Transistor Research Papers - Academia.edu (original) (raw)

This paper presents a SPICE-like graphene field-effect transistor (GFET) model with an improved carrier mobility analysis. The model considers the mobility difference between the electrons and the holes in graphene, as well as the mobility variation against the carrier density. Closed-form analytical solutions have been derived, and the model has been implemented in Verilog-A language. This was compiled into an advanced design system. The proposed model gives excellent agreement between the simulation results and the measurement data for both the hole and electron conduction simultaneously. The model is suitable for the exploration of GFET-based applications, especially for those using the ambipolar transfer property of GFET.

- by
- •
- Materials Science, Graphene, Transistor, Electrical And Electronic Engineering

This phase control IC is intended to control thyristors, triacs, and transistors. The trigger pulses can be shifted within a phase angle between 0 ˚ and 180 ˚. Typical applications include converter circuits, AC controllers and... more

Recent trends in CMOS technology and scaling of devices clearly indicate that leakage power in digital circuits would be crucial and largely depend on the sub-threshold currents. Minimizing leakage, by power gating logic circuits using sleep transistors gives considerable power savings. However, this technique cannot be used in sequential circuits and memory cells, as it would result in loss of

- by Wen T. Shiue
- •
- Engineering, VLSI, Digital Circuits, Very Large Scale Integration
- by ramses garcia
- •
- Electrical Engineering, Control Systems Engineering, PDF, Control Systems

El transistor es un dispositivo no lineal que tiene como propiedad modelarse haciendo uso de las características no lineales de los diodos. El modelo de Ebers-Moll es un modelo de señal amplificada que normalmente se utiliza para modelar los BJT. Un tipo del modelo se basa en suponer un diodo con polarización directa y un diodo con polarización inversa. Para un transistor NPN. Este modelo, conocido como versión de inyección del modelo de Ebers-Moll, es válido para las regiones activa, de saturación y de corte. Bajo condiciones de funcionamiento normal dentro de la región activa, una unión del BJT tiene polarización directa, y la otra, inversa. La polarización de un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que determina las corrientes y tensiones en directa que van a circular por el dispositivo. Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales del transistor. Este modelo, conocido como modelo Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que, para un transistor NPN, son: V T = kT/q = 25.8 mV a 25°C Donde IES es igual a la corriente de saturación inversa base-emisor del diodo y ICS es la corriente de saturación inversa base-colector de diodo, respectivamente, aF el factor de defecto y aR la fracción de inyección de portadores minoritarios.

- by GERMAN ESTRADA HERNANDEZ
- •
- Electronics, Transistor
- by GILANG PANGESTU
- •
- Analog Circuits, Electronics, Analog Circuit Design, Integrated Circuits

A PRACTICAL APPLICATION OF USING THE AETHERS.

- by MIKE EMERY
- •
- Physics, Theoretical Physics, Quantum Physics, Solid State Physics
- by Daniel Fuentes
- •
- PDF, Semiconductor, Archive, Ic

Switching Static (saklar statis) sebuah komponen elektronik yang dirancang khusus untuk menghubungkan dan memutuskan arus pada suatu rangkaian elektronik yang mampu bekerja dalam waktu yang sangat cepat biasanya mikrodetik. Komponen yang termasuk sebagai saklar statis diantaranya dioda, SCR, TRIAC, transistor, mosfet. Masing-masing komponen tersebut memiliki prinsip kerja yang berbeda meski sama-sama berfungsi sebagai saklar. Silicon Controlled Rectifier (SCR) adalah salah satu komponen yang mirip dengan transistor karena memiliki tiga buah kaki. Tapi kaki pada SCR tidak sama dengan kaki yang terdapat pada transistor. Kaki yang terdapat pada SCR terdiri dari ; A = Anoda, G = Gate, K = Katoda. SCR ini memiliki berbagai macam daya dan kekuatan, misalnya saja SCR yang memiliki daya dan kekuatan sebesar 100 V / 2A. Ini berarti SCR tersebut hanya bisa dipakai tidak lebih dari 2 Ampere atau sama dengan tak lebih dari 200 Watt. Fungsi SCR adalah sebagai pengatur daya dan juga sebagai saklar arus yang otomatis. Dengan karakteristik yang serupa tabung thiratron, maka SCR atau Tyristor (Therystor) masih termasuk keluarga semikonduktor. Kaki gate (G) adalah sebagai pengendalinya. Sebetulnya SCR terbuat dari bahan campuran P dan N. SCR berisi bahan-bahan yang terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut sebagai PNPN Trioda. Dengan memberi arus gate melalui kaki (pin) gate tersebut memungkinkan komponen ini dipicu menjadi ON. Ternyata dengan memberi arus gate yang semakin besar dapat menurunkan tegangan breakover sebuah SCR. Dimana tegangan ini adalah tegangan minimum yang diperlukan SCR untuk menjadi ON. Triac merupakan komponen semikonduktor yang tersusun atas diode empat lapis berstruktur p-n-p-n dengan tiga p-n junction. Triac memiliki tiga buah elektrode, yaitu : gate, MT1, MT2. Triac biasanya digunakan sebagai pengendali dua arah (bi-directional). Triac akan tersambung (on) ketika berada di quadran I yaitu saat arus positif kecil melewati terminal gate ke MT1,dan polaritas MT2 lebih tinggi dari MT1, saat triac terhubung dan rangkaian gate tidak memegang kendali, maka triac tetap tersambung selama polaritas MT2 tetap lebih tinggi dari MT1 dan arus yang mengalir lebih besar dari arus genggamnya (holding current/Ih), dan triac juga akan tersambung saat arus negatif melewati terminal gate ke MT1,dan polaritas MT1 lebih tinggi dari MT2, dan triac akan tetap terhubung walaupun rangkaian gate tidak memegang kendali selama polaritas MT1 lebih tinggi dari MT2. Selain dengan cara memberi pemicuan melalui teminal gate, triac juga dapat dibuat tersambung (on) dengan cara memberikan

- by puji iswandi
- •
- MOSFET, SCR, Transistor, Elektronika Daya

Les promesses des technosciences contemporaines s’appuient sur les success stories de celles qui façonnent actuellement l’économie et la société. La Loi de Moore, fonction exponentielle qui décrit et prédit la cadence de miniaturisation et de réduction des coûts des composants électroniques depuis un demi-siècle, constitue un de ces récits. Ce chapitre interroge la Loi de Moore comme matrice historique du régime actuel de l’économie des promesses technoscientifiques. Devenue métaphore du progrès technique en général, la Loi de Moore délimite le périmètre de ce qui, des technosciences, peut être interrogé et discuté. Parce qu’elle trace un cadre temporel pour l’innovation, sa construction même est hors-cadre, et relève du non négociable.En donnant à voir la fabrique de ce récit, ce chapitre entend construire et instruire une position critique générale sur l’économie des promesses technoscientifiques actuelles. Cette critique porte moins sur la faisabilité de ces promesses (sur leur caractère spéculatif, non crédible, non tenable) que sur leur désirabilité. La Loi de Moore montre en effet que ces promesses peuvent devenir crédibles, réalisables, tenables – mais à quel prix ?

Makalah Ini berisi tentang pengertian dan jenis-jenis transistor

- by meri nur amelia
- •
- Elektronika, Transistor, Teknik Elektro, Unnes

Resistor adalah komponen elektronik dua kutub yang didesain untuk menahan arus listrik dengan memproduksi tegangan listrik di antara kedua kutubnya, nilai tegangan terhadap resistansi berbanding dengan arus yang mengalir, berdasarkan... more

- by ALYA RAISA NADYA BARABAI
- •
- Transistor, KAPASITOR PRODUCT, Dioda

Puji syukur penulis panjatkan kepada Tuhan Yang Maha Esa, karena berkat kasih dan rahmat-Nya, serta dosen yang telah membimbing dan juga semua pihak terkait, penulis dapat menyelesaikan makalah ini tepat pada waktunya. Pembuatan Makalah ini guna memenuhi salah satu tugaspada mata kuliah Perancangan Sistem Digital Dengan semangat dan kerja keras penulis selama ini, akhirnya penulis dapat menyelesaikan makalah "Common Emitter Pada Amplifier Circuit" ini dengan baik.Makalah ini disusun agar pembaca dapat memperluas ilmu tentang bagaimana prinsip kerja Common Emitter yang penulis sajikan berdasarkan percobaan dan pengamatan dari berbagai sumber.

- by mathius nugroho
- •
- Transistor

Transistor adalah komponen listrik yang sangat berguna dalam berbagai rangkaian listrik karena ketiga jenis modenya, yaitu saturasi, cutoff , dan aktif. Pemahaman mengenai cara memanfaatkan mode-mode transistor ini penting untuk dimiliki agar rangkaian yang menggunakannya dapat bekerja dengan baik. Praktikum ini mengeksplorasi berbagai aplikasi transistor dalam berbagai rangkaian, yang semuanya menggunakan setidaknya satu dari tiga mode transistor. Rangkaian yang digunakan adalah rangkaian penguat tegangan, penguat arus, rangkaian saklar, dan rangkaian cermin arus. Analisis teoritis sederhana juga dilakukan untuk membuat prediksi kuantitatif atas perilaku rangkaian-rangkaian tersebut. Perbandingan antara hasil pengukuran dari keempat rangkaian dan analisis teoritis menunjukkan adanya kecocokan antara teori dengan data yang didapat. Deviasi yang dapat terlihat berasal dari efek dari komponen lain dan aproksimasi transistor ideal yang kurang akurat.

- by Yuwanza Ramadhan
- •
- Experimental Physics, Transistor

Transistor adalah penemuan yang paling penting bagi peradaban manusia yang bisa dihasilkan lewat pengetahuan yang mendalam mengenai semikonduktor. Transistor banyak digunakan dalam berbagai alat elektronik untuk berbagai tujuan, seperti amplifikasi sinyal dan sebagai switch. Oleh karena itu, pengetahuan mengenai karakteristik transistor menjadi penting untuk dimiliki. Dalam praktikum ini, praktikan mengeksplorasi berbagai karakteristik transistor serta rangkaian yan menggunakan transistor sebagai komponen utamanya, seperti rangkaian Darlington, diferensial amplifier, dan regulator. Analisis menggunakan teori rangkaian juga digunakan untuk dibandingkan dengan data hasil pengukuran. Praktikan menemukan berbagai karakteristik transistor dalam data yang telahdidapat, seperti nilai current gain dan tegangan saturasi. Analisis yang lebih mendetil menunjukkan adanya deviasi yang dapat teramati antara analisis teoritis dengan data hasil pengukuran.

- by Yuwanza Ramadhan
- •
- Experimental Psychology, Transistor

— Bipolar Junction Transistor DC analysis experiment is done in order to know the characteristic of the transistor based on current on the collector and base also in order to know the constant value of the current amplifier (hfe). The main method of this experiment is calculating the current of basis, emitor and collector based on the data of the voltage and the resistance of base, collector and emitter so that the value of hfe can be determined also the basis voltage can be calculated from this experiment. From the experiment and calculation the conclusion we get is that the characteristic of BJT on DC current are to strengthen the current and to be the switch of the circuit while the common-emitter configuration is the strongest among the three of the configuration of the transistor. Meanwhile, the constant value of the current amplifier alpha and beta we get is 2,56 and 1,67.

- by Sulistiyawati Dewi Kiniasih
- •
- Elektronika, Transistor, Bipolar Junction Transistor

Dalam dunia elektronika, transistor memiliki peranan yang sangat penting sebagai alat
semikonduktor yang dipakai sebagai penguat. Bagian yang diperkuat adalah amplitudo dari sinyal. Penguat
daya yang akan diuji adalah kelas A, B, dan C. Proses perancangan rangkaian penguat yang akan dibuat
diperkirakan terlebih dahulu nilai-nilai komponen dan berapa jumlah komponen yang dipakai. Dari hasil
perancanga tersebut maka akan didapatkan sebuah acuan dalam pembuatan trainer. Setiap pengukuran yang
dilakukan akan dibandingkan antara parameter input dan parameter output masing-masing rangkaian
penguat. Yang mempengaruhi penguatan pada rangkaian penguat ada pada kombinasi dari komponen yang
digunakan misalnya nilai dari tahanan yang dipakai pada masing-masing titik pengukuran yang dilakukan.
Hasil pengujian menunjukkan nilai penguatan rata-rata pada rangkaian penguat kelas A rata-ratanya sebesar
26,6 kali tegangan masukan yang diberikan. Sedangkan pada penguat kelas B sebesar 1,5 kali. Dari hasil
perhitungan yang digunakan ada perbedaan pada pengukuran langsung dengan datasheet transistor yang
digunakan sebesar 60, setelah dilakukan pengukuran penguatan yang digunakan sebesar 8 kali. Pengujian
pada rangkaian yang sudah dibuat masih dihasilkan nilai error. Nilai error dapat terjadi karena beberapa hal
yaitu perbedaan nilai komponen yang dipakai pada rangkaian sebenarnya karena nilai komponen ada yang
tidak sama sesuai dengan perhitungan secara teori. Sehingga mempengaruhi adanya perbedaan nilai
pengukuran dan secara teori.

- by ST3 Telkom Purwokerto and +1
- •
- Software Components, Parameter estimation, Error Analysis, Intercultural communication(Components)

(BJT) adalah jenis transistor yang memiliki tiga kaki, yaitu (Basis,Kolektor, dan Emitor) dan di pisah menjadi dua arah aliran, positif dan negatif. Aliran positifdan negatif diantara Basis dan Emitor terdapat tegangan dari 0v sampai 6v tergantung pada besar tegangan sumber yang dipakai. Dan besar tegangan tersebut merupakan parameter utama transistor tipe BJT

- by .Anatoli #7999
- •
- BJT, Transistor

— The name of experiment is Analysis of AC Voltage Bipolar Junction Transistor. The purposes of Analysis of AC Voltage Bipolar Junction Transistor is to knowing the characteristics of the basic configuration of a bipolar junction transistor common base, common emitter and common collector. The principals of this experiment are transistor as a current amplifier and voltage. In the experiment, data retrieval was done using software proteus for common base and common emiter and see oscilloscope to observe the output signal obtained also from proteus. The conclusions of this experiment that the basic configuration characteristics BJT common base, its base is grounded while common emitter, emitter digroundkan with input signal and output signal obtained in the form of sinus. In the output signal has an amplitude greater than the input signal and the inverter of the input signal.

- by Sulistiyawati Dewi Kiniasih
- •
- Transistor, Laporan Praktikum Fisika

ABSTRAK Kebutuhan energi listrik dewasa ini semakin meningkat seiring dengan perkembangan teknologi yang begitu pesat, dengan kebutuhan energi yang begitu besar, bahan bakar fosil dan gas bumi tidak mampu lagi untuk mencukupi kebutuhan energi yang ada, sumber-sumber energi ini akan habis cepat atau lambat. Dalam usaha untuk memenuhi kebutuhan tersebut maka perlu dikembangkan dan dimanfaatkan energi terbarukan yaitu energi yang dapat dihasilkan terus-menerus. Indonesia sebagai negara tropis mempunyai potensi energi surya yang tinggi dengan radiasi harian rata-rata (insolasi) sebesar 4.8 kWh/m 2 /hari. Listrik dengan tenaga surya dinilai mampu menghemat ongkos tagihan listrik. Namun harga solar cell yang ada di pasaran pada saat ini masih dianggap cukup mahal bagi sebagian masyarakat. (Maysha et.al., 2013) Transistor seri 2N3055 merupakan transistor tipe NPN yang sering digunakan pada amplifier khususnya pada penguat akhir yang dalam hal ini mengkonsumsi energi listrik, namun dengan membuka tutup atas transistor, Transistor jenis NPN tipe Keluaran yang dihasilkan ketika menghubungkan probe merah dan hitam multitester masing-masing dengan kaki emiter dan kaki kolektor dapat menghasilkan tegangan pada rentang 0,4 – 0,6 V dan arus 0,06 – 0,15 mA. Kata Kunci : energi baru terbarukan, Photovoltaic Panel, Transistor 2N3055

- by Marcel Rawis
- •
- Photovoltaics, Renewable Energy, Transistor
- by Nabil Elk
- •
- Polarisation, Transistor, Génie électrique

Le schéma ci-dessous, représente sous une forme simplifiée l'amplificateur de sortie en vidéofréquence d'un téléviseur à tube cathodique. Cet amplificateur est destiné à attaquer la cathode du tube image branchée au collecteur C 2 du transistor T 2. Le courant consommé par cette cathode est négligeable devant le courant de collecteur du transistor T 2 commandé par l'intermédiaire du transistor T 1. L'amplitude du signal exigé par le tube image étant supérieure à 100V, l'alimentation du montage est fixée à V CC = 200 V. Une deuxième alimentation V CC1 de 12 V est connectée sur la base de T 2. Le gain en courant β des transistors est égal à 100. 1° PARTIE : CONDITIONS DE PUISSANCE DISSIPABLE 1. Sachant que les caractéristiques de dissipation thermique du transistor T 2 sont : T j max = 200 °C et R th j-amb = 220 °C/W. Calculer la puissance P que peut dissiper ce transistor dans l'ambiance normale du téléviseur en fonctionnement c'est-à-dire à une température ambiante de 30°C. 2. Quel est à 0,1 V près le potentiel de l'émetteur de T 2 ? En déduire la variation maximale de la tension V CE2 de ce transistor. 3. Montrer que la puissance dissipée dans T 2 est maximale lorsque son point de repos est au milieu de sa droite de charge. 4. Calculer dans ces conditions le courant de repos I C2 de T 2 que permet la limitation de la puissance maximale. En déduire la valeur normalisée que l'on doit donner à la résistance R C ainsi que le courant maximal de collecteur I C2max de T 2. 1 Philippe ROUX © 2006 http://rouxphi3.perso.cegetel.net + V CC = +200 V + V CC1 = +12 V e g

- by The Health Tox
- •
- Transistor, Transistores

Resumen — El presente trabajo describe el diseñó de un circuito de potencia y su simulación que permitirá mantener constante la salida de voltaje (48V) y potencia (1kW) durante una hora, este sistema será usado para alimentar el funcionamiento de un motor DC de imanes permanentes con una reserva de energía en un módulo de supercapacitores. Los elementos utilizados en el convertidor bidireccional DC-DC fueron diseñados y seleccionados para cumplir con los requisitos de funcionamiento del sistema. Se propone un lazo de control PID, el cual podrá regular la señal PWM para el correcto funcionamiento de los interruptores de potencia. Se realizaron pruebas para validar el circuito en relación con los resultados obtenidos. El transistor mosfet de canal N seleccionado de una lista de diferentes tipos de conmutadores, esto se debe a que sus características se ajustan a los parámetros requeridos. El diseño especifica el tipo y valor de cada uno de los componentes, así como las ecuaciones y los métodos utilizados para obtener los valores de salida. Abstract—The power design circuit and simulation to maintain constant the voltage (48V) and power (1kW) parameters for one hour used for the operation of a permanent magnet DC motor with a backup of the energy of a supercapacitors module was presented. The elements used in a bidirectional DC-DC converter were designed and selected to meet the proposed requirements. A PID control system are proposed, which will be able to control the PWM for the correct operation of the power switches. Tests were performed to validate the circuit in relation to the results obtained. The N-channel mosfet was selected from different types of switches because its characteristics conform to the established parameters. The design specifies the type and value of each of the components, as well as the equations and methods used to obtain the output values.

- by Marcelo Moya and +1
- •
- Supercapacitors, Motor, Bidirectional Converters, MOSFET

Power failure or outage in general does not promote development to public and private sector. The investors do not feel secure to come into a country with constant or frequent power failure. These limit the development of industries. In addition there are processes that cannot be interrupted because of their importance, for instance surgery operation in hospitals, transfer of money between banks and lots more. This paper presents the design and construction of an automatic power changeover switch that switches power supply from public supply to generator once there is public power supply outage and it does this automatically. This is achieved by the use of integrated circuits that have timing abilities and relays to effect switching.

- by chrstopher woke
- •
- Electrical Engineering, Switching, Motor, Generator
- by Meg Griffin
- •
- Transistor, Emitter

- by Sibananda Biswal
- •
- Switching, Motor, Generator, Transistor
- by Erick Hdz
- •
- Electronics, PDF, Semiconductor, Archive

D Wide Supply Range: − Single Supply . . . 3 V to 32 V (26 V for LM2904) − or Dual Supplies . . . +1.5 V to +16 V (+13 V for LM2904) D Low Supply-Current Drain, Independent of Supply Voltage . . . 0.7 mA Typ D Common-Mode Input Voltage Range Includes Ground, Allowing Direct Sensing Near Ground D Low Input Bias and Offset Parameters: − Input Offset Voltage . . . 3 mV Typ A Versions . . . 2 mV Typ − Input Offset Current . . . 2 nA Typ − Input Bias Current . . . 20 nA Typ A Versions . . . 15 nA Typ D Differential Input Voltage Range Equal to Maximum-Rated Supply Voltage . . . 32 V (26 V for LM2904) D Open-Loop Differential Voltage Amplification . . . 100 V/mV Typ D Internal Frequency Compensation

- by Daniel Ponce
- •
- Electronics & Telecommunication Engineering, PDF, Semiconductor, Archive

- by GOKUL G
- •
- Electrical Engineering, Switching, Motor, Generator

A non-volatile memory ferroelectric-gate field-effect transistor (FeFET), fabricated with à dual (top and bottom) channel is demonstrated. This transistor consists entirely of the following thin films: Heavily doped Silicon (Si n++) substrate with thermally grown silicon dioxide (SiO 2 ) (bottom gate electrode); poly[(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene] (P(VDF-TrFE)) (ferroelectric) and gallium indium zinc oxide (GIZO) (semiconductor). The channel conductance of the transistor was controlled by varying the bottom gate bias, while keeping the top gate bias constant. In both cases (positive & negative bottom gate bias), memory device (top & bottom) gates were performed essentially to investigate the chances of enhancing 1) the dipole switching/programming speed to a practical level, and 2) the retention behavior of the memory transistor by controlling the onset voltage.

- by IOSR Journals
- •
- Electrical Engineering, Memory, Semiconductor, Thin Film

Indium gallium zinc oxide thin film transistor (IGZO TFT) characteristics are investigated, improved and then compared with the standard metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). The device tends to operate with a negative threshold voltage which is undesirable as it means the device is 'ON' at 0.0 V. For the device to be an effective CPU switch, it needs to operate with voltage values between 0.0 V and 5.0 V where the lower value means it is completely OFF with no leakage currents. Negative fixed charge was introduced to help turn the device OFF whereas the MOSFET had negligible values. The TFT was driven at a drain voltage of 1.0 V whereas the MOSFET was at 0.1 V. This made the two devices comparable with similar threshold voltage of 0.6 V and an ideal subthreshold swing of 60 mV/decade. The experiment shows that the subthreshold voltage for the IGZO TFT is excellent at lower drain currents but degrades at higher currents. The quick degradation observed on the subthreshold region can also be attributed to short channel effects (SCEs). Keywords: Indium gallium zinc oxide thin film transistor (IGZO TFT), metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), scaling, short channel effects (SCE)

- by Nonofo Ditshego and +2
- •
- Materials Science, Nanotechnology, Optoelectronics, (nano & Micro Electronics) &(software Programing)

The 3842A(AM)/43A(AM)/44A(AM)/45A(AM) are fixed frequency current mode PWM controller. They are specially designed for OFF−Line and DC to DC converter applications with a minimal external components. Internally implemented circuits include a trimmed oscillator for precise duty cycle control, a temperature compensated reference, high gain error amplifier, current sensing comparator, and a high current totempole output ideally suited for driving a power MOSFET. Protection circuitry includes built undervoltage lockout and current limiting. The 3842A(AM) and 3844A(AM) have UVLO thresholds of 16 V (on) and 10 V (off). The corresponding thresholds for the 3843A(AM)/45A(AM) are 8.4V (on) and 7.6V (off). The MIK3842A(AM) and MIK3843A(AM) can operate within 100% duty cycle. The 3844A(AM) and UC3845A(AM) can operate within 50% duty cycle. The 384XA(AM) has Start-Up Current 0.17mA (typ).

- by Ahmad Apriyanto
- •
- Transistor
- by Gede Bagus Kantwa A
- •
- Transistor

The transformation of biochemical information into a physical or chemical signal is the basic idea behind a biosensor. The efficient detection of charged biomolecules by biosensor with appropriate device has caught tremendous research interest in the present decade. The present work is related to the simulation study of the performance of a functionalized surface of a biologically sensitive field-effect transistor. The detection process is less time consuming and less expensive as it combines a biological sensor and a measurement circuit in a small chip. In this model, a constant potential difference is maintained in between the two electrodes, one of which is functionalized with different types of biomolecules. With the number of double strand DNA oligomers, the concentration of Na + and Cl ions in the electrolyte in between the electrodes is changed, resulting in changes in surface charge density and dipole moment. Monte-Carlo simulation is performed in a neutral environment after...

- by Keka Talukdar
- •
- Chemistry, Nanoelectronics, Modeling and Simulation, Nanomaterials

Y = A H = HIGH Logic Level L = LOW Logic Level

- by Omar Salazar
- •
- PDF, Semiconductor, Archive, Ic

Description The TCRT5000(L) has a compact construction where the emitting-light source and the detector are arranged in the same direction to sense the presence of an object by using the reflective IR beam from the object. The operating wavelength is 950 mm. The detector consists of a phototransistor. Applications D Position sensor for shaft encoder D Detection of reflective material such as paper, IBM cards, magnetic tapes etc. D Limit switch for mechanical motions in VCR D General purpose – wherever the space is limited Features D Snap-in construction for PCB mounting D Package height: 7 mm D Plastic polycarbonate housing construction which prevents crosstalk D L = long leads D Current Transfer Ratio (CTR) of typical 10%

- by son pham
- •
- PDF, Semiconductor, Archive, Ic

s DESCRIPTION Fujitsu resonators C4 series (G type) feature originally developed single crystals with a high electromechanical coefficient (LiNbO3 lithium niobate), the result is ultra compact packaging. C4 series (G type) with built-in... more

- by Mike Jhon
- •
- PDF, Semiconductor, Archive, Ic

Female figures routinely appear in popular fiction as ostensibly critical correctives to masculinity who can inadvertently retrench problematic divisions between “Woman” and “Man.” In video games, these figures are often aural rather than visual; whether they are off-screen narrators, nonplayer characters, framing devices, or divinities, players regularly hear voices without seeing their source. While many games leave voices off-screen for reasons of technical and economic constraint, developers may restrict voices in this manner for other reasons as well—or at least with other consequences. The voice is a particularly potent site for the production of sexual difference, and the restriction of the female voice to relatively narrow protocols can result in the reduction of female characters to mere agential functions. This article offers brief critical readings of the acousmatic female voice in five recent games—BioShock (2007), Gone Home (2013), The Stanley Parable (2013), The Talos Principle (2014), and Firewatch (2016)—that illustrate the complicated connections between gender, games, technology, and the political. It then turns to the work of Super-giant Games, a small developer responsible for four critical and popular successes. Rather than reducing women’s voices to agential player functions, Supergiant’s first two games, Bastion (2011) and Transistor (2014), pose these voices as an affirmation of the characters’ agency. Moreover, because of the distressing character of this affirmation for certain players, Supergiant at first represses these characters’ speech. Although they are rendered voiceless, they are anything but powerless.

- by Liam Mitchell
- •
- Game studies, Bastion, Acousmatic voice, Transistor
- by Emmanuel Arenas
- •
- PDF, Semiconductor, Archive, Ic

DESCRIPTION The 2SK3918 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 7.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) • Low Ciss: Ciss = 1300 pF TYP. • 5 V drive available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) Drain to Source Voltage (VGS = 0 V) VDSS 25 V Gate to Source Voltage (VDS = 0 V) VGSS ±20 V Drain Current (DC) (TC = 25°C) ID(DC) ±48 A

- by ari rosa
- •
- Electrical Engineering, PDF, Semiconductor, Archive

In low power design circuits the leakage power and ground bounce noise are plays a virtual role in the any
module. The leakage power consumption and ground bounce noise are effects a performance of the module. In
digital electronics adders are used to addition operation. Adders are used in many applications and adders are
not only performing the arithmetic operation but adders also used to generate the address in processors and
many controllers. In this paper we are designing the low power 14Transistor full adder for the purpose of
reducing ground bounce noise in mobile applications. Here we are designing the 14T full adder using 7 NMOS
and PMOS Transistors. Using Digital schematic (DSCH) software we are designing the 14Transistor full adder
and simulation result is performed by the microwind3.1 software

- by IJRCAR JOURNAL
- •
- Electrical Engineering, Micro Wind Turbines, Low Power, Transistor

Have you ever wondered what is the most important invention of all time? Or of the twentieth century? How do we measure the greatness or importance of an invention? A possible criterion is the ingenuity required for the invention. I would opt, however, for the invention's practical consequences as a criterion of an invention's greatness and importance.

- by Michael Sidiropoulos
- •
- Computer Science, Information Technology, Physics, Wireless Communications