Static random-access memory (original) (raw)

About DBpedia

ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة (بالإنجليزية: Static random access memory )‏ واختصاراً (SRAM) وهي نوع من ذاكرة الوصول العشوائي تصنع من مواد نصف ناقلة حيث أن تسميتها بالساكنة تعني أنها ليست بحاجة إلى إعادة إنعاشها بشكل دوري مثل ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية حيث أنها تستخدم دائرة مغلاق لتخزين البيانات. تقوم بتخزين البيانات على وحدات تخزين مؤلفة من ترانزستور (له حالتين إما عبور أو عدم عبور) ومن صفات هذا النوع أنه يستهلك طاقة أقل من نوع (D RAM) وأسرع بكثير وأغلى منه.

thumbnail

Property Value
dbo:abstract SRAM (de l'anglès, Static Random Access Memory) és un tipus de memòria d'ordinador primària que normalment s'utilitza en la implementació de la memòria cau dels ordinadors. Les memòries SRAM no només s'utilitzen en les memòries cau de l'ordinador sinó que tenen altres àmbits d'ús com els mòdems router, les impressores, càmeres de fotografia digital o aplicacions de sistemes electrònics, ja que la seva velocitat millora el rendiment d'aquestes aplicacions. Una cel·la de memòria SRAM està normalment formada per sis transistors, tecnologia anomenada 6T memory cells, en contrast de les memòries DRAM que només contenen un transistor, per tant són 1T memory cells. El fet de tenir tants transistors permet afegir registres o ports addicionals que permeten augmentar més la velocitat. Les memòries SRAM estan fabricades amb la tecnologia CMOS que redueixen els nivells de consum, ja que estan fetes de forma que l'única energia que fan despendre dels xips són les interferències elèctriques passatgeres. (ca) SRAM (statická paměť, anglicky Static Random Access Memory) je v informatice označení polovodičové paměti typu RAM realizované bistabilním klopným obvodem. Označení statická se vztahuje k tomu, že SRAM nepotřebuje periodickou obnovu uložených dat (na rozdíl od paměti typu DRAM). SRAM je velmi rychlá, ale kvůli vyšší složitosti i drahá, a proto je v počítačích používána například jako hardwarová cache v mikroprocesoru (tj. její velikost je výrazně menší než velikost operační paměti RAM). Termín SRAM obvykle označuje volatilní paměť (po odpojení zapomene svůj obsah). Paměť SRAM má v klidovém stavu velmi nízkou spotřebu, takže pokud potřebujeme nevolatilní RAM, lze toho dosáhnout malou pomocnou baterií, která napájí RAM po odpojení počítače od zdroje. Nevýhodou je, že baterii bývá nutné po několika letech vyměnit, zatímco životnost SRAM je mnohem delší. V současnosti (2016) již existují technologie pro nevolatilní RAM, ale zatím nejsou příliš rozšířené. (cs) ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة (بالإنجليزية: Static random access memory )‏ واختصاراً (SRAM) وهي نوع من ذاكرة الوصول العشوائي تصنع من مواد نصف ناقلة حيث أن تسميتها بالساكنة تعني أنها ليست بحاجة إلى إعادة إنعاشها بشكل دوري مثل ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية حيث أنها تستخدم دائرة مغلاق لتخزين البيانات. تقوم بتخزين البيانات على وحدات تخزين مؤلفة من ترانزستور (له حالتين إما عبور أو عدم عبور) ومن صفات هذا النوع أنه يستهلك طاقة أقل من نوع (D RAM) وأسرع بكثير وأغلى منه. (ar) Static random-access memory (deutsch: statisches RAM, Abkürzung: SRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein. Zusammen mit dem dynamischen RAM (DRAM) bildet es die Gruppe der flüchtigen (volatil; engl. volatile) Speicher, das heißt, die gespeicherte Information geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren. Im Gegensatz zu DRAM benötigt der SRAM kein periodisches (dynamisches) Auffrischen (engl. refresh) zur Vermeidung von Datenverlust in jeder Datenzelle, sondern behält seine Dateninformation, solange die Betriebsspannung anliegt. (de) La mémoire vive statique (ou SRAM de l'anglais Static Random Access Memory) est un type de mémoire vive utilisant des bascules pour mémoriser les données. Mais contrairement à la mémoire dynamique, elle n'a pas besoin de rafraîchir périodiquement son contenu. Comme la mémoire dynamique, elle est volatile : elle ne peut se passer d'alimentation sous peine de voir les informations effacées irrémédiablement. (fr) SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Este concepto surge en oposición al de memoria DRAM (RAM dinámica), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada en condensadores, que sí necesita refresco dinámico de sus cargas.​ Existen dos tipos: volátiles y no volátiles, cuya diferencia estriba en si los datos permanecen o se volatilizan en ausencia de alimentación eléctrica. (es) Memori akses acak statik (bahasa Inggris: Static Random Access Memory, SRAM) adalah sejenis memori semikonduktor. Kata "statik" menandakan bahwa memori memegang isinya selama listrik tetap berjalan, tidak seperti RAM dinamik (DRAM) yang membutuhkan untuk "disegarkan" ("refreshed") secara periodik. Hal ini dikarenakan SRAM didesain menggunakan transistor tanpa kapasitor. Tidak adanya kapasitor membuat tidak ada daya yang bocor sehingga SRAM tidak membutuhkan refresh periodik. SRAM juga didesain menggunakan desain cluster enam transistor untuk menyimpan setiap bit informasi. Desain ini membuat SRAM lebih mahal tetapi juga lebih cepat jika dibandingkan dengan DRAM. Secara fisik chip, biaya pemanufakturan chip SRAM kira kira tiga puluh kali lebih besar dan lebih mahal daripada DRAM. Tetapi SRAM tidak boleh dibingungkan dengan dan memori flash, karena ia merupakan dan memegang data hanya bila listrik terus diberikan. Akses acak menandakan bahwa lokasi dalam memori dapat diakses, dibaca atau ditulis dalam waktu yang tetap tidak memperdulikan lokasi alamat data tersebut dalam memori. Chip SRAM lazimnya digunakan sebagai chace memori, hal ini terutama karena kecepatannya. Saat ini SRAM dapat diperoleh dengan waktu akses dua nano detik atau kurang, kira-kira mampu mengimbangi kecepatan processor 500 MHz atau lebih. (in) Static random-access memory (static RAM or SRAM) is a type of random-access memory (RAM) that uses latching circuitry (flip-flop) to store each bit. SRAM is volatile memory; data is lost when power is removed. The term static differentiates SRAM from DRAM (dynamic random-access memory) — SRAM will hold its data permanently in the presence of power, while data in DRAM decays in seconds and thus must be periodically refreshed. SRAM is faster than DRAM but it is more expensive in terms of silicon area and cost; it is typically used for the cache and internal registers of a CPU while DRAM is used for a computer's main memory. (en) La memoria ad accesso casuale statica, o SRAM (acronimo di static random access memory), è un tipo di RAM volatile che non necessita di memory refresh. I banchi di memoria SRAM consentono di mantenere le informazioni per un tempo teoricamente infinito, hanno bassi tempi di lettura e bassi consumi, specialmente in condizioni statiche. La necessità di usare molti componenti per cella le rende però più costose delle DRAM. (it) Static random-access memory (SRAM) is een RAM-geheugen waarvan de inhoud in tegenstelling met een DRAM (Dynamic random-access memory) niet periodiek ververst hoeft te worden. Ook bij een SRAM wordt elke bit opgeslagen in een individuele bitcel die echter complexer is. De opgeslagen data in een SRAM kunnen te allen tijde en in elke volgorde worden uitgelezen en wijzigt enkel als deze data worden overschreven of als het spanningsloos wordt. Het is dus een vluchtig geheugen. (nl) 정적 램(靜的 RAM, Static RAM) 또는 에스램(SRAM)은 반도체 기억 장치의 한 종류이다. 주기적으로 내용을 갱신해 주어야 하는 디램(DRAM, 동적 램)과는 달리 기억 장치에 전원이 공급되는 한 그 내용이 계속 보존된다. SRAM은 임의 접근 기억 장치(램, random access memory)이므로 데이터의 쓰고 읽기가 이루어지는 주소와 관계없이 입출력에 걸리는 시간이 일정하다. SRAM은 DRAM의 일종인 SDRAM과는 전혀 다른 기억 소자이므로 서로 구별되어야 한다. SRAM에서 각각의 비트들은 네 개의 트랜지스터로 이루어진 두 쌍의 인버터에 저장된다. 두 쌍의 인버터가 0과 1의 값을 안정된 상태로 유지하고 두 개의 접근 트랜지스터가 읽기와 쓰기 기능을 수행한다. 따라서 한 개의 비트를 저장하기 위해 일반적으로 여덟 개의 트랜지스터를 필요로 한다. 오른쪽 그림에서도 보이는 것처럼 SRAM은 회로의 대칭 구조로 인해 DRAM보다 훨씬 빠른 입출력을 가능하게 한다. 또한, 메모리 주소에 접근할 때 상위 비트와 하위 비트 순서로 두 번 접근해야 하는 DRAM과 달리 SRAM은 한번에 접근할 수 있는 장점이 있다. (ko) Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。DRAM（ダイナミック（動的）RAM）に対して、「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。詳しくは概要を参照。 読み書き可能という意味で慣用的に名前にRAM（ランダムアクセスメモリ、Random Access Memory）が入っているが、厳密には本来の意味とは異なるため、当該項目を参照されたい。これはDRAMも同様である。 (ja) SRAM (ang. Static Random Access Memory), statyczna pamięć o dostępie swobodnym – typ pamięci półprzewodnikowej stosowanej w komputerach, służy jako pamięć buforująca między pamięcią operacyjną i procesorem. Słowo „statyczna” oznacza, że pamięć SRAM przechowuje dane tak długo, jak długo włączone jest zasilanie, w odróżnieniu od pamięci dynamicznej (DRAM), która wymaga okresowego odświeżania. Każdy bit przechowywany jest w pamięci SRAM w układzie zbudowanym z czterech tranzystorów, które tworzą przerzutnik, oraz z dwóch tranzystorów sterujących. Taka struktura umożliwia znacznie szybsze odczytanie bitu niż w pamięci typu DRAM, oraz w przeciwieństwie do pamięci DRAM nie wymaga odświeżania. Pamięci SRAM wykorzystywane są w szybkich pamięciach podręcznych cache, gdyż nie wymagają one dużych pojemności (gęstość danych w SRAM jest 4 razy mniejsza niż w DRAM), ale prędkość dostępu jest około 7 razy szybsza od DRAM (1 cykl SRAM wynosi około 10 ns, natomiast w DRAM około 70 ns). Szybkość ta dotyczy dostępu swobodnego (czyli kolejne odczytywane dane są ulokowane pod różnymi adresami), w przypadku odczytu danych z sąsiednich komórek adresowych szybkość pamięci SRAM i DRAM jest jednak porównywalna. (pl) Статическая память с произвольным доступом (SRAM, static random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Тем не менее сохранять данные без перезаписи SRAM может, только пока есть питание, то есть SRAM остается энергозависимым типом памяти. Произвольный доступ (RAM — random access memory) — возможность выбирать для записи/чтения любой из битов (чаще — байтов, зависит от особенностей конструкции), в отличие от памяти с последовательным доступом (SAM, англ. sequential access memory). (ru) Statiskt minne eller Statiskt RAM (engelska: Static Random Access Memory (SRAM)) är en snabb typ av läs- och skrivbart datorminne som bland annat används som cacheminne i högpresterande mikroprocessorer. Det har då relativt hög strömförbrukning. Statiskt RAM avsett för lägre hastigheter har å andra sidan möjlighet till extremt låg strömförbrukning (i storleken några μA), särskilt då det skrives och läses mer infrekvent. Det används därför som bland annat arbetsminne för processorer i strömsnåla lågprestanda-applikationer (olika typer av inbyggda system). Statiskt RAM är dyrare än dynamiskt RAM eftersom det har lägre lagringstäthet. Det beror på att varje minnescell måste vara en bistabil vippa (typiskt 6 transistorer). Dessa vippor gör att data ligger kvar statiskt så länge strömförsörjningen fungerar, utan att någon periodisk återskrivning krävs. (I ett dynamiskt minne lagras istället varje bit i en speciell sorts transistor med hög egenkapacitans som passivt håller laddningen i de millisekunder som förflyter mellan återskrivningarna.) (sv) Статична оперативна пам'ять з довільним доступом (SRAM, static random access memory) — напівпровідникова оперативна пам'ять з довільним доступом, в якій кожен двійковий розряд зберігається в схемі з додатним зворотним зв'язком, що не потребує регенерації, необхідної в динамічній пам'яті (DRAM). Але зберігати дані без перезапису SRAM можливо тільки поки є живлення, тобто SRAM залишається енергозалежним типом пам'яті (як і DRAM). Перевага SRAM у тому, що вона працює швидше. Однак, оскільки вона дорожча у виробництві, то використовується насамперед для кешу процесорів. Довільний доступ (RAM — random access memory) — можливість вибирати для запису/зчитування будь-який з бітів (частіше байтів, залежить від особливостей конструкції), на відміну від пам'яті з послідовним доступом (SAM — sequential access memory). (uk) 靜態隨機存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）是隨機存取存储器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存储器只要保持通電，裡面儲存的数据就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取記憶體（DRAM）裡面所儲存的数据就需要週期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的数据還是會消失（被称为易失性存储器），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。 (zh)
dbo:thumbnail wiki-commons:Special:FilePath/Hyundai_RAM_HY6116AP-10.jpg?width=300
dbo:wikiPageID 63915 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength 22604 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID 1124149822 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink dbr:Power_(physics) dbr:Pseudostatic_RAM dbr:Router_(computing) dbr:Volatile_memory dbr:Application-specific_integrated_circuit dbr:Charge_sharing dbr:VIC-20 dbr:Video_memory dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:Integrated_circuit dbr:NvSRAM dbr:Noise_margin dbr:Transistor-transistor_logic dbr:MOSFET dbr:Complex_programmable_logic_device dbr:ZX80 dbr:Embedded_system dbr:Pipeline_(computing) dbr:Synchronization dbr:6264 dbr:CPU_cache dbr:Tunnel_diode dbr:Dual-ported_RAM dbr:Miniature_Card dbc:Computer_memory dbr:DDR_SDRAM dbr:Data_remanence dbr:F-RAM dbr:FinFET dbr:Flash_memory dbr:Flip-flop_(electronics) dbr:Kilobyte dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Memory_refresh dbr:Quad_Data_Rate_SRAM dbr:Resistor dbr:1T-SRAM dbc:Types_of_RAM dbr:Internet_of_things dbr:Asynchronous_circuit dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Bit dbr:TRS-80_Model_100 dbr:Ternary_computer dbr:Transistor dbr:Differential_signaling dbr:Digital_signal_processing dbr:Burst_mode_(computing) dbr:CMOS dbr:Field-programmable_gate_array dbr:Emitter_coupled_logic dbr:Measurement_system dbr:Random-access_memory dbr:CPU dbr:X86 dbr:Memory_cell_(computing) dbr:Silicon_on_insulator dbr:Synchronous_dynamic_random-access_memory dbr:STT-MRAM dbr:FIFO_(computing_and_electronics) dbr:In-memory_processing dbr:Kibi_(binary_prefix) dbr:Virtual_ground dbr:Parasitic_capacitance dbr:Register_file dbr:Polysilicon dbr:Minimum_feature_size dbr:LCD_screen dbr:Hard_disk dbr:Industrial_electronics dbr:Main_memory dbr:Latch_(electronic) dbr:Computer_printer dbr:CPU_register dbr:DDR_SRAM dbr:File:Hyundai_RAM_HY6116AP-10.jpg dbr:File:SRAM_Cell_(4_Transistors).svg dbr:File:STM32-SEM-HD.jpg dbr:File:STM32F103VGT6-SRAM.jpg dbr:SyncBurst dbr:Talk:Static_random-access_memory dbr:Zero_bus_turnaround dbr:File:SRAM_Cell_(6_Transistors).svg
dbp:wikiPageUsesTemplate dbt:= dbt:Anchor dbt:Authority_control dbt:Citation_needed dbt:Clear dbt:Commons_category_multi dbt:Distinguish dbt:Math dbt:More_citations_needed dbt:Mvar dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Snd dbt:Abr dbt:Memory_types
dct:subject dbc:Computer_memory dbc:Types_of_RAM
gold:hypernym dbr:Memory
rdf:type owl:Thing dbo:Company
rdfs:comment ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة (بالإنجليزية: Static random access memory )‏ واختصاراً (SRAM) وهي نوع من ذاكرة الوصول العشوائي تصنع من مواد نصف ناقلة حيث أن تسميتها بالساكنة تعني أنها ليست بحاجة إلى إعادة إنعاشها بشكل دوري مثل ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية حيث أنها تستخدم دائرة مغلاق لتخزين البيانات. تقوم بتخزين البيانات على وحدات تخزين مؤلفة من ترانزستور (له حالتين إما عبور أو عدم عبور) ومن صفات هذا النوع أنه يستهلك طاقة أقل من نوع (D RAM) وأسرع بكثير وأغلى منه. (ar) Static random-access memory (deutsch: statisches RAM, Abkürzung: SRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein. Zusammen mit dem dynamischen RAM (DRAM) bildet es die Gruppe der flüchtigen (volatil; engl. volatile) Speicher, das heißt, die gespeicherte Information geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren. Im Gegensatz zu DRAM benötigt der SRAM kein periodisches (dynamisches) Auffrischen (engl. refresh) zur Vermeidung von Datenverlust in jeder Datenzelle, sondern behält seine Dateninformation, solange die Betriebsspannung anliegt. (de) La mémoire vive statique (ou SRAM de l'anglais Static Random Access Memory) est un type de mémoire vive utilisant des bascules pour mémoriser les données. Mais contrairement à la mémoire dynamique, elle n'a pas besoin de rafraîchir périodiquement son contenu. Comme la mémoire dynamique, elle est volatile : elle ne peut se passer d'alimentation sous peine de voir les informations effacées irrémédiablement. (fr) La memoria ad accesso casuale statica, o SRAM (acronimo di static random access memory), è un tipo di RAM volatile che non necessita di memory refresh. I banchi di memoria SRAM consentono di mantenere le informazioni per un tempo teoricamente infinito, hanno bassi tempi di lettura e bassi consumi, specialmente in condizioni statiche. La necessità di usare molti componenti per cella le rende però più costose delle DRAM. (it) Static random-access memory (SRAM) is een RAM-geheugen waarvan de inhoud in tegenstelling met een DRAM (Dynamic random-access memory) niet periodiek ververst hoeft te worden. Ook bij een SRAM wordt elke bit opgeslagen in een individuele bitcel die echter complexer is. De opgeslagen data in een SRAM kunnen te allen tijde en in elke volgorde worden uitgelezen en wijzigt enkel als deze data worden overschreven of als het spanningsloos wordt. Het is dus een vluchtig geheugen. (nl) 정적 램(靜的 RAM, Static RAM) 또는 에스램(SRAM)은 반도체 기억 장치의 한 종류이다. 주기적으로 내용을 갱신해 주어야 하는 디램(DRAM, 동적 램)과는 달리 기억 장치에 전원이 공급되는 한 그 내용이 계속 보존된다. SRAM은 임의 접근 기억 장치(램, random access memory)이므로 데이터의 쓰고 읽기가 이루어지는 주소와 관계없이 입출력에 걸리는 시간이 일정하다. SRAM은 DRAM의 일종인 SDRAM과는 전혀 다른 기억 소자이므로 서로 구별되어야 한다. SRAM에서 각각의 비트들은 네 개의 트랜지스터로 이루어진 두 쌍의 인버터에 저장된다. 두 쌍의 인버터가 0과 1의 값을 안정된 상태로 유지하고 두 개의 접근 트랜지스터가 읽기와 쓰기 기능을 수행한다. 따라서 한 개의 비트를 저장하기 위해 일반적으로 여덟 개의 트랜지스터를 필요로 한다. 오른쪽 그림에서도 보이는 것처럼 SRAM은 회로의 대칭 구조로 인해 DRAM보다 훨씬 빠른 입출력을 가능하게 한다. 또한, 메모리 주소에 접근할 때 상위 비트와 하위 비트 순서로 두 번 접근해야 하는 DRAM과 달리 SRAM은 한번에 접근할 수 있는 장점이 있다. (ko) Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。DRAM（ダイナミック（動的）RAM）に対して、「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。詳しくは概要を参照。 読み書き可能という意味で慣用的に名前にRAM（ランダムアクセスメモリ、Random Access Memory）が入っているが、厳密には本来の意味とは異なるため、当該項目を参照されたい。これはDRAMも同様である。 (ja) Статическая память с произвольным доступом (SRAM, static random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Тем не менее сохранять данные без перезаписи SRAM может, только пока есть питание, то есть SRAM остается энергозависимым типом памяти. Произвольный доступ (RAM — random access memory) — возможность выбирать для записи/чтения любой из битов (чаще — байтов, зависит от особенностей конструкции), в отличие от памяти с последовательным доступом (SAM, англ. sequential access memory). (ru) 靜態隨機存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）是隨機存取存储器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存储器只要保持通電，裡面儲存的数据就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取記憶體（DRAM）裡面所儲存的数据就需要週期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的数据還是會消失（被称为易失性存储器），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。 (zh) SRAM (de l'anglès, Static Random Access Memory) és un tipus de memòria d'ordinador primària que normalment s'utilitza en la implementació de la memòria cau dels ordinadors. Les memòries SRAM no només s'utilitzen en les memòries cau de l'ordinador sinó que tenen altres àmbits d'ús com els mòdems router, les impressores, càmeres de fotografia digital o aplicacions de sistemes electrònics, ja que la seva velocitat millora el rendiment d'aquestes aplicacions. (ca) SRAM (statická paměť, anglicky Static Random Access Memory) je v informatice označení polovodičové paměti typu RAM realizované bistabilním klopným obvodem. Označení statická se vztahuje k tomu, že SRAM nepotřebuje periodickou obnovu uložených dat (na rozdíl od paměti typu DRAM). SRAM je velmi rychlá, ale kvůli vyšší složitosti i drahá, a proto je v počítačích používána například jako hardwarová cache v mikroprocesoru (tj. její velikost je výrazně menší než velikost operační paměti RAM). (cs) SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Este concepto surge en oposición al de memoria DRAM (RAM dinámica), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada en condensadores, que sí necesita refresco dinámico de sus cargas.​ (es) Memori akses acak statik (bahasa Inggris: Static Random Access Memory, SRAM) adalah sejenis memori semikonduktor. Kata "statik" menandakan bahwa memori memegang isinya selama listrik tetap berjalan, tidak seperti RAM dinamik (DRAM) yang membutuhkan untuk "disegarkan" ("refreshed") secara periodik. Hal ini dikarenakan SRAM didesain menggunakan transistor tanpa kapasitor. Tidak adanya kapasitor membuat tidak ada daya yang bocor sehingga SRAM tidak membutuhkan refresh periodik. SRAM juga didesain menggunakan desain cluster enam transistor untuk menyimpan setiap bit informasi. Desain ini membuat SRAM lebih mahal tetapi juga lebih cepat jika dibandingkan dengan DRAM. Secara fisik chip, biaya pemanufakturan chip SRAM kira kira tiga puluh kali lebih besar dan lebih mahal daripada DRAM. Tetapi SRA (in) Static random-access memory (static RAM or SRAM) is a type of random-access memory (RAM) that uses latching circuitry (flip-flop) to store each bit. SRAM is volatile memory; data is lost when power is removed. (en) SRAM (ang. Static Random Access Memory), statyczna pamięć o dostępie swobodnym – typ pamięci półprzewodnikowej stosowanej w komputerach, służy jako pamięć buforująca między pamięcią operacyjną i procesorem. Słowo „statyczna” oznacza, że pamięć SRAM przechowuje dane tak długo, jak długo włączone jest zasilanie, w odróżnieniu od pamięci dynamicznej (DRAM), która wymaga okresowego odświeżania. (pl) Statiskt minne eller Statiskt RAM (engelska: Static Random Access Memory (SRAM)) är en snabb typ av läs- och skrivbart datorminne som bland annat används som cacheminne i högpresterande mikroprocessorer. Det har då relativt hög strömförbrukning. Statiskt RAM avsett för lägre hastigheter har å andra sidan möjlighet till extremt låg strömförbrukning (i storleken några μA), särskilt då det skrives och läses mer infrekvent. Det används därför som bland annat arbetsminne för processorer i strömsnåla lågprestanda-applikationer (olika typer av inbyggda system). (sv) Статична оперативна пам'ять з довільним доступом (SRAM, static random access memory) — напівпровідникова оперативна пам'ять з довільним доступом, в якій кожен двійковий розряд зберігається в схемі з додатним зворотним зв'язком, що не потребує регенерації, необхідної в динамічній пам'яті (DRAM). Але зберігати дані без перезапису SRAM можливо тільки поки є живлення, тобто SRAM залишається енергозалежним типом пам'яті (як і DRAM). Перевага SRAM у тому, що вона працює швидше. Однак, оскільки вона дорожча у виробництві, то використовується насамперед для кешу процесорів. (uk)
rdfs:label ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة (ar) SRAM (ca) SRAM (cs) Static random-access memory (de) SRAM (es) Memori akses acak statik (in) Static Random Access Memory (fr) SRAM (it) 정적 램 (ko) Static Random Access Memory (ja) Static random-access memory (nl) Pamięć statyczna (pl) Static random-access memory (en) SRAM (память) (ru) SRAM (pt) Statiskt minne (sv) SRAM (uk) 静态随机存取存储器 (zh)
owl:sameAs freebase:Static random-access memory freebase:Static random-access memory http://d-nb.info/gnd/4381052-4 wikidata:Static random-access memory dbpedia-ar:Static random-access memory http://bs.dbpedia.org/resource/SRAM dbpedia-ca:Static random-access memory dbpedia-cs:Static random-access memory dbpedia-de:Static random-access memory dbpedia-es:Static random-access memory dbpedia-et:Static random-access memory dbpedia-fa:Static random-access memory dbpedia-fi:Static random-access memory dbpedia-fr:Static random-access memory dbpedia-gl:Static random-access memory dbpedia-he:Static random-access memory dbpedia-hr:Static random-access memory dbpedia-id:Static random-access memory dbpedia-it:Static random-access memory dbpedia-ja:Static random-access memory dbpedia-kk:Static random-access memory dbpedia-ko:Static random-access memory dbpedia-la:Static random-access memory http://ml.dbpedia.org/resource/സ്റ്റാറ്റിക്_റാൻഡം-ആക്സസ്_മെമ്മറി dbpedia-nl:Static random-access memory dbpedia-no:Static random-access memory dbpedia-pl:Static random-access memory dbpedia-pt:Static random-access memory dbpedia-ro:Static random-access memory dbpedia-ru:Static random-access memory dbpedia-simple:Static random-access memory dbpedia-sk:Static random-access memory dbpedia-sq:Static random-access memory dbpedia-sr:Static random-access memory dbpedia-sv:Static random-access memory dbpedia-tr:Static random-access memory dbpedia-uk:Static random-access memory dbpedia-vi:Static random-access memory dbpedia-zh:Static random-access memory https://global.dbpedia.org/id/2WZxy
prov:wasDerivedFrom wikipedia-en:Static_random-access_memory?oldid=1124149822&ns=0
foaf:depiction wiki-commons:Special:FilePath/Hyundai_RAM_HY6116AP-10.jpg wiki-commons:Special:FilePath/SRAM_Cell_(4_Transistors).svg wiki-commons:Special:FilePath/SRAM_Cell_(6_Transistors).svg wiki-commons:Special:FilePath/STM32-SEM-HD.jpg wiki-commons:Special:FilePath/STM32F103VGT6-SRAM.jpg
foaf:isPrimaryTopicOf wikipedia-en:Static_random-access_memory
is dbo:wikiPageDisambiguates of dbr:Static dbr:SRAM
is dbo:wikiPageRedirects of dbr:SRAM_latency dbr:6T_RAM_cell dbr:ESRAM dbr:Static_Random_Access_Memory dbr:6T_SRAM dbr:6T_SRAM_cell dbr:Static_RAM dbr:Static_random_access_memory dbr:Static_storage dbr:S-RAM dbr:RSNM dbr:Read_static_noise_margin
is dbo:wikiPageWikiLink of dbr:Processor_register dbr:Psion_Organiser dbr:Samsung_Electronics dbr:Electronic_circuit dbr:Energy_storage dbr:List_of_UNISOC_processors dbr:List_of_computer_hardware_manufacturers dbr:NMOS_logic dbr:Semiconductor_memory dbr:Volatile_memory dbr:MOS_Technology_65xx dbr:MOS_Technology_VIC dbr:Mentec_International_Ltd dbr:SRAM_latency dbr:Blackfin dbr:Algorithmic_efficiency dbr:Antifuse dbr:Apollo_VP3 dbr:Application-specific_integrated_circuit dbr:Approximate_computing dbr:Arduino_Nano dbr:Arduino_Uno dbr:Pentium_(original) dbr:Personal_Computer_Memory_Card_International_Association dbr:DEC_7000_AXP_and_DEC_10000_AXP dbr:DEC_Firefly dbr:VIC-20 dbr:VLSI_Technology dbr:Virtual_Boy dbr:Depletion-load_NMOS_logic dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:EDRAM dbr:Infineon_AURIX dbr:Intel_Microcode dbr:Internal_RAM dbr:Intersil_6100 dbr:JEIDA_memory_card dbr:Nanotechnology dbr:List_of_semiconductor_fabrication_plants dbr:List_of_semiconductor_scale_examples dbr:Teraflops_Research_Chip dbr:Oberheim_DSX dbr:NvSRAM dbr:PenPad dbr:Sense_amplifier dbr:1.5_µm_process dbr:14_nm_process dbr:Compressed_instruction_set dbr:STM32 dbr:STec,_Inc. dbr:GeSbTe dbr:Non-volatile_random-access_memory dbr:RAMDAC dbr:RP2040 dbr:Robotron_Z1013 dbr:Electronic_control_unit dbr:Glossary_of_computer_hardware_terms dbr:MoSys dbr:Mosel_Vitelic_Inc dbr:Cromemco_Dazzler dbr:POWER8 dbr:Another_World_(video_game) dbr:Aquaplus dbr:Berkeley_IRAM_project dbr:MOSFET_applications dbr:MSX dbr:Cache_(computing) dbr:Chip_select dbr:Chip_shortage dbr:Comparison_of_handheld_game_consoles dbr:Computer_data_storage dbr:Computer_engineering_compendium dbr:Computer_memory dbr:ZX80 dbr:Zilog_eZ80 dbr:Hai_Li dbr:Hardware_register dbr:Gigatron_TTL dbr:National_Semiconductor_PACE dbr:PMOS_logic dbr:Phase-change_memory dbr:Programmable_metallization_cell dbr:Magnetoresistive_RAM dbr:Smart_Personal_Objects_Technology dbr:Static dbr:Thermal_laser_stimulation dbr:Microcode dbr:7_nm_process dbr:Bus_Pirate dbr:CPU_cache dbr:CP_System_II dbr:Thumby_(game_console) dbr:Timeline_of_DOS_operating_systems dbr:Data_scrubbing dbr:Driver_circuit dbr:HP_2100 dbr:Large-screen_television_technology dbr:Rear-projection_television dbr:Nikon_NASA_F4 dbr:3DO_Interactive_Multiplayer dbr:6T_RAM_cell dbr:Advanced_Micro_Devices dbr:Amiga_600 dbr:Analogue_Pocket dbr:32_nm_process dbr:3Com_3c509 dbr:3_µm_process dbr:Data_remanence dbr:Dragon_Quest_III dbr:ESRAM dbr:Everspin_Technologies dbr:Fairchild_Channel_F dbr:Ferranti_F100-L dbr:Ferroelectric_RAM dbr:Flip-flop_(electronics) dbr:Fourth_generation_of_video_game_consoles dbr:Bank_switching dbr:Nintendo_64_accessories dbr:Nord-100 dbr:Central_processing_unit dbr:Digital_camera dbr:Forwarding_plane dbr:History_of_the_camera dbr:History_of_the_transistor dbr:Kenichi_Osada dbr:Magnetic-core_memory dbr:List_of_Intel_chipsets dbr:Memory_refresh dbr:1T-SRAM dbr:Harvard_architecture dbr:Heathkit_H8 dbr:Athlon dbr:Tandem_Computers dbr:PowerPC_400 dbr:Self-aligned_gate dbr:Static_Random_Access_Memory dbr:Arduino dbr:ATmega328 dbr:ATmega88 dbr:ATtiny_microcontroller_comparison_chart dbr:AVR_microcontrollers dbr:Alchemy_(microarchitecture) dbr:Jupiter_Ace dbr:KOMDIV-64 dbr:LEON dbr:BlackBerry_950 dbr:BlackBerry_Quark dbr:Super_Nintendo_Entertainment_System dbr:Supercapacitor dbr:Cold_boot_attack dbr:Ternary_computer dbr:Read–write_memory dbr:Universal_memory dbr:Boot_ROM dbr:Bus_contention dbr:Busicom dbr:C-element dbr:CD64_(Nintendo) dbr:CMOS dbr:CP_System_III dbr:Sol-20 dbr:Soviet_integrated_circuit_designation dbr:Field-programmable_gate_array dbr:Fifth_generation_of_video_game_consoles dbr:Fin_field-effect_transistor dbr:Types_of_physical_unclonable_function dbr:IBM_PCradio dbr:IBM_Simon dbr:ICE_(FPGA) dbr:IMSAI_8080 dbr:Integrated_Device_Technology dbr:Intel dbr:Intel_Quark dbr:MessagePad dbr:Micro_Bit dbr:Neo_Geo_(system) dbr:Capacitor_types dbr:RIFA_(manufacturer) dbr:Random-access_memory dbr:Seventh_generation_of_video_game_consoles dbr:Shepardson_Microsystems dbr:X68000 dbr:Memory_cell_(computing) dbr:SRAM dbr:Silicon_on_insulator dbr:System_on_a_chip dbr:Memory_scrubbing dbr:NetFPGA dbr:Retrode dbr:Spin-transfer_torque dbr:IBM_z15_(microprocessor) dbr:IWarp dbr:Ian_A._Young dbr:POWER7 dbr:Ohio_Scientific dbr:T-RAM dbr:Three-dimensional_integrated_circuit dbr:RLDRAM dbr:PlayStation_technical_specifications dbr:Z-RAM dbr:NOR_flash_replacement dbr:Nanoelectromechanical_relay dbr:Nanoelectronics dbr:Nanoprobing dbr:WDC_65C265 dbr:Multi-channel_length dbr:Multigate_device dbr:Very_Large_Scale_Integration dbr:Retrocomputing dbr:Transistor_count dbr:Outline_of_information_technology dbr:Parallel_RAM dbr:SpursEngine dbr:Supercomputer_architecture dbr:WDC_65C134 dbr:Structured_ASIC_platform dbr:6T_SRAM dbr:6T_SRAM_cell dbr:Static_RAM dbr:Static_random_access_memory dbr:Static_storage dbr:S-RAM dbr:RSNM dbr:Read_static_noise_margin
is dbp:memory of dbr:Arduino_Uno dbr:Arduino
is dbp:ramtype of dbr:Thumby_(game_console)
is foaf:primaryTopic of wikipedia-en:Static_random-access_memory