weblio英語例文検索 (original) (raw)
polishing rateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 479件
例文
To provide a metal polishing liquid which inhibits dishing generation of an object to be polished, is high for the polishing rate, and is superior in keeping the polishing rate ratio between a barrier metal of a diffusion-preventing film of copper and copper, and to provide a chemical, mechanical polishing method which uses the metal polishing liquid.例文帳に追加
被研磨体のディッシング発生が抑制され、銅などの金属配線の研磨速度が高く、銅と銅の拡散防止膜であるバリア金属との研磨速度比の確保に優れた金属用研磨液、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法を提供する。 - 特許庁
The polishing apparatus 30 conditions the polishing surface 32 by the conditioner 60 and performs polishing under a non-Preston range in which a polishing rate is not proportional to a product of pressure for pressing the wafer W to the polishing surface 32 and the relative speed between the polishing surface 32 and the wafer W.例文帳に追加
この研磨装置３０においては、コンディショナ６０により研磨面３２のコンディショニングを行いつつ、ウェハＷを研磨面３２に対して押圧する圧力と、研磨面３２とウェハＷとの相対速度との積に研磨速度が比例しない非プレストン領域内の条件下で研磨を行う。 - 特許庁
To provide a polishing pad suitable for polishing a semiconductor wafer wherein generation of scratch is little, the lifetime of a polishing layer is superior and the polishing rate is stabilized, in a polishing pad which has the polishing layer in which fine abrasive particles are dispersed in a resin and uses no slurry.例文帳に追加
樹脂中に微粒子砥粒が分散された研磨層を有し、スラリーを使用しない研磨パッドにおいて、スクラッチの発生が少なく、研磨層の寿命が良好で研磨レートが安定した半導体ウエハ研磨用に好適な研磨パッドを提供する。 - 特許庁
The calculation of the polishing rate and the polishing time can be set highly accurately in response to actual chemicalmechanical polishing conditions for polishing a product wafer by using a formula which favorably approximates a portion at the side showing an aimed polishing amount among curves showing chemicalmechanical polishing conditions as a calculation formula.例文帳に追加
化学的機械的研磨の状況を示す曲線のうち、目標研磨量を示す側の部分を良く近似する式を算出式として用いることで、研磨レートや研磨時間の算出を、実際に製品ウエハの研磨を実施する化学的機械的研磨状況に則して精度高く設定することができる。 - 特許庁
例文
To provide a polishing pad which solves the problem of scratching caused by the use of conventional hard (dry) polishing pads, achieves an excellent polishing rate and polishing uniformity, and is applicable not only to primary polishing but also to finish polishing, and to provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加
従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
例文
To provide a method and apparatus for dressing a polishing pad, a substrate polishing apparatus, and a substrate polishing method capable of constantly keeping a cutting rate of the polishing pad at the replacement of a dresser, preventing variations of a polishing rate and a polishing profile by individual differences of dressers, and pre-conditioning the dresser without affecting the polishing pad.例文帳に追加
ドレッサーの交換時の研磨パッドのパッドカットレートを一定に保ちドレッサーの固体差による研磨レート及び研磨プロファイルのバラツキを防止することができ、研磨パッドに影響を及ぼすことなくドレッサーの慣らしを行うことができる研磨パッドのドレッシング方法、研磨パッドのドレッシング装置、基板研磨装置、及び基板研磨方法を提供すること。 - 特許庁
To obtain a polishing composition having a great selectivity for polishing rate between silicon oxide and silicon nitride for the integrated circuit industry and a high polishing rate for a polymer having a low permittivity.例文帳に追加
集積回路産業のための酸化ケイ素と窒化ケイ素の間の研磨速度に大きな選択度を持ちかつ低誘電率を持つ高分子に対して高い研磨速度を持つ研磨組成物を提供する。 - 特許庁
The polishing rate estimation unit K has a constitution for estimating the polishing rate using the information on the calorie generated through the polishing according to the predetermined program.例文帳に追加
研磨レート推定部Ｋは、あらかじめ与えられているプログラムに従って、研磨により発生した熱量の情報を利用して研磨レートを推定する構成を有している。 - 特許庁
To provide a polishing composition of high selectivity that the polishing rate of a tantalum compound is small though a copper polishing rate is large in the CMP processing process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加
銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物を提供する。 - 特許庁
例文
Thereby slurry can enter into the recesses 502, an apparent polishing rate can be increased, and a uniform polishing rate in the surface of a substrate in the polishing step can be obtained.例文帳に追加
これにより、凹部５０２にスラリーが入り込み、見かけ上の研磨レートをあげることができ、研磨工程において基板面内で均一な研磨レートを得ることができる。 - 特許庁
例文
The polishing solution contains a compound including, at least, either of nitrogen molecules and sulfur molecules, and at least, one of the polishing friction, etching rate, polishing rate, and surface uniformity of the layer to be polished is controlled by the compound.例文帳に追加
窒素分子及び硫黄分子の少なくとも一方を含む化合物を含有し、該化合物が被研磨層の研磨摩擦、エッチング速度、研磨速度及び面内均一性の内の少なくとも一つを制御することを特徴とする研磨液。 - 特許庁
A first CMP (chemical mechanical polishing) is then performed using slurry containing a Cu protective film forming agent sufficiently such that the polishing rate of Cu is sufficiently higher than the polishing rate of TaN.例文帳に追加
次に、Ｃｕの研磨レートがＴａＮの研磨レートより十分大きく、かつ、Ｃｕ保護膜形成剤が十分に含有されたスラリーを用いて第１のＣＭＰを行う。 - 特許庁
A polishing rate managing means 15 estimates the polishing rate from the data managed by the apparatus data measuring means 10 and the consumable supplies data managing means 11 and the estimating model expression in polishing a product wafer.例文帳に追加
研磨レート管理手段１５は、製品ウエハ研磨時に装置データ測定手段１０と消耗品データ管理手段１１とに管理されているデータと、推定モデル式とから研磨レートを推測する。 - 特許庁
To provide a chemical mechanical polishing liquid ensuring superior polishing rate when compared with conventional polishing rate, without using a metal oxide solubilizer forming a water soluble complex which may cause dishing.例文帳に追加
ディッシングの原因となりうる水溶性錯体を形成する酸化金属溶解剤を使わずに、従来よりも優れた研磨速度を得られる化学的機械的研磨液を提供すること。 - 特許庁
To provide this device/method uniforming a polishing rate, stabilizing an average polishing rate, and reducing scratch in a work surface in regard to polishing of a CMP or the like.例文帳に追加
ＣＭＰ等の研磨において、被加工面内における研磨率の均一化と面内平均研磨率の安定化、及びスクラッチの低減をはかった加工方法およびその装置並びに半導体基板の加工方法を提供することにある。 - 特許庁
In order to flat the rugged pattern forming the recording layer 32-1, polishing is conducted by disposing a second filler 38 with a low polishing rate on a first filler 36 with a high polishing rate.例文帳に追加
記録層３２−１を形成する凸凹パターンを平坦化するため、高研磨レートの第１の充填材３６の上に、低研磨レートの第２の充填材３８を設け、研磨する。 - 特許庁
To improve the efficiency of a polishing process by keeping an excellent wafer polishing rate while suppressing the metallic contamination of the wafer taking into consideration the balance of the metallic contamination of the wafer and the polishing rate of the wafer.例文帳に追加
ウェーハの金属汚染量とウェーハ研磨率とのバランスを考慮し、ウェーハの金属汚染を抑制しつつウェーハ研磨率を良好に保ち、研磨工程の効率を向上させる。 - 特許庁
To provide a polishing liquid which can achieve a high polishing rate for metal, a low etching rate and a reduced polishing friction, to adapt for producing a semiconductor device having a metal interconnection of a reduced dishing and erosion with a high productivity.例文帳に追加
生産性が高く金属配線のディッシングとエロージョンが小さい半導体デバイスを得るために、金属の研磨速度が大で、エッチング速度が小で、かつ研磨摩擦が小さい研磨液を提供する。 - 特許庁
To obtain an aqueous dispersion for chemical machine polishing useful for polishing copper, having a high polishing rate, capable of decreasing an erosion rate in overpolishing.例文帳に追加
研磨速度が高く、オーバーポリッシュ時のエロージョン速度を小さくすることができる銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁
Fumed silica is used as abrasive grains, and the metal film polishing composition is set nearly at pH7, whereby a selection ratio between a metal film polishing rate and an oxide film polishing rate can be made small.例文帳に追加
ヒュームドシリカを砥粒として用いて、ｐＨを中性付近とすることで金属膜研磨速度と酸化膜研磨速度との比である選択比を小さくすることができる。 - 特許庁
To provide a polishing device of a semiconductor substrate and a method for polishing the semiconductor substrate using the same, in which it is possible to polish it at a stable polishing rate and to suitably process a fluid fed for polishing the semiconductor substrate.例文帳に追加
安定した研磨レートで研磨できるとともに、半導体基板の研磨のために供給された液体を適切に処理することができる半導体基板の研磨装置およびこれを用いた半導体基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁
To provide a work polishing device capable of polishing a work excellent in flatness while making a polishing rate adjustable by changing the pH of a polishing liquid to a required value.例文帳に追加
研磨液のｐＨを所要値に変更することにより、研磨レートを調整可能として、平坦性に優れるワークの研磨を行うことのできるワーク研磨装置を提供する。 - 特許庁
Subsequently, the remaining tungsten film and a portion of the silicon oxide film are polished using a third polishing solution generated by mixing the first polishing solution and a second polishing solution exhibiting higher polishing rate for the silicon oxide film 3 than for the tungsten film 5b.例文帳に追加
その後、第１研磨液と、タングステン膜５ｂの研磨速度に対して酸化シリコン膜３の研磨速度が速い第２研磨液とを混合した第３研磨液を用いて、残りのタングステン膜と酸化シリコン膜の一部を研磨する。 - 特許庁
To allow high-performance flattening at a high Cu polishing rate and to reduce the polishing particles left on a polished surface after polishing in the metal polishing liquid.例文帳に追加
金属用研磨液において、高いＣｕ研磨速度で高平坦化を可能とし、かつ研磨後の被研磨面表面に残留する研磨粒子を低減する。 - 特許庁
To optionally control a polishing rate in an outer circumferential edge part of a polishing object, in particular, while polishing uniformly the polishing object such as a semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウェハ等の研磨対象物を均一に研磨しつつ、特に研磨対象物の外周縁部の研磨レートを任意に制御することができる基板保持装置及びポリッシング装置を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing agent for a silicon wafer and a material of the same kind which can improve productivity by raising a polishing rate and improve wafer qualities by preventing metal contamination, and a polishing method using the polishing agent.例文帳に追加
シリコンウェーハ及び同様の材料の研磨剤であって、研磨速度の向上による生産性の向上、及び金属汚染の防止によるウェーハ品質の向上を図る研磨剤及びその研磨剤を用いる研磨方法を提供する。 - 特許庁
Consequently, the temperature becomes uniform in the polishing surface of the wafer W at the time of polishing, the polishing rate is made uniform in the polishing surface and the flatness of the polished surface of the wafer W is enhanced.例文帳に追加
結果、研磨時のウェーハＷの研磨面内の温度が均一化し、研磨面内の研磨レートが均一となり、ウェーハＷの研磨面の平坦度が高まる。 - 特許庁
To provide a polishing end point detecting method and a polishing end point detecting device that can detect an accurate polishing end point by using the variation (degradation) of polishing rate.例文帳に追加
研磨レートの変化（低下）を利用して正確な研磨終点を検知することができる研磨終点検知方法および研磨終点検知装置を提供する。 - 特許庁
In the method for manufacturing the semiconductor device, a change of a polishing rate caused by a change of the state of a polishing machine is estimated by using a model formula based on an equipment parameter during a polishing process to calculate a polishing time of a film to be polished.例文帳に追加
半導体装置の製造方法では、研磨装置状態の変化による研磨レートの変化を研磨処理時の設備パラメータからモデル式を用いて予測し、被研磨膜の研磨時間を算出する。 - 特許庁
To provide a polishing pad that does not easily get clogged with slurry even after wear caused by polishing or dressing process and is improved in deterioration of a polishing rate as compared to before, in a chemical mechanical polishing method.例文帳に追加
化学機械研磨方法において、研磨やドレス加工による摩耗後もスラリーが目詰まりしにくく、研磨レートの低下が従来より改善された研磨パッドを提供する。 - 特許庁
To provide a polishing device allowing polishing in an optimum state by bringing a working surface of an object to be polished into uniform pressure contact with the surface of a pad and improvement of polishing performance, a polishing rate and productivity.例文帳に追加
被研磨物の加工面をパッド表面に均一に圧接させることにより最適な状態で研磨でき、研磨性能、研磨レートおよび生産性の向上が可能な研磨装置を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing sheet not deformed with the elapse of time in use and capable of uniformly smoothening the surface of a polishing object at a high polishing rate and a method of manufacturing the polishing sheet.例文帳に追加
使用時間の経過とともに変形せず、高い研磨レートで研磨対象物表面を均一に平坦化できる研磨シート及び方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a composition for polishing pads, containing a substance having a specified functional group superior in hydrophilic properties, etc., and a polishing pad which has a superior water resistance and durability and a superior polishing performance with high polishing rate, etc.例文帳に追加
親水性等に優れた特定の官能基を有する物質を含有する研磨パッド用組成物、及び優れた耐水性、耐久性を有し、且つ高い研磨速度等の研磨性能に優れる研磨パッドを提供する。 - 特許庁
To provide a platen that can carry out polishing without deteriorating shape accuracy and at the same time without using any liberation abrasive polishing liquid such as colloidal silica, and prevents the generation of polishing marks and variation in a machining rate, and to provide a polishing method.例文帳に追加
形状精度を劣化させることなく、かつコロイダルシリカ等の遊離砥粒研磨液を使用せずに研磨でき、また研磨傷の発生や加工レートの変動の生じない定盤および研磨方法を提供する。 - 特許庁
To provide a wash-free rice apparatus capable of performing rice milling and rice polishing continuously and rapidly with a simple arrangement of the apparatus and increasing the polishing flow rate without lowering of the rice polishing capacity in the polishing section.例文帳に追加
簡易な構成により、精米処理と研米処理とを連続して迅速に処理しつつ、研磨部での研米処理能力を低下させないで研米流量を大きくすることができる無洗米装置を提供すること。 - 特許庁
In the CMP treatment, polishing wastes of metal films, oxide films, etc., and polishing grains and chemicals, such as solvents, etc., in a slurry remain on the polishing cloth and they are accumulated over a long lapse of time to deteriorate a polishing rate.例文帳に追加
ＣＭＰを行うと研磨布上にメタル膜や酸化膜等の研磨屑、スラリ中の研磨粒子や溶媒等の薬品が付着し、これらは研磨時間が長くなるにつれて蓄積していくことにより研磨レートの低下を引き起こす。 - 特許庁
To provide a polishing pad that has a fine pattern formed on a semiconductor wafer, is used for a polishing process for planarizing fine irregularities in the pattern, especially contains independent bubbles, and has a high polishing rate in polishing.例文帳に追加
半導体ウエハ上に微細なパターンが形成されており、該パターンの微小な凹凸を平坦化する研磨工程に使われる研磨パッド、特に独立気泡を含有し、研磨時に高い研磨レートを有する研磨パッドを提供する。 - 特許庁
To provide an apparatus for polishing, capable of automatically setting polishing conditions for obtaining proper polishing uniformity by determining a result by heretofore automatically calculating a polishing rate confirmed by an operator and polishing uniformity and automatically guiding optimum control parameters of a mechanism for regulating a polishing shape from a polishing result, by automatically executing a polishing test.例文帳に追加
従来オペレータが確認していた研磨レート並びに研磨均一性の算出を自動で行い、その結果を判断して良好な研磨均一性を得るための研磨条件を自動で設定することができ、また研磨テストを自動で実施した上で、研磨結果から研磨形状を調整する機構の最適な制御パラメータを自動で導出することのできる研磨装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a gallium nitride substrate which can reduce the rate of crack incidence during the operation of precision polishing after practising the rough polishing of a gallium polarity surface.例文帳に追加
ガリウム極性面の粗研磨実施後の精密研磨実施中のクラック発生率を低下させることができる窒化ガリウム基板を提供する。 - 特許庁
To provide an abrasive tape capable of smoothly polishing an edge of a workpiece at a high polishing rate without contamination of the workpiece due to metals and a method.例文帳に追加
金属類によるワークの汚染がなく、ワークのエッジを高い研磨レートで平滑に研磨できる研磨テープ及び方法を提供することである。 - 特許庁
By thus providing two cutting surfaces, a long service life and the high polishing rate of the polishing 5 cloth can be achieved without cutting the surface more than necessary.例文帳に追加
２つの切削面を持つことにより、表面を必要以上に切削することなく、研磨布の長寿命化、かつ高研磨レートを可能にする。 - 特許庁
To provide a method for performing chemical mechanical polishing (CMP) over a Cu thin film at a high polishing rate while suppressing corrosion of Cu wiring.例文帳に追加
本発明は、高い研磨速度でＣｕ薄膜のＣＭＰ を行い、かつＣｕ配線の腐食を抑制する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
A step St3 calculates a predictive film thickness distribution after polishing based on the measured film thickness distribution of the film to be polished and the polishing rate distribution.例文帳に追加
ステップＳｔ３で、測定した被研磨膜の膜厚分布と研磨レート分布とに基づいて研磨後の被研磨膜の予測膜厚分布を算出する。 - 特許庁
To provide a composite for chemical mechanical polishing having a high-level polishing rate and capable of solving a metal dishing and residue problem.例文帳に追加
ハイレベルな研磨速度を有しながらも、金属のディッシングおよび残留問題を解決することができる化学機械研磨用組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing composition for polishing a tungsten film and an insulation film at a high selective rate while scarcely causing erosion.例文帳に追加
タングステン膜と絶縁体膜とを高い選択比で研磨でき、かつエロージョンの少ない研磨用組成物の提供。 - 特許庁
To provide a polishing composition in which the hydrophilization of a wafer surface can be performed, without causing reduction in the polishing rate.例文帳に追加
研磨レートを低下させることなくウェーハ表面を親水化することができる研磨組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a cerium-based polish even if it contains no F, having high polishing rate and good at polishing accuracy, and to provide a cerium-based polish.例文帳に追加
Ｆを含有しなくとも、研摩速度が高く、研摩精度の良好なセリウム系研摩材の製造方法及びセリウム系研摩材を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing pad which includes an entangled nonwoven fabric and a polymeric elastomer, and in which wear resistance and a polishing rate are enhanced.例文帳に追加
絡合不織布と高分子弾性体とを含む耐摩耗性及び研磨レートを向上させた研磨パッドを提供する。 - 特許庁
To provide a low cost polishing pad which flattens the surface of a workpiece with a high polishing rate without causing a scratch on the surface.例文帳に追加
低コストで、表面にスクラッチを形成せずに、高い研磨レートでワークの表面を平坦化できる研磨パッドを提供することである。 - 特許庁
例文
To provide a polishing head reducing influence on a polishing rate against fluctuation of thickness and pressure of a wafer and a retainer.例文帳に追加
ウエーハやリテーナの厚さ、及び圧力の変動に対しての研磨レートへの影響が低減できる研磨ヘッドを提供する。 - 特許庁