Semiconductor memory (original) (raw)
Polovodičové paměti jsou zařízení pro ukládání elektronických dat často používané pro paměti počítače. Data jsou přístupné pomocí binární paměťové adresy, která vstupuje do paměti. Jestliže se adresa paměti skládá z M bitů, adresa prostředí se skládá ze dvou M bitů pro každý čip. Polovodičové paměti jsou vyráběny s určitou délkou slova (jednobitové buňky sdílejí stejnou adresu paměti), výkon dvou obvykle M = 1, 2, 4 nebo 8 bitů na čip. Možné hodnoty jsou 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256 a 512 bit, kbit, Mbit, Gbit a Tbit. Tím, že kombinuje několik integrovaných obvodů, paměť může být uspořádána pro větší délku slova a/nebo adresu místa, než to, co nabízí každý čip.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | Polovodičové paměti jsou zařízení pro ukládání elektronických dat často používané pro paměti počítače. Data jsou přístupné pomocí binární paměťové adresy, která vstupuje do paměti. Jestliže se adresa paměti skládá z M bitů, adresa prostředí se skládá ze dvou M bitů pro každý čip. Polovodičové paměti jsou vyráběny s určitou délkou slova (jednobitové buňky sdílejí stejnou adresu paměti), výkon dvou obvykle M = 1, 2, 4 nebo 8 bitů na čip. Možné hodnoty jsou 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256 a 512 bit, kbit, Mbit, Gbit a Tbit. Tím, že kombinuje několik integrovaných obvodů, paměť může být uspořádána pro větší délku slova a/nebo adresu místa, než to, co nabízí každý čip. (cs) Ein Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht. In und auf einem Halbleiterkristall werden mikroelektronische Speicherstrukturen realisiert, sodass ein Speicherchip (siehe auch Die) entsteht. Die Chips werden zu integrierten Schaltkreisen komplettiert oder auch unverkappt weiterverarbeitet. Die Daten werden in Form von binären elektronischen Schaltzuständen in den integrierten Schaltungen gespeichert. Vorgänger waren die magnetisch arbeitenden Kernspeicher, die erst in den frühen 1970er Jahren von den Halbleiterspeichern abgelöst wurden. Neuere Entwicklungen streben an, das magnetische Speicherprinzip mikroelektronisch zu hochdichten, nicht flüchtigen Speichern zu kombinieren (MRAM). (de) Una memoria de semiconductor es un dispositivo electrónico digital de almacenamiento de datos, a menudo utilizada como memoria de ordenador, implementado con dispositivos electrónicos semiconductores en un circuito integrado (IC). Hay muchos tipos diferentes de implementaciones, que utilizan varias tecnologías. La mayoría de los tipos de memoria de semiconductores tienen la propiedad del acceso aleatorio, lo que significa que utiliza la misma cantidad de tiempo para acceder a cualquier ubicación de la memoria, de forma que se puede acceder a los datos de forma eficiente de forma aleatoria. Esto contrasta con los medios de almacenamiento de los datos, como los discos duros y CD, que leen y escriben los datos de forma consecutiva y, por lo tanto, el dato sólo puede ser accedido en la misma secuencia en que se escribió. La memoria de semiconductor también tiene mucho mejores tiempos de acceso que otros tipos de almacenamiento de datos; se puede escribir o leer un byte de datos de la memoria de semiconductor en unos pocos nanoseconds, mientras que el tiempo de acceso para el almacenamiento rotatorio, como discos duros, está en el rango de los milisegundos. Por estas razones, se utiliza como memoria de ordenador principal (almacenamiento primario), para mantener los datos con los que el ordenador actualmente está trabajando, entre otros usos. Registros de cambios, registros de procesador, Búfer de datos y otros registros digitales pequeños, que no tienen ningún mecanismo de descodificación de la dirección de memoria, no se consideran memoria a pesar de que también almacenan datos digitales. (es) Semiconductor memory is a digital electronic semiconductor device used for digital data storage, such as computer memory. It typically refers to devices in which data is stored within metal–oxide–semiconductor (MOS) memory cells on a silicon integrated circuit memory chip. There are numerous different types using different semiconductor technologies. The two main types of random-access memory (RAM) are static RAM (SRAM), which uses several transistors per memory cell, and dynamic RAM (DRAM), which uses a transistor and a MOS capacitor per cell. Non-volatile memory (such as EPROM, EEPROM and flash memory) uses floating-gate memory cells, which consist of a single floating-gate transistor per cell. Most types of semiconductor memory have the property of random access, which means that it takes the same amount of time to access any memory location, so data can be efficiently accessed in any random order. This contrasts with data storage media such as hard disks and CDs which read and write data consecutively and therefore the data can only be accessed in the same sequence it was written. Semiconductor memory also has much faster access times than other types of data storage; a byte of data can be written to or read from semiconductor memory within a few nanoseconds, while access time for rotating storage such as hard disks is in the range of milliseconds. For these reasons it is used for primary storage, to hold the program and data the computer is currently working on, among other uses. As of 2017, semiconductor memory chips sell $124 billion annually, accounting for 30% of the semiconductor industry. Shift registers, processor registers, data buffers and other small digital registers that have no memory address decoding mechanism are typically not referred to as memory although they also store digital data. (en) 반도체 메모리(문화어: 반도체 기억기)는 반도체 기반의 집적 회로 위에 추가된 컴퓨터 메모리이다. 반도체 메모리의 예로 트랜지스터 기반의 에스램, 비트를 저장하기 위한 축전기 기반의 디램이 있다. (ko) 半導体メモリ（はんどうたいメモリ）は、半導体素子（特に、もっぱら集積回路）によって構成された記憶装置（メモリ）である。 (ja) Pamięć półprzewodnikowa – rodzaj pamięci opartej na cyfrowych układach scalonych i przechowującej informacje w postaci binarnej. Do tego typu należą m.in. typowe pamięci RAM, układy ROM, a także dyski SSD. Pamięci te są jednymi z podstawowych typów pamięci stosowanych w komputerach PC. Punktem pamięci półprzewodnikowej statycznej jest przerzutnik SR, zbudowany w oparciu o technologię bipolarną lub unipolarną. Zasada działania takiej pamięci polega na podaniu sygnału jedynki logicznej na odpowiednią linię słowa zapisu (lub odczytu) oraz sygnału „1” lub „0” na linię bitu zapisywanego (lub odczytywanego). W odróżnieniu od pamięci statycznej, pamięć dynamiczna wymaga dodatkowego działania, jakim jest wielokrotne odświeżanie jej zawartości w ciągu sekundy, aby mogła ona przechowywać ładunki elektryczne oznaczające wartości poszczególnych bitów. Pamięci półprzewodnikowe mają organizację określoną jako gdzie oznacza wielkość pamięci (np. 16, 256, 1024), a liczbę bitów dostępnych po zaadresowaniu pojedynczej komórki (zwykle 1, 4 lub 8). (pl) 半导体存储器是一种用于的数字电路半导体器件，例如電腦記憶體。数据會存储在硅集成电路存储芯片上的金属氧化物半导体(MOS)存储单元内。目前有许多不同的类型的半导体技术。两种常見的随机存取存储器（RAM）中其中一個是静态RAM（SRAM），它在每个存储单元使用多个MOS晶体管，另一個是动态RAM（DRAM），每个单元使用一个MOS晶体管和一个MOS电容。非易失性存储器（如EPROM、EEPROM和闪存）使用浮栅存储单元，每个单元由一个浮栅MOS 晶体管组成。大多数类型的半导体存储器都具有随机访问的特性。 (zh) Напівпровідникова пам'ять — електронний пристрій зберігання даних, який часто використовується як комп'ютерна пам'ять, реалізований на напівпровідниковій інтегральній схемі. У більшості мікро-ЕОМ (пристрій, керований людиною-оператором, який складається з мікропроцесора, напівпровідникової пам'яті, інтерфейсу введення-виведення, пульта управління і джерел електроживлення, об'єднаних загальною несучою конструкцією) використовується напівпровідникова пам'ять. Великі інтегральні мікросхеми пам'яті забезпечують зберігання програм, таблиць, символів і даних. Є три типи напівпровідникової пам'яті: постійний запам'ятовувач, програмований постійний запам'ятовувач і оперативна пам'ять (або пам'ять з довільним доступом, RAM). Більшість напівпровідникових технологій дозволяє отримувати всі три типи пам'яті, проте в даний час[коли?] пам'яті, виготовлені на основі МОП-технології, є найдешевшими і використовуються найбільш широко. (uk) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/RAM_n.png?width=300 |
| dbo:wikiPageID | 1313007 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 36081 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1110451584 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Camcorders dbr:Capacitors dbr:Power_of_two dbr:Processor_register dbr:Programmable_read-only_memory dbr:Pseudostatic_RAM dbr:Samsung_Electronics dbr:Electric_charge dbr:NMOS_logic dbr:Nanosecond dbr:Read-only_memory dbr:Volatile_memory dbr:MOS_capacitor dbr:Memory_address dbr:Medical_equipment dbr:Bell_Labs dbr:Dawon_Kahng dbr:Desktop_computers dbr:Anti-lock_braking_system dbr:List_of_best-selling_electronic_devices dbr:Personal_computers dbr:Robert_H._Dennard dbr:Character_generator dbr:Ultraviolet_light dbr:United_States_Air_Force dbr:Video_memory dbr:Delay-line_memory dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:EDRAM dbr:Integrated_circuit dbr:Memory_card dbr:Parallel_ATA dbr:Memory_bus dbr:MP3_players dbr:Compact_disc dbr:Consumer_electronics dbr:NOR_flash dbr:Telecommunications_network dbr:Non-volatile_random-access_memory dbr:Simon_Sze dbr:Shift_register dbr:Wen_Tsing_Chow dbr:Electrically_erasable_programmable_read-only_memory dbr:Electronic_musical_instruments dbr:Fujio_Masuoka dbr:GDDR2 dbr:GDDR_SDRAM dbr:Graphics_card dbr:Modems dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:Content-addressable_memory dbr:Military_technology dbr:Synchronous_graphics_RAM dbr:Tablet_computers dbr:MOSFET dbr:MOSFETs dbr:MOS_integrated_circuit dbr:MOS_transistor dbr:Mainframes dbr:Smart_cards dbr:Smartphones dbr:Static_random-access_memory dbr:Computer_data_storage dbr:Computer_font dbr:Computer_memory dbr:Embedded_system dbr:Pipeline_(computing) dbr:Terabit dbr:Microcode dbr:Solid-state_electronics dbr:Byte dbr:Address_decoder dbr:Cellphone dbr:Toshiba dbr:Transistors dbr:Data_buffer dbr:Wii dbr:Disk_buffer dbr:Dual-ported_RAM dbr:GDDR3_SDRAM dbr:GDDR4_SDRAM dbr:GDDR5_SDRAM dbr:GDDR6_SDRAM dbr:System_software dbc:Computer_memory dbc:Digital_electronics dbc:MOSFETs dbr:Aircraft_flight_control_system dbr:DDR2_SDRAM dbr:DDR3_SDRAM dbr:DDR4_SDRAM dbr:DDR_SDRAM dbr:DVD dbr:E-books dbr:EEPROM dbr:EPROM dbr:ESRAM dbr:Extended_data_out_DRAM dbr:Fairchild_Semiconductor dbr:Federico_Faggin dbr:Ferroelectric_RAM dbr:Flash_memory dbr:Flip-flop_(electronics) dbr:Non-volatile_memory dbr:Pagers dbr:Digital_camera dbr:Digital_electronics dbr:Floating-gate_MOSFET dbr:Framebuffer dbr:Erasable_programmable_read-only_memory dbr:Kilobit dbr:Word_processor dbr:Magnetic-core_memory dbr:Microcontroller dbr:Spacecraft dbr:Discrete_device dbr:Gigabit dbr:Video_game dbr:Memory_refresh dbr:Power_supply dbr:Printer_(computing) dbr:Radio-frequency_identification dbc:Integrated_circuits dbr:Hard_disk_drive dbr:High_Bandwidth_Memory dbr:Address_line dbr:Telecommunications dbr:Texas_Instruments dbr:Solid-state_drives dbr:Access_time dbr:Binary_digit dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Bit dbr:Supercomputers dbr:Switches dbr:Code dbr:Transistor dbr:Dictionary dbr:Dov_Frohman dbr:BIOS dbr:CMOS dbr:Cordless_telephones dbr:Applications_engineers dbr:FPM_DRAM dbr:Graphics_adaptor dbr:Metal–oxide–semiconductor dbr:IBM dbr:IBM_System/360 dbr:Intel dbr:Intel_1103 dbr:Metal–oxide–semiconductor_field-effect_transistor dbr:Microprocessor dbr:ROM_cartridge dbr:Random-access_memory dbr:Semiconductors dbr:Cache_memory dbr:Workstations dbr:XDR_DRAM dbr:Memory_cell_(computing) dbr:Megabit dbr:Set-top_box dbr:Synchronous_dynamic_random-access_memory dbr:Semiconductor_device dbr:Semiconductor_industry dbr:Server_(computing) dbr:Silicon dbr:USB_flash_drive dbr:Laser_printer dbr:Digital_cameras dbr:Digital_data_storage dbr:Royal_Radar_Establishment dbr:Firmware dbr:NAND_flash dbr:Multimedia_computer dbr:Mask_ROM dbr:Nonvolatile_BIOS_memory dbr:Random_access dbr:Memory_cards dbr:Mobile_devices dbr:Electronic_calculator dbr:Electrotechnical_Laboratory dbr:Ferroelectric_random-access_memory dbr:Portable_media_players dbr:Erasable_programmable_read_only_memory dbr:Personal_digital_assistants dbr:Battery-powered dbr:Video_RAM dbr:Video_adapters dbr:Word_length dbr:USB_flash_drives dbr:Digital_TV dbr:Dynamic_RAM dbr:IBM_Thomas_J._Watson_Research_Center dbr:Static_RAM dbr:Game_console dbr:Hard_disk dbr:Frame_buffer dbr:Floating-gate dbr:Floating_gate_MOSFET dbr:Rambus_DRAM dbr:Cell_phones dbr:Disk_drives dbr:Double_pumping dbr:Silicon-gate dbr:Air_bags dbr:Main_memory dbr:Solid-state_electronic dbr:Bit_masking dbr:CD-ROM_drives dbr:Car_radio dbr:Memory_chip dbr:Power_devices dbr:Primary_storage dbr:File:4Mbit_EPROM_Toshiba_TC574200D_(2).jpg dbr:File:RAM_n.png |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Abbr dbt:As_of dbt:Authority_control dbt:Reflist dbt:See_also dbt:Short_description dbt:Use_American_English dbt:Memory_types |
| dcterms:subject | dbc:Computer_memory dbc:Digital_electronics dbc:MOSFETs dbc:Integrated_circuits |
| gold:hypernym | dbr:Device |
| rdf:type | owl:Thing yago:WikicatSemiconductorDevices yago:Artifact100021939 yago:Circuit103033362 yago:ComputerCircuit103084420 yago:Conductor103088707 yago:Device103183080 yago:ElectricalDevice103269401 yago:Instrumentality103575240 yago:IntegratedCircuit103577090 yago:Object100002684 yago:PhysicalEntity100001930 yago:WikicatIntegratedCircuits dbo:Device yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Whole100003553 |
| rdfs:comment | Polovodičové paměti jsou zařízení pro ukládání elektronických dat často používané pro paměti počítače. Data jsou přístupné pomocí binární paměťové adresy, která vstupuje do paměti. Jestliže se adresa paměti skládá z M bitů, adresa prostředí se skládá ze dvou M bitů pro každý čip. Polovodičové paměti jsou vyráběny s určitou délkou slova (jednobitové buňky sdílejí stejnou adresu paměti), výkon dvou obvykle M = 1, 2, 4 nebo 8 bitů na čip. Možné hodnoty jsou 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256 a 512 bit, kbit, Mbit, Gbit a Tbit. Tím, že kombinuje několik integrovaných obvodů, paměť může být uspořádána pro větší délku slova a/nebo adresu místa, než to, co nabízí každý čip. (cs) 반도체 메모리(문화어: 반도체 기억기)는 반도체 기반의 집적 회로 위에 추가된 컴퓨터 메모리이다. 반도체 메모리의 예로 트랜지스터 기반의 에스램, 비트를 저장하기 위한 축전기 기반의 디램이 있다. (ko) 半導体メモリ（はんどうたいメモリ）は、半導体素子（特に、もっぱら集積回路）によって構成された記憶装置（メモリ）である。 (ja) 半导体存储器是一种用于的数字电路半导体器件，例如電腦記憶體。数据會存储在硅集成电路存储芯片上的金属氧化物半导体(MOS)存储单元内。目前有许多不同的类型的半导体技术。两种常見的随机存取存储器（RAM）中其中一個是静态RAM（SRAM），它在每个存储单元使用多个MOS晶体管，另一個是动态RAM（DRAM），每个单元使用一个MOS晶体管和一个MOS电容。非易失性存储器（如EPROM、EEPROM和闪存）使用浮栅存储单元，每个单元由一个浮栅MOS 晶体管组成。大多数类型的半导体存储器都具有随机访问的特性。 (zh) Ein Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht. In und auf einem Halbleiterkristall werden mikroelektronische Speicherstrukturen realisiert, sodass ein Speicherchip (siehe auch Die) entsteht. Die Chips werden zu integrierten Schaltkreisen komplettiert oder auch unverkappt weiterverarbeitet. (de) Una memoria de semiconductor es un dispositivo electrónico digital de almacenamiento de datos, a menudo utilizada como memoria de ordenador, implementado con dispositivos electrónicos semiconductores en un circuito integrado (IC). Hay muchos tipos diferentes de implementaciones, que utilizan varias tecnologías. Registros de cambios, registros de procesador, Búfer de datos y otros registros digitales pequeños, que no tienen ningún mecanismo de descodificación de la dirección de memoria, no se consideran memoria a pesar de que también almacenan datos digitales. (es) Semiconductor memory is a digital electronic semiconductor device used for digital data storage, such as computer memory. It typically refers to devices in which data is stored within metal–oxide–semiconductor (MOS) memory cells on a silicon integrated circuit memory chip. There are numerous different types using different semiconductor technologies. The two main types of random-access memory (RAM) are static RAM (SRAM), which uses several transistors per memory cell, and dynamic RAM (DRAM), which uses a transistor and a MOS capacitor per cell. Non-volatile memory (such as EPROM, EEPROM and flash memory) uses floating-gate memory cells, which consist of a single floating-gate transistor per cell. (en) Pamięć półprzewodnikowa – rodzaj pamięci opartej na cyfrowych układach scalonych i przechowującej informacje w postaci binarnej. Do tego typu należą m.in. typowe pamięci RAM, układy ROM, a także dyski SSD. Pamięci te są jednymi z podstawowych typów pamięci stosowanych w komputerach PC. Pamięci półprzewodnikowe mają organizację określoną jako gdzie oznacza wielkość pamięci (np. 16, 256, 1024), a liczbę bitów dostępnych po zaadresowaniu pojedynczej komórki (zwykle 1, 4 lub 8). (pl) Напівпровідникова пам'ять — електронний пристрій зберігання даних, який часто використовується як комп'ютерна пам'ять, реалізований на напівпровідниковій інтегральній схемі. У більшості мікро-ЕОМ (пристрій, керований людиною-оператором, який складається з мікропроцесора, напівпровідникової пам'яті, інтерфейсу введення-виведення, пульта управління і джерел електроживлення, об'єднаних загальною несучою конструкцією) використовується напівпровідникова пам'ять. Великі інтегральні мікросхеми пам'яті забезпечують зберігання програм, таблиць, символів і даних. (uk) |
| rdfs:label | Polovodičová paměť (cs) Halbleiterspeicher (de) Memoria de semiconductor (es) 반도체 메모리 (ko) 半導体メモリ (ja) Pamięć półprzewodnikowa (pl) Semiconductor memory (en) 半导体存储器 (zh) Напівпровідникова пам'ять (uk) |
| rdfs:seeAlso | dbr:List_of_MOSFET_applications dbr:MOSFET dbr:Computer_memory |
| owl:sameAs | freebase:Semiconductor memory wikidata:Semiconductor memory dbpedia-als:Semiconductor memory dbpedia-cs:Semiconductor memory dbpedia-de:Semiconductor memory dbpedia-es:Semiconductor memory dbpedia-et:Semiconductor memory dbpedia-fa:Semiconductor memory dbpedia-fi:Semiconductor memory dbpedia-ja:Semiconductor memory dbpedia-ko:Semiconductor memory dbpedia-pl:Semiconductor memory dbpedia-sh:Semiconductor memory dbpedia-sk:Semiconductor memory dbpedia-sr:Semiconductor memory dbpedia-uk:Semiconductor memory dbpedia-zh:Semiconductor memory https://global.dbpedia.org/id/CRvQ yago-res:Semiconductor memory http://d-nb.info/gnd/4120419-0 |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Semiconductor_memory?oldid=1110451584&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/4Mbit_EPROM_Toshiba_TC574200D_(2).jpg wiki-commons:Special:FilePath/RAM_n.png |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Semiconductor_memory |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:Memory_(disambiguation) |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:History_of_semiconductor_memory dbr:Electronic_memory dbr:Semiconductor_Memory dbr:Semiconductor_memories dbr:Digital_memory dbr:Memory_chip dbr:MOS_memory |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Powerchip dbr:Samsung_Electronics dbr:Memory_(disambiguation) dbr:Microcomputer dbr:NMOS_logic dbr:Read-only_memory dbr:Memory_bandwidth dbr:Dawon_Kahng dbr:History_of_computing_hardware dbr:History_of_semiconductor_memory dbr:Charge_trap_flash dbr:Video_game_music dbr:Virtium_Solid_State_Storage_and_Memory dbr:Depletion-load_NMOS_logic dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:Information_Age dbr:Nanotechnology dbr:Sense_amplifier dbr:Computer dbr:MoSys dbr:Crossbar_switch dbr:MOSFET_applications dbr:Single-event_upset dbr:Computer_data_storage dbr:Computer_memory dbr:Hardware_register dbr:State_(computer_science) dbr:Solid-state_electronics dbr:90_nm_process dbr:Timeline_of_DOS_operating_systems dbr:Data_organization_for_low_power dbr:Data_storage dbr:Oilgear dbr:UNIVAC_1100/2200_series dbr:Cut_Off_(film) dbr:Fairchild_9440 dbr:Non-volatile_memory dbr:Digico_Limited dbr:Floating-gate_MOSFET dbr:Ford_EEC dbr:History_of_computing_hardware_(1960s–present) dbr:Magnetic-core_memory dbr:Semiconductor_consolidation dbr:List_of_Korean_inventions_and_discoveries dbr:Remote_control dbr:HP_3000 dbr:Atomic_layer_deposition dbr:Tektronix_4010 dbr:The_Beginner's_Guide_to_Computers dbr:Bistability dbr:Bit dbr:High-definition_television dbr:High-κ_dielectric dbr:Digital_Equipment_Corporation dbr:Burroughs_Medium_Systems dbr:CDC_Cyber dbr:Soviet_integrated_circuit_designation dbr:Ferranti_Argus dbr:Fin_field-effect_transistor dbr:IBM_System/370 dbr:IBM_System/370_Model_145 dbr:IBM_System/370_Model_168 dbr:IBM_System/4_Pi dbr:Intel dbr:Micron_Technology dbr:Bubble_memory dbr:OPTi_Inc. dbr:Random-access_memory dbr:Yang_Hyang-ja dbr:Memory_cell_(computing) dbr:Memory_operations_per_second dbr:System_on_a_chip dbr:Semiconductor_industry dbr:Twistor_memory dbr:USB_flash_drive dbr:Negative_resistance dbr:Gurtej_Sandhu dbr:IBM_System/7 dbr:INCJ dbr:Three-dimensional_integrated_circuit dbr:Rod_memory dbr:Transistor_count dbr:Outline_of_information_technology dbr:Electronic_memory dbr:Semiconductor_Memory dbr:Semiconductor_memories dbr:Digital_memory dbr:Memory_chip dbr:MOS_memory |
| is rdfs:seeAlso of | dbr:Read-only_memory |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Semiconductor_memory |
