Epitaxy (original) (raw)
النمو الفوقي (أو التنضيد) يشير إلى طريقة ترسيب طبقة متبلورة منتظمة علي ركازة متبلورة. يستخدم النمو الفوقي في الصناعات القائمة على السليكون مثل صناعة أشباه الموصلات؛ ويعتمد على ضبط مقاومة المادة المترسبة وسمكها ونقاوتها.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | L'epitàxia es refereix a un tipus de creixement cristal·lí o deposició material en el qual les noves capes es formen sobre un substrat cristal·lí, amb orientacions ben definides respecte a aquest. La pel·lícula cristal·lina dipositada s’anomena capa o pel·lícula epitaxial. L'orientació relativa de la capa epitaxial respecte el substrat cristal·lí es defineix en termes de l'orientació de la xarxa cristal·lina de cada material. Per altra banda, el creixement amorf o multi-cristal·lí segueix una orientació aleatòria dels cristalls. Per aplicacions més tecnològiques s’utilitza l'epitàxia d’un sol domini, que consisteix en el creixement una monocapa amb una única orientació ben definida. El terme epitàxia ve de les arrels gregues epi (ἐπί), que significa "damunt", i taxis (τάξις), que significa "de manera ordenada". Una de les aplicacions comercials principals del creixement epitaxial és en la indústria dels semiconductors, on es duu a terme creixement epitaxial de pel·lícules de semiconductor damunt oblies de substrat també semiconductor. És un dels processos en la fabricació de circuits integrats. Mitjançant aquesta tècnica es pot controlar de forma molt precisa el nivell d'impureses en el semiconductor, que són els que defineixen el seu caràcter (N o P). Per fer això s'escalfa el semiconductor fins a gairebé el seu punt de fusió i es posa en contacte amb el material de base perquè, en refredar-se, recristal·litzi amb l'estructura adequada. En aquest cas, la xarxa epitaxial tindrà una orientació específica respecte a la de l'oblia de substrat, com l'índex de Miller [001] de la pel·lícula que alinea amb l’índex [001] del substrat. (ca) Epitaxe je proces, při němž na povrchu podložky (substrátu) roste tenká krystalická vrstva. Krystalická mřížka nově vznikající vrstvy navazuje bezprostředně na krystalickou mřížku substrátu. Termín epitaxe zavedl v roce 1928 L. Royer a pochází z řeckých epi „nad“ a taxis „uspořádaně“. Epitaxní vrstvy se mohou růst z plynných, tekutých nebo pevných prekurzorů (látky, ze kterých chceme růst vrstvu). Jestliže je vrstva ukládána na substrát stejného složení, mluvíme o homoepitaxi, v opačném případě o heteroepitaxi. Homoepitaxe je druh epitaxe prováděný pouze s jedním materiálem. Při homoepitaxi se tenká vrstva roste na substrát stejného materiálu. Toho se využívá, pokud chceme čistější vrstvu než je substrát nebo pokud má být nová vrstva jinak dopovaná. Heteroepitaxe je druh epitaxe prováděný s navzájem odlišnými materiály. Při heteroepitaxi se tenká vrstva ukládá na substrát z jiného materiálu. Tato metoda se často používá při růstu vrstev materiálů, u nichž nelze jinak získat monokrystal nebo k výrobě integrovaných krystalických vrstev různých materiálů. Například se jedná o galium nitrid (GaN) na safíru nebo aluminium galium indium fosfid (AlGaInP) na arsenidu galia (GaAs). Epitaxe se využívá ve výrobních postupech založených na křemíku při výrobě bipolárních tranzistorů a moderních CMOS, ale je obzvláště důležitá pro sloučeninové polovodiče jako galium arsenid (GaAs).Problémy při výrobě zahrnují kontrolu míry a rovnoměrnosti odporu a tloušťky ukládané vrstvy, čistoty povrchu, prostředí růstové komory, zabránění difuze dopantů z typicky mnohem více dopovaného substrátu do nové vrstvy, nedokonalosti růstového procesu a ochranu povrchů při výrobě a manipulaci. (cs) النمو الفوقي (أو التنضيد) يشير إلى طريقة ترسيب طبقة متبلورة منتظمة علي ركازة متبلورة. يستخدم النمو الفوقي في الصناعات القائمة على السليكون مثل صناعة أشباه الموصلات؛ ويعتمد على ضبط مقاومة المادة المترسبة وسمكها ونقاوتها. (ar) Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn mindestens eine kristallographische Orientierung des wachsenden Kristalls (der wachsenden Kristalle) einer Orientierung des kristallinen Substrates entspricht. In natürlichen Prozessen funktioniert Epitaxie so, dass mehrere kleine Kristalle in räumlicher Entfernung voneinander auf einem großen Kristall aufwachsen. In technischen Prozessen sind die aufwachsenden Kristalle meist nicht räumlich voneinander getrennt, sondern bilden eine ununterbrochene Schicht. Abhängig davon, ob Substrat und aufwachsende Kristalle bzw. Schicht aus gleichem oder unterschiedlichem Material bestehen, werden auch die Bezeichnungen Homo- beziehungsweise Heteroepitaxie verwendet. (de) La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados. La epitaxia se refiere al depósito de una sobrecapa cristalina sobre un sustrato cristalino, donde hay registro entre la sobrecapa y el sustrato. A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este. Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusión y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada. Hay varios métodos: * Crecimiento epitaxial en fase vapor. * Crecimiento epitaxial en fase líquida. * Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE). * Química metalorgánica por deposición a vapor (es) Epitaxy refers to a type of crystal growth or material deposition in which new crystalline layers are formed with one or more well-defined orientations with respect to the crystalline seed layer. The deposited crystalline film is called an epitaxial film or epitaxial layer. The relative orientation(s) of the epitaxial layer to the seed layer is defined in terms of the orientation of the crystal lattice of each material. For most epitaxial growths, the new layer is usually crystalline and each crystallographic domain of the overlayer must have a well-defined orientation relative to the substrate crystal structure. Epitaxy can involve single-crystal structures, although grain-to-grain epitaxy has been observed in granular films. For most technological applications, single domain epitaxy, which is the growth of an overlayer crystal with one well-defined orientation with respect to the substrate crystal, is preferred. Epitaxy can also play an important role while growing superlattice structures. The term epitaxy comes from the Greek roots epi (ἐπί), meaning "above", and taxis (τάξις), meaning "an ordered manner". One of the main commercial applications of epitaxial growth is in the semiconductor industry, where semiconductor films are grown epitaxially on semiconductor substrate wafers. For the case of epitaxial growth of a planar film atop a substrate wafer, the epitaxial film's lattice will have a specific orientation relative to the substrate wafer's crystalline lattice such as the [001] Miller index of the film aligning with the [001] index of the substrate. In the simplest case, the epitaxial layer can be a continuation of the same exact semiconductor compound as the substrate; this is referred to as homoepitaxy. Otherwise, the epitaxial layer will be composed of a different compound; this is referred to as heteroepitaxy. (en) L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ». (fr) 에피택시(epitaxy) 또는 에피택시얼 성장(epitaxial growth)은 결정 기판 위에 방향성을 가진 결정막이 자라는 현상을 말한다. 소자의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 호환성이 있는 결정으로 이루어진 웨이퍼상에 얇은 결정을 성장시키는 것이다. 기판의 결정은 성장되는 물질과 같을 수도 있고 유사한 격자구조의 다른 물질일 수도 있다. 이 과정에서 기판은 그 위에 새로운 결정이 성장되는 시드 결정이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 갖는다. 이 기판웨이퍼 위에 방향성을 가진 단결정막을 기르는 기술을 에피택시얼 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 한다. 이는 기판결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해지며, 성장막의 표면에 적절한 원자를 공급하기 위한 다양한 방법이 사용된다. 이 방법에는 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD), 용융액으로부터의 성장[액상 에피택시(liquid-phase epitaxy, LPE)], 진공에서의 원자의 증착[분자선 에피택시(molecular beam epitaxy; MBE)] 등이 있다. 이러한 광범위한 성장방법으로 전자 및 광전자소자에 필요한 성질을 갖는 결정을 성장시킬 수 있다. (ko) エピタキシャル成長（エピタキシャルせいちょう、英語：epitaxial growth）とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、などがある。 エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。 なお、現在窒化ガリウム（GaN）はサファイア基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために赤崎勇が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた発光ダイオード、レーザーダイオード、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。 (ja) Epitaxie is een methode om een dunne monokristallijne laag (thin film) aan te brengen op een monokristallijn substraat (onderlaag). De aangebrachte laag wordt een epitaxiale laag genoemd. De term epitaxie komt van de Griekse woorden epi („boven” of „op”) en taxis („geordend”). Epitaxiale lagen kunnen worden gekweekt uit de gasvormige of vloeibare fase. Daar het substraat als een entkristal werkt, krijgt de epitaxiale laag dezelfde kristalstructuur als het substraat. Dit in tegenstelling tot methodes waarbij thin films worden opgedampt, waarbij zelfs op eenkristallijne substraten polykristallijne of amorfe lagen worden gevormd. Wordt een laag aangebracht op een substraat van dezelfde samenstelling, dan spreekt men van homo-epitaxie, en in het andere geval van hetero-epitaxie. Homo-epitaxie is een vorm van epitaxie waarbij slechts één materiaal wordt gebruikt. Daarbij wordt een kristallaag gekweekt op een substraat of een thin film van hetzelfde materiaal. Deze technologie wordt gebruikt om een thin film te kweken die nog zuiverder is dan het substraat, en om lagen te maken met verschillende doteringen. Hetero-epitaxie is een vorm van epitaxie met twee verschillende materialen. Daarbij wordt een kristallijne laag gekweekt op een kristallijn substraat of film van een ander materiaal. Deze technologie wordt veel gebruikt voor materialen waarvan men op andere wijze geen eenkristallen kan vervaardigen, en om geïntegreerde kristallagen van verschillende materialen te maken. Voorbeelden zijn galliumnitride (GaN) op saffier, (AlGaInP) op galliumarsenide (GaAs), en andere. Heterotopo-epitaxie is een proces dat vergelijkbaar is met hetero-epitaxie, maar waarbij het kweken van de thin film niet tot twee dimensies is beperkt. Het substraat gelijkt hier alleen qua structuur op de materiaal van de thin film. Epitaxie wordt gebruikt voor de productie van bipolaire transistoren en moderne CMOS-schakelingen op basis van silicium, maar het is vooral van belang voor zoals galliumarsenide. Van belang bij de productie zijn het beheersen van de hoeveelheden en de uniformiteit van de soortelijke weerstand en de dikte van de thin film, de zuiverheid het materiaal en het oppervlak, de condities in de opdampkamer, het voorkomen diffusie van doteringen uit het gewoonlijk veel minder zuivere substraatmateriaal naar de opgebrachte laag, onvolkomenheden in het kweekproces en het beschermen van het oppervlak tijdens de productie en de verdere behandeling. (nl) L'epitassia (dal greco ἐπί, epì, "sopra" e τάξις, tàxis, "ordinamento, disposizione") è la deposizione di sottili strati di materiale cristallino su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. Lo spessore dello strato epitassiale può variare dalla frazione di nanometro a centinaia di micron. L'epitassia può definirsi omoepitassia quando il materiale epitassiale è lo stesso del substrato massivo, oppure eteroepitassia, quando il materiale epitassiale è chimicamente differente dal substrato. (it) Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa nakładania nowych warstw monokryształu na istniejące podłoże krystaliczne, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N.N. Sheftal z zespołem. Pozwala ona kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej (zarówno typu p, jak i n) i jest to niezależne od domieszkowania podłoża. Odmianą tej technologii jest epitaksja z wiązek molekularnych, która umożliwia nanoszenie warstw krystalicznych o grubości jednego atomu i stosowana jest w produkcji kropek kwantowych oraz tak zwanych cienkich warstw. Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest wykorzystywane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów. (pl) Epitaxi är ordnad tillväxt av en kristallin film på ett kristallint substrat. Epitaxi används ofta för produktion av halvledarmaterial då det ger stor möjlighet att kontrollera kristallstrukturen och den kemiska sammansättningen vilket gör att man får bra kontroll över halvledarens egenskaper. Detta är av stor betydelse för halvledarkomponenter. Det finns flera typer av epitaxi där olika reaktanter används: vätskefasepitaxi, där gasfasepitaxi, och molekylstråleepitaxi. Epitaxi där substrat och film har samma kristallstruktur kallas homoepitaxi. Om de två kristallstrukturerna skiljer sig åt används begreppet heteroepitaxi. (sv) Epitaxia refere-se ao método de deposição de uma película monocristalina sobre um substrato monocristalino. A película depositada é denominada como película ou camada epitaxial. O termo epitaxial origina-se das raízes gregas epi, significando "acima", e taxis, significando "de maneira ordenada". Pode ser traduzido como "arranjado sobre". (pt) Эпитакси́я — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом при более низких температурах (от греч. επι — на и ταξισ — упорядоченность), то есть ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий. Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны (процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ, например, так изготавливают интегральные преобразователи со структурой кремний на сапфире), и гомоэпитаксию, когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется . Эпитаксия особенно легко осуществляется, если различие постоянных решёток не превышает 10 %. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют . Эпитаксия происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной. Эпитаксия является одним из базовых процессов технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Термин «эпитаксия» был введён в 1928 году французским исследователем (Royer L.). (ru) 磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。 外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵時，外延尤其重要。 (zh) Епітаксія (від грец. επι (епі) — «на» та ταξισ (таксіс) — «впорядкований») — метод осадження монокристалічної плівки на монокристалічну підкладку, при якому кристалографічна орієнтація шару, який осаджують, повторює кристалографічну орієнтацію підкладки. Осаджена плівка зветься епітаксійною плівкою або епітаксійним шаром. Епітаксійні плівки можуть бути вирощені з газоподібних або рідких прекурсорів. Оскільки підкладка виконує роль затравочного кристала, осаджена плівка переймає структуру та орієнтацію ґратки, що є ідентичними до ґратки підкладки. Це є відмінністю від методів осадження тонких плівок, в яких осаджуються полікристалічні або аморфні плівки, навіть на монокристалічних підкладках. (uk) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/GrowthModes.png?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | http://www.crystalxe.com/ http://www.epitaxy.net/ http://www.memsnet.org/mems/processes/deposition.html |
| dbo:wikiPageID | 449756 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 29709 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1115109134 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Pyrite dbr:Quantum_cascade_laser dbr:Sapphire dbr:Monolayer dbr:Hydrogen dbr:Hydrogen_chloride dbr:Unit_cell dbr:Doping_(semiconductor) dbr:International_Mineralogical_Association dbr:Nanotechnology dbr:Tetragonal_crystal_system dbr:Compound_semiconductor dbr:Chemical_beam_epitaxy dbr:Chemical_vapor_deposition dbr:Chemisorption dbr:Gallium_arsenide dbr:Gallium_nitride dbr:Greek_language dbr:Coordination_number dbr:Crystal dbr:Crystal_structure dbr:Thermal_Laser_Epitaxy dbr:Miller_index dbr:Single_crystal dbr:Magnetite dbr:Silane dbr:Silicon_tetrachloride dbr:Silver_iodide dbr:Zhores_Alferov dbr:Frank–Van_der_Merwe_growth dbr:Polymorphism_(materials_science) dbr:Surface_science dbr:Vertical-cavity_surface-emitting_laser dbr:Adatom dbr:Cations dbr:Trichlorosilane dbr:Trigonal_crystal_system dbr:Ion dbr:Lattice_constant dbr:Rutile dbr:Albite dbr:Aluminium_gallium_indium_phosphide dbr:Evaporate dbr:File:CBE_im1.png dbc:Thin_film_deposition dbr:Band-gap_engineering dbc:Methods_of_crystal_growth dbr:Oxygen dbr:Pascal_(unit) dbr:Centrifuge dbr:Diffusion dbr:Germanium dbr:Graphene dbr:Island_growth dbr:Isomorphism_(crystallography) dbr:Physical_vapor_deposition dbr:Thin_film dbr:Hexagonal_boron_nitride dbr:Hematite dbr:Heterojunction dbr:Hexagonal_crystal_system dbr:Atomic_layer_epitaxy dbr:Iridium dbr:Arsine dbr:Atoms dbc:Crystallography dbr:Adsorption dbc:Semiconductor_device_fabrication dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Diborane dbr:Dichlorosilane dbr:Marcasite dbr:CMOS dbr:Phosphine dbr:Space_group dbr:Sphalerite dbr:Scanning_tunnelling_microscopy dbr:Microcline dbr:Nano-RAM dbr:Wurtzite dbr:Selective_area_epitaxy dbr:Silicon_on_sapphire dbr:Single_event_upset dbr:Semiconductor dbr:Silicon dbr:Vacuum dbr:Etching_(microfabrication) dbr:Molecular-beam_epitaxy dbr:Wake_Shield_Facility dbr:Triclinic_crystal_system dbr:Stranski–Krastanov_growth dbr:Organic_molecule dbr:Doping_(semiconductors) dbr:Hydride_VPE dbr:Semiconductor_fabrication dbr:MOVPE dbr:File:GrowthModes.png dbr:File:Hematite-Magnetite-180698.jpg dbr:File:Rutile-Hematite-113489.jpg dbr:File:Rutile-Hematite-171993.jpg |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Chem dbt:Cite_book dbt:Commons_category_multi dbt:Overline dbt:Redirect-distinguish dbt:Reflist dbt:See_also dbt:Short_description dbt:Use_dmy_dates dbt:Google_books dbt:Crystallization |
| dct:subject | dbc:Thin_film_deposition dbc:Methods_of_crystal_growth dbc:Crystallography dbc:Semiconductor_device_fabrication |
| rdf:type | owl:Thing |
| rdfs:comment | النمو الفوقي (أو التنضيد) يشير إلى طريقة ترسيب طبقة متبلورة منتظمة علي ركازة متبلورة. يستخدم النمو الفوقي في الصناعات القائمة على السليكون مثل صناعة أشباه الموصلات؛ ويعتمد على ضبط مقاومة المادة المترسبة وسمكها ونقاوتها. (ar) L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ». (fr) 에피택시(epitaxy) 또는 에피택시얼 성장(epitaxial growth)은 결정 기판 위에 방향성을 가진 결정막이 자라는 현상을 말한다. 소자의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 호환성이 있는 결정으로 이루어진 웨이퍼상에 얇은 결정을 성장시키는 것이다. 기판의 결정은 성장되는 물질과 같을 수도 있고 유사한 격자구조의 다른 물질일 수도 있다. 이 과정에서 기판은 그 위에 새로운 결정이 성장되는 시드 결정이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 갖는다. 이 기판웨이퍼 위에 방향성을 가진 단결정막을 기르는 기술을 에피택시얼 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 한다. 이는 기판결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해지며, 성장막의 표면에 적절한 원자를 공급하기 위한 다양한 방법이 사용된다. 이 방법에는 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD), 용융액으로부터의 성장[액상 에피택시(liquid-phase epitaxy, LPE)], 진공에서의 원자의 증착[분자선 에피택시(molecular beam epitaxy; MBE)] 등이 있다. 이러한 광범위한 성장방법으로 전자 및 광전자소자에 필요한 성질을 갖는 결정을 성장시킬 수 있다. (ko) エピタキシャル成長（エピタキシャルせいちょう、英語：epitaxial growth）とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、などがある。 エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。 なお、現在窒化ガリウム（GaN）はサファイア基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために赤崎勇が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた発光ダイオード、レーザーダイオード、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。 (ja) L'epitassia (dal greco ἐπί, epì, "sopra" e τάξις, tàxis, "ordinamento, disposizione") è la deposizione di sottili strati di materiale cristallino su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. Lo spessore dello strato epitassiale può variare dalla frazione di nanometro a centinaia di micron. L'epitassia può definirsi omoepitassia quando il materiale epitassiale è lo stesso del substrato massivo, oppure eteroepitassia, quando il materiale epitassiale è chimicamente differente dal substrato. (it) Epitaxia refere-se ao método de deposição de uma película monocristalina sobre um substrato monocristalino. A película depositada é denominada como película ou camada epitaxial. O termo epitaxial origina-se das raízes gregas epi, significando "acima", e taxis, significando "de maneira ordenada". Pode ser traduzido como "arranjado sobre". (pt) 磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。 外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵時，外延尤其重要。 (zh) L'epitàxia es refereix a un tipus de creixement cristal·lí o deposició material en el qual les noves capes es formen sobre un substrat cristal·lí, amb orientacions ben definides respecte a aquest. La pel·lícula cristal·lina dipositada s’anomena capa o pel·lícula epitaxial. L'orientació relativa de la capa epitaxial respecte el substrat cristal·lí es defineix en termes de l'orientació de la xarxa cristal·lina de cada material. Per altra banda, el creixement amorf o multi-cristal·lí segueix una orientació aleatòria dels cristalls. Per aplicacions més tecnològiques s’utilitza l'epitàxia d’un sol domini, que consisteix en el creixement una monocapa amb una única orientació ben definida. (ca) Epitaxe je proces, při němž na povrchu podložky (substrátu) roste tenká krystalická vrstva. Krystalická mřížka nově vznikající vrstvy navazuje bezprostředně na krystalickou mřížku substrátu. Termín epitaxe zavedl v roce 1928 L. Royer a pochází z řeckých epi „nad“ a taxis „uspořádaně“. Epitaxní vrstvy se mohou růst z plynných, tekutých nebo pevných prekurzorů (látky, ze kterých chceme růst vrstvu). Jestliže je vrstva ukládána na substrát stejného složení, mluvíme o homoepitaxi, v opačném případě o heteroepitaxi. (cs) Epitaxy refers to a type of crystal growth or material deposition in which new crystalline layers are formed with one or more well-defined orientations with respect to the crystalline seed layer. The deposited crystalline film is called an epitaxial film or epitaxial layer. The relative orientation(s) of the epitaxial layer to the seed layer is defined in terms of the orientation of the crystal lattice of each material. For most epitaxial growths, the new layer is usually crystalline and each crystallographic domain of the overlayer must have a well-defined orientation relative to the substrate crystal structure. Epitaxy can involve single-crystal structures, although grain-to-grain epitaxy has been observed in granular films. For most technological applications, single domain epitaxy, whi (en) Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn mindestens eine kristallographische Orientierung des wachsenden Kristalls (der wachsenden Kristalle) einer Orientierung des kristallinen Substrates entspricht. (de) La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados. La epitaxia se refiere al depósito de una sobrecapa cristalina sobre un sustrato cristalino, donde hay registro entre la sobrecapa y el sustrato. Hay varios métodos: * Crecimiento epitaxial en fase vapor. * Crecimiento epitaxial en fase líquida. * Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE). * Química metalorgánica por deposición a vapor (es) Epitaxie is een methode om een dunne monokristallijne laag (thin film) aan te brengen op een monokristallijn substraat (onderlaag). De aangebrachte laag wordt een epitaxiale laag genoemd. De term epitaxie komt van de Griekse woorden epi („boven” of „op”) en taxis („geordend”). Heterotopo-epitaxie is een proces dat vergelijkbaar is met hetero-epitaxie, maar waarbij het kweken van de thin film niet tot twee dimensies is beperkt. Het substraat gelijkt hier alleen qua structuur op de materiaal van de thin film. (nl) Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa nakładania nowych warstw monokryształu na istniejące podłoże krystaliczne, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N.N. Sheftal z zespołem. Pozwala ona kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej (zarówno typu p, jak i n) i jest to niezależne od domieszkowania podłoża. Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest wykorzystywane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów. (pl) Эпитакси́я — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом при более низких температурах (от греч. επι — на и ταξισ — упорядоченность), то есть ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий. Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны (процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ, например, так изготавливают интегральные преобразователи со структурой кремний на сапфире), и гомоэпитаксию, когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется . (ru) Epitaxi är ordnad tillväxt av en kristallin film på ett kristallint substrat. Epitaxi används ofta för produktion av halvledarmaterial då det ger stor möjlighet att kontrollera kristallstrukturen och den kemiska sammansättningen vilket gör att man får bra kontroll över halvledarens egenskaper. Detta är av stor betydelse för halvledarkomponenter. Det finns flera typer av epitaxi där olika reaktanter används: vätskefasepitaxi, där gasfasepitaxi, och molekylstråleepitaxi. (sv) Епітаксія (від грец. επι (епі) — «на» та ταξισ (таксіс) — «впорядкований») — метод осадження монокристалічної плівки на монокристалічну підкладку, при якому кристалографічна орієнтація шару, який осаджують, повторює кристалографічну орієнтацію підкладки. Осаджена плівка зветься епітаксійною плівкою або епітаксійним шаром. (uk) |
| rdfs:label | نمو فوقي (ar) Epitàxia (ca) Epitaxe (cs) Epitaxie (de) Epitaxia (es) Epitaxy (en) Épitaxie (fr) Epitassia (it) エピタキシャル成長 (ja) 에피택시 (ko) Epitaxie (nl) Epitaksja (pl) Эпитаксия (ru) Epitaxia (pt) Epitaxi (sv) 外延 (晶体) (zh) Епітаксія (технологія) (uk) |
| rdfs:seeAlso | dbr:Epitaxial_wafer |
| owl:differentFrom | dbr:Epistaxis |
| owl:sameAs | freebase:Epitaxy wikidata:Epitaxy dbpedia-ar:Epitaxy dbpedia-az:Epitaxy dbpedia-bg:Epitaxy http://bn.dbpedia.org/resource/সুশৃঙ্খল_পরিবৃদ্ধি dbpedia-ca:Epitaxy dbpedia-cs:Epitaxy dbpedia-de:Epitaxy dbpedia-es:Epitaxy dbpedia-fa:Epitaxy dbpedia-fr:Epitaxy http://hy.dbpedia.org/resource/Էպիտաքսիա dbpedia-it:Epitaxy dbpedia-ja:Epitaxy dbpedia-ko:Epitaxy http://ky.dbpedia.org/resource/Эпитаксия dbpedia-nl:Epitaxy dbpedia-no:Epitaxy dbpedia-pl:Epitaxy dbpedia-pt:Epitaxy dbpedia-ro:Epitaxy dbpedia-ru:Epitaxy dbpedia-sv:Epitaxy dbpedia-uk:Epitaxy dbpedia-zh:Epitaxy https://global.dbpedia.org/id/Bv9M |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Epitaxy?oldid=1115109134&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Rutile-Hematite-113489.jpg wiki-commons:Special:FilePath/CBE_im1.png wiki-commons:Special:FilePath/GrowthModes.png wiki-commons:Special:FilePath/Hematite-Magnetite-180698.jpg wiki-commons:Special:FilePath/Rutile-Hematite-171993.jpg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Epitaxy |
| is dbo:academicDiscipline of | dbr:Diana_Huffaker |
| is dbo:knownFor of | dbr:Jan_H_van_der_Merwe dbr:Ian_Munro_Ross |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:EPI |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Homotopotaxy dbr:Epitaxial dbr:Epitaxis dbr:Centifugually_formed_film_growth dbr:Liquid_phase_epitaxy dbr:Heterotopotaxy dbr:Epilayer dbr:Epitactic dbr:Epitaxial_deposition dbr:Epitaxial_growth dbr:Epitaxial_layer dbr:Epitaxial_structures dbr:Epitaxially dbr:Heteroepitaxy dbr:CFFG dbr:Homoepitaxy |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Rubicon_Technology dbr:Epitaxial_wafer dbr:Metallography dbr:Bismuth_telluride dbr:Biswa_Ranjan_Nag dbr:Bob_Widlar dbr:Allotropes_of_carbon dbr:Charge-coupled_device dbr:DNA-functionalized_quantum_dots dbr:Index_of_physics_articles_(E) dbr:Indium_gallium_nitride dbr:Indium_gallium_phosphide dbr:International_conference_on_Physics_of_Light–Matter_Coupling_in_Nanostructures dbr:Topological_insulator dbr:SUMCO dbr:Chemical_bath_deposition dbr:Chemical_beam_epitaxy dbr:Chemical_vapor_deposition dbr:Low-energy_plasma-enhanced_chemical_vapor_deposition dbr:Power_MOSFET dbr:P–n_junction dbr:Gallium_arsenide dbr:Gallium_nitride dbr:Germane dbr:Minute_and_second_of_arc dbr:Morton_B._Panish dbr:Crystal dbr:Thin-film_solar_cell dbr:Homotopotaxy dbr:Single_crystal dbr:Light-emitting_diode dbr:Linear_stage dbr:MOSFET dbr:Silicon_tetrachloride dbr:Single-event_upset dbr:Colloidal_crystal dbr:Combustion_chemical_vapor_deposition dbr:Zhores_Alferov dbr:February_1922 dbr:Ferdinand-Braun-Institut dbr:Frank–Van_der_Merwe_growth dbr:Harold_M._Manasevit dbr:Surface_science dbr:Microfabrication dbr:Micropipe dbr:Vertical-cavity_surface-emitting_laser dbr:Adatom dbr:Timothy_P._Lodge dbr:Wafer_(electronics) dbr:Dislocation dbr:Gallium_nitride_nanotube dbr:Glass-ceramic dbr:Ion_implantation dbr:Jochen_Mannhart dbr:Laser_diode dbr:Lattice_constant dbr:ASM_International dbr:Aluminium_arsenide dbr:Aluminium_nitride dbr:2N3055 dbr:Center_for_Advanced_Materials,_University_of_Houston dbr:Flux_method dbr:Graphene dbr:Graphene_morphology dbr:Graphene_production_techniques dbr:Epitaxial dbr:Epitaxis dbr:Judith_Dawes dbr:Kidwellite dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Atomic_layer_epitaxy dbr:Invention_of_the_integrated_circuit dbr:Isobutylgermane dbr:Jan_H_van_der_Merwe dbr:Tetracalcium_phosphate dbr:Hybrid_silicon_laser dbr:EPI dbr:Silicene dbr:Satoshi_Hiyamizu dbr:Lambert_W_function dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Bladder_stone_(animal) dbr:Coating dbr:High-power_impulse_magnetron_sputtering dbr:High_resolution_electron_energy_loss_spectroscopy dbr:Yasuhiko_Arakawa dbr:Modulation_doping dbr:Diana_Huffaker dbr:Dimethyl_telluride dbr:BC548 dbr:Borate dbr:Soitec dbr:IQE dbr:Ian_Munro_Ross dbr:Indium_antimonide dbr:Indium_phosphide dbr:Methyltrichlorosilane dbr:Semiconductor_process_simulation dbr:Centifugually_formed_film_growth dbr:Kirsten_Moselund dbr:Mercury_cadmium_telluride dbr:SPE dbr:Selective_area_epitaxy dbr:Silicon_on_sapphire dbr:Wetting_layer dbr:Nicolas_Wöhrl dbr:Night-vision_device dbr:Superconducting_wire dbr:Upconverting_nanoparticles dbr:I-III-VI_semiconductors dbr:II-VI_semiconductor_compound dbr:Liquid_phase_epitaxy dbr:Plasmonic_metamaterial dbr:Rudolf_M._Tromp dbr:Exchange_spring_magnet dbr:Nanotribology dbr:Rodolfo_Miranda dbr:Heterotopotaxy dbr:Molecular-beam_epitaxy dbr:Sublimation_sandwich_method dbr:Single-layer_materials dbr:Perovskite_nanocrystal dbr:Richard_B._Merrill dbr:Wake_Shield_Facility dbr:Stranski–Krastanov_growth dbr:Epilayer dbr:Epitactic dbr:Epitaxial_deposition dbr:Epitaxial_growth dbr:Epitaxial_layer dbr:Epitaxial_structures dbr:Epitaxially dbr:Heteroepitaxy dbr:CFFG dbr:Homoepitaxy |
| is dbp:knownFor of | dbr:Ian_Munro_Ross |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Epitaxy |
