Полторацкий, Савченко
МПК: H01L 29/80
Метки: интерференционный, квантовый, полевой, транзистор
Квантовый интерференционный полевой транзистор, содержащий подложку из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (001) с последовательно расположенными на ней каналами в виде слоев арсенида галлия n-типа проводимости с барьерным слоем GaAlAs между ними и сформированные на подложке контакты стока, истока и затвора, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, барьерный слой выполнен в виде совокупности кластеров, образующих в кристаллографических направлениях (110) и (001) регулярную структуру с периодом, равным 1 3 длинам волн де Бройля, и имеющую толщину а каналы ориентированы вдоль кристаллографического направления (110).
Инвертор
Номер патента: 1649973
Опубликовано: 10.06.1996
Авторы: Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Полторацкий, Родионов, Свешников, Шмелев
МПК: H01L 29/80
Метки: инвертор
Инвертор на комплементарных полевых транзисторах с затвором Шоттки с нормально закрытыми и открытыми каналами, выполненными на структуре, содержащей подложку из арсенида галлия, на которой последовательно расположены первый нелегированный слой арсенида галлия, первый сильнолегированный слой арсенида галлия, второй нелегированный слой арсенида галлия и контакты стоков, истоков и затворов, отличающийся тем, что, с целью уменьшения рассеиваемой мощности и уменьшения разброса параметров, между вторым нелегированным и первым сильнолегированным слоем арсенида галлия расположены два смежных слоя, один из которых является третьим нелегированным слоем, а другой вторым сильнолегированным слоем с типом проводимости, противоположным типу проводимости...
Оптоэлектронный элемент памяти
Номер патента: 1284439
Опубликовано: 10.06.1996
Авторы: Ильичев, Полторацкий
МПК: H01L 31/14
Метки: оптоэлектронный, памяти, элемент
Оптоэлектронный элемент памяти, выполненный на сильнолегированной подложке арсенида галлия, содержащий излучательный p n-гетеропереход, образованный гетерослоями Gа1-yAlyAs и Gа1-2Al2As, последний из которых граничит с подложкой и имеет с ней один тип проводимости при y>2, активный транзисторный слой с контактами истока и стока и электродом затвора, отделенный от указанных гетерослоев изолирующим слоем из твердого раствора Gа1-xAlxAs:О и имеющий сформированную в активном и изолирующем слоях до слоя Ga1-yAlyAs канавку, на дне которой сформирован омический контакт с площадью, меньшей площади дна канавки, и гальванически соединенный с контактом стока,...
Лазер с полевым управлением
Номер патента: 1391424
Опубликовано: 10.06.1996
Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Жуков, Иванютин, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин
МПК: H01S 3/19
Метки: лазер, полевым, управлением
Лазер с полевым управлением, содержащий полупроводниковую сильнолегированную подложку, на которой расположены слои, образующие двойную р-n-гетероструктуру (ДГС), полупроводниковый слой n-GaAs с контактами истока, стока и электродом затвора, а также омический контакт к подложке, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода, указанный полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, а между ним и подложкой размещен монокристаллический изолирующий слой AlGaAs:O, причем в полупроводниковом и монокристаллическом изолирующем слоях имеется канавка с наклонными стенками, глубина которой больше...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1597018
Опубликовано: 27.05.1996
Авторы: Варламов, Емельянов, Ильичев, Инкин, Липшиц, Матына, Олейник, Пекарев, Полторацкий
МПК: H01L 21/205
Метки: мдп-транзисторов
Способ изготовления МДП-транзисторов, включающий формирование на подложке арсенида галлия n-типа проводимости областей истока и стока, осаждение слоя диэлектрика методом пиролиза, формирование электрода затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны транзисторов, слой диэлектрика осаждают пиролитическим разложением диэтилдитиокарбамата цинка при температуре подложки 290 350oС и температуре испарителя диэтилдитиокарбамата 200250oС.
Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором
Номер патента: 1628766
Опубликовано: 27.05.1996
Авторы: Ахинько, Ильичев, Инкин
МПК: H01L 21/18
Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов
...лучшей однородности толщины маскирующего покрытия) уменьшается дисперсия сопротивления областей истоков и позволяет снизить температуры вжиганий 50 стоков по плоскости подложки, Температурные режимы в предлагаемом способе выбраны из соображений минимизации удельногосопротивления,о областей истока - стокапри удовлетворительной морфологии поверхности контакта при температурах меньше 410 С (425 С) р1 Ом мм (для и-типаобластей) и р5 Ом мм (для р-типа) притемпературах430 С (435 С) ухудшаетсяморфология поверхности омических контактов областей истока - стока,Неизвестно формирование защитныхпокрытий (сквозь которые осуществляетсяимплантация примеси) посредством низкотемпературного окисления подложки арсенида галли,я, что позволяет судить...
Элемент памяти
Номер патента: 1153768
Опубликовано: 27.05.1996
Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев
МПК: H01L 27/11
1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между активным слоем и подложкой и выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора Ga1-xAlxAs (0,1 X 0,6), содержащего кислород в...
Способ получения диэлектрических покрытий
Номер патента: 940601
Опубликовано: 20.05.1996
Авторы: Емельянов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Родионов, Слепнев
МПК: H01L 21/205
Метки: диэлектрических, покрытий
1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10-3 10-5) соответственно и температуре подложек 600 650oС.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем,...
Способ изготовления джозефсоновского контакта на основе ниобия
Номер патента: 1602301
Опубликовано: 20.05.1996
Авторы: Борисенко, Войтенко, Закосаренко, Ильичев, Тулин
МПК: H01L 39/24
Метки: джозефсоновского, контакта, ниобия, основе
Способ изготовления джозефсоновского контакта на основе ниобия, включающий напыление пленки ниобия на кремниевую подложку, формирование фоторезистивной маски, травление слоя ниобия, формирование слоя барьера, напыление второй пленки ниобия, формирование второй фоторезистивной маски, травление второго слоя ниобия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик контакта, слой барьера формируют нанесением пленки карбита кремния.
Способ обезвреживания радиоактивных отходов
Номер патента: 1795804
Опубликовано: 10.05.1996
Авторы: Андрюшин, Анисин, Ильичев, Лебедев, Маршалкин, Трутнев, Трухин, Чернышев
МПК: G21F 9/24
Метки: обезвреживания, отходов, радиоактивных
...ЯБП в рэсплаве по- . роды составит 1,510 Ки/г, В серии иэ 10 взрывов возможно уничтожение до 1010 ядерных зарядов. При размещении уничтожаемых РОвнутри термоядерного устройства возможно обеспечение нейтронной трансмутации ВАО и ТУЭ в реакциях (и, 2 п) и (и, Зп) и (и, 1).20 При этом для долгоживущих осколков деления (в том числе таких как 90 Яг и Сэ) определяющим процессом является их выжигание быстоыми нейтронами с энерГиЕй В .-. с - 11 Нв, ПОЛуЧаЕМЫМ ПрИ 25 сгорании термоядерного горючего, в реакциях (и, 2 п) и (п, Зп). Важным обстоятельством является наличие в зоне трансмутации эффективного поглотителя медленных нейтронов, который резко ослабляет обратный 30 процесс рекомбинации Яг и 1 Сз в реак 90ции (и, 7) из-за большего...
Способ определения параметров полупроводниковых материалов
Номер патента: 1835967
Опубликовано: 20.02.1996
Авторы: Антонюк, Виноградов, Дьяченко, Ильичев
МПК: H01L 21/66
Метки: параметров, полупроводниковых
...раствор соляной кислоты или поваренной соли. С целью повышения точности локальных измерений за счет уменьшения размеров области приложения обедняющего постоянного и переменного напряжений в качестве электролита 2 целесообразно использовать вещество, электрол итическая диссоциация в котором наступает при оптическом облучении, например, лейкоцианиды трифенилметановых красителей. Проводящий канал к исследуемому участку образца создается при облучении вещества в ограниченной области, размеры которой определяются размерами сечения возбуждающего луча, временем жизни неравновесных ионов и их подвижностью в исходном веществе,Предлагаемый способ состоит в следующем: к исследуемому участку образца подводят зондирующее излучение миллиметрового,...
Способ получения гомополимеров и сополимеров метилметакрилата
Номер патента: 322330
Опубликовано: 10.09.1995
Авторы: Агафонова, Аржаков, Белопольский, Ильичев, Курыгин, Лебедев, Лепилин, Малышева, Морозов, Опарин, Пеньков, Попов, Рубцов, Хвиливицкий
МПК: C08F 20/14
Метки: гомополимеров, метилметакрилата, сополимеров
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГОМОПОЛИМЕРОВ И СОПОЛИМЕРОВ МЕТИЛМЕТАКРИЛАТА путем полимеризации соответствующих мономеров в массе в присутствии инициатора полимеризации и регулятора молекулярного веса при 35 40oС с последующей дополимеризацией полученного продукта при 105 125oС, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени полимеризации при получении монолитных блоков толщиной более 20 мм, процесс проводят при соотношении инициатора и регулятора, равном 1 1,2 1 и суммарной их концентрации не менее 1,2% от веса мономеров.
Способ получения макропористых неионогенных сорбентов
Номер патента: 1434722
Опубликовано: 15.01.1994
Авторы: Алексеев, Бруцкус, Завадовская, Ильичев, Резаненко, Салдадзе, Уварова, Эльберт
МПК: C08F 212/36
Метки: макропористых, неионогенных, сорбентов
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАКРОПОРИСТЫХ НЕИОНОГЕННЫХ СОРБЕНТОВ суспензионной полимеризацией чистого или технического дивинилбензола в присутствии радикального инициатора и инертного органического растворителя - порообразователя при нагревании с последующей отгонкой растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения сорбционных свойств целевого продукта, в качестве технического дивинилбензола используют продукт, содержащий не менее 50 мас. % дивинилбензола и не более 50 мас. % этилстирола, в качестве порообразователя - циклогексан и/или ароматические углеводороды, и полимеризацию проводят при объемном соотношении дивинилбензола или технического дивинилбензола и порообразователя, равном 1 : 1 - 1,3, а отгонку растворителя осуществляют при 75 -...
Половой аттрактант для самцов озимой совки agrotis (-scotia) segetum
Номер патента: 1054947
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Верзунова, Ильичев, Ковалева, Лебедева, Пятнова, Таксиди, Ташлыкова
МПК: A01N 31/02
Метки: agrotis, scotia, segetum, аттрактант, озимой, половой, самцов, совки
...путем лег- . кого сжатия стенок трубки. Цис-тетрадеценаль 100 Цис-гексадеценол 100 ( прототип ) Цис-гексадеценол; цис-тетрадеценаль 95:5 Цис-гексадеценол:Каждую резиновую трубку герметично упаковывают в алюминиевую фольгу.Аналогично готовят, наносят и упаковывают смеси другого соотношения, а также индивидуальные вещества,Резиновые трубки с нанесенным аттрактантом освобождают от упаковочной фольги непосредственно перед применением.Резиновые трубки помещали в клеевые ловушки, которые раставляли в поле через каждые 20 м в линию над уровнем растительности и снимали на рассвете для подсчета количества прилетевших самцов озимой совки,Результаты испытаний представлены в таблиЦе.Результаты испытаний показывают, что смеси цис-гексадеценола с...
Половой аттрактант вьюнковой совки erastria trabealis scop
Номер патента: 1050147
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Ильичев, Пятнова, Таксиди, Умнова
МПК: A01N 29/02
Метки: erastria, trabealis, аттрактант, вьюнковой, половой, совки
...насекомыми.Известно также применение световых ловушек для отлове бабочек совок, включая и вьюн ковую; Однако применение:световых ловушек малоэффективно и трудоемко.Цель изобретения - повьиоение эффективности ловушек, предназначенных для борьбы с вьюнковой совкойУказанная цель достигается .применением цис-деценола в качестве полового аттрактанта для самцов озимой. совки, Цис-де 6 енол описан как промежуточный про дукт в синтезе цис-деценилацетата,мали и производили учет прилетевших особеи.Результаты испытаний представлены втаблице.5 Результаты испытаний показывают, чтоцис-деценол действует гораздо эффективнее контрольных световых ловушек.Цис-деценол отличается высокой видовой специфичностью, так как не привле 10 кает другие виды и...
Половой аттрактант для самцов озимой совки
Номер патента: 1381748
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Воронкова, Ильичев, Ковалева, Курбатов, Лебедева, Пятнова, Рославцева, Таксиди, Ташлыкова
МПК: A01N 31/02
Метки: аттрактант, озимой, половой, самцов, совки
...раствора цис-деценилацетата концентрации 0,02 мг/мл. Раствор готовят методом разбавления, Для этого 20 мг цис-деценилацетата, взвешенного на аналитических весах в микропипетке, растворяют в 100 мл гексана и, отобрав 10 мл полученного раствора, разбавляют его гексаном в мерной колбе до 100 мл, Получают раствор концентрацией 0,02 мг/мл,Полученную смесь растворов осторожно взбалтывают для получения однородного раствора и в него помещают по возможности быстрее 100 резиновых медицинских 1 пробок (масса каждой 0,6 г), закрывают пришлифованной пробкой и колбу энергично встряхивают до тех пор. пока гексановый раствор полностью не впитается пробками.5 Затем пробки упаковывают герметично втрехслойный упаковочный материал: полиэтилен-алюминиевая...
Повязка для лечения ран
Номер патента: 2000762
Опубликовано: 15.10.1993
Авторы: Ерусалимская, Ильичев, Райхер
МПК: A61F 13/54, A61L 15/24
...способности по сравнению с другими угле- родными тканями, используемыми для повязок, заявленная ткань обеспечивает капиллярный эффект, необходимый для "прокачивания" жидкости, выделяемой из раны через капилляры или микропоры угле- родной ткани. В то же время плотность ткани такова, что размеры ячеек, образованных между переплетенными основными и уточными нитями обеспечивают поступление на рану лекарственных веществ, которые могут быть использованы в повязке сверху угле- родной ткани. Для усиления капиллярного эффекта без значительного повышения сорбционной способности и, следовательно, удельной поверхности, активацию углеродной ткани производят электрохимическим методом в5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 щелочной среде с добавлением 320 ь в...