Пухов — Автор (original) (raw)

Пухов

Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния

Загрузка...

Номер патента: 1299397

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: двуокиси, кремния, плазмохимических, пленок

Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния, включающий нанесение слоя двуокиси кремния в плазме ВЧ-разряда из смеси моносилан-аргон-кислород, отличающийся тем, что, с целью улучшения зарядовых свойств плазмохимических пленок за счет аморфизации их структуры, после нанесения пленок производят отжиг в атмосфере водорода, азота или инертного газа в диапазоне температур от 600 до 650 K или от 900 до 950 K в течение 10-90 мин.

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел полупроводник

Загрузка...

Номер патента: 1238630

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.

Способ изготовления моп-интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1292627

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: моп-интегральных, схем

1. Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации на основе алюминия и кремния, формирование элементов металлизации и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров, в слой металлизации дополнительно вводят фосфор при следующем соотношении компонентов, мас.%: Фосфор6·10 -6 - 4·10-2 Кремний10-15

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1331364

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральных, металлизации, схем, элементов

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при...

Способ окисления пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 1099782

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Канищев, Костенко, Куксо, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, окисления, пластин

Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при давлении (10-4-10-6) мм рт.ст. в течение (1-2) мин, а затем при давлении (101 -10-4) мм рт.ст. до получения слоя окисла толщиной (20-25) нм.

Способ изготовления мдп интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1268001

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Канищев, Куксо, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, мдп, схем

Способ изготовления МДП интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации в две стадии путем нанесения тонкого слоя металлизации и слоя металлизации до требуемой толщины методом магнетронного распыления, формирование рисунка элементов металлизации с помощью литографии и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа изготовления и улучшения электрофизических характеристик МДП интегральных схем, нанесение слоя металлизации на первой стадии осуществляют методом магнетронного распыления при температуре подложки от 453 до 493 K, плотности мощности разряда...

Способ изготовления моп-интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1510627

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Пухов, Румак, Томченко, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: моп-интегральных, схем

Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий осаждение на нагретую полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации ионно-плазменным методом в две стадии, с толщиной слоя на первой стадии 10-40 нм, формирование рисунка металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик интегральных схем за счет уменьшения фиксированного заряда в подзатворном диэлектрике, осаждение слоя металлизации проводят при температуре подложки 523-573 K, при этом к подложке прикладывают отрицательное напряжение смещения 40-75 В на первой стадии и 80-120 В на второй стадии.

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах мдп-интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1151153

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Буляк, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, мдп-интегральных, межуровневой, структурах, схем

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах МДП-интегральных схем, включающий последовательное формирование на поверхности структуры подслоя и слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров структур за счет повышения стабильности величины порогового напряжения, подслой межуровневой изоляции формируют анодированием структур в кислородной плазме ВЧ-разряда при давлении кислорода 1,33-2,66 Па и температуре не более 150°С.

Телескопический резонатор

Загрузка...

Номер патента: 1839873

Опубликовано: 20.06.2006

Авторы: Долгов-Савельев, Козоровицкий, Олетин, Пухов, Романов, Чупраков

МПК: H01S 3/08

Метки: резонатор, телескопический

Телескопический резонатор, включающий два отражателя из системы зеркал, соосно установленных по торцам активного элемента преимущественно прямоугольной формы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения расходимости излучения в виде сплошного пучка, выходной отражатель образован двумя вогнутыми зеркалами, а два соосных с ними выпуклые зеркала расположены в противоположных углах торца активного элемента и выполнены в виде прямоугольных треугольников, катеты которых совпадают со сторонами торца и в М раз меньше этих сторон, причем оси проходят через вершины прямых углов торца, где М - увеличение резонатора.

Способ легирования полупроводниковых соединений типа aiii bv

Номер патента: 686542

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

Способ легирования полупроводниковых соединений типа AIII BV, преимущественно арсенида галлия и фосфида галлия, основанный на диффузии из жидкой фазы, содержащей легирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диффузионных слоев и упрощения процесса, диффузию проводят из насыщенного относительно материала подложки раствора-расплава арсенида - фосфида галлия.

Трубопровод

Номер патента: 1676317

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Гальперин, Емельянов, Игнатов, Малышев, Николаев, Пухов, Чуркин, Штыков

МПК: F16L 9/12

Метки: трубопровод

1. Трубопровод, содержащий последовательно намотанные слои композиционного материала и законцовки, каждая из которых содержит цилиндрическую часть с выступом, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности, он снабжен внутренним слоем листовой фольги, герметично соединенным с торцами законцовок, выступы последних выполнены кольцевыми и конусными с конусностью, совпадающей с отраженным углом намотки слоев, причем нечетные ряды слоев намотаны под углом 30 - 45o, а четные ряды - под отраженным ему углом.2. Трубопровод по п.1, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, он снабжен последовательно чередующимися теплоизоляционным и гидроизоляционным...

Способ герметизации элементов питания

Номер патента: 955825

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Захаревич, Коломейцева, Кузнецова, Новиков, Пухов, Саруханов, Стасенко, Хавский

МПК: H01M 2/02

Метки: герметизации, питания, элементов

Способ герметизации элементов питания путем введения клеящего вещества в зазор между соединяемыми деталями и обработки шва ультразвуком в жидком состоянии клеящей среды при ее температуре 20 - 35oС, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, интенсивность ультразвука выбирают равной 5 - 7 Вт/см2 и одновременно воздействуют избыточным давлением величиной 1 - 1,5 105 Па, а процесс обработки шва ведут в течение 10 - 15 с.

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Номер патента: 1514175

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий получения сквозных проводящих каналов в полупроводниковой подложке путем выполнения углублений на одной ее поверхности, заполнение углубления алюминием, создания градиента температуры в направлении противоположной поверхности, а также формирование функциональных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных приборов путем уменьшения неоднородности градиентов температуры по подложке, до заполнения углублений на дно углублений по центру наносят пленку двуокиси кремния, при этом отношение площади пленки двуокиси кремния к площади дна углубления находится в диапазоне от 1 : 2 до 1 : 1000, толщина пленки двуокиси кремния составляет от...

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Номер патента: 1508867

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий получение сквозных проводящих каналов в полупроводниковой подложке путем выполнения углублений на одной поверхности подложки, заполнение углублений алюминием, создание градиента температуры в направлении противоположной поверхности, а также формирование функциональных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных приборов путем уменьшения неоднородности градиентов температуры, до заполнения углублений алюминием в углублениях по их центрам выполняют дополнительные углубления, при этом отношение объема дополнительного углубления к объему основного углубления находится в диапазоне от 1 : 4 до 1 : 1000, а ширина дополнительных...

Способ получения обогащенного ванадиевого шлака

Номер патента: 1665707

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Афонин, Гладышев, Данилович, Колганов, Кошелев, Лысенко, Пухов, Рабинович, Цейтлин

МПК: C22C 33/04

Метки: ванадиевого, обогащенного, шлака

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОБОГАЩЕННОГО ВАНАДИЕВОГО ШЛАКА в плавильном агрегате, включающий ввод в печь и совместное расплавление смеси из материала, содержащего оксид ванадия, флюсующие добавки и углеродистый восстановитель, вводимый в количестве, обеспечивающем содержание углерода в попутном металле 0,3 1,2% расплавление смеси, перемешивание, нагрев расплава и последующее отделение попутного металла от обогащенного шлака, отличающийся тем, что, с целью повышения степени обогащения шлака, после расплавления шихтовых материалов в печь дополнительно вводят металлическую ванадийсодержащую добавку в количестве, обеспечивающем содержание ванадия в попутном металле 2,5 4,5% а расплав перед отделением попутного металла от обогащенного шлака нагревают до...

Состав п-25 для борьбы с псороптозом овец

Номер патента: 1672610

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Андричук, Кляндин, Михайловская, Назаров, Омаров, Пухов, Рябов, Смирнова, Фролов, Фролова, Яхаев

МПК: A01N 43/00

Метки: борьбы, овец, п-25, псороптозом, состав

СОСТАВ П-25 ДЛЯ БОРЬБЫ С ПСОРОПТОЗОМ ОВЕЦ.Состав для борьбы с псороптозом овец, включающий перметрин, нефтяной полимер и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения активности, состав дополнительно содержит канифоль или смесь канифоли и таллового пека в соотношении 1,0:0,8 при следующих соотношениях компонентов, мас.%:Перметрин - 15-25Нефтяной полимер - 45-55Канифоль или смесь канифоли и таллового пека в соотношении 1,0:0,8 - 25-27,5Вода - Остальное

Устройство управления закрылком самолета

Загрузка...

Номер патента: 1804039

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Джамгарова, Пухов

МПК: B64C 9/04, B64C 9/16

Метки: закрылком, самолета

...шарнира, согласного шарниру, к которому крепится последняя тяга, а к траверсе - посредством тяги переменной длины на фиг. не показана).На фиг. 1 изображено устройство управления закрылком самолета, положение элементов устройства при убранном эакрылке; на фиг. 2 - устройство управления закрылком самолета, положение элементов устройства при выпущенном закрылке; на фиг, 3 - сечение А-А по фиг. 1.Устройство управления закрылком самолета содержит балку, выполненную в виде прямолинейного рельса 1, закрепленную на силовом каркасе крыла 2, закрылок 3, соединенный посредством шарнира 4 с тягой переменной длины, выполненной в виде каретки 5, перемещающейся по прямолиФормула изобретенияУСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ЗАКРЫЛКОМ САМОЛЕТА, содержащее балку,...

Способ загрузки шихты для выплавки ферросплавов в дуговой печи

Загрузка...

Номер патента: 2003725

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Белкин, Ивашина, Лукин, Пухов, Рабинович, Саванин, Ситнов, Цейтлин

МПК: C21C 5/52, C22C 33/04

Метки: выплавки, дуговой, загрузки, печи, ферросплавов, шихты

...шлак предыдущей плавки,после чего производят завалку шихты, содержащей основной материал. При этомотношение массы шихты, содержащей15 легирующий материал, к массе заливаемого шлака находится в пределах равных(0,95-1,05), где Сг - удельная теплоемСгС 1кость шлака; С 1 - удельная теплоемкость20 легирующего материала,Такой порядок загрузки позволяет со-.здать защитный шлаковый слой на поверхности кусков шихты, содержащейлегирующий материал. При этом горениеэлектрических дуг, температура которых4730.-6230 С (Электрометаллургия стали иферросплавов, / Под ред. Д,Я.Поволоцкого,М,: Металлургия, 1974, с, 45), с момента ихзажигания и до образования расплава происходит между электродами и основным материалом, не содержащим легирующийметалл....

Способ извлечения металлов из оксидного расплава

Загрузка...

Номер патента: 2003699

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Алексаночкин, Афонин, Гладышев, Данилович, Колганов, Кошелев, Малахов, Пухов, Фролов, Шахпазов

МПК: C21C 5/52, C21C 7/00

Метки: извлечения, металлов, оксидного, расплава

...предлагаемого способа приведены в табл.2.Из приведенных в табл.2 данных следует, что температурный уровень плазменной струи 1800-2900 С является оптимальным, так как обеспечивает достижение наиболее высоких показателей процесса по извлечению ванадия из шлакового расплава и КПД плазменной печи.Ниже приведены примеры конкретного технического осуществления предлагаемого способа извлечения металлов из оксидного шлакового расплава, содержащего, %: Уг 05 16,2; МпО 7,8; РеО 39,5;ТОг 4,9; СггОз 2,1; МОС 3,8; СаО 3 1; Я Ог 21,9,На чертеже приведена схема стендовой плазменной установки.На схеме показаны; 1 - корпус печи, 2- футеровка, 3 - шлаковая летка, 4 - ванна шлакометаллического расплава, 5 - струя плазменных газов, б - загрузочный люк...

Воздухонагреватель

Загрузка...

Номер патента: 2001957

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бянкин, Пухов, Сигмунд, Соломенцев, Соломенцева, Сухов, Чернобривец

МПК: C21B 9/02

Метки: воздухонагреватель

...в средней части воздухонагревателя и соединенная внизу с соплом 6 горелки, а вверху с насадкой 1 через подкупольное пространство 3, служит для сжигания в ней газа,Подкупольное пространство 3 расположено в верхней части воэдухонагревателя и соединено с центральной камерой 2 горения насадкой 1 и штуцером 7 горячего дутья. Оно служит для подвода продуктов горения к насадке 1 в период ее нагрева и для отвода из нее горячего дутья через штуцер 7 в период нагрева дутья. Форма и обьем подкупольного пространства влияют на распределение продуктов горения по сечению насадки. Поднасадочная решетка 4 расположена под насадкой и примыкает к насадке 1 и поднасадочному пространству 5. Она служит для передачи нагрузки от насадки 1 через опорные...

Полуфабрикат для металлургического передела

Загрузка...

Номер патента: 2001121

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Белкин, Дорофеев, Зуев, Ивашина, Макуров, Манераки, Панфилов, Пухов, Ситнов, Цейтлин

МПК: C21C 5/52

Метки: металлургического, передела, полуфабрикат

...материала) на шлак в количестве 10 кг/т металла и использование газообразного кислорода, Ухудшение условий экранирования дуг из-эа недостаточного вспенивания шлака вызывает ограничение вводимой электрической мощности и увеличивает расход энергии.Цель изобретения - сокращение длительности плавки и снижение энергозатрат,Поставленная цель достигается тем, что при выплавке стали применяют полуфабрикат, включающий железорудные окатыши и чугун, который дополнительно содержит угперодсодержащий материал при следующем соотношении компонентов, мас, ;Железорудные окатыши 5-17 Углеродсодержащийматериал 0,3-5,0 Чугун Остальное Углеродсодержащий материал вводится в количестве 0,3-0,5 иэ расчета получения в ванне по расплавлении...

Капсула для ввода реагентов в металлический расплав

Загрузка...

Номер патента: 2000333

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Белкин, Данилович, Дорофеев, Мазуров, Макуров, Панфилов, Пухов, Соломин, Цейтлин, Ширяев

МПК: C21C 1/02

Метки: ввода, капсула, металлический, расплав, реагентов

...минимального отвода тепла от стенок корпуса капсулы через зазор в объем реагента, находящегося внутри капсулы, при использовании в качестве теплоизолирующего материала широкого класса веществ и материалов, начиная от газов и заканчивая твердыми огнеупорными материалами с пористым строением. Нижнее значение зазора относится к случаю, когда промежуток между корпусом капсулы и порошкообразным наполнителем заполнен газом. теплопроводность которого по сравнению с жидкостью ипи твердым материалом на несколько порядков меньше и лежит в пределах 0,01-0,10 Вт/м град. При меньшем значении величины зазора теплоотвод от стенок капсулы к реагенту начинает заметно расти, что способствует увеличению продолжительности расплавления капсулы, Верхнее...

Вещество, обладающее транквилизирующей активностью

Загрузка...

Номер патента: 1836086

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Абышев, Денисенко, Пухов

МПК: A61K 31/34

Метки: активностью, вещество, обладающее, транквилизирующей

...р и м е р 3, Сравнительные испытанияанксиолитической активности 7,7-этоксидиЯ-бензо-альфа-пирона и соединенияаналога, Анксиолитическую активностьиспытуемых соединений изучают по тестуконфликтной ситуации., В опытах на 12 мышах-самцах и таком же количестве контрольных животных учитывали. количествоподходов к поилке и наказуемых взятий воды. Для этого животных, лишенных воды,помещали в камеру, состоящую из двух отсеков, в одном из которых имеетсяэлектродный пол и поилка, Животное помещается в отсек без электродного пола, приперемещении его в отсек с электроднымполом и подходе к, поилке на пол подаютэлектрический ток с заданными параметрами, которые строго выдерживаются в течение всего опыта, Результаты данного...

Способ укладки изделий сложной формы и контейнер для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1835374

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Пухов, Шварцштейн

МПК: B65B 5/00, B65D 85/00

Метки: контейнер, сложной, укладки, формы

...укладываемых изделий 6,каждого изделия 6 смещен относительно другой, приверхность 7 вышерасполо наклонена вниз и размещ свяэцвзющей указанную о ность с опорной поверхно. положенной полки 4. Кон также крышей 9 и боковым 10, установленными в нап ках 11 и направляющих угол ностью смещения вдоль контейнера до упора в огра Способ укладки издели осуществляют следующимодна к другой 4 для фланцев 5 Полки 3 и 4 для ц по высоте одна ем опорная поженной полки 3 на в плоскости, порную поверх- стью 8 нижерастейнер снабжен и ограждениями рзвляющих втулках 12 с воэможбоковых сторон ничители 13й 6 в контейнер образом.Перед укладкой изделий сдвигают боковые ограждения 10 вдоль боковых сторон контейнера до упора в ограничители 13, устанавливают изделия на...

Психотропное средство

Загрузка...

Номер патента: 1834660

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Абышев, Денисенко, Пухов

МПК: A61K 31/37

Метки: психотропное, средство

...р 2. Галогеналкилпроиэводное 357-окси,6-бензо-альфапирона 7-бромэтоки,6-бензо-альфа-пирон (в дальнейшем.соединение 2) в пяти дозах (от 0,1 до 2,5мг/кг) испытывают на потенцирующее действие как в примере 1. 40Результаты даны в табл,4,Из данных табл,4 установлена ЭД 50 = .=0,5 + 0,23 мг/кг, что свидетельствует о высокой седативной активности соединения 2,Для сравнения указывает ЭДво известных 45препаратов: аминазин - 2,3; тиоридазин 2,6; левомепромазин - 0,76.Нами установлено, что по характерудействия соединение.2 наиболее близко кнейролептику левомепромазину. В табл, 5 50это показано по результатам сравнительных испытаний антиадренэргической активности на мышах-самцах весом 18-23 г,Испытуемые вещества, а также бидистиллированную воду...

Перемешивающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 1819664

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Гайдуков, Куприянова, Пухов, Савилов, Семенышева, Сибиркин

МПК: B01F 7/02

Метки: перемешивающее

...вращении рОтора 4 в указанномстрелкой направлении компоненты материала предварительно измельчаются в питателе 11 попарно поджатыми ножами 12 при ихвстречном вращении с лопатками 13 и, по-падая в аппарат, отбрасываются лопастями5 к стенке корпуса 1. Перемешивающиескребки 8 заостренными рабочими кромка ми продолжают измельчение материала совстречным отбрасыванием его на попарноповернутые под углом одна к другой плоские поверхности скребков, при этом перемещающие скребки 9, смещенные наполшага относительно расположенияскребков 8, рассекают встречный поток материала, образуемый плоскими поверхностями перемешиваащих скребков,. иодновременно с ними заостренными рабочими кромками измельчают материал, от.брасывая его к стенке корпуса 1...

Композиция для моделирования повреждений

Загрузка...

Номер патента: 1819620

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Пухов, Эделев

МПК: A61K 49/00

Метки: композиция, моделирования, повреждений

...в зависимости от глубины погружения травмирующего предмета, его конструктивных особенностей и направления удара. рмации объекта по изменению погла я рентгеновского излучения, Эта про тся в виде темных зон на фотографиях ласти повреждений. При увеличении ны пог жения о ия в объект гл и ру руд у ые деформации более выражены в оби заднего (П-образного конца) и краев П р и м е р 2, Колющим орудием отвесными ударами и ударами при наклоне орудия под углом 45 к поверхности объекта наносят следы на предложенную композицию. Далее готовят фотографии аналогично примеру 1 и определяют, регистрируют, оценивают зоны травматизации глубоких слоев повреждений, При отвесных ударах глубинные деформации распределяют равномерно вдоль краев, а при наклонных...

Циклонный газификатор

Загрузка...

Номер патента: 1812206

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Веденьев, Дронов, Клименко, Потапов, Пухов, Товаровская, Товаровский, Толмачев, Шадек

МПК: C10J 3/48

Метки: газификатор, циклонный

...сопла, позволяет подать ПУТ непосредственно в поток скислителя, имеющего в этой точке максимальнуюскорость. За счет этого увеличивается времяпребывания угольных частичек в обьеме камер газификатора и обеспечивается достаточно полная газификация угля, "0Окончательная доработка углерода угляпроисходит в копильнике золового расплава,Конструкция устройства поясняетсявертикальным разрезом установки (фиг.1) и 15поперечным разрезом по А - А циклонныхкамер по соплам (фиг.2).Устройство содержит многосекционнуюциклонную камеру 1, патрубки 2 расположены в крышке камеры на расстоянии от внутренней. стенки камеры, равном 2,3-3,0радиуса выходного сечения тангенциального сопла 3, и установлены своей нижнейчастью на уровне среза верхней...

Способ определения рельефа и уровня поверхности материалов

Загрузка...

Номер патента: 1807309

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Белкин, Головченко, Маулетов, Полынкин, Пухов, Таран, Халецкий, Цейтлин

МПК: G01B 15/04

Метки: поверхности, рельефа, уровня

...и другим способом, например,принимать как наиболее вероятную или постоянную величину.Ординату у вычисляют устройством 17 в общем случае по формуле: 3) де В - расстояние междсточника и приемникадной горизонтальной иап - угол между осьриемника и гори у центрами блоков расположенными в оскости;6 ориентации бло онтальной плоско ка 5 пстью; фп - угол между осью 6 ориентации блока 5 приемника и вертикальной плоскостью, проходящей через центры блоков источника и приемника, т.е, угол между указанной вертикальной плоскостью и плоскостью 7;Р - угол между вертикальной плоскостью 4, в которой ориентируют плоский по форме пучок излучения блока 2 источника, и вертикальнойплоскостью, проходящей через центры блоков источника и приемни(2) принимают ви...

Транспортное устройство автоматической линии спутникового типа

Загрузка...

Номер патента: 1805008

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Гер, Громов, Пухов

МПК: B23Q 41/02, B23Q 7/14

Метки: автоматической, линии, спутникового, типа, транспортное

...с роликами 8 и нижний транспортер с роликами 9. Верхний транспортер предназначен для перемещения спутников с деталями(не показаны), а нижний транспортер - для возврата спутников. Ролики 8 и 9 приводятся в движение единой цепью 10 от привода (не показан), Зубчатое колесо 7 имеет возможность взаимодействия с цепью 10 основного транспортера при верхнем положении платформы 1, а зубчатое колесо 6 - с цепью 10 возвратноготранспортера при нижнем положении платформы 1, при этом зубчатое колесо 5 с осью 4 обеспечивает кинематическую связь между колесом 6 и цепью 3. Цепь 10 взаимодействует с зубчатыми колесами 11 и 12, передающими вращение соответственно роликам 8 и 9,Устройство работает следующим образом.При верхнем положении платформы 1...