Bipolar junction transistor (original) (raw)
Bipolární tranzistor je druh tranzistoru. Jde o elektronickou součástku tvořenou třemi oblastmi polovodiče s různým typem vodivosti v uspořádání NPN nebo PNP, které vytvářejí dvojici přechodů PN. Prostřední oblast se nazývá báze (B), krajní emitor (E) a kolektor (C, výjimečně K). Ke každé z oblastí je zapojen vývod. Při vhodném zapojení je velikost elektrického proudu tekoucího mezi emitorem a kolektorem řízena malými změnami proudu tekoucího mezi bází a emitorem. Bipolární tranzistory se používají jako zesilovače, spínače a invertory. Vyrábějí se jako samostatné součástky nebo jako prvky integrovaných obvodů. Ve složitých integrovaných obvodech však převládá používání unipolárních tranzistorů.
.jpg?width=300)
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | الترانزستور ثنائي القطب أو ترانزستور الوصلة ثنائية الأقطاب (بالإنجليزية: Bipolar Junction Transistor اختصاراً BJT) هو عنصر إلكتروني فعّال شبه موصل ثلاثيّ الطبقات، يتكوّن من طبقتين من النوع نفسه تفصل بينهما طبقة ثالثةٌ مُغايرة. تكون مادة الطبقات أشباه موصلات إما من سالبة النوع أو موجبته، إذا كانت الطبقتان من مادة شبه موصل مشاب سالب النوع والطبقة المُغايرة من شبه موصلٍ مشاب موجب النوع فإنّ الترانزستور يكونُ من النوع NPN. أمّا إذا كانت الطبقتان من شبه مُوصلٍ مشابٍ موجب النوع، وكانت الطبقةُ المُغايرة من شبه مُوصلٍ مشاب سالب النوع، فإن الترانزستور يكون من النوع PNP. صُنع الترانزستور للمرة الأولى عام 1947م في مختبرات بل، بإشراف كلٍّ من والتر براتين وجون باردين وويليام شوكلي. لاحقاً، حصلَ الثلاثةُ على جائزة نوبل في الفيزياء في العام 1956م تقديراً لعملهم. مُنذ منتصف الخمسينيّات من القرن العشرين، أصبح الترانزستور ثنائي القطب مُتوافراً للاستخدام التّجاري، وكان حجر أساس في ثورة تقنيّة وإلكترونيّة، ولا يكاد يخلو جهاز إلكتروني حديث من هذا العنصر. هناكَ ثلاثُ نهاياتٍ طرفيّة للترانزستور ثنائي القطب، هُنّ القاعدة والباعث والمُجمّع، وتتصل كل نهاية مِنها مع إحدى طبقات الترانزستور. يُمكن تمثيل الترانزستور حسب بنيته على شكل ثُنائيين يُسميان وصلتا القاعدة والباعث والقاعدة والمجمع ويشتركان بالمصعد أو بالمهبط، حسب نوع الترانزستور. ولهذا فإنّ الترانزستور يخضع لنفس قواعد التحييز الخاصّة بالثنائي. عمليّاً، هناك أربعُ حالات لتحييز وصلتي الترانزستور هُنّ: التحييز الأمامي لوصلة القاعدة والباعث مع التحييز العكسيّ لوصلة القاعدة والمجمع أو بالعكس، أو تحييز كلتا الوصلتين أماميّاً أو كلتاهما عكسيّاً، وينتج عن كل عملية تحييز خواص مختلفة يمكن الاستفادة منها لتوظيف الترانزستور. يُوجد العديد من الدارات التي تحقق حالات الانحياز المُختلفة للترانزستور، ويجري تصنيفها حسب النهاية المُشتركة بين دارتي الدخل والخرج في الدارة المُعتبرة، وينتج عن ذلك ثلاثةُ تصانيفَ مختلفةٍ لإعداد الوصلة هي: والباعث المشترك ولكل وصلة خواص مختلفة عن الأخرى، لكن أكثرها استعمالاً هي الباعث المشترك. هناك عدّة نماذج تُستعمل لتمثيل عمل الترانزستور، أهمّها نموذجا آر إي ، وفيهما يجري تعويض الترانزستور بعناصر كهربائيّة خطيّة غير فعّالة، ثُمّ حساب المُحددات الأساسيّة الضابطة لعمله، مثلُ ربحيّ الجهد والتيار. وتهدف عملية النمذجة إلى إيجاد تمثيلٍ رياضيّ قادرٍ على محاكاة عمل الترانزستور. تتُحدد آليّة عمل الترانزستور حسب موقع نقطة العمل، وهي نقطة تقع على مُحددات الخرج الخاصّة بالترانزستور وتربط بين جهد الخرج وتياره، ويمكن تحديد موقعها بدقّة من خلال اختيار عناصر دارة التّحييز. على أي حال، يُمكن أن يعمل الترانزستور كمضخم للإشارات الكهربائية الصغيرة أو كمضخم للاستطاعة، وفي كلتا الحالتين يقوم الترانزستور بتضخيم إشارة كهربائيّة تُوصل إلى دارة دخله، ثُمّ نقلِها إلى دارة خرجه. كما يُمكن أن يعمل كمفتاح إلكتروني، وفي هذه الحالة يجري التحكم بتدفق التيار في دارة خرج الترانزستور من خلال الجهد المُطبق دارة الدخل. يُبدي الترانزستور ذات شكل هضبيّ بالنسبة لترددات إشارة الدخل، فمع زيادة التردد، يرتفع ربح الترانزستور ليصل إلى أعلى قيمة مُمكنة، ثُمّ يظلّ ثابتاً على طيف واسع قبل أن يعود وينخفض من جديد مع زيادة التردد فوق عتبة مُحددة. عمليّاً، يكون ربح الترانزستور أعلى ما يُمكن إذا كان ترددُ الإشارة يقعُ بين ترددين محددين يُسميان ترددا القطع الأدنى والأعلى، وتتبع قيمة هذه الترددات لعدد من عناصر الدارة أهمها مكثفاتُ العزل والتمرير والسِّعاتُ الطفيليّة بالإضافة للمقاومات المُستعملة في الدارة. منذ مُنتصف الخمسينيّات من القرن العشرين، يتوافر الترانزستور في الأسواق كمنتج تجاري يُمكن شراؤه واستعماله في تصميم الدارات الإلكترونية المختلفة، ويتطلب ذلك مهارات خاصة في قراءة الخاصة به والتي ترفقُها الشركة المُصنّعة مع العنصر الإلكتروني، وهي تحتوي على مواصفاته وخواصه. بالإضافة لذلك، يتطلب استعمال الترانزستور امتلاك مهارات خاصة بتحديد نوعه ودبابيس الطرفيات؛ إمّا عن طريق اللجوء إلى ورقة البيانات الخاصّة به، أو عن طريق القياس باستعمال مقياس المقاومة. (ar) Un transistor bipolar (BJT, de l'anglès bipolar junction transistor) és un tipus de transistor, un dispositiu que pot funcionar com amplificador o commutador fet amb semiconductors dopats. El BJT està compost per diverses capes de material dopat, ja siga NPN o PNP. El centre de la secció s'anomena la base del transistor. Variant el corrent entre la base i un terminal anomenat emissor, es pot variar el corrent que flueix entre l'emissor i el tercer connector anomenat col·lector, fent que el senyal aparegui amplificat en eixe terminal. Els BJTs poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. La seua funció habitual és la de servir com a amplificadors de corrent. Conceptualment, hom pot entendre un transistor bipolar com a dos díodes col·locats de forma oposada. En estat normal, la unió emissor-base està polaritzada en directa i la unió base-col·lector està polaritzada en inversa. En un transistor de tipus NPN, per exemple, els electrons de l'emissor s'escampen (o es difonen) a la base. Aquests electrons en la base estan en minoria (hi ha una gran quantitat de forats electrònics) per a recombinar-se. La base sempre es fa prou fina perquè la majoria d'electrons es difonguen pel col·lector abans que es recombinen amb els forats. La unió col·lector-base està polaritzada en inversa per a evitar el flux de forats, però els electrons es troben amb un camí més fàcil: són escombrats cap al col·lector pel camp elèctric que envolta la unió. La proporció d'electrons capaços d'evitar "l'aspiració" de la base i arribar al col·lector és molt sensible al corrent que passa a través de la base. D'ací que un mínim canvi en el corrent de la base puga convertir-se en un gran canvi en el flux d'electrons entre l'emissor i el col·lector. Per exemple el radi d'aquests corrents (Ic÷Ib normalment anomenada β) en alguns transistors bipolars és de 100 o més. El diagrama que s'acompanya és una representació esquemàtica d'un transistor NPN connectat amb dos fonts de voltatge. Per fer que el transistor condueixca un corrent de C a E, s'aplica un voltatge menut (al voltant dels 0,7 volts) en la unió base-emissor. Aquest voltatge s'anomena . Açò fa que la unió p-n superior condueixca, permetent que un corrent major flueixca al col·lector. El corrent total que flueix cap a dins del transistor serà per tant el corrent base més el corrent del col·lector . El corrent total que ix és simplement el corrent de l'emissor, . Així com en tots els dispositius elèctrics, el corrent que hi entra ha de ser igual al que surt, d'acord amb la llei de Kirchoff, per aquest motiu es pot afirmar el següent: (ca) Bipolární tranzistor je druh tranzistoru. Jde o elektronickou součástku tvořenou třemi oblastmi polovodiče s různým typem vodivosti v uspořádání NPN nebo PNP, které vytvářejí dvojici přechodů PN. Prostřední oblast se nazývá báze (B), krajní emitor (E) a kolektor (C, výjimečně K). Ke každé z oblastí je zapojen vývod. Při vhodném zapojení je velikost elektrického proudu tekoucího mezi emitorem a kolektorem řízena malými změnami proudu tekoucího mezi bází a emitorem. Bipolární tranzistory se používají jako zesilovače, spínače a invertory. Vyrábějí se jako samostatné součástky nebo jako prvky integrovaných obvodů. Ve složitých integrovaných obvodech však převládá používání unipolárních tranzistorů. (cs) Το διπολικό τρανζίστορ (BJT – Bipolar Junction Transistor) Το τρανζίστορ είναι ένα ημιαγωγό στοιχείο των ηλεκτρονικών ισχύος, το οποίο αποτελείται από τρεις ζώνες ημιαγωγού στοιχείου διαδοχικά τοποθετημένες. Επομένως, έχουμε δύο τύπους τρανζίστορ: το τρανζίστορ npn και το τρανζίστορ pnp. Στα ηλεκτρονικά ισχύος χρησιμοποιούμε αποκλειστικά το τρανζίστορ npn α) Δομή ενός τρανζίστορ npn β) Σύμβολο τρανζίστορ τύπου-npn με ορθή πόλωση γ) Τρανζίστορ του εμπορίου]] Λειτουργία npn-τρανζίστορ Το τρανζίστορ λειτουργεί σαν ελεγχόμενος διακόπτης. Για να λειτουργήσει, όμως, απαιτείται ορθή πόλωση. Δηλαδή: – θετική τάση (+) στον συλλέκτη (C) – αρνητική τάση (–) στον εκπομπό (Ε ή γειωμένο εκπομπό) – θετική τάση (+) στη βάση (Β) Σημείωση: Όταν το βέλος του εκπομπού δείχνει προς την περιφέρεια του κύκλου, τότε είναι τρανζίστορ-npn. Εάν το βέλος του εκπομπού δείχνει προς τη βάση τότε είναι τρανζίστορ-pnp. Όταν το τρανζίστορ είναι ορθά πολωμένο, τότε ρέει ένα μικρό ρεύμα ΙΒ από τη βάση στον εκπομπό, το οποίο ρυθμίζει τη ροή ενός μεγάλου ρεύματος (IC IE) από τον συλλέκτη στον εκπομπό. Όσο μεγαλώνουμε το ρεύμα βάσης (ΙΒ), τόσο περισσότερο μεγαλώνει το ρεύμα συλλέκτη IC. Ο λόγος IC/ΙΒ ονομάζεται ενίσχυση (Β). Συνήθεις τιμές του Β = 50-200. π.χ.: Εάν Β=200 και ΙΒ = 5mA, τότε IC = Β∙ΙΒ=200∙5=1000 mA = 1Α (el) A bipolar junction transistor (BJT) is a type of transistor that uses both electrons and electron holes as charge carriers. In contrast, a unipolar transistor, such as a field-effect transistor, uses only one kind of charge carrier. A bipolar transistor allows a small current injected at one of its terminals to control a much larger current flowing between the terminals, making the device capable of amplification or switching. BJTs use two p–n junctions between two semiconductor types, n-type and p-type, which are regions in a single crystal of material. The junctions can be made in several different ways, such as changing the doping of the semiconductor material as it is grown, by depositing metal pellets to form alloy junctions, or by such methods as diffusion of n-type and p-type doping substances into the crystal. The superior predictability and performance of junction transistors quickly displaced the original point-contact transistor. Diffused transistors, along with other components, are elements of integrated circuits for analog and digital functions. Hundreds of bipolar junction transistors can be made in one circuit at very low cost. Bipolar transistor integrated circuits were the main active devices of a generation of mainframe and minicomputers, but most computer systems now use CMOS integrated circuits relying on field-effect transistors. Bipolar transistors are still used for amplification of signals, switching, and in mixed-signal integrated circuits using BiCMOS. Specialized types are used for high voltage switches, for radio-frequency amplifiers, or for switching high currents. (en) Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen. Der BJT wird mittels eines elektrischen Stroms gesteuert und wird zum Schalten und Verstärken von Signalen ohne mechanisch bewegte Teile eingesetzt. Bipolare Leistungstransistoren sind für das Schalten und Verstärken von Signalen höherer Stromstärken und Spannungen ausgelegt. (de) El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BiCMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: * Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. * Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. * Colector, de extensión mucho mayor. La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial.En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad. (es) Transistore bipolarra —BJT transistorea edo juntura bipolarreko transistorea ere deitua (ingelesez: BJT; bipolar junction transistor) transistore mota bat da. egindako hiru terminaleko osagarri elektronikoa da. Oro har elektronika analogikoan erabiltzen dira. Hala ere, elektronika digitaleko TTL teknologian edo ere erabiliak dira. Transistore bipolarren terminalek izen hauek hartzen dituzte: * Entxufe oina (B; ingelesez: Base). * Kolektorea (C; ingelesez: Collecter). * Igorlea (E; ingelesez: Emitter). (eu) Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant. Il est à noter qu'aucun électron n'est effectivement « créé » : la polarisation appropriée permet à un réservoir d'électrons libres de circuler différemment. (fr) Transistor sambungan dwikutub atau transistor pertemuan dwikutub (bahasa Inggris: Bipolar junction transistor atau disingkat BJT atau Bipolar transistor) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun , berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah , hampir semua arus transistor adalah dikarenakan , sehingga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas. (in) バイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor; BJT）はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ（英: Bipolar transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体素子であり、電流増幅およびスイッチングの機能を持つ。のちに登場した電界効果トランジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。 最初に広く使われたトランジスタであるため、単にトランジスタと言うときにはバイポーラトランジスタを指すことが多い。バイポーラトランジスタという呼び名は、後に FET が登場したことによるレトロニムである。 (ja) ( BJT는 여기로 연결됩니다. 일본어 자격시험에 대해서는 비즈니스 일본어 능력 시험 문서를 참고하십시오.) 양극성 접합 트랜지스터(영어: bipolar junction transistor)는 1947년 벨 연구소에서 존 바딘, 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었다. 진공관은 전자회로 구현에서 크기와 소모전력 그리고 내구성에 문제가 많다. 특히 스위치 개념을 적용할 때, 많은 소자가 필요한데 공간의 한계가 문제가 된다. 그래서 반도체를 이용한 스위치의 필요성이 대두되어 개발되었다. 스위치란 결국 전류를 흐르게 하느냐, 흐르지 못하게 하느냐이다. 소자의 크기와 전력 면에서 반도체를 이용하면 이 문제가 해결된다. 반도체는 n형과 p형이 있으므로 이것에 제어용 전극을 붙이면 된다. n형의 막대 중간에 제어 전극을 붙이는 방법은 p형을 중간에 끼워 넣는 방법밖에 없다. p형이라면 n형을 넣으면 전류 제어가 가능해진다. 이렇게 중간에 제어용으로 삽입된 전극이 베이스(Base)가 된다. 베이스의 제어 신호는 전류에 따라 제어가 결정된다. 입력 제어 전류의 몇 배 전류가 흘러 스위치 기능이 실현된다. 보통 전자공학에서 신호 처리는 전압으로 표현된다. 즉, 전압을 증폭하거나 스위치한다. 베이스의 전압으로 제어할 수 있으면 좋았겠으나, 스위치 기능의 구현이 우선이었을 것이다. 나중에 전압을 제어용 입력 신호로 하는 소자인 전계효과 트랜지스터(FET)가 개발되었다. 오늘날 집적회로에서 CMOS 사용의 선호로 인해 관심과 사용이 줄어들고 있으나, 이산회로 등에서 접합형 트랜지스터의 성질이 잘 알려져 있고 다양한 소자 선택이 가능해 여전히 널리 사용되고 있다. (ko) De bipolaire transistor is een actieve elektronische halfgeleidercomponent. Meestal noemt men de bipolaire transistor gewoon transistor, maar naast bipolaire transistors bestaan er ook andere soorten, zoals de veldeffecttransistor en de MOSFET. Er zijn twee soorten bipolaire transistoren: * de PNP-transistor (een n-halfgeleiderlaag tussen twee p-halfgeleiderlagen) en * de NPN-transistor (een p-halfgeleiderlaag tussen twee n-halfgeleiderlagen). (nl) In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore. Costituisce la famiglia più diffusa in elettronica insieme al transistor ad effetto di campo rispetto a cui è in grado di offrire una maggiore corrente in uscita con lo svantaggio tuttavia di non avere il terminale di controllo isolato (gate). Esso è composto da tre strati di materiale semiconduttore drogato, solitamente silicio, in cui lo strato centrale ha drogaggio opposto agli altri due, in modo da formare una doppia giunzione p-n. Ad ogni strato è associato un terminale: quello centrale prende il nome di base, quelli esterni sono detti collettore ed emettitore. Il principio di funzionamento si fonda sulla possibilità di controllare la conduttività elettrica del dispositivo, e quindi la corrente elettrica che lo attraversa, mediante l'applicazione di una tensione tra i suoi terminali. Tale dispositivo coinvolge sia gli elettroni, sia le lacune (portatori di carica maggioritari), e pertanto questo tipo di transistor è detto bipolare. Il transistor a giunzione bipolare può essere usato classicamente in tre configurazioni diverse dette a base comune, a collettore comune o a emettitore comune: questi termini si riferiscono al terminale privo di segnale (di solito perché collegato al potenziale di riferimento, direttamente o tramite un condensatore di bypass). (it) En bipolär transistor är en trepolig halvledar-komponent som kan betraktas som en styrbar strömventil. Strömmen som kan styras är en likström vilket innebär att styrbarheten inskränker sig till att öka eller minska en ström, det går inte alltså att påverka dess riktning. Den bipolära transistorn består av två pn-övergångar där respektive övergång kan vara förspänd i fram- eller backriktning och på så vis ge transistorn fyra olika arbetsomården. (sv) Tranzystor bipolarny (dawniej: tranzystor warstwowy, tranzystor złączowy) – odmiana tranzystora, półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami (nazywanymi bazą i emiterem) steruje większym prądem płynącym między emiterem a trzecią elektrodą (nazywaną kolektorem). (pl) Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора. Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ). (ru) O transístor de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (elétrons). (pt) Біполярний транзистор — напівпровідниковий прилад, елемент електронних схем. Має три електроди — емітер, базу і колектор, — один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Термін «біполярний» підкреслює той факт, що принцип роботи приладу полягає у взаємодії з електричним полем носіїв заряду, що мають як позитивний, так і негативний електричний заряд. В залежності від типу носіїв заряду, які використовуються в транзисторі, біполярні транзистори поділяються на транзистори типів NPN та PNP. В транзисторі типу NPN емітер і колектор легуються донорами, а база — акцепторами. В транзисторі типу PNP — навпаки. Біполярні транзистори використовуються в підсилювачах, генераторах, перетворювачах сигналу, логічних схемах. (uk) 双极性電晶體（英語：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予1956年的诺贝尔物理学奖。 这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也稱雙極性載子電晶體。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN電晶體為例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。 双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。 通斷（傳遞訊號）時的雙極晶體管表現出一些延遲特性。大多數晶體管，尤其是功率晶體管，具有長的儲存時間，限制操作處理器的最高頻率。一種方法用於減少該存儲時間是使用Baker clamp。 (zh) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Transistorer_(cropped).jpg?width=300 |
| dbo:wikiPageID | 49338 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 57511 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1119730127 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Amplifier dbr:Proportionality_(mathematics) dbr:Electric_charge dbr:Electric_current dbr:Electron_hole dbr:Electronic_circuit dbr:Electronic_switch dbr:Electrostatic-sensitive_device dbr:Electrostatic_discharge dbr:Mesa_transistor dbr:Minicomputer dbr:Bell_Labs dbr:Boltzmann_constant dbr:Boron dbr:Alloy-junction_transistor dbr:BiCMOS dbr:Charge_carrier dbr:Depletion_region dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Early_effect dbr:Integrated_circuit dbr:Spacistor dbr:Molecular_beam_epitaxy dbr:Surface-barrier_transistor dbr:Conventional_current dbr:SPICE dbr:Low-level_injection dbr:Silicon_bandgap_temperature_sensor dbr:TO-126 dbr:P–n_junction dbr:Electron dbr:Epitaxy dbr:Gallium_arsenide dbr:General_Electric dbr:Crystal dbr:Alternating_Current dbr:Logarithm dbr:MOSFET dbr:Common_base dbr:Common_collector dbr:Common_emitter dbr:Emitter-coupled_logic dbr:Bell_Telephone_Laboratories dbr:Temperature_coefficient dbr:Admittance_parameters dbr:Transistors dbr:William_Shockley dbr:Drift-field_transistor dbr:Gain_(electronics) dbr:Ebers–Moll_model dbr:Jewell_James_Ebers dbr:File:Hybrid-pi_detailed_model.svg dbr:Lawrence_J._Giacoletto dbr:Lead_(electronics) dbr:Translinear_circuit dbr:Aluminium dbr:Analog_circuit dbc:Bipolar_transistors dbr:Current_source dbr:Ambipolar_diffusion dbr:Fairchild_Semiconductor dbr:Bandgap_voltage_reference dbr:Breakdown_voltage dbr:Diffusion dbr:Diode dbr:Germanium dbr:Mixed-signal_integrated_circuit dbr:Mainframe_computer dbr:Power_rating dbr:Radio_frequency dbr:Herbert_Kroemer dbr:Hertz dbr:Ionizing_radiation dbr:James_M._Early dbr:Jean_Hoerni dbr:Baker_clamp dbc:Transistor_modeling dbr:Texas_Instruments dbr:Hybrid-pi_model dbr:Arsenic dbr:John_Bardeen dbr:John_L._Moll dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Bipolar_transistor_biasing dbr:TO-3 dbr:Heterojunction_bipolar_transistor dbr:Terminal_(electronics) dbr:Tetrode_transistor dbr:Transistor dbr:Diffusion_current dbr:Avalanche_breakdown dbr:Avalanche_transistor dbc:Transistor_types dbr:CMOS dbr:Philco dbr:Philips dbr:Phosphorus dbr:Photon dbr:Phototransistor dbr:Field-effect_transistor dbr:Grown-junction_transistor dbr:Integrated_circuits dbr:Metal dbr:Op-amp dbr:Capacitance dbr:Carrier_generation_and_recombination dbr:RCA dbr:Mathematical_model dbr:Room_temperature dbr:Thermal_runaway dbr:Semiconductor dbr:Silicon dbr:Small-outline_transistor dbr:Gummel_plot dbr:Gummel–Poon_model dbr:Diffusion_transistor dbr:Direct_Current dbr:Impurity dbr:Point-contact_transistor dbr:Transistor–transistor_logic dbr:Radiation_hardening dbr:Multiple-emitter_transistor dbr:Two-port_network dbr:Transconductance dbr:Metalorganic_vapour_phase_epitaxy dbr:TO-92 dbr:Transistor_models dbr:Micro-alloy_diffused_transistor dbr:Micro-alloy_transistor dbr:Charge_carriers_in_semiconductors dbr:Fick's_law dbr:Radio-frequency dbr:Doping_(semiconductors) dbr:Minority_carrier dbr:Small_signal dbr:Insulated_gate_bipolar_transistor dbr:Walter_Brattain dbr:Planar_transistor dbr:Very-high-frequency dbr:Collector_(electronics) dbr:Post-alloy_diffused_transistor dbr:Common-base dbr:Common-emitter dbr:Secondary_breakdown dbr:Diffused-base_transistor dbr:Zener_breakdown dbr:File:Approximated_Ebers_Moll.svg dbr:File:BJT_h-parameters_(generalised).svg dbr:File:Diagrama_de_Transistor_NPN.svg dbr:File:Early_effect_(NPN).svg dbr:File:Ebers-Moll_model_schematic_(NPN).svg dbr:File:Ebers-Moll_model_schematic_(PNP).svg dbr:File:IEEE_315-1975_(1993)_8.6.1.svg dbr:File:IEEE_315-1975_(1993)_8.6.2.svg dbr:File:IPRS_BANEASA_2N2222.jpg dbr:File:NPN_BJT_(Planar)_Cross-section.svg dbr:File:NPN_BJT_-_Structure_&_circuit.svg dbr:File:NPN_BJT_Basic_Operation_(Active)_jP.svg dbr:File:NPN_Band_Diagram_Active.svg dbr:File:NPN_Band_Diagram_Equilibrium.svg |
| dbp:align | right (en) |
| dbp:caption | Input characteristics (en) output characteristics (en) Typical individual BJT packages. From top to bottom: TO-3, TO-126, TO-92, SOT-23 (en) |
| dbp:captionAlign | center (en) |
| dbp:footer | Input and output characteristics for a common-base silicon transistor amplifier. (en) |
| dbp:headerAlign | center (en) |
| dbp:image | Output characteristic common-base silicon transistor-en.svg (en) Input characteristic common-base silicon transistor-en.svg (en) |
| dbp:invented | December 1947 (en) |
| dbp:name | Bipolar junction transistor (en) |
| dbp:pins | Collector, base, emitter (en) |
| dbp:symbol | 100 (xsd:integer) |
| dbp:symbolCaption | BJTs PNP and NPN schematic symbols (en) |
| dbp:width | 130 (xsd:integer) 170 (xsd:integer) |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Anchor dbt:Authority_control dbt:Citation_needed dbt:Clear dbt:Commons_category dbt:Efn dbt:Expand_section dbt:Main dbt:Main_article dbt:Multiple_image dbt:Mvar dbt:Notelist dbt:Portal dbt:Redirect-multi dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Spaced_ndash dbt:Sub dbt:Technical dbt:Transistor_amplifiers dbt:Electronic_components dbt:Infobox_electronic_component |
| dbp:workingPrinciple | dbr:Semiconductor |
| dcterms:subject | dbc:Bipolar_transistors dbc:Transistor_modeling dbc:Transistor_types |
| gold:hypernym | dbr:Transistor |
| rdf:type | owl:Thing yago:WikicatTransistors yago:WikicatSemiconductorDevices yago:Artifact100021939 yago:Conductor103088707 yago:Device103183080 yago:Instrumentality103575240 yago:Object100002684 yago:PhysicalEntity100001930 yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Transistor104471632 yago:Whole100003553 |
| rdfs:comment | Bipolární tranzistor je druh tranzistoru. Jde o elektronickou součástku tvořenou třemi oblastmi polovodiče s různým typem vodivosti v uspořádání NPN nebo PNP, které vytvářejí dvojici přechodů PN. Prostřední oblast se nazývá báze (B), krajní emitor (E) a kolektor (C, výjimečně K). Ke každé z oblastí je zapojen vývod. Při vhodném zapojení je velikost elektrického proudu tekoucího mezi emitorem a kolektorem řízena malými změnami proudu tekoucího mezi bází a emitorem. Bipolární tranzistory se používají jako zesilovače, spínače a invertory. Vyrábějí se jako samostatné součástky nebo jako prvky integrovaných obvodů. Ve složitých integrovaných obvodech však převládá používání unipolárních tranzistorů. (cs) Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen. Der BJT wird mittels eines elektrischen Stroms gesteuert und wird zum Schalten und Verstärken von Signalen ohne mechanisch bewegte Teile eingesetzt. Bipolare Leistungstransistoren sind für das Schalten und Verstärken von Signalen höherer Stromstärken und Spannungen ausgelegt. (de) Transistore bipolarra —BJT transistorea edo juntura bipolarreko transistorea ere deitua (ingelesez: BJT; bipolar junction transistor) transistore mota bat da. egindako hiru terminaleko osagarri elektronikoa da. Oro har elektronika analogikoan erabiltzen dira. Hala ere, elektronika digitaleko TTL teknologian edo ere erabiliak dira. Transistore bipolarren terminalek izen hauek hartzen dituzte: * Entxufe oina (B; ingelesez: Base). * Kolektorea (C; ingelesez: Collecter). * Igorlea (E; ingelesez: Emitter). (eu) Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant. Il est à noter qu'aucun électron n'est effectivement « créé » : la polarisation appropriée permet à un réservoir d'électrons libres de circuler différemment. (fr) Transistor sambungan dwikutub atau transistor pertemuan dwikutub (bahasa Inggris: Bipolar junction transistor atau disingkat BJT atau Bipolar transistor) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun , berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah , hampir semua arus transistor adalah dikarenakan , sehingga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas. (in) バイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor; BJT）はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ（英: Bipolar transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体素子であり、電流増幅およびスイッチングの機能を持つ。のちに登場した電界効果トランジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。 最初に広く使われたトランジスタであるため、単にトランジスタと言うときにはバイポーラトランジスタを指すことが多い。バイポーラトランジスタという呼び名は、後に FET が登場したことによるレトロニムである。 (ja) De bipolaire transistor is een actieve elektronische halfgeleidercomponent. Meestal noemt men de bipolaire transistor gewoon transistor, maar naast bipolaire transistors bestaan er ook andere soorten, zoals de veldeffecttransistor en de MOSFET. Er zijn twee soorten bipolaire transistoren: * de PNP-transistor (een n-halfgeleiderlaag tussen twee p-halfgeleiderlagen) en * de NPN-transistor (een p-halfgeleiderlaag tussen twee n-halfgeleiderlagen). (nl) En bipolär transistor är en trepolig halvledar-komponent som kan betraktas som en styrbar strömventil. Strömmen som kan styras är en likström vilket innebär att styrbarheten inskränker sig till att öka eller minska en ström, det går inte alltså att påverka dess riktning. Den bipolära transistorn består av två pn-övergångar där respektive övergång kan vara förspänd i fram- eller backriktning och på så vis ge transistorn fyra olika arbetsomården. (sv) Tranzystor bipolarny (dawniej: tranzystor warstwowy, tranzystor złączowy) – odmiana tranzystora, półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami (nazywanymi bazą i emiterem) steruje większym prądem płynącym między emiterem a trzecią elektrodą (nazywaną kolektorem). (pl) Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора. Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ). (ru) O transístor de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (elétrons). (pt) الترانزستور ثنائي القطب أو ترانزستور الوصلة ثنائية الأقطاب (بالإنجليزية: Bipolar Junction Transistor اختصاراً BJT) هو عنصر إلكتروني فعّال شبه موصل ثلاثيّ الطبقات، يتكوّن من طبقتين من النوع نفسه تفصل بينهما طبقة ثالثةٌ مُغايرة. تكون مادة الطبقات أشباه موصلات إما من سالبة النوع أو موجبته، إذا كانت الطبقتان من مادة شبه موصل مشاب سالب النوع والطبقة المُغايرة من شبه موصلٍ مشاب موجب النوع فإنّ الترانزستور يكونُ من النوع NPN. أمّا إذا كانت الطبقتان من شبه مُوصلٍ مشابٍ موجب النوع، وكانت الطبقةُ المُغايرة من شبه مُوصلٍ مشاب سالب النوع، فإن الترانزستور يكون من النوع PNP. (ar) Un transistor bipolar (BJT, de l'anglès bipolar junction transistor) és un tipus de transistor, un dispositiu que pot funcionar com amplificador o commutador fet amb semiconductors dopats. El BJT està compost per diverses capes de material dopat, ja siga NPN o PNP. El centre de la secció s'anomena la base del transistor. Variant el corrent entre la base i un terminal anomenat emissor, es pot variar el corrent que flueix entre l'emissor i el tercer connector anomenat col·lector, fent que el senyal aparegui amplificat en eixe terminal. Els BJTs poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. La seua funció habitual és la de servir com a amplificadors de corrent. (ca) Το διπολικό τρανζίστορ (BJT – Bipolar Junction Transistor) Το τρανζίστορ είναι ένα ημιαγωγό στοιχείο των ηλεκτρονικών ισχύος, το οποίο αποτελείται από τρεις ζώνες ημιαγωγού στοιχείου διαδοχικά τοποθετημένες. Επομένως, έχουμε δύο τύπους τρανζίστορ: το τρανζίστορ npn και το τρανζίστορ pnp. Στα ηλεκτρονικά ισχύος χρησιμοποιούμε αποκλειστικά το τρανζίστορ npn α) Δομή ενός τρανζίστορ npn β) Σύμβολο τρανζίστορ τύπου-npn με ορθή πόλωση γ) Τρανζίστορ του εμπορίου]] Λειτουργία npn-τρανζίστορ Το τρανζίστορ λειτουργεί σαν ελεγχόμενος διακόπτης. Για να λειτουργήσει, όμως, απαιτείται ορθή πόλωση. Δηλαδή: π.χ.: (el) A bipolar junction transistor (BJT) is a type of transistor that uses both electrons and electron holes as charge carriers. In contrast, a unipolar transistor, such as a field-effect transistor, uses only one kind of charge carrier. A bipolar transistor allows a small current injected at one of its terminals to control a much larger current flowing between the terminals, making the device capable of amplification or switching. (en) El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. (es) ( BJT는 여기로 연결됩니다. 일본어 자격시험에 대해서는 비즈니스 일본어 능력 시험 문서를 참고하십시오.) 양극성 접합 트랜지스터(영어: bipolar junction transistor)는 1947년 벨 연구소에서 존 바딘, 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었다. 진공관은 전자회로 구현에서 크기와 소모전력 그리고 내구성에 문제가 많다. 특히 스위치 개념을 적용할 때, 많은 소자가 필요한데 공간의 한계가 문제가 된다. 그래서 반도체를 이용한 스위치의 필요성이 대두되어 개발되었다. 오늘날 집적회로에서 CMOS 사용의 선호로 인해 관심과 사용이 줄어들고 있으나, 이산회로 등에서 접합형 트랜지스터의 성질이 잘 알려져 있고 다양한 소자 선택이 가능해 여전히 널리 사용되고 있다. (ko) In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore. Costituisce la famiglia più diffusa in elettronica insieme al transistor ad effetto di campo rispetto a cui è in grado di offrire una maggiore corrente in uscita con lo svantaggio tuttavia di non avere il terminale di controllo isolato (gate). (it) 双极性電晶體（英語：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予1956年的诺贝尔物理学奖。 这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也稱雙極性載子電晶體。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN電晶體為例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。 双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。 (zh) Біполярний транзистор — напівпровідниковий прилад, елемент електронних схем. Має три електроди — емітер, базу і колектор, — один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Термін «біполярний» підкреслює той факт, що принцип роботи приладу полягає у взаємодії з електричним полем носіїв заряду, що мають як позитивний, так і негативний електричний заряд. В залежності від типу носіїв заряду, які використовуються в транзисторі, біполярні транзистори поділяються на транзистори типів NPN та PNP. В транзисторі типу NPN емітер і колектор легуються донорами, а база — акцепторами. В транзисторі типу PNP — навпаки. (uk) |
| rdfs:label | Bipolar junction transistor (en) ترانزستور ثنائي القطب (ar) Transistor bipolar (ca) Bipolární tranzistor (cs) Bipolartransistor (de) Διπολικό τρανζίστορ (el) Transistor de unión bipolar (es) Transistore bipolar (eu) Transistor sambungan dwikutub (in) Transistor bipolaire (fr) Transistor a giunzione bipolare (it) バイポーラトランジスタ (ja) 접합형 트랜지스터 (ko) Tranzystor bipolarny (pl) Bipolaire transistor (nl) Transistor de junção bipolar (pt) Биполярный транзистор (ru) Bipolär transistor (sv) Біполярний транзистор (uk) 双极性晶体管 (zh) |
| owl:sameAs | freebase:Bipolar junction transistor yago-res:Bipolar junction transistor http://d-nb.info/gnd/4145669-5 wikidata:Bipolar junction transistor wikidata:Bipolar junction transistor dbpedia-ar:Bipolar junction transistor dbpedia-be:Bipolar junction transistor dbpedia-bg:Bipolar junction transistor dbpedia-ca:Bipolar junction transistor dbpedia-cs:Bipolar junction transistor dbpedia-da:Bipolar junction transistor dbpedia-de:Bipolar junction transistor dbpedia-el:Bipolar junction transistor dbpedia-es:Bipolar junction transistor dbpedia-et:Bipolar junction transistor dbpedia-eu:Bipolar junction transistor dbpedia-fa:Bipolar junction transistor dbpedia-fr:Bipolar junction transistor dbpedia-he:Bipolar junction transistor http://hi.dbpedia.org/resource/बीजेटी http://hy.dbpedia.org/resource/Երկբևեռ_տրանզիստոր dbpedia-id:Bipolar junction transistor dbpedia-it:Bipolar junction transistor dbpedia-ja:Bipolar junction transistor http://jv.dbpedia.org/resource/Transistor_sambungan_dwikutub dbpedia-kk:Bipolar junction transistor dbpedia-ko:Bipolar junction transistor dbpedia-la:Bipolar junction transistor http://lv.dbpedia.org/resource/Bipolārais_tranzistors dbpedia-mk:Bipolar junction transistor http://ml.dbpedia.org/resource/ദ്വിധ്രുവ_ട്രാൻസിസ്റ്റർ http://mn.dbpedia.org/resource/Хос_туйлт_транзистор dbpedia-nl:Bipolar junction transistor dbpedia-pl:Bipolar junction transistor dbpedia-pt:Bipolar junction transistor dbpedia-ro:Bipolar junction transistor dbpedia-ru:Bipolar junction transistor dbpedia-sh:Bipolar junction transistor dbpedia-simple:Bipolar junction transistor dbpedia-sl:Bipolar junction transistor dbpedia-sq:Bipolar junction transistor dbpedia-sr:Bipolar junction transistor dbpedia-sv:Bipolar junction transistor http://ta.dbpedia.org/resource/இருமுனை_சந்தி_திரிதடையம் dbpedia-tr:Bipolar junction transistor dbpedia-uk:Bipolar junction transistor http://ur.dbpedia.org/resource/بائی_پولر_جنکشن_ٹرانزسٹر dbpedia-vi:Bipolar junction transistor dbpedia-zh:Bipolar junction transistor https://global.dbpedia.org/id/ogwe |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Bipolar_junction_transistor?oldid=1119730127&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Approximated_Ebers_Moll.svg wiki-commons:Special:FilePath/BJT_h-parameters_(generalised).svg wiki-commons:Special:FilePath/Diagrama_de_Transistor_NPN.svg wiki-commons:Special:FilePath/Early_effect_(NPN).svg wiki-commons:Special:FilePath/Ebers-Moll_model_schematic_(NPN).svg wiki-commons:Special:FilePath/Ebers-Moll_model_schematic_(PNP).svg wiki-commons:Special:FilePath/Hybrid-pi_detailed_model.svg wiki-commons:Special:FilePath/IEEE_315-1975_(1993)_8.6.1.svg wiki-commons:Special:FilePath/IEEE_315-1975_(1993)_8.6.2.svg wiki-commons:Special:FilePath/IPRS_BANEASA_2N2222.jpg wiki-commons:Special:FilePath/Input_characteristic_common-base_silicon_transistor-en.svg wiki-commons:Special:FilePath/NPN_BJT_(Planar)_Cross-section.svg wiki-commons:Special:FilePath/NPN_BJT_-_Structure_&_circuit.svg wiki-commons:Special:FilePath/NPN_BJT_Basic_Operation_(Active)_jP.svg wiki-commons:Special:FilePath/NPN_Band_Diagram_Active.svg wiki-commons:Special:FilePath/NPN_Band_Diagram_Equilibrium.svg wiki-commons:Special:FilePath/Output_characteristic_common-base_silicon_transistor-en.svg wiki-commons:Special:FilePath/Transistorer_(cropped).jpg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Bipolar_junction_transistor |
| is dbo:knownFor of | dbr:William_Shockley dbr:Jean_Hoerni dbr:John_L._Moll |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:BJT_(disambiguation) dbr:Bipolar dbr:Junction_transistor_(disambiguation) |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:NPN_transistor dbr:Bipolar_Junction_Transistor dbr:VBIC dbr:PNP_transistor dbr:BJT dbr:Collector_current dbr:Ebers–Moll_model dbr:Bipolar_junction_transistors dbr:H-parameter_model dbr:Emitter,_base_and_collector dbr:Emitter,_base,_and_collector dbr:Emitter_current dbr:Transistor_beta dbr:P-n-p_transistor dbr:PNP_(transistor_polarity) dbr:Bjt dbr:Bjt_transistor dbr:Ebers-Moll dbr:Ebers-Moll_model dbr:N-p-n_transistor dbr:P–n–p_transistor dbr:N–p–n_transistor dbr:Bipolar_transistor dbr:Bipolar_transistors dbr:Junction_transistor dbr:Power_BJT |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Calculator dbr:Amplifier dbr:BJT_(disambiguation) dbr:Power_electronics dbr:Ronald_D._Schrimpf dbr:Electric_power_industry dbr:Electrical_element dbr:Electrical_junction dbr:Electron_hole dbr:Electronic_component dbr:Electronic_oscillator dbr:Electronic_waste dbr:Electronics_industry_in_the_Socialist_Republic_of_Romania dbr:List_of_computing_and_IT_abbreviations dbr:NMOS_logic dbr:NPN_transistor dbr:Read-only_memory dbr:Semiconductor_memory dbr:MOS_composite_static_induction_thyristor dbr:Monolithic_Memories dbr:Morgan_Sparks dbr:Pascal_MicroEngine dbr:1948 dbr:Bipolar_Junction_Transistor dbr:Blackmer_gain_cell dbr:Bob_Widlar dbr:Alloy-junction_transistor dbr:History_of_computing_hardware dbr:BiCMOS dbr:Biasing dbr:Charge_carrier dbr:Current_crowding dbr:Current_mirror dbr:VBIC dbr:Vacuum_tube dbr:Deathnium dbr:Deaths_in_May_2008 dbr:Dependent_source dbr:Depletion-load_NMOS_logic dbr:Depletion_region dbr:Derating dbr:Double-tuned_amplifier dbr:Double_subscript_notation dbr:ETA10 dbr:Early_effect dbr:Index_of_electrical_engineering_articles dbr:Index_of_electronics_articles dbr:Information_Age dbr:Input_offset_voltage dbr:Insulated-gate_bipolar_transistor dbr:Integrated_circuit dbr:Integrated_circuit_design dbr:Integrated_injection_logic dbr:Inverter_(logic_gate) dbr:JFET dbr:Open_collector dbr:Opto-isolator dbr:Spacistor dbr:Nullor dbr:Nuvistor dbr:Power_amplifier_classes dbr:Power_semiconductor_device dbr:Proper_zero-signal_collector_current dbr:November_1921 dbr:Computer dbr:Cray_X-MP dbr:Low-dropout_regulator dbr:Netlist dbr:OR_gate dbr:Power_MOSFET dbr:Silicon_bandgap_temperature_sensor dbr:TO-126 dbr:P–n_junction dbr:RF_CMOS dbr:Electrical_engineering dbr:Electricity dbr:Epitaxy dbr:Glossary_of_electrical_and_electronics_engineering dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:NE5532 dbr:Equivalent_circuit dbr:LED_circuit dbr:Pull-up_resistor dbr:Antenna_tuner dbr:MOSFET dbr:MOSFET_applications dbr:Manchester_computers dbr:Static_random-access_memory dbr:Colpitts_oscillator dbr:Common_base dbr:Common_collector dbr:Common_drain dbr:Common_emitter dbr:Common_gate dbr:Common_source dbr:Comparator dbr:Computer_program dbr:ZMDI dbr:Embedded_system dbr:Emitter-coupled_logic dbr:Fully_differential_amplifier dbr:Ignition_timing dbr:PMOS_logic dbr:PNP_transistor dbr:Phase-change_memory dbr:Photodiode dbr:Spectre_Circuit_Simulator dbr:Square_wave dbr:Tesla_coil dbr:Microsystems_International dbr:BJT dbr:Active-filter_tuned_oscillator dbr:Active_rectification dbr:Warren_P._Waters dbr:William_Shockley dbr:Distributed-element_model dbr:Drift-field_transistor dbr:Collector dbr:Collector_current dbr:H-bridge dbr:HITAC_S-810 dbr:Hartley_oscillator dbr:Ebers–Moll_model dbr:Jewell_James_Ebers dbr:July_4 dbr:June_26 dbr:Lambda_diode dbr:Latch-up dbr:Leakage_(electronics) dbr:List_of_AMD_Am2900_and_Am29000_families dbr:Logic_family dbr:Radio_transmitter_design dbr:VAX_8000 dbr:555_timer_IC dbr:Advanced_Micro_Devices dbr:Amdahl_Corporation dbr:2N107 dbr:2N2222 dbr:2N2907 dbr:2N3055 dbr:2N3904 dbr:2N3906 dbr:2N7000 dbr:Current_source dbr:Data_I/O dbr:Ferranti_F100-L dbr:Bandgap_voltage_reference dbr:Brokaw_bandgap_reference dbr:Base dbr:Beta_(disambiguation) dbr:Bipolar dbr:Bipolar_junction_transistors dbr:Die_(integrated_circuit) dbr:Digital_Revolution dbr:Digital_electronics dbr:Diode dbr:Diode_modelling dbr:Flicker_noise dbr:Glossary_of_fuel_cell_terms dbr:Glow_plug_(model_engine) dbr:History_of_computing dbr:History_of_computing_hardware_(1960s–present) dbr:History_of_electrical_engineering dbr:History_of_electronic_engineering dbr:History_of_radio dbr:History_of_the_transistor dbr:Kombinat_Mikroelektronik_Erfurt dbr:Mixed-signal_integrated_circuit dbr:Mainframe_computer dbr:Radio_receiver dbr:Relay dbr:H-parameter_model dbr:Halbleiterwerk_Frankfurt_(Oder) dbr:Harwell_CADET dbr:Hermann_Gummel dbr:Heterojunction dbr:Invention_of_the_integrated_circuit dbr:James_M._Early dbr:Jay_Last dbr:Jean_Hoerni dbr:Baker_clamp dbr:Hybrid-pi_model dbr:Hydraulic_analogy dbr:Self-aligned_gate dbr:Asad_Abidi dbr:Atlas_(computer) dbr:AF107 dbr:AMD_Am2900 dbr:John_L._Moll dbr:KT315 dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Bipolar_transistor_biasing dbr:Bit_slicing dbr:TO-3 dbr:TO-66 dbr:Heterojunction_bipolar_transistor dbr:Heterostructure-emitter_bipolar_transistor dbr:High_impedance dbr:Texas_Instruments_Power dbr:Transistor dbr:Transistor_computer dbr:Digital_Equipment_Corporation dbr:Disruptive_innovation dbr:Audio_power_amplifier dbr:Avalanche_transistor dbr:BC108_family dbr:BC548 dbr:BCDMOS dbr:Bootstrapping_(electronics) dbr:Buffer_amplifier dbr:Busicom dbr:CK722 dbr:Circuit_Scribe dbr:Field-effect_transistor dbr:Film_capacitor dbr:Grown-junction_transistor dbr:Emitter,_base_and_collector dbr:Emitter,_base,_and_collector dbr:Emitter_current dbr:IBM_System/390 dbr:IC_power-supply_pin dbr:Indium dbr:Indium_antimonide dbr:Intel dbr:Metrovick_950 dbr:Microprocessor dbr:Microprocessor_chronology dbr:Operational_amplifier dbr:Carrier_generation_and_recombination dbr:Carrier_lifetime dbr:Cascode dbr:Random-access_memory dbr:Channel_length_modulation dbr:Memory_cell_(computing) dbr:ICC dbr:Ic dbr:Schottky_barrier dbr:Semiconductor_device dbr:Valve_RF_amplifier dbr:Valve_amplifier dbr:Negative_resistance dbr:Transistor_diode_model dbr:Treble_booster dbr:Small-signal_model dbr:Trancitor dbr:Extrinsic_semiconductor dbr:FET_amplifier dbr:Gummel_plot dbr:Gummel–Poon_model dbr:IBM_PALM_processor dbr:IBM_POWER_architecture dbr:Junction_transistor_(disambiguation) dbr:Norman_Krim dbr:Transistor_array dbr:Point-contact_transistor dbr:Rubber_diode dbr:Transistor–transistor_logic dbr:Flash_ADC dbr:GgNMOS dbr:RF_power_amplifier dbr:Radiation_hardening dbr:Multistage_amplifier dbr:Single-ended_primary-inductor_converter dbr:Transconductance dbr:Semiconductor_device_modeling dbr:Signetics dbr:Silicon–germanium dbr:Noise_generator dbr:Resistor–transistor_logic dbr:SDS_930 dbr:Transistor_count dbr:Tube_sound dbr:Parasitic_structure dbr:VAX-11 dbr:Widlar_current_source dbr:Technology_CAD dbr:Transistor_model dbr:X704 dbr:Thyristor dbr:Transistor_beta dbr:P-n-p_transistor dbr:PNP_(transistor_polarity) dbr:Bjt dbr:Bjt_transistor dbr:Ebers-Moll dbr:Ebers-Moll_model dbr:N-p-n_transistor dbr:P–n–p_transistor dbr:N–p–n_transistor dbr:Bipolar_transistor dbr:Bipolar_transistors dbr:Junction_transistor dbr:Power_BJT |
| is dbp:knownFor of | dbr:John_L._Moll |
| is rdfs:seeAlso of | dbr:Electronic_symbol |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Bipolar_junction_transistor |
