Flash memory (original) (raw)

dbo:abstract

La memòria flaix és un medi d'emmagatzematge no volàtil que està desenvolupada a partir de la memòria EEPROM, van sorgir per proporcionar una major funcionalitat i flexibilitat a l'usuari i millorar l'elevat cost de les memòries EEPROM i la poca capacitat. Les memòries flaix van aprofitar les capacitats d'esborrat i programació elèctrica de les memòries EEPROM i es va optar per eliminar la possibilitat d'esborrar selectivament els bits de la memòria i es va optar en permetre únicament esborrar els blocs complets de mida fixa (normalment entre 16-128 KB). Es va poder reduir el cost de fabricació i l'augment de la capacitat, ja que en eliminar-se l'esborrament selectiu que tenien les EEPROM pel d'ara en blocs, les cel·les de memòria ja no disposen de 2 transistors sinó que solament del tansistor de porta flotant i per tant es redueix la mida de la cel·la de memòria fins a 2 o 3 vegades la mida de la cel·la EEPROM i per tant en la mateixa àrea de silici es pot emmagatzemar molta més informació. (ca)
Flash paměť je nevolatilní (semipermanentní) elektricky programovatelná (tj. zapisovatelná) paměť s libovolným přístupem. Paměť je vnitřně organizována po blocích a na rozdíl od pamětí typu EEPROM lze plnit informacemi (programovat) každý blok samostatně (obsah ostatních bloků je zachován). Paměť se používá jako paměť typu ROM např. pro uložení firmware (např. ve vestavěných zařízeních). Výhodou této paměti je, že ji lze znovu naprogramovat, měnit její obsah (např. přeprogramování novější verzí firmware) bez vyjmutí ze zařízení s použitím minima pomocných obvodů. Proto se používá nově zejména jako základ kapacitních paměťových médií - karet, např. formátu SD, miniSD a microSD. (cs)
الذاكرة الوميضية (بالإنجليزية: Flash memory)‏ أو كما تسمى أحيانا ذاكرة فلاش، هي ذاكرة حاسوب مستدامة، قابلة للمسح وإعادة البرمجة بشكل رقمي. وهي نوع من أنواع الذاكرة القابلة للمسح وتبرمج في كتل تتألف من مواقع متعددة (في البدايات كانت الشريحة الداخلية تمسح بأكملها في المرة الواحدة) إن تكلفة الذواكر الوميضية أقل بكثير من الذاكرة القابلة للمسح ولذلك أصبحت التقنية المسيطرة في كل مكان يتطلب التخزين المتراص للكميات الكبيرة من المعلومات الهامة. كأمثلة على تطبيقاتها تتضمن، مشغلات الـ audio الرقمية، كاميرات رقمية وهواتف نقالة. وهي تستخدم أيضا في مشغلات USB الوميضية والتي تستخدم للتخزين العام ونقل المعطيات بين الحواسيب. وقد كسبت أيضا بعض الشعبية في محلات الألعاب حيث تستخدم بدلا عن الذواكر القابلة للمسح ومزودات الطاقة للذواكر ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة وذلك لحفظ معطيات اللعبة. (ar)
Η μνήμη φλας είναι μία συσκευή αποθήκευσης μνήμης για υπολογιστές και ηλεκτρονικές συσκευές. Χρησιμοποιείται πιο συχνά σε συσκευές όπως ψηφιακές κάμερες, μνήμες USB και βιντεοπαιχνίδια. Η μνήμη φλας είναι διαφορετική από τη μνήμη RAM, διότι η μνήμη RAM είναι προσωρινή. Όταν η παροχή ρεύματος σταματήσει, η μνήμη RAM χάνει όλα της τα δεδομένα, ενώ η μνήμη φλας μπορεί να διατηρήσει τα δεδομένα της άθικτα, χωρίς ανάγκη παροχής ρεύματος. Ο σκληρός δίσκος είναι επίσης μια μόνιμη συσκευή αποθήκευσης μνήμης, αλλά είναι ογκώδης και ευαίσθητος στα χτυπήματα. Η μνήμη φλας είναι πιο αργή από τη μνήμη RAM ή από ένα σκληρό δίσκο. Βέβαια, είναι ιδανική για μικρές ηλεκτρονικές συσκευές διότι είναι μικρή και δε διαθέτει κινούμενα μέρη. (el)
Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine für eine nichtflüchtige Speicherung ohne Erhaltungs-Energieverbrauch. Die genaue Bezeichnung dieses Speichertyps lautet Flash-EEPROM. Im Gegensatz zu gewöhnlichem EEPROM-Speicher lassen sich hier Bytes (die üblicherweise kleinsten adressierbaren Speichereinheiten) nicht einzeln löschen oder überschreiben. Flash-Speicher sind langsamer als Festwertspeicher (ROM). (de)
Fulmomemoro – speco de memoro (RAM), kiu konservas datumojn ankaŭ sen elektro kaj, diference de uzas icojn kaj ne havas moviĝantajn partojn. Pro la lasta kvalito fulmomemoro estas unu el plej fidindaj specoj de memoro. (eo)
Flash memory is an electronic non-volatile computer memory storage medium that can be electrically erased and reprogrammed. The two main types of flash memory, NOR flash and NAND flash, are named for the NOR and NAND logic gates. Both use the same cell design, consisting of floating gate MOSFETs. They differ at the circuit level depending on whether the state of the bit line or word lines is pulled high or low: in NAND flash, the relationship between the bit line and the word lines resembles a NAND gate; in NOR flash, it resembles a NOR gate. Flash memory, a type of floating-gate memory, was invented at Toshiba in 1980 and is based on EEPROM technology. Toshiba began marketing flash memory in 1987. EPROMs had to be erased completely before they could be rewritten. NAND flash memory, however, may be erased, written, and read in blocks (or pages), which generally are much smaller than the entire device. NOR flash memory allows a single machine word to be written – to an erased location – or read independently. A flash memory device typically consists of one or more flash memory chips (each holding many flash memory cells), along with a separate flash memory controller chip. The NAND type is found mainly in memory cards, USB flash drives, solid-state drives (those produced since 2009), feature phones, smartphones, and similar products, for general storage and transfer of data. NAND or NOR flash memory is also often used to store configuration data in numerous digital products, a task previously made possible by EEPROM or battery-powered static RAM. A key disadvantage of flash memory is that it can endure only a relatively small number of write cycles in a specific block. Flash memory is used in computers, PDAs, digital audio players, digital cameras, mobile phones, synthesizers, video games, scientific instrumentation, industrial robotics, and medical electronics. Flash memory has fast read access time, but it is not as fast as static RAM or ROM. In portable devices, it is preferred to use flash memory because of its mechanical shock resistance since mechanical drives are more prone to mechanical damage. Because erase cycles are slow, the large block sizes used in flash memory erasing give it a significant speed advantage over non-flash EEPROM when writing large amounts of data. As of 2019, flash memory costs much less than byte-programmable EEPROM and had become the dominant memory type wherever a system required a significant amount of non-volatile solid-state storage. EEPROMs, however, are still used in applications that require only small amounts of storage, as in serial presence detect. Flash memory packages can use die stacking with through-silicon vias and several dozen layers of 3D TLC NAND cells (per die) simultaneously to achieve capacities of up to 1 tebibyte per package using 16 stacked dies and an integrated flash controller as a separate die inside the package. (en)
La memoria flash es un medio de almacenamiento de memoria de computadora electrónico no volátil que se puede borrar y reprogramar eléctricamente. Los dos tipos principales de memoria flash, NOR flash y NAND flash, reciben su nombre de las puertas lógicas NOR y NAND. Permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que solo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en las memoria USB, unidades de estado sólido y las actuales BIOS. (es)
Flash memoria informazio biltegi elektroniko bat da, elektroniko ezabatu eta birprogramatu daitekeena. 1984an Toshibak aurkeztua, flash memoria EEPROM memorietatik garatu zen. Bi mota nagusi daude, NAND edo NOR ate logikoen erabilpenaren arabera. Flash memoria gelaxka indibidualen barne ezaugarriak dagozkien ate logikoenen antzerakoak dira. EPROM memoriak idatzi aurretik guztiz ezabatu behar diren bitartean, NAND motako flash memoriak blokeka idatzi eta irakurri daitezke, bloke hauek normalean gailu osoa baina asko txikiagoak direlarik. NOR motako flash memorietan byte bakarra idatzi daiteke ezabatu dagoen gelaxka batean edo byte bat bakarrik irakurri. NAND motakoak nagusiki memoria txarteletan, USB memoriatan, egoera solidoko unitateetan -2009 edo beranduago eginikoak- eta antzerako produktuetan erabiltzen dira, biltegi orokor bezala eta datu transferentziak egiteko. NAND edo NOR flash memoriak produktu digital ugaritan kongurazio datuak gordetzeko ere erabiltzen dira askotan; lehenago lan hau EPROM memoriak edo bateria bitartez elikatutako memoriak erabilita betetzen zen. Flash memorien desabantaila esanguratsu bat bloke espezifiko baten irakurketa/idazketa ziklo kopuru finitua da. Flash memoria mota bien erabilpen adibideen hartean ordenagailu pertsonalak, PDAk, audio erreproduktore digitalak, argazki-kamera digitalak, telefono mugikorrak, sintetizadoreak, bideo-jokoak, tresna zientifikoak, industriarako robotak, aparatu elektronikoa, eta abar aurkitu daitzeke. izateaz gain, flash memoriek azkarra daukate, DRAM memoriak bezain azkarra, edo ROM bezain azkarrak ez badira ere. Talka mekanikoekiko daukaten erresistentzia dela eta disko gogorak baino egokiagoak dira gailu eramngarrietarako, baita daukaten iraunkortasunagatik, presio altu, tenperatura, urperatzeak eta abar pairatzeko gai direlarik. Teknikoki flash memoria bat EEPROM memoria mota bat bada ere, "EEPROM" izena espezifikoki ez-flash EEPROM memorientzat erabiltzen da, bloke txikika -edo byteka- ezabatu daitezkeen flash memoriengandik bereizteko. Ezabatzeko zikloak geldoak izaterakoan, flash memoriak ezabatzeko erabiltzen diren bloke tamaina handiek abantaila emoten die ez-flash EEPROM memoriekiko datu kopuru haundiak idazterakoan. 2013an, flash memoriak byteka programagarriak diren EEPROMak baino askoz merkeagoak dira, eta egoera solidoko memoria ez hegazkor kopuru esanguratsu bat behar den sistemetan memoria mota nagusi bilakatu dira. (eu)
Memori kilat (flash memory) adalah sejenis EEPROM yang mengizinkan banyak lokasi memori untuk dihapus atau ditulis dalam satu operasi pemrograman. Istilah awamnya, dia adalah suatu bentuk dari chip memori yang dapat ditulis, tidak seperti chip memori akses acak/RAM, memori ini dapat menyimpan datanya tanpa membutuhkan penyediaan listrik. Memori ini biasanya digunakan dalam kartu memori, kandar kilat USB (USB flash drive), pemutar MP3, kamera digital, dan telepon genggam. (in)
La mémoire flash est une mémoire de masse à semi-conducteurs réinscriptible, c'est-à-dire possédant les caractéristiques d'une mémoire vive mais dont les données ne disparaissent pas lors d'une mise hors tension. La mémoire flash stocke dans des cellules de mémoire les bits de données qui sont conservées lorsque l'alimentation électrique est coupée. Sa vitesse élevée, sa durée de vie et sa faible consommation (qui est même nulle au repos) la rendent très utile pour de nombreuses applications : appareils photo numériques, téléphones cellulaires, imprimantes, assistants personnels (PDA), ordinateurs portables ou dispositifs de lecture et d'enregistrement sonore comme les baladeurs numériques, clés USB. De plus, ce type de mémoire ne possède pas d'éléments mécaniques, ce qui lui confère une grande résistance aux chocs. (fr)
フラッシュメモリ（英: Flash Memory）は、浮遊ゲートMOSFETと呼ばれる半導体素子を利用し、浮遊ゲートに電子を蓄えることによってデータ記録を行う不揮発性メモリである。東芝の舛岡富士雄が発明した。データを消去する際に、ビット単位ではなくブロック単位でまとめて消去する方式を採ることにより、構造が簡素化し、価格が低下したため、不揮発性半導体メモリが爆発的に普及するきっかけとなった。消去を「ぱっと一括して」行う特徴から、写真のフラッシュをイメージしてフラッシュメモリと命名された。 (ja)
플래시 메모리(영어: flash memory, 문화어: 흘래쉬기억기, 전기일괄소거형기억기)는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는(electrically erased and reprogrammed) 비휘발성 컴퓨터 기억 장치를 말한다. EEPROM과 다르게 여러 구역으로 구성된 블록 안에서 지우고 쓸 수 있다. 이제는 플래시 메모리의 가격이 EEPROM 보다 훨씬 싸기 때문에, 비휘발성 고체 상태(solid-state) 저장 매체가 상당량 필요한 곳에서는 가장 많이 사용되는 메모리 종류가 되었다. 대표적인 활용 예로 디지털 음악 재생기 (MP3), 디지털 카메라, 휴대 전화를 들 수 있다. 일반적인 데이터를 저장하고 컴퓨터 사이에 데이터를 옮기는 용도로 USB 드라이브를 많이 사용하는데, 이때도 플래시 메모리가 쓰인다. 또한 게임 자료를 저장하기 위해 EEPROM 대신 플래시 메모리가 자주 사용되고 있어 게임 시장에서도 인기를 얻고 있다. (ko)
In elettronica la memoria flash (anche chiamata flash memory) è un tipo di memoria a stato solido e non volatile, che per le sue prestazioni può anche essere usata come memoria a lettura-scrittura; quando viene utilizzata come ROM viene anche chiamata flash ROM. (it)
Onder flashgeheugen verstaat men een niet-vluchtige vorm van extern geheugen op basis van de EEPROM-techniek. Deze techniek maakt het mogelijk om door middel van één programmeeractie op verschillende plekken in het geheugen te schrijven of te wissen. Flashgeheugen is niet-vluchtig geheugen: het behoudt de data als het apparaat wordt uitgeschakeld. De naam "FLASH" is ontstaan, omdat dit type EEPROM in één keer (in een flits) volledig of gedeeltelijk gewist kan worden, om er vervolgens iets anders in te schrijven. Er zijn twee types flashgeheugen: NOR- en NAND-flash, gebaseerd op de schakelingen die worden gebruikt om een data-item op te slaan. Flashgeheugen wordt onder andere gebruikt als BIOS-ROM in pc's, in mp3-spelers, USB-sticks en solid state drives. Het wordt ook gebruikt in geheugenkaarten voor digitale camera's, mobiele telefoons en pda's. Flashgeheugen wordt veel gebruikt om ingebedde systemen te booten en om configuratiedata op te slaan, in plaats van bijvoorbeeld een harde schijf. Om een aantal redenen wordt vaak schrijftoegang tot het bestandssysteem op de flash genegeerd; tenzij voor upgrades van dergelijke systemen. Door het ontbreken van mechanische onderdelen (zoals die aanwezig zijn in een harde schijf), is flashgeheugen ook robuuster en daardoor te verkiezen bij ontwerpen die niet vast gemonteerd zijn. Om een hogere capaciteit te bereiken wordt flashgeheugen gekoppeld, zodat opslag van vele gigabytes tot terabytes mogelijk is. In laptops en pc's wordt steeds meer gebruik gemaakt van solid state drives (SSD), in plaats van de mechanische harde schijf.Deze trend heeft een aantal redenen, zoals hogere (toegangs)snelheid, robuustheid, minder stroomgebruik, en een lager gewicht. Een van de eigenschappen van flashgeheugen is dat de schrijftoegang veel trager is dan leestoegang. Alvorens een dataonderdeel gewijzigd kan worden, moet een volledige sector gewist worden (alle bits worden op '1' gezet), waarna de nodige bits op '0' gezet worden. Een typische grootte van een flashchip-sector is 64 kB: om een byte te wijzigen (bijvoorbeeld een karakter), moeten er meer dan 64.000 bytes worden gewist en herschreven. Het maximumaantal keren dat een individuele geheugencel kan worden geprogrammeerd ligt rond de 1 miljoen maal. Omdat met name de FAT-gegevens elke keer bij het schrijven opnieuw worden geprogrammeerd, moest er een oplossing worden bedacht voor de relatief korte levensduur van de veelgebruikte cellen in het geheugenelement, omdat de rest anders eveneens onbruikbaar zou worden. De oplossing is gelegen in het feit dat er in flashgeheugens een kleine processor is ingebouwd die de uitwendige adressering omzet in een interne dynamische adressering, waarbij steeds wordt gewisseld tussen de individuele cellen, zodat ze allemaal praktisch even vaak worden geprogrammeerd. De totale levensduur is hiermee verveelvoudigd. Door de robuuste uitvoering is flashgeheugen bestand tegen trillingen, stoten en vallen. (nl)
Pamięć flash (ang. flash memory) – rodzaj pamięci komputerowej (półprzewodnikowej, nieulotnej) stanowiącej rozwinięcie konstrukcyjne i kontynuację pamięci typu EEPROM. Dostęp do danych zapisanych w pamięci flash wykorzystuje stronicowanie pamięci: operacje odczytu, zapisu lub kasowania wykonywane są jednocześnie na ustalonej konstrukcyjnie liczbie komórek, pogrupowanych w strukturę będącą wielokrotnością słowa maszynowego (bajtu). Cechą wyróżniającą pamięć flash jest wykorzystanie technologii komórek wielostanowych. (pl)
Ett flashminne är ett datorminne som kan läsas och skrivas elektroniskt och som behåller informationen också då de inte har ström, medan information kan raderas bara blockvis. Begränsningen tillåter en enklare och därmed billigare struktur än den i tidigare EEPROM. De kan därför användas som massminnen också i billiga apparater, men begränsningen förhindrar användning av dem som arbetsminne. Flashminnen används i mobiltelefoner, digitalkameror, USB-minnen och annan vardagselektronik. Det är i denna sorts minnen som exempelvis foton lagras i en kamera eller telefon. I kameror är de ofta utbytbara för att ge den som vill möjlighet att köpa större minnen, för fler bilder, eller snabbare minnen för högresolutionsvideo och seriebildtagning. Flashminnet är en vidareutveckling av de tidigare minnestyperna EPROM och EEPROM och utvecklades av forskare inom Intel Corporation år 1988. De största tillverkarna av flashminnen är idag Samsung, Intel, AMD-Fujitsu, Toshiba och STMicroelectronics. Flashminnen kan delas in i två grundtyper: NOR och NAND. Den äldre NOR-typen är relativt lik ett EPROM eller RAM i såväl intern uppbyggnad som externt gränssnitt och kan därför användas på samma sätt vid läsning (dock ej vid skrivning). En mikroprocessor kan använda ett NOR-flash för direkt exekvering av ett lagrat program. NAND-typen är långsammare och kräver speciella kontrollkretsar för att anpassas till en mikroprocessor men är i gengäld betydligt billigare per bit. (sv)
Uma memória flash é um tipo de dispositivo de armazenamento não volátil, ou seja, mesmo se não tiver energia, manterá as informações que salvas nela. Diferente da memória ROM, a memória flash (ou flash ROM) pode ser atualizada. A Toshiba desenvolveu a Memória Flash a partir da Memória EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory), em meados da década de 1980, cujos chips são semelhantes ao da Memória RAM, permitindo que múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só operação. Em termos leigos, trata-se de um chip re-escrevível que, ao contrário de uma memória RAM convencional, preserva o seu conteúdo sem a necessidade de fonte de alimentação. Esta memória é comumente usada em cartões de memória, flash drives USB (pen drives), SSD, MP3 Players, dispositivos como os iPods com suporte a vídeo, PDAs, armazenamento interno de câmeras digitais e celulares. A memória flash é do tipo não-volátil, o que significa que não precisa de energia para manter as informações armazenadas no chip. Além disso, a memória flash oferece um tempo de acesso rápido, embora não tão rápido como a memória volátil (DRAM utilizadas para a memória principal em PCs), e melhor resistência do que discos rígidos. Estas características explicam a popularidade da memória flash em dispositivos portáteis. Outra característica da memória flash é que, quando embaladas em "cartões de memória", são extremamente duráveis, sendo capazes de resistir a pressão intensa, variações extremas de temperatura, e até mesmo imersão em água. Uma limitação é que a memória flash tem um número finito de modificações (escrita/exclusão). Porém este efeito é parcialmente compensado por alguns chips firmware ou drivers de arquivos de sistema de forma dinâmica e escreve contando o remapeamento dos blocos, a fim de difundir as operações escritas entre os setores. (pt)
Флеш-память (англ. flash memory) — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации. Эта статья о полупроводниковой технологии и связанных с ней электронных компонентах; о твердотельных накопителях есть другие статьи: карта памяти, USB-флеш-накопитель. Благодаря компактности, дешевизне, механической прочности, большому объёму, скорости работы и низкому энергопотреблению флеш-память широко используется в цифровых портативных устройствах и носителях информации. Серьёзным недостатком данной технологии является ограниченный ресурс носителей, а также чувствительность к электростатическому разряду. (ru)
Флешпа́м'ять — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом. На відміну від EEPROM (англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory), дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флешпам'яті. У перших розробках флешпам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чип повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флешпам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінантною технологією для випадків, коли потрібно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіоплеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флешпам'ять також використовується в USB-флешдисках («пальчикового» або «переносного диска»), які зазвичай використовуються для збереження та пересилання даних між двома комп'ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM або залежну від живлення SDRAM пам'ять для збереження інформації щодо прогресу гри.[джерело?] (uk)
快閃記憶體（英語：Flash memory），是一种像电可擦写只读存储器一样的存储器，允许對資料進行多次的刪除、加入或改写。這種記憶體廣泛用於記憶卡、隨身碟之中，因其可迅速改寫的特性非常適合手機、筆記本電腦、遊戲主機、掌機之間的檔案轉移，也曾經是數位相機、數位隨身聽和PDA的主要資料轉移方式。早期的快閃記憶體只要進行一次刪除就會連帶清除掉所有的資料，但目前已可以精確到對指定的資料進行單個刪除。與傳統的硬碟相比，快閃記憶體有更佳的動態抗震性，不會因為劇烈晃動而造成資料丟失；快閃記憶體在被做成記憶卡時非常堅固牢靠，可以浸在水中，也可抵抗高壓力和極端溫度；並且快閃記憶體屬於“非揮發性固態儲存”，非揮發性指的是在保存檔案時不需要消耗電力。基於以上這些優點，使得快閃記憶體非常適用於需要遊歷各種場所並需要隨時存檔的電子設備，因此在小型的可移動電子設備中大放異彩。快閃記憶體的出現迅速取代了造價高昂的普通EEPROM或需要保持供电才能保存数据的SRAM。快閃記憶體在分類上屬於“EEPROM”的一種，但一般業界所講的EEPROM指的是那種“非快閃式”的普通EEPROM，並不是指它。快閃記憶體以“大區塊抹除”的方式改寫其體內的資料，因為這種大區塊的特性導致它的“写入速度”往往慢于“读取速度”，但也導致它的成本遠遠低於“以位元組為單位寫入”的普通EEPROM。由於普通EEPROM需要一個一個位元的刪除已有資料，這讓其傳輸速度極其緩慢，相較之下快閃記體直接使用“大區塊抹除”則會快得多，在會多次用到高清畫面、高品質音樂的情況下尤為明顯。快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型，闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA，在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种：ONFI （页面存档备份，存于互联网档案馆）和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC、UFS和NVME（特用于苹果设备中的闪存）的方式存在。 (zh)

dbo:wikiPageExternalLink

dbo:wikiPageWikiLink

dbp:url

https://web.archive.org/web/20121031081837/http:/www.eetimes.com/design/memory-design/4211387/Understanding-and-selecting-higher-performance-NAND-architectures%3FEcosystem=memory-design

dct:subject

rdfs:comment

Flash paměť je nevolatilní (semipermanentní) elektricky programovatelná (tj. zapisovatelná) paměť s libovolným přístupem. Paměť je vnitřně organizována po blocích a na rozdíl od pamětí typu EEPROM lze plnit informacemi (programovat) každý blok samostatně (obsah ostatních bloků je zachován). Paměť se používá jako paměť typu ROM např. pro uložení firmware (např. ve vestavěných zařízeních). Výhodou této paměti je, že ji lze znovu naprogramovat, měnit její obsah (např. přeprogramování novější verzí firmware) bez vyjmutí ze zařízení s použitím minima pomocných obvodů. Proto se používá nově zejména jako základ kapacitních paměťových médií - karet, např. formátu SD, miniSD a microSD. (cs)
الذاكرة الوميضية (بالإنجليزية: Flash memory)‏ أو كما تسمى أحيانا ذاكرة فلاش، هي ذاكرة حاسوب مستدامة، قابلة للمسح وإعادة البرمجة بشكل رقمي. وهي نوع من أنواع الذاكرة القابلة للمسح وتبرمج في كتل تتألف من مواقع متعددة (في البدايات كانت الشريحة الداخلية تمسح بأكملها في المرة الواحدة) إن تكلفة الذواكر الوميضية أقل بكثير من الذاكرة القابلة للمسح ولذلك أصبحت التقنية المسيطرة في كل مكان يتطلب التخزين المتراص للكميات الكبيرة من المعلومات الهامة. كأمثلة على تطبيقاتها تتضمن، مشغلات الـ audio الرقمية، كاميرات رقمية وهواتف نقالة. وهي تستخدم أيضا في مشغلات USB الوميضية والتي تستخدم للتخزين العام ونقل المعطيات بين الحواسيب. وقد كسبت أيضا بعض الشعبية في محلات الألعاب حيث تستخدم بدلا عن الذواكر القابلة للمسح ومزودات الطاقة للذواكر ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة وذلك لحفظ معطيات اللعبة. (ar)
Η μνήμη φλας είναι μία συσκευή αποθήκευσης μνήμης για υπολογιστές και ηλεκτρονικές συσκευές. Χρησιμοποιείται πιο συχνά σε συσκευές όπως ψηφιακές κάμερες, μνήμες USB και βιντεοπαιχνίδια. Η μνήμη φλας είναι διαφορετική από τη μνήμη RAM, διότι η μνήμη RAM είναι προσωρινή. Όταν η παροχή ρεύματος σταματήσει, η μνήμη RAM χάνει όλα της τα δεδομένα, ενώ η μνήμη φλας μπορεί να διατηρήσει τα δεδομένα της άθικτα, χωρίς ανάγκη παροχής ρεύματος. Ο σκληρός δίσκος είναι επίσης μια μόνιμη συσκευή αποθήκευσης μνήμης, αλλά είναι ογκώδης και ευαίσθητος στα χτυπήματα. Η μνήμη φλας είναι πιο αργή από τη μνήμη RAM ή από ένα σκληρό δίσκο. Βέβαια, είναι ιδανική για μικρές ηλεκτρονικές συσκευές διότι είναι μικρή και δε διαθέτει κινούμενα μέρη. (el)
Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine für eine nichtflüchtige Speicherung ohne Erhaltungs-Energieverbrauch. Die genaue Bezeichnung dieses Speichertyps lautet Flash-EEPROM. Im Gegensatz zu gewöhnlichem EEPROM-Speicher lassen sich hier Bytes (die üblicherweise kleinsten adressierbaren Speichereinheiten) nicht einzeln löschen oder überschreiben. Flash-Speicher sind langsamer als Festwertspeicher (ROM). (de)
Fulmomemoro – speco de memoro (RAM), kiu konservas datumojn ankaŭ sen elektro kaj, diference de uzas icojn kaj ne havas moviĝantajn partojn. Pro la lasta kvalito fulmomemoro estas unu el plej fidindaj specoj de memoro. (eo)
Memori kilat (flash memory) adalah sejenis EEPROM yang mengizinkan banyak lokasi memori untuk dihapus atau ditulis dalam satu operasi pemrograman. Istilah awamnya, dia adalah suatu bentuk dari chip memori yang dapat ditulis, tidak seperti chip memori akses acak/RAM, memori ini dapat menyimpan datanya tanpa membutuhkan penyediaan listrik. Memori ini biasanya digunakan dalam kartu memori, kandar kilat USB (USB flash drive), pemutar MP3, kamera digital, dan telepon genggam. (in)
フラッシュメモリ（英: Flash Memory）は、浮遊ゲートMOSFETと呼ばれる半導体素子を利用し、浮遊ゲートに電子を蓄えることによってデータ記録を行う不揮発性メモリである。東芝の舛岡富士雄が発明した。データを消去する際に、ビット単位ではなくブロック単位でまとめて消去する方式を採ることにより、構造が簡素化し、価格が低下したため、不揮発性半導体メモリが爆発的に普及するきっかけとなった。消去を「ぱっと一括して」行う特徴から、写真のフラッシュをイメージしてフラッシュメモリと命名された。 (ja)
플래시 메모리(영어: flash memory, 문화어: 흘래쉬기억기, 전기일괄소거형기억기)는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는(electrically erased and reprogrammed) 비휘발성 컴퓨터 기억 장치를 말한다. EEPROM과 다르게 여러 구역으로 구성된 블록 안에서 지우고 쓸 수 있다. 이제는 플래시 메모리의 가격이 EEPROM 보다 훨씬 싸기 때문에, 비휘발성 고체 상태(solid-state) 저장 매체가 상당량 필요한 곳에서는 가장 많이 사용되는 메모리 종류가 되었다. 대표적인 활용 예로 디지털 음악 재생기 (MP3), 디지털 카메라, 휴대 전화를 들 수 있다. 일반적인 데이터를 저장하고 컴퓨터 사이에 데이터를 옮기는 용도로 USB 드라이브를 많이 사용하는데, 이때도 플래시 메모리가 쓰인다. 또한 게임 자료를 저장하기 위해 EEPROM 대신 플래시 메모리가 자주 사용되고 있어 게임 시장에서도 인기를 얻고 있다. (ko)
In elettronica la memoria flash (anche chiamata flash memory) è un tipo di memoria a stato solido e non volatile, che per le sue prestazioni può anche essere usata come memoria a lettura-scrittura; quando viene utilizzata come ROM viene anche chiamata flash ROM. (it)
Pamięć flash (ang. flash memory) – rodzaj pamięci komputerowej (półprzewodnikowej, nieulotnej) stanowiącej rozwinięcie konstrukcyjne i kontynuację pamięci typu EEPROM. Dostęp do danych zapisanych w pamięci flash wykorzystuje stronicowanie pamięci: operacje odczytu, zapisu lub kasowania wykonywane są jednocześnie na ustalonej konstrukcyjnie liczbie komórek, pogrupowanych w strukturę będącą wielokrotnością słowa maszynowego (bajtu). Cechą wyróżniającą pamięć flash jest wykorzystanie technologii komórek wielostanowych. (pl)
La memòria flaix és un medi d'emmagatzematge no volàtil que està desenvolupada a partir de la memòria EEPROM, van sorgir per proporcionar una major funcionalitat i flexibilitat a l'usuari i millorar l'elevat cost de les memòries EEPROM i la poca capacitat. Les memòries flaix van aprofitar les capacitats d'esborrat i programació elèctrica de les memòries EEPROM i es va optar per eliminar la possibilitat d'esborrar selectivament els bits de la memòria i es va optar en permetre únicament esborrar els blocs complets de mida fixa (normalment entre 16-128 KB). (ca)
Flash memory is an electronic non-volatile computer memory storage medium that can be electrically erased and reprogrammed. The two main types of flash memory, NOR flash and NAND flash, are named for the NOR and NAND logic gates. Both use the same cell design, consisting of floating gate MOSFETs. They differ at the circuit level depending on whether the state of the bit line or word lines is pulled high or low: in NAND flash, the relationship between the bit line and the word lines resembles a NAND gate; in NOR flash, it resembles a NOR gate. (en)
Flash memoria informazio biltegi elektroniko bat da, elektroniko ezabatu eta birprogramatu daitekeena. 1984an Toshibak aurkeztua, flash memoria EEPROM memorietatik garatu zen. Bi mota nagusi daude, NAND edo NOR ate logikoen erabilpenaren arabera. Flash memoria gelaxka indibidualen barne ezaugarriak dagozkien ate logikoenen antzerakoak dira. Talka mekanikoekiko daukaten erresistentzia dela eta disko gogorak baino egokiagoak dira gailu eramngarrietarako, baita daukaten iraunkortasunagatik, presio altu, tenperatura, urperatzeak eta abar pairatzeko gai direlarik. (eu)
La memoria flash es un medio de almacenamiento de memoria de computadora electrónico no volátil que se puede borrar y reprogramar eléctricamente. Los dos tipos principales de memoria flash, NOR flash y NAND flash, reciben su nombre de las puertas lógicas NOR y NAND. Permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que solo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. (es)
La mémoire flash est une mémoire de masse à semi-conducteurs réinscriptible, c'est-à-dire possédant les caractéristiques d'une mémoire vive mais dont les données ne disparaissent pas lors d'une mise hors tension. La mémoire flash stocke dans des cellules de mémoire les bits de données qui sont conservées lorsque l'alimentation électrique est coupée. (fr)
Onder flashgeheugen verstaat men een niet-vluchtige vorm van extern geheugen op basis van de EEPROM-techniek. Deze techniek maakt het mogelijk om door middel van één programmeeractie op verschillende plekken in het geheugen te schrijven of te wissen. Flashgeheugen is niet-vluchtig geheugen: het behoudt de data als het apparaat wordt uitgeschakeld. De naam "FLASH" is ontstaan, omdat dit type EEPROM in één keer (in een flits) volledig of gedeeltelijk gewist kan worden, om er vervolgens iets anders in te schrijven. (nl)
Uma memória flash é um tipo de dispositivo de armazenamento não volátil, ou seja, mesmo se não tiver energia, manterá as informações que salvas nela. Diferente da memória ROM, a memória flash (ou flash ROM) pode ser atualizada. Uma limitação é que a memória flash tem um número finito de modificações (escrita/exclusão). Porém este efeito é parcialmente compensado por alguns chips firmware ou drivers de arquivos de sistema de forma dinâmica e escreve contando o remapeamento dos blocos, a fim de difundir as operações escritas entre os setores. (pt)
Ett flashminne är ett datorminne som kan läsas och skrivas elektroniskt och som behåller informationen också då de inte har ström, medan information kan raderas bara blockvis. Begränsningen tillåter en enklare och därmed billigare struktur än den i tidigare EEPROM. De kan därför användas som massminnen också i billiga apparater, men begränsningen förhindrar användning av dem som arbetsminne. (sv)
Флеш-память (англ. flash memory) — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации. Эта статья о полупроводниковой технологии и связанных с ней электронных компонентах; о твердотельных накопителях есть другие статьи: карта памяти, USB-флеш-накопитель. (ru)
快閃記憶體（英語：Flash memory），是一种像电可擦写只读存储器一样的存储器，允许對資料進行多次的刪除、加入或改写。這種記憶體廣泛用於記憶卡、隨身碟之中，因其可迅速改寫的特性非常適合手機、筆記本電腦、遊戲主機、掌機之間的檔案轉移，也曾經是數位相機、數位隨身聽和PDA的主要資料轉移方式。早期的快閃記憶體只要進行一次刪除就會連帶清除掉所有的資料，但目前已可以精確到對指定的資料進行單個刪除。與傳統的硬碟相比，快閃記憶體有更佳的動態抗震性，不會因為劇烈晃動而造成資料丟失；快閃記憶體在被做成記憶卡時非常堅固牢靠，可以浸在水中，也可抵抗高壓力和極端溫度；並且快閃記憶體屬於“非揮發性固態儲存”，非揮發性指的是在保存檔案時不需要消耗電力。基於以上這些優點，使得快閃記憶體非常適用於需要遊歷各種場所並需要隨時存檔的電子設備，因此在小型的可移動電子設備中大放異彩。快閃記憶體的出現迅速取代了造價高昂的普通EEPROM或需要保持供电才能保存数据的SRAM。快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型，闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA，在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种：ONFI （页面存档备份，存于互联网档案馆）和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC、UFS和NVME（特用于苹果设备中的闪存）的方式存在。 (zh)
Флешпа́м'ять — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом. На відміну від EEPROM (англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory), дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флешпам'яті. У перших розробках флешпам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чип повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флешпам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінантною технологією для випадків, коли потрібно довготривале, стійке збереження інформації. (uk)

rdfs:label

ذاكرة وميضية (ar)
Memòria flaix (ca)
Flash paměť (cs)
Flash-Speicher (de)
Μνήμη φλας (el)
Fulmomemoro (eo)
Flash memoria (eu)
Memoria flash (es)
Memori kilat (in)
Flash memory (en)
Mémoire flash (fr)
Memoria flash (it)
フラッシュメモリ (ja)
플래시 메모리 (ko)
Flashgeheugen (nl)
Pamięć flash (pl)
Memória flash (pt)
Флеш-память (ru)
Flashminne (sv)
闪存 (zh)
Флешпам'ять (uk)

owl:sameAs

foaf:depiction

is dbo:product of

is dbo:wikiPageRedirects of

is dbp:storage of