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polishing rateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 479件
例文
Film thicknesses at 49 locations are measured to obtain average values before and after the polishing and the difference between these average values provides the polishing rate (Å/min) at respective polishing head pressure.例文帳に追加
研磨前後のシリコンウェハーについて、４９箇所の膜厚の平均値を求め、平均膜厚の差を各研磨ヘッド圧力における研磨速度（Å／分）とする。 - 特許庁
To provide a polishing pad for a CMP capable uniforming a polishing rate within a polished surface with no excessive consumption of slurry as the slurry is properly held between the polished surface and the polishing pad.例文帳に追加
被研磨面と研磨パッドとの間にスラリが適切に保持されて、スラリの余分な消費がなく、被研磨面内での研磨レートを均一にできるＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。 - 特許庁
To provide a polishing method for obtaining an aluminum nitride thin-film surface with less average surface roughness, polishing rate scattering, and surface residue after polishing when the surface is to be polished after the aluminum nitride thin-film has been formed.例文帳に追加
窒化アルミ薄膜を成膜した後に表面を研磨するに当たり、平均表面粗さが小さく、研磨レートのばらつきも小さく、しかも研磨後の表面の残留物が少ない窒化アルミ薄膜表面が得られる研磨方法を提供する。 - 特許庁
Thus, the polishing means (polishing part) 16 is made into atmosphere in which oxygen is extremely a little, and the surface of the wafer W is not oxidized, and the polishing rate is stabilized.例文帳に追加
これにより研磨手段（研磨部）１６は酸素が極度に少ない雰囲気となり、ウエーハＷの表面が酸化されず研磨レートが安定するようにした。 - 特許庁
例文
To provide a slurry composition which can improve polishing rate, prevent surface polishing flaw and make working environment for polishing process better, and an abrasive grain dispersion medium for the preparation of the slurry composition.例文帳に追加
研磨速度を向上させることができると共に、表面研磨傷を防止することができ、かつ、研磨加工の作業環境を良好にできる、スラリー組成物、および、該スラリー組成物を製造するための砥粒分散媒を提供する。 - 特許庁
例文
To enhance detecting accuracy of a polishing rate without adversely affecting a polishing property by preventing permeation of slurry into a base layer of a polishing pad by providing a waterproofing layer on a peripheral side surface of the base layer.例文帳に追加
下地層の周側面に防水層を設けることにより、研磨パッドの下地層内にスラリーが浸透することを防止して、研磨特性に悪影響を及ぼさず、また研磨レートの検出精度を上げるようにする。 - 特許庁
In this time, the thickness of each film to be polished before polishing is recognized for each wafer, and the polishing time is calculated by correcting the amount of the change of the polishing rate caused by a film thickness difference.例文帳に追加
この際には、被研磨膜の研磨前膜厚を各ウェーハ毎に把握し、この膜厚差による研磨レートの変化分を補正して研磨時間を算出する。 - 特許庁
Furthermore, as a primary polishing for removing an oxidized film with abrasive grains is performed, the polishing rate by an alkaline aqueous solution is increased when the secondary polishing in the absence of abrasive grains is carried out.例文帳に追加
さらに、砥粒で酸化膜を除去する１次研磨を行うので、砥粒が存在しない２次研磨時、アルカリ性水溶液による研磨レートが高まる。 - 特許庁
To provide dispersion liquid showing excellent polishing speed (polishing rate) and dispersed with polishing particles capable of remarkably suppressing generation of linear traces on a surface of a base material to be polished.例文帳に追加
優れた研磨速度（研磨レート）を示し、被研磨基材表面での線状痕発生も大幅に抑止可能な研磨用粒子が分散した分散液を提供する。 - 特許庁
例文
To provide a surface-machining method for a polishing pad that achieves stable manufacturing of a specific napped layer, and a polishing pad, achieved by the method, that prevents the occurrence of scratches, has a high polishing rate, and is suitable for a combination with conditioning by a brush.例文帳に追加
特定の起毛層を安定化して製造することが可能となり、得られる研磨パッドはスクラッチの発生が少なく、高い研磨レートを有し、ブラシによるコンディショニングとの組み合せに適する研磨パッドを提供する。 - 特許庁
例文
To provide a wiring metal polishing composition which does not produce a scar called scratch and has a high polish rate in polishing a substrate having a metal such as wiring formed on a semiconductor wafer, to provide a manufacturing method, and to provide a polishing method.例文帳に追加
半導体ウェハー上に形成された配線などの金属を有する基盤の研磨において、スクラッチと呼ばれる傷がなく研磨速度の高い配線金属研磨用組成物、製造方法、および研磨方法を提供する。 - 特許庁
To provide a metal polishing solution with a high polishing rate in the barrier layer and a high flatness which is suitable for semiconductor devices featured by miniaturization, thinner film, dimensional accuracy, electrical characteristics, high reliability and low cost, and a polishing method using this solution.例文帳に追加
微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適な、バリア層の研磨速度が大きく、平坦性が高い金属用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a polishing pad capable of improving flattening within a wafer surface and polishing rate by forming a number of penetrating holes in the whole surface of the body of the polishing pad and improving productivity while preventing slurry from being accumulated in the penetrating holes.例文帳に追加
研磨パッド本体の全面に多数の貫通孔を形成して、ウエハ面内の平坦化と研磨レートを向上し、かつ貫通孔内にスラリーが溜まるのを防止しながら、生産性を向上する研磨パッドを提供する。 - 特許庁
To provide a polishing method capable of providing a high polishing rate and high surface smoothness and preventing the occurrence of a scratch in a process for smoothing a surface of an optical member by chemical machinery polishing for removing a protruding part and an adhered foreign matter of the surface thereof.例文帳に追加
光学部材の表面の突出した部分や付着異物を化学機械研磨によって表面を滑らかにするプロセスにおいて、研磨レートが高く、表面平滑性が高く、スクラッチが入りにくい研磨方法を提供する。 - 特許庁
To obtain an abrasive particle powder maintaining a sufficient polishing rate and having an excellent polished surface and improving washing properties of the abrasive particle powder remaining after polishing in polishing using a cerium-based abrasive particle powder.例文帳に追加
セリウム系研摩材粒子粉末を用いた研摩において、十分な研摩速度を維持しながら、研摩表面が優れ、かつ研摩後に残存する研摩材粒子粉末の洗浄性を高めた研摩材粒子粉末を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing pad capable of reducing influence of vibration from a polishing machine, reducing a failure rate of a material to be polished, and improving the flatness thereof even in a case of low-pressure polishing.例文帳に追加
研磨機からの振動の影響を低減し、被研磨物の欠陥率を低減させ平坦性を向上させることができる研磨パッドを提供する。 - 特許庁
To provide a polishing pad which minimizes edge sagging of a wafer, reduces generation of unusual sound, vibration and damping, by suppressing the slidability of a polishing head, and is excellent in pad service life and polishing rate.例文帳に追加
ウエハの縁ダレを抑制し、かつ研磨ヘッドの摺動性を抑制して研磨時の異音、振動、及びダンピングを軽減することのできる研磨パッドを提供すること。 - 特許庁
To provide a method and a device for forming the temperature distribution of a semiconductor wafer at the time of polishing in which a high flatness wafer can be obtained by acquiring the temperature distribution of a semiconductor wafer at the time of polishing and making the polishing rate uniform in the wafer plane.例文帳に追加
研磨時の半導体ウェーハの温度分布を取得し、ウェーハ面内の研磨レートを均一化させ、高平坦度ウェーハを得る半導体ウェーハの研磨時の温度分布作成方法およびその作成装置を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing device capable of restraining deterioration of a polishing rate and uneven polishing by restraining deterioration of a press-down pressure near a peripheral edge of a wafer.例文帳に追加
ウエハの周縁近傍に対する押下げ圧力の低下を抑制し、これによって研磨レートの低下や不均一な研磨を抑制可能な研磨装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an aqueous polishing slurry having a high CMP rate and less scratch and dishing, and enabling fabrication of an LSI having improved flatness, and to provide a chemical mechanical polishing method employing the aqueous polishing slurry.例文帳に追加
保存性に優れ、迅速なＣＭＰ速度を有し、スクラッチが少なく、平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする水系研磨液、及び、前記水系研磨液を用いた化学機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁
To highly accurately set a polishing rate and a polishing time in chemicalmechanical polishing in consideration of a product wafer to be polished and a mechanical difference in devices to be used or the like.例文帳に追加
化学的機械的研磨における研磨レートや研磨時間の設定を、研磨対象の製品ウエハや使用する装置等の機差を考慮して高精度に行えるようにする。 - 特許庁
To provide an abrasive pad capable of improving precision of polishing rate detection by restraining slurry from gathering on a window member, and to provide abrasive pad which has no harmful effect upon polishing characteristics by preventing only the window member protruding from a main body in dressing for polishing.例文帳に追加
窓部材上にスラリーが溜まるのを抑えて、研磨レートの検出精度を上げることができる研磨パッドを提供すること。 - 特許庁
This constituent of inhibitor is applied to chemico-mechanical polishing; and while a high polishing removal rate of a metallization layer is being maintained, it has the property of suppressing metal etching, so that polishing failures, such as overpolishing and erosion, can be reduced.例文帳に追加
該抑制剤の構成物は化学機械研磨において応用し、金属層の高研磨除去率を維持すると同時に、金属エッチングの抑制の特性を兼ね備え、研磨過剰及び侵食等の研磨欠陥を減らすことができる。 - 特許庁
To provide a chemical mechanical polishing (CMP) device which can reduce a Cu dishing quantity while ensuring a high polishing rate, by maintaining a high temperature at an initial stage of CMP processing, and then intentionally lowering a wafer temperature immediately before the completion of polishing.例文帳に追加
ＣＭＰプロセス初期においては高温を維持し、研磨終了直前にウエハ温度を意図的に下げることで、高い研磨レートを維持したままＣｕのディッシング量を低減することができるＣＭＰ研磨装置を提供する。 - 特許庁
This method for CMP contains the steps of forming a CMP slurry containing ceric oxide, adding a slurry reform to a slurry, namely polishing a low structure region at substantially zero rate with the slurry reform for polishing a high structure region at a rate close to a blanket polishing rate, and polishing a structure by the use of the slurry containing a reform.例文帳に追加
ＣＭＰの方法は、酸化セリウムを含有するＣＭＰスラリーを形成する工程と、スラリー改質剤をスラリーに添加する工程であって、スラリー改質剤が、実質的にゼロレートで低構造領域を研磨し、ブランケット研磨レートに近いレートで高構造領域を研磨する、工程と、改質剤を含有するスラリーを用いて構造体を研磨する工程とを包含する。 - 特許庁
Since slurry is hardly supplied to the region B not formed with the grooves 2a, the polishing rate becomes low, and the polishing rate is uniformized over the whole wafer 3.例文帳に追加
溝２ａが形成されていない領域Ｂには、スラリーが殆ど供給されないので研磨レートが低くなり、ウエハ３全体で研磨レートが均一化される。 - 特許庁
To obtain a polishing rate with high precision for a sample, which has unevenness on its surface, differs in size of the unevenness with the density of a wiring pattern and filming conditions, and varies in polishing rate, without conditioning a wafer.例文帳に追加
ＣＭＰ加工前、試料表面に凹凸があり、凹凸の大きさが配線パターンの密度、成膜条件によって異なり、研磨レートが変動する試料に対し、ウェハでの条件出しすることなく、高精度に研磨レートを得る。 - 特許庁
Accordingly, when the surfaces of the interlayer insulating films 72 and 73 are polished, a polishing rate in the display area 10a and the polishing rate in the surrounding area 10b are equivalent so that no step is formed between the display area 10a and the surrounding area 10b.例文帳に追加
このため、層間絶縁膜７２、７３の表面を研磨する際、表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとでは研磨速度が同等であるため、表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの間に段差が発生しない。 - 特許庁
To provide an abrasive composition that can be adjusted to polish an object to be polished by an optimum amount by only adjusting the polishing rate of SiO_2 to 100-500 (Å/min), while maintaining the polishing rate of Ta at ≥1,000 (Å/min).例文帳に追加
Ｔａの研磨レートを１０００（Å/ｍｉｎ）以上で維持しつつＳｉＯ_2の研磨レートのみを１００〜５００（Å/ｍｉｎ）の範囲で最適な量だけ研磨できるように調整することができる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing fluid composition for glass hard disk substrates which combines a high polish rate and high cleanliness and which, even when used in a fluid-circulating polishing system, can keep a high polish rate for a long time.例文帳に追加
高研磨速度と高清浄性の両立を実現でき、循環研磨において長時間高い研磨速度を維持できるガラスハードディスク基板用研磨液組成物の提供。 - 特許庁
To provide a polishing solution which is capable of reducing an etching rate sufficiently as keeping a preferable polishing rate, restraining the occurrence of dishing and a dry area from occurring in the surface of a copper, and forming a very reliable buried pattern composed of a metal film.例文帳に追加
好ましい研磨速度を維持しつつ、エッチング速度を十分に低下させ、デッシングの発生や銅表面の荒れを抑制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする研磨液を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing composition which has high selectivity, in which the polishing rate for copper is large but the polishing rate for a tantalum compound is small and is superior in giving smoothness of surface to a copper- film in a CMP work process for a semiconductor device, having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加
銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing solution which is capable of improving a polishing rate, reducing an etching rate and polishing friction, improving a polished layer in uniformity through its surface, and forming a very reliable buried pattern made of a metal film by controlling the physical properties of the layer to be polished.例文帳に追加
被研磨層の物性を制御することにより、研磨速度の向上、エッチング速度の低下、研磨摩擦の低下、面内均一性の向上が達成でき、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする研磨液を提供する。 - 特許庁
Polishing is performed using a polishing pad consisting of a polishing layer, a cushion layer, and an adhesion layer for bonding them wherein the adhesion layer has an adhesion retention rate X of 80% or above represented by formula (1): adhesion retention rate X (%)=B/A×100.例文帳に追加
研磨層、クッション層および両者を接着させる接着層の３層からなる研磨パッドにおいて、下記式（１）で示される粘着力保持率Ｘが８０％以上となる接着層を用いることを特徴とする研磨パッドを用いて研磨を行う。 - 特許庁
The polishing rate of typical organic acid belonging to the same type as organic acid to be added to a copper chemical mechanical composite polishing slurry is measured, a relationship is obtained between a measured result and the logarithmic value of octanol/water distribution coefficient of the organic acid, and a polishing rate is calculated and estimated from the above relationship.例文帳に追加
銅の化学機械複合研磨用スラリーに添加される有機酸と同類に属する有機酸で代表的な有機酸の研磨速度を測定し、測定結果と有機酸のオクタノール／水系分配係数の対数値の関係式を求め、前記関係式から研磨速度を算出、推定する。 - 特許庁
This polishing device 1 is configured to set a gain value and a dress time of a polishing pad 13 in a dress position control of a dresser 30 according to a dress rate by a polishing control section 60 in an adjust process before start of a series of polishing processes for polishing a plurality of semiconductor wafers W successively by a polishing tool 10.例文帳に追加
本発明に係る研磨装置１は、研磨工具１０により複数の半導体ウェハＷを連続的に研磨する一連の研磨工程を開始する前のアジャスト工程において、研磨制御部６０により、ドレッサ３０のドレスポジション制御におけるゲイン値および研磨パッド１３のドレス時間をドレスレートに応じて設定するようになっている。 - 特許庁
To provide a slurry composition for primary chemical mechanical polishing that can show more improved WIWNU (Within Wafer Non-Uniformity) while exhibiting excellent polishing rate and polishing selectivity, and a chemical mechanical polishing method.例文帳に追加
本発明は、優れた研磨率および研磨選択比と共に、より向上したウェハー内の研磨均一度（ＷＩＷＮＵ；Ｗｉｔｈｉｎ Ｗａｆｅｒ Ｎｏｎ−Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を達成することができるようにする、１次化学的機械的研磨用スラリー組成物および化学的機械的研磨方法に関する。 - 特許庁
To provide polishing equipment and a polishing method in which variation in chemical reaction rate due to temperature rise on the surface of a metal film through metal based exothermic reaction is suppressed on a polishing surface when planarization polishing of wafer surface having a metallization film is performed by CMP.例文帳に追加
金属配線膜を有するウェーハ表面のＣＭＰ法による平坦化研磨を行うにあたり、メタル系の発熱反応で金属膜表面の温度が上昇し、加工面の化学的反応速度にばらつきが生じることを抑制した研磨装置、及び研磨方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a polishing liquid for CMP that improves a polishing rate of a silicon oxide film and also reduces within-wafer nonuniformity of a substrate having the silicon oxide film on a surface as compared with a conventional polishing liquid, and to provide a polishing method using the same.例文帳に追加
従来の研磨液と比較して酸化ケイ素膜に対する研磨速度を向上させることができると共に、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の面内均一性を向上させることが可能なＣＭＰ用研磨液、及び、これを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing apparatus which uniformly polishes a metallic film such as a copper film formed on a surface of a substrate at a high polishing rate, thereby minimizing the load of CMP treatment, and makes the distribution of an electric field uniform, thereby more uniformly polishing and removing the metallic film; and to provide a polishing method.例文帳に追加
基板表面に形成した銅膜等の金属膜を高い研磨レートで均一に研磨してＣＭＰ処理の負荷を極力低減でき、しかも電界の分布をより均一にしてより均一に金属膜を研磨除去できるようにする。 - 特許庁
The polishing method is used for polishing by the polishing pad, the polishing pad is that a plurality of grooves formed on its surface is provided within the range of 0.3-10mm in groove width and provided within the range of 10-50% in area rate in the groove portion inside one groove pitch.例文帳に追加
研磨パッドにより研磨する研磨方法であって、研磨パッドは、その表面に形成された複数本の溝が、溝幅０．３ｍｍから１０ｍｍの範囲内で設けられ、かつ一溝ピッチ内における溝部面積率１０％から５０％の範囲内で設けられている。 - 特許庁
To provide a polishing pad increased in polishing rate, reduced in the defects of a member to be polished after polishing, and improved in wear resistance by increasing a coefficient of water absorption while developing stable polishing characteristics by well securing a dimensional stability during water absorption.例文帳に追加
吸水時の寸法安定性を良好に確保することにより安定的な研磨特性を発現しつつ、吸水率を高めることにより、研磨速度を向上し、研磨後の被研磨材でのディフェクト発生を低減するとともに、耐摩耗性を向上した研磨パッドを提供すること。 - 特許庁
To provide a wafer polishing technique for accurately estimating a polishing-rate in-plane distribution in a polishing apparatus at the start of processing of a product wafer, estimating the thickness of a film accurately polished, determining such polishing conditions as to obtain the predetermined thickness of the polished film with respect to a management value, and preventing a failure of the wafer processing.例文帳に追加
製品ウェハの着工時の研磨装置での研磨レート面内分布を精度良く推定し、また精度良く研磨後膜厚を推定し、そして管理値に対して所定の研磨後膜厚が得られるような研磨条件を決定し、さらに着工の不良を防止するウェハの研磨技術を提供する。 - 特許庁
To obtain a composition for polishing having a higher polishing rate and higher defoaming properties than those of a conventional composition for polishing at the time of carrying out the polishing for mirror finish of a substrate used for a memory hard disk and capable of preventing micropits, microprotrusions and other surface defects from occurring.例文帳に追加
メモリーハードディスクに使用されるサブストレートの鏡面研磨において、従来の研磨用組成物に比べて、研磨速度が大きく、また消泡性が高く、微細なピット、微小突起、およびその他の表面欠陥の発生を防止することができる研磨用組成物の提供。 - 特許庁
To provide a polishing pad with which a stable polishing rate can be obtained and which is superior in inplane uniformity in the polishing pad used for forming a flat face in glass, semiconductor, dielectric/metal complex, an integrated circuit and the like and to provide a polishing apparatus.例文帳に追加
ガラス、半導体、誘電／金属複合体及び集積回路等に平坦面を形成するのに使用される研磨用パッドにおいて、安定した研磨レートを得るとともに、面内均一性に優れた研磨パッドおよび研磨装置を提供する。 - 特許庁
To obtain a metal-polishing liquid which can express a high polishing rate ration (Ta/Cu, TaN/Cu) of tantalum, tantalum nitride and copper, enables high flattening and dishing quantity reduction, and enables the formation of a highly reliable metal film embedded pattern, and to provide a method for polishing with the metal-polishing liquid.例文帳に追加
タンタル、窒化タンタルと銅の高い研磨速度比（Ｔａ／Ｃｕ、ＴａＮ／Ｃｕ）を発現し、高平坦化及びディッシング量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属研磨液及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing pad for CMP by which a uniform surface can be obtained over the entire surface of a polished body by holding a proper amount of polishing slurry at a polishing position of a polished body, thus improving a polishing rate, and which does not cause suction to the polished body.例文帳に追加
被研磨体の研磨位置での研磨用スラリの適正な量を保持し、研磨レートを向上させ、被研磨体全面にわたって均一な表面を得ることができ、被研磨体の研磨パッドに対する吸い付きが発生しないＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。 - 特許庁
To provide slurry for chemical-mechanical polishing that inhibits the generation of dishing, and at the same time, achieves polishing at a high polishing rate in chemical-mechanical polishing in a copper-based metal film, formed on an insulating film which has recesses on a substrate.例文帳に追加
基板上の凹部を有する絶縁膜上に形成された銅系金属膜の化学的機械的研磨において、ディッシングの発生を抑制し、且つ高い研磨速度での研磨を可能とする化学的機械的研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁
To provide a color filter polishing pad capable of stably removing foreign matter or protrusions occurring on a filter at a high polishing rate during a color filter manufacturing step and also obtaining high quality of a polished surface, and a method of polishing a color filter using the color filter polishing pad.例文帳に追加
カラーフィルター製造工程で該フィルター上に発生する異物や突起を安定して高研磨レートで除去でき、なおかつ高い研磨面品位を得ることができるカラーフィルター研磨用パッド、およびそのカラーフィルター研磨用パッドを用いたカラーフィルター研磨方法を提供する。 - 特許庁
例文
To provide a method for dressing a polishing pad that can attain nearly constant polishing rate for each of batches, perform polishing work accurately, reduce the number of times of performing dressing operations using a correction grind stone, improve work efficiency, and extend a service life of a polishing pad.例文帳に追加
バッチごとにほぼ一定した研磨速度が得られ、精度よくワークの研磨が行え、また修正砥石を用いるドレッシングの回数を減らせることから、作業性よく、また研磨布の寿命も長くできる研磨布のドレッシング方法を提供する。 - 特許庁