JFET (original) (raw)
Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs.
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| dbo:abstract | الترانزستور الحقلي الوصلي (بالإنجليزية: junction gate field-effect transist، اختصارًا JFET)وهو من أبسط أنواع الترانزستور الحقليّ، يوصل أحياناً بجهد كهربائي على (البوابة) Gate، وبواسطة ذلك الجهد يمكن التحكم في التيار الكهربي بين المنبع (مصدر)Source والمصب (المخرج) Drain. ويوجد نوعان من هذا الترانزستور: 1-مقحل «قناة إن» n-Kanal ، وهو مادة مشوبة «بنوع إن» من التشويب، 2-مقحل «قناة بي» p-Kanal ، وهو مكون من مادة مشوبة «بنوع بي» من التشويب. ونظرا لأن التيار الكهربائي سوف يسير فيه من المصب إلى المصدر فهو يعتبر أحادي القطب.بالإضافة إلى هذا الجسم تترسب عليه طبقة من نوع التشويب الآخر، وعن طريق تغيير جهدها الكهربائي يمكن التحكم في التيار المار في القناة. ملحوظة: الفرق بينه وبين ترانزستور ثنائي الأقطاب هو أن ثنائي الأقطاب مكون من الأجزاء NPN أو PNP . (ar) JFET, příp. JUGFET (anglicky junction gate field-effect transistor, česky polem řízený tranzistor s přechodovým hradlem), je nejjednodušším typem polem řízeného tranzistoru. Jedná se o polovodičovou součástku se třemi elektrodami označovanými G (anglicky Gate, česky hradlo nebo brána), S (anglicky Source, česky emitor nebo zdroj), a D (anglicky Drain, česky kolektor nebo odtok), kterou lze používat jako elektronicky řízený spínač, zesilovač nebo napětím řízený rezistor. Podobně jako u bipolárních tranzistorů existují dva druhy JFET lišící se typem polovodiče: JFET s kanálem (N-JFET) a s kanálem (P-JFET). Bipolární tranzistory jsou řízené proudem bází, a pokud bází neteče žádný proud, jsou zavřené. Naproti tomu JFET jsou řízené napětím na elektrodě G, a není-li mezi elektrodami G a S žádný rozdíl potenciálů, je JFET otevřený, takže polovodičovým kanálem mezi elektrodami S a D může téct elektrický náboj. Přivedením předpětí vhodné polarity na elektrodu G dochází k přivírání kanálu – JFET bude klást průtoku proudu určitý odpor, takže proud kanálem mezi elektrodami S a D bude menší; při dosažení závěrného napětí poklesne proud protékající kanálem na nulu. Pro řízení vodivosti JFET tedy přivádíme na elektrodu G napětí v závěrném směru a říkáme, že JFET pracuje v . U JFET s kanálem typu N dochází k omezování proudu mezi elektrodami S a D, pokud je napětí na elektrodě G menší než napětí na elektrodě S (u P-JFET naopak pokud je napětí na elektrodě G větší než napětí na elektrodě S). JFET má velkou vstupní impedanci (řádu až 1010 ohmů), což znamená, že obvody připojené k elektrodě G ovlivňuje JFET zcela zanedbatelně. (cs) El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en català: transistor d'efecte camp d'unió) és un dispositiu electrònic, és a dir, un circuit que, segons uns valors elèctrics d'entrada, reacciona donant uns valors de sortida. En el cas dels JFET, en ser transistors d'efecte de camp elèctric, aquests valors d'entrada són les tensions elèctriques, en concret la tensió entre els terminals S (font) i G ( porta), V GS . Segons aquest valor, la sortida del transistor presentarà una corba característica que es simplifica definint-hi tres zones amb equacions definides: tall, òhmica i saturació. Físicament, un JFET dels anomenats "canal P" està format per una pastilla de semiconductor tipus P en els extrems se situen dues patilles de sortida (drenador i font) flanquejada per dues regions amb dopatge de tipus N en què es connecten dos terminals connectats entre si (porta). En aplicar una tensió positiva (en inversa) VGS entre porta i font, les zones N creen al seu voltant sengles zones en les que el pas d'electrons (corrent ID ) queda tallat, anomenades zones d'exclusió. Quan aquesta VGS sobrepassa un valor determinat, les zones d'exclusió s'estenen fins a tal punt que el pas d'electrons ID entre font i drenador queda completament tallat. A aquest valor de VGS se l'anomena Vp. Per a un JFET "canal P" les zones pin s'inverteixen, i les VGS i V p són positives, tallant el corrent per a tensions majors que Vp. Així, segons el valor de VGS es defineixen dues primeres zones: una activa per tensions negatives grans que Vp (ja que Vp és també negativa) i una zona de tall per tensions menors que Vp. Els diferents valors de la ID en funció de la VGS venen donats per una gràfica o equació anomenada equació d'entrada. A la zona activa, en permetre el pas de corrent, el transistor donarà una sortida al circuit que ve definida per la mateixa ID i la tensió entre el drenador i la font VDS. A la gràfica o equació que relaciona estàs dues variables s'anomena equació de sortida, i en ella és on es distingeixen les dues zones de funcionament d'activa: òhmica i saturació. (ca) Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs. (de) Loturazko eremu-efektu transistorea —ingelesez:Junction Field-Effect Transistor, JFET— hiru terminaleko gailu elektroniko bat da eta elektronikoki kontrolatutako etengailu, anplifikadore edo tentsioren bidez kontrolatutako erresistentzia gisa erabil daiteke. Hiru terminal horiei atea (G), drainatzailea (D) eta iturria (S) deritze. JFET transistoreak, transistore bipolarrak ez bezala, tentsiorekin kontrolatuta denez, ez du polarizazio-korrontearik behar. Karga elektrikoa drainatzaile eta iturriaren artean dagoen N edo P motako arteka semikonduktorearen bidez doa. Alderantzizko tentsio elektriko bat aplikatzean sarrerako terminalean, arteka estutu egiten da eta erresistentzia gehiago suposatzen dio korronteari. JFET transistorea N motako edo P motako arteka bat eduki daiteke. N motakoetan, atean jarritako tentsio elektrikoa negatiboa bada iturriarekiko, korrontea gutxitu egingo da. Era berean, hori gertatzeko P motakoetan, sarreran aplikatutako tentsioa positiba izan behar da. JFET transistoreak handia du, 1010 ohm ingurukoa. Beraz, efektu baztergarria dauka atean konektatutako beste zirkuito eta osagai elektronikoekin konparatuta. (eu) The junction-gate field-effect transistor (JFET) is one of the simplest types of field-effect transistor. JFETs are three-terminal semiconductor devices that can be used as electronically controlled switches or resistors, or to build amplifiers. Unlike bipolar junction transistors, JFETs are exclusively voltage-controlled in that they do not need a biasing current. Electric charge flows through a semiconducting channel between source and drain terminals. By applying a reverse bias voltage to a gate terminal, the channel is pinched, so that the electric current is impeded or switched off completely. A JFET is usually conducting when there is zero voltage between its gate and source terminals. If a potential difference of the proper polarity is applied between its gate and source terminals, the JFET will be more resistive to current flow, which means less current would flow in the channel between the source and drain terminals. JFETs are sometimes referred to as depletion-mode devices, as they rely on the principle of a depletion region, which is devoid of majority charge carriers. The depletion region has to be closed to enable current to flow. JFETs can have an n-type or p-type channel. In the n-type, if the voltage applied to the gate is negative with respect to the source, the current will be reduced (similarly in the p-type, if the voltage applied to the gate is positive with respect to the source). Because a JFET in a common source or common drain configuration has a large input impedance (sometimes on the order of 1010 ohms), little current is drawn from circuits used as input to the gate. (en) El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).. A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (región de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta determinado límite cuando deja de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión entre los terminales D y S (VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D (ID o corriente de drenaje) es una curva característica y propia de cada JFET. Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el orden de 1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta. (es) Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal. On distingue les JFET avec un canal de type N, et ceux avec un canal de type P. (fr) Transistor efek medan sambungan (TEMS, JFET atau JUGFET) adalah tipe paling sederhana dari transistor efek medan. Ini dapat digunakan sebagai sebuah sakelar terkendali elektronik atau resistansi terkendali tegangan. Muatan listrik mengalir melalui kanal semikonduktor di antara saluran sumber dan cerat. Dengan memberikan ke saluran gerbang, kanal dijepit, jadi arus listrik dihalangi atau dimatikan sepenuhnya. (in) Il transistor ad effetto di campo a giunzione o jFET (acronimo dell'inglese "junction gate Field-Effect Transistor", comunemente pronunciato "gèifet") è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET). (it) JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Esses materiais podem ser do tipo P (dopado positivamente) ou do tipo N (dopado negativamente) dependendo da dopagem de seu canal, pois eles sempre serão o oposto. Com esses materiais colocados em contato direto com o canal, cria-se uma zona de depleção que é influenciada pelas tensões injetadas no Canal, fazendo com que elas se "abram" ou "fechem" mais, influenciando assim na resistência do canal do JFET. (pt) Tranzystor polowy złączowy, JFET (ang. Junction Field-Effect Transistor) – jeden z rodzajów tranzystorów polowych. Tranzystor taki składa się z warstwy półprzewodnika typu n (tranzystor z kanałem typu n) lub typu p (tranzystor z kanałem typu p) oraz wbudowanej w nią, silnie domieszkowanej warstwy półprzewodnika przeciwnego typu (odpowiednio p+ i n+). W rezultacie w tranzystorze jest złącze p-n. Na zewnątrz obudowy wyprowadzone są trzy końcówki: dren (D, drain); źródło (S, source) oraz bramka (G, gate) Tranzystor polaryzuje się tak, ażeby nośniki większościowe (dziury w tranzystorach typu p, elektrony w tranzystorach typu n) przepływały od źródła do drenu. Natomiast złącze bramka – źródło polaryzuje się zaporowo. Gdy napięcie bramka – źródło (UGS) jest równe zero, wówczas nośniki większościowe płyną bez przeszkód – prąd dla danego napięcia dren – źródło (UDS) osiąga wartość maksymalną oznaczaną symbolem IDSS. Gdy natomiast napięcie bramka – źródło zacznie rosnąć (a dokładniej jego wartość bezwzględna), wówczas w złączu p-n, które jest spolaryzowane zaporowo pojawi się obszar ładunku przestrzennego (obszar zubożony). Obszar ten wnika w kanał, a że praktycznie nie ma w nim swobodnych nośników (charakteryzuje się bardzo dużą rezystancją), czynny przekrój kanału maleje. Efektem jest zwiększenie rezystancji kanału, a więc ograniczenie prądu dren – źródło. Gdy napięcie bramka – źródło osiągnie charakterystyczną dla danego tranzystora maksymalną wartość UGSOFF, kanał praktycznie zatyka się – prąd dren – źródło jest bardzo mały, rzędu 1–10 mikroamperów, tranzystor nie przewodzi. Prąd drenu jest funkcją napięcia bramka – źródło i jego zmiana następuje na skutek zmian pola elektrycznego, co nazywane jest efektem polowym; zależność tę przedstawia rysunek. Przebieg charakterystyki zależy od temperatury – wraz z jej wzrostem prąd IDSS rośnie, natomiast napięcie UGSOFF maleje. Istnieje jednak jeden punkt na charakterystyce (wyznaczany przez konkretne wartości prądu i napięcia), który nie ulega zmianom pod wpływem temperatury. Można zatem ustalić taki punkt pracy tranzystora, aby układ był niewrażliwy na zmiany temperatury, co jest ważną zaletą. Tranzystor polowy może działać w trzech zakresach pracy: * liniowym (triodowym) – prąd drenu liniowo zależy od napięcia dren – źródło; tranzystor zachowuje się jak rezystor półprzewodnikowy; * nasycenia – prąd drenu zależy praktycznie wyłącznie od napięcia bramka – źródło; napięcie dren – źródło musi przekroczyć określoną wartość oznaczaną UDSsat. * powielania lawinowego. Podstawowe parametry tranzystora JFET: * prąd wyłączenia (ID(OFF)) – prąd drenu dla napięcia bramka – źródło przekraczającego wartość UGSOFF * rezystancja statyczna włączenia * rezystancja statyczna wyłączenia * maksymalny prąd drenu * maksymalny prąd bramki * maksymalne napięcie dren – źródło * dopuszczalne straty mocy (typowo rzędu miliwatów) (pl) JFET — польовий транзистор з керівним p-n переходом (англ. junction gate field-effect transistor). Він може бути використаний як керований перемикач або як потенціометр, керований напругою. Застосовуючи зворотню напругу зміщення до затвора, канал «затискається», так що протікання електричного струму ускладнене або його повністю вимкнено. (uk) 结型场效应管（JFET，英語：junction gate field-effect transistor）是单极场效应管中最简单的一种。它可以分n沟道（n-channel）或者p沟道（p-channel）两种。在下面的论述中主要以n沟道结型场效应管为例，在p沟道结型场效应管中n区和p区以及所有电压正负和电流方向正好颠倒過来。 (zh) |
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(in) Il transistor ad effetto di campo a giunzione o jFET (acronimo dell'inglese "junction gate Field-Effect Transistor", comunemente pronunciato "gèifet") è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET). (it) JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Esses materiais podem ser do tipo P (dopado positivamente) ou do tipo N (dopado negativamente) dependendo da dopagem de seu canal, pois eles sempre serão o oposto. Com esses materiais colocados em contato direto com o canal, cria-se uma zona de depleção que é influenciada pelas tensões injetadas no Canal, fazendo com que elas se "abram" ou "fechem" mais, influenciando assim na resistência do canal do JFET. (pt) JFET — польовий транзистор з керівним p-n переходом (англ. junction gate field-effect transistor). Він може бути використаний як керований перемикач або як потенціометр, керований напругою. Застосовуючи зворотню напругу зміщення до затвора, канал «затискається», так що протікання електричного струму ускладнене або його повністю вимкнено. (uk) 结型场效应管（JFET，英語：junction gate field-effect transistor）是单极场效应管中最简单的一种。它可以分n沟道（n-channel）或者p沟道（p-channel）两种。在下面的论述中主要以n沟道结型场效应管为例，在p沟道结型场效应管中n区和p区以及所有电压正负和电流方向正好颠倒過来。 (zh) الترانزستور الحقلي الوصلي (بالإنجليزية: junction gate field-effect transist، اختصارًا JFET)وهو من أبسط أنواع الترانزستور الحقليّ، يوصل أحياناً بجهد كهربائي على (البوابة) Gate، وبواسطة ذلك الجهد يمكن التحكم في التيار الكهربي بين المنبع (مصدر)Source والمصب (المخرج) Drain. ويوجد نوعان من هذا الترانزستور: 1-مقحل «قناة إن» n-Kanal ، وهو مادة مشوبة «بنوع إن» من التشويب، 2-مقحل «قناة بي» p-Kanal ، وهو مكون من مادة مشوبة «بنوع بي» من التشويب. ملحوظة: الفرق بينه وبين ترانزستور ثنائي الأقطاب هو أن ثنائي الأقطاب مكون من الأجزاء NPN أو PNP . (ar) El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en català: transistor d'efecte camp d'unió) és un dispositiu electrònic, és a dir, un circuit que, segons uns valors elèctrics d'entrada, reacciona donant uns valors de sortida. En el cas dels JFET, en ser transistors d'efecte de camp elèctric, aquests valors d'entrada són les tensions elèctriques, en concret la tensió entre els terminals S (font) i G ( porta), V GS . Segons aquest valor, la sortida del transistor presentarà una corba característica que es simplifica definint-hi tres zones amb equacions definides: tall, òhmica i saturació. (ca) JFET, příp. JUGFET (anglicky junction gate field-effect transistor, česky polem řízený tranzistor s přechodovým hradlem), je nejjednodušším typem polem řízeného tranzistoru. Jedná se o polovodičovou součástku se třemi elektrodami označovanými G (anglicky Gate, česky hradlo nebo brána), S (anglicky Source, česky emitor nebo zdroj), a D (anglicky Drain, česky kolektor nebo odtok), kterou lze používat jako elektronicky řízený spínač, zesilovač nebo napětím řízený rezistor. (cs) The junction-gate field-effect transistor (JFET) is one of the simplest types of field-effect transistor. JFETs are three-terminal semiconductor devices that can be used as electronically controlled switches or resistors, or to build amplifiers. JFETs are sometimes referred to as depletion-mode devices, as they rely on the principle of a depletion region, which is devoid of majority charge carriers. The depletion region has to be closed to enable current to flow. (en) Loturazko eremu-efektu transistorea —ingelesez:Junction Field-Effect Transistor, JFET— hiru terminaleko gailu elektroniko bat da eta elektronikoki kontrolatutako etengailu, anplifikadore edo tentsioren bidez kontrolatutako erresistentzia gisa erabil daiteke. Hiru terminal horiei atea (G), drainatzailea (D) eta iturria (S) deritze. JFET transistoreak, transistore bipolarrak ez bezala, tentsiorekin kontrolatuta denez, ez du polarizazio-korrontearik behar. Karga elektrikoa drainatzaile eta iturriaren artean dagoen N edo P motako arteka semikonduktorearen bidez doa. 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