Radiation hardening (original) (raw)

dbo:abstract

La resistència o l'enduriment contra la radiació és el disseny de parts i sistemes electrònics perquè puguin suportar el dany causat per la radiació ionitzant. Aquesta radiació es produeix en l'espai exterior i en grans altituds, als cinturons de radiació de Van Allen. També es produeixen en les explosions nuclears i prop dels reactors nuclears i altres fonts de radiació. Hi ha moltes tècniques que poden aconseguir l'«enduriment». La MRAM, memòria d'accés aleatori magnetorresistiva, es proposa com la solució de llarga durada de memòria electrònica. Aquest és el cor de la resistència a la radiació, ja que si la memòria del sistema no està danyada, el sistema pot ser reiniciat. (ca)
التقسية ضد الإشعاع هي تقنية حديثة تستخدم من أجل جعل المكوّنات الإلكترونية والأنظمة مقاومة للأثر الضار والمخرّب الناتج عن التعرّض للإشعاع المؤيّن كالصادر عن إشعاع الجسيمات أو الأمواج الكهرومغناطيسية عالية الطاقة. تجري هذه العملية وذلك من خلال إجراء تعديلات على تركيب أو تصميم المكونات الإلكترونية بحيث تصبح أقل عرضة للتأثير التخريبي للإشعاع. تستخدم هذه التقنية من أجل حماية الدارات الإلكترونية في الأماكن التي يمكن أن تتعرض لللإشعاع مثل المركبات الفضائية المعرّضة للأشعة الكونية أو بالقرب من المفاعلات النووية أو مسرّعات الجسيمات. (ar)
Strahlungshärten ist der Prozess, bei dem elektronische Komponenten und Schaltungen gegen Beschädigungen oder Fehlfunktionen durch hohe ionisierende Strahlung (Partikelstrahlung und energiereiche elektromagnetische Strahlung) resistent gemacht werden, insbesondere für Umgebungen im Weltraum und im Höhenflug um Kernreaktoren und Teilchenbeschleuniger oder bei nuklearen Unfällen oder nuklearen Kriegen.Die meisten elektronischen Halbleiterbauteile sind anfällig für Strahlenschäden, und strahlungsgehärtete Bauteile basieren auf ihren nicht gehärteten Äquivalenten, wobei einige Konstruktions- und Herstellungsvarianten die Anfälligkeit für Strahlenschäden verringern. Aufgrund der umfangreichen Entwicklung und Tests, die erforderlich sind, um ein strahlungstolerantes Design eines mikroelektronischen Chips herzustellen, bleiben strahlungsgehärtete Chips tendenziell hinter den jüngsten Entwicklungen zurück. Strahlengehärtete Produkte werden typischerweise einem oder mehreren resultierenden Effekttests unterzogen, einschließlich der Gesamtionisierungsdosis (engl. total ionizing dose, TID), verstärkten Effekten mit niedriger Dosisleistung (engl. enhanced low dose rate sensitivity, ELDRS), Neutronen- und Protonenverschiebungsschäden und Einzelereigniseffekten. (de)
La resistencia a la radiación es el acto de fabricar componentes electrónicos y sistemas resistentes a daños o funcionamientos erróneos causados por la radiación ionizante (radiación de partículas y electromagnética de alta energía), como las que se dan en el espacio exterior, vuelos de altitud elevada, alrededor de reactores nucleares y aceleradores de partículas o en accidentes nucleares. La mayoría de componentes electrónicos semiconductores son susceptibles de resultar dañados por la radiación. Los componentes resistentes a la radiación se basan en sus equivalentes no resistentes, a los que se realizan variaciones en diseño y fabricación para reducir esta susceptibilidad a ser dañados. Debido al desarrollo extensivo y el testeo requerido para lograr el diseño de un chip microelectrónico tolerante a la radiación, estos suelen quedar desfasados con respecto a los desarrollos más recientes. Los productos resistentes a la radiación son típicamente testados en ensayos de uno o más efectos resultantes, incluyendo dosis total de ionización (TID), efectos de baja dosis mejorados (ELDRS), daños por desplazamiento de neutrones y protones y efectos de evento simple (SEE, SEE, SEL y SEB). (es)
Le durcissement des composants électroniques contre les rayonnements ionisants désigne un mode de conception, de réalisation et de test des systèmes et composants électroniques pour les rendre résistants aux dysfonctionnements et dégradations causés par des rayonnements électromagnétiques et les particules subatomiques énergétiques rencontrés lors des vols spatiaux ou en haute altitude, ainsi que dans l'environnement des réacteurs nucléaires, voire lors d'opérations militaires. La plupart des composants « durcis » face aux rayonnements ionisants sont des adaptations de composants du marché, réalisés selon des procédés destinés à limiter les effets des radiations sur les matériaux qui les constituent. En raison de la complexité de ces adaptations, le développement de tels composants, destinés à un marché de niche, prend du temps et revient cher. C'est la raison pour laquelle ces composants offrent des performances souvent très en retrait par rapport à leurs équivalents contemporains du marché. (fr)
Radiation hardening is the process of making electronic components and circuits resistant to damage or malfunction caused by high levels of ionizing radiation (particle radiation and high-energy electromagnetic radiation), especially for environments in outer space (especially beyond the low Earth orbit), around nuclear reactors and particle accelerators, or during nuclear accidents or nuclear warfare. Most semiconductor electronic components are susceptible to radiation damage, and radiation-hardened (rad-hard) components are based on their non-hardened equivalents, with some design and manufacturing variations that reduce the susceptibility to radiation damage. Due to the extensive development and testing required to produce a radiation-tolerant design of a microelectronic chip, the technology of radiation-hardened chips tends to lag behind the most recent developments. Radiation-hardened products are typically tested to one or more resultant-effects tests, including total ionizing dose (TID), enhanced low dose rate effects (ELDRS), neutron and proton displacement damage, and single event effects (SEEs). (en)
Радиационно стойкая интегральная схема — интегральная схема, к которой предъявлены повышенные требования устойчивости к сбоям, вызванным воздействием радиации. Основная область применения подобных схем — это космические аппараты, военная техника и медицинская электроника. (ru)
Радіаційна загартованість - здатність електронних компонентів кремнієвих схем мікропроцесорів, бути стійкими до пошкоджень або несправностей, спричинених високим рівнем проникаючого іонізуючого випромінювання при зміні основних параметрів в межах норм, що регламентовані технічними умовами. Джерелами загроз мікросхемам можуть бути ядерні енергетичні установки, ядерні вибухи, природні та штучні радіаційні пояси Землі, космічні промені, цикли сонячної активності, ін. Через тривалість розробки та випробуваннь, необхідних для виготовлення мікроелектронних конструкцій радіаційно-стійких мікросхем, процес створення таких мікросхем відірваний від звичайних розробок. Стійкі до випромінюваної радіації продукти, як правило, проходять один або більше випробувань на ефекти, включаючи , та Порушення в результаті одиничної події. (uk)

dbo:wikiPageExternalLink

dbo:wikiPageWikiLink

التقسية ضد الإشعاع هي تقنية حديثة تستخدم من أجل جعل المكوّنات الإلكترونية والأنظمة مقاومة للأثر الضار والمخرّب الناتج عن التعرّض للإشعاع المؤيّن كالصادر عن إشعاع الجسيمات أو الأمواج الكهرومغناطيسية عالية الطاقة. تجري هذه العملية وذلك من خلال إجراء تعديلات على تركيب أو تصميم المكونات الإلكترونية بحيث تصبح أقل عرضة للتأثير التخريبي للإشعاع. تستخدم هذه التقنية من أجل حماية الدارات الإلكترونية في الأماكن التي يمكن أن تتعرض لللإشعاع مثل المركبات الفضائية المعرّضة للأشعة الكونية أو بالقرب من المفاعلات النووية أو مسرّعات الجسيمات. (ar)
Радиационно стойкая интегральная схема — интегральная схема, к которой предъявлены повышенные требования устойчивости к сбоям, вызванным воздействием радиации. Основная область применения подобных схем — это космические аппараты, военная техника и медицинская электроника. (ru)
La resistència o l'enduriment contra la radiació és el disseny de parts i sistemes electrònics perquè puguin suportar el dany causat per la radiació ionitzant. Aquesta radiació es produeix en l'espai exterior i en grans altituds, als cinturons de radiació de Van Allen. També es produeixen en les explosions nuclears i prop dels reactors nuclears i altres fonts de radiació. (ca)
Strahlungshärten ist der Prozess, bei dem elektronische Komponenten und Schaltungen gegen Beschädigungen oder Fehlfunktionen durch hohe ionisierende Strahlung (Partikelstrahlung und energiereiche elektromagnetische Strahlung) resistent gemacht werden, insbesondere für Umgebungen im Weltraum und im Höhenflug um Kernreaktoren und Teilchenbeschleuniger oder bei nuklearen Unfällen oder nuklearen Kriegen.Die meisten elektronischen Halbleiterbauteile sind anfällig für Strahlenschäden, und strahlungsgehärtete Bauteile basieren auf ihren nicht gehärteten Äquivalenten, wobei einige Konstruktions- und Herstellungsvarianten die Anfälligkeit für Strahlenschäden verringern. Aufgrund der umfangreichen Entwicklung und Tests, die erforderlich sind, um ein strahlungstolerantes Design eines mikroelektronisc (de)
La resistencia a la radiación es el acto de fabricar componentes electrónicos y sistemas resistentes a daños o funcionamientos erróneos causados por la radiación ionizante (radiación de partículas y electromagnética de alta energía), como las que se dan en el espacio exterior, vuelos de altitud elevada, alrededor de reactores nucleares y aceleradores de partículas o en accidentes nucleares. (es)
Le durcissement des composants électroniques contre les rayonnements ionisants désigne un mode de conception, de réalisation et de test des systèmes et composants électroniques pour les rendre résistants aux dysfonctionnements et dégradations causés par des rayonnements électromagnétiques et les particules subatomiques énergétiques rencontrés lors des vols spatiaux ou en haute altitude, ainsi que dans l'environnement des réacteurs nucléaires, voire lors d'opérations militaires. (fr)
Radiation hardening is the process of making electronic components and circuits resistant to damage or malfunction caused by high levels of ionizing radiation (particle radiation and high-energy electromagnetic radiation), especially for environments in outer space (especially beyond the low Earth orbit), around nuclear reactors and particle accelerators, or during nuclear accidents or nuclear warfare. (en)
Радіаційна загартованість - здатність електронних компонентів кремнієвих схем мікропроцесорів, бути стійкими до пошкоджень або несправностей, спричинених високим рівнем проникаючого іонізуючого випромінювання при зміні основних параметрів в межах норм, що регламентовані технічними умовами. Джерелами загроз мікросхемам можуть бути ядерні енергетичні установки, ядерні вибухи, природні та штучні радіаційні пояси Землі, космічні промені, цикли сонячної активності, ін. Через тривалість розробки та випробуваннь, необхідних для виготовлення мікроелектронних конструкцій радіаційно-стійких мікросхем, процес створення таких мікросхем відірваний від звичайних розробок. (uk)

rdfs:label

تقسية ضد الإشعاع (ar)
Resistència contra la radiació (ca)
Strahlungshärten (de)
Resistencia a radiación (es)
Durcissement (électronique) (fr)
Radiation hardening (en)
Радиационно-стойкая интегральная схема (ru)
Радіаційна стійкість (uk)

is dbo:wikiPageWikiLink of